第二章晶体制备(2016)
制备大晶体
制备大晶体1概论原理：利用不同物质溶解度随温度变化而产生不同变化的原理对物质进行分离，得到所需产品。
过程：晶核生成和晶体生长仪器：布氏漏斗，抽滤瓶，电炉，蒸发皿，烧杯，玻璃棒，方法2蒸发结晶定义：加热蒸发溶剂，使溶液由不饱和变为饱和，继续蒸发，过剩的溶质就会呈晶体析出试用范围：溶解度随温度变化不大的物质典型事例：Nacl 晶体的析出操作过程：在蒸发皿中进行，蒸发皿放于铁架台的铁圈上，倒入液体不超过蒸发皿容积的2/3，蒸发过程中不断用玻璃棒搅拌液体，防止受热不均，液体飞溅。
看到有大量固体析出，或者仅余少量液体时,停止加热，利用余热将液体蒸干。
注意事项及提高产率的方法：1保证要结晶的物质溶解度随温度都变化要大2利用余热蒸发剩余的晶体有助于节约能源2 冷却结晶定义：即蒸发浓缩，冷却结晶，指在温度比较高的情况下饱和的溶液将其温度降低,使其析出晶体的过程。
适用范围：适用于溶解度随温度的升高而明显增大的物质。
典型事例：我们这两次做的硫酸亚铁铵晶体的制备操作过程：先将溶液倒入蒸发皿中，水浴加热至溶液饱和，略微有固体析出（硫酸亚铁铵制备过程中是形成一层晶体膜，而硫酸四铵合铜制备过程中是有蒸气出现即可），然后盖上表面皿，冷却一段时间，待有大量晶体析出时进行抽滤即可。
蒸发浓缩冷却结晶注意事项及提高产率的方法：1要保证配合物配位数的一定，如硫酸四铵合铜中铵的系数是4，即配位数是四2可以通过改变溶剂环境来改变溶解度的差，提高产率，如制备硫酸四铵合铜的过程中加入95%的氨水3结晶开始后，溶液温度最好也不要太高，最好不要超过60度，建议40～50度（比室温高20度）3重结晶定义：将晶体溶于溶剂或熔融以后，又重新从溶液或熔体中结晶的过程。
适用范围：它适用于产品与杂质性质差别较大、产品中杂质含量小于5 %的体系。
典型事例：硫酸四铵合铜的制备过程：先将固体用适宜的溶剂溶解，再用蒸发浓缩，冷却结晶的方法制得晶体注意事项及提高产率的方法：1 一定要选择适当的溶剂，晶体在其中的溶解度要大，不与晶体反应，熔沸点不宜太高，如硫酸四铵合铜制备过程中加入1:1氨水2若结晶前出现了晶体时，要适当加热保证其全部溶解，以保证晶体的形状。
几种典型的晶体生长方法.
遇到的主要问题是：
如何有效地控制成核数目和成核位臵； 如何提高溶质的扩散速度和晶体的生长 速度； 如何提高溶质的溶解度和加大晶体的生 长尺寸； 如何控制晶体的成分和掺质的均匀性。
⑹ 水热法 基本原理：
使用特殊设计的装臵，人为地创造一个高 温高压环境，由于高温高压下水的解离常数 增大、黏度大大降低、水分子和离子的活动 性增加，可使那些在通常条件下不溶或难溶 于水的物质溶解度、水解程度极大提高，从 而快速反应合成新的产物。 可分为温差法、等温法和降温法等。
助熔剂提拉法
自发成核的缓冷生长法
Tb3
Sm3
Nd 3
Er 3
Gd 3
Eu 3
Dy 3
Na5 RE WO4 4 系列基质发光晶体
助熔剂法的特点及不足简单，适应性强，特别适用于新材料的探 索和研究； 生长温度低，特别适宜生长难熔化合物、在熔 点处极易挥发、变价或相变的材料，以及非同 成分熔融化合物； 只要采取适当的措施，可生长比熔体法生长的 晶体热应力更小、更均匀和完整； 生长速度慢，生长周期较长，晶体尺寸较小； 助熔剂往往带有腐蚀性或毒性； 由于采用的助熔剂往往是多种组分的，各组分 间的相互干扰和污染是很难避免的。
⑸ 高温溶液法
将晶体的原成分在常压高温下溶解于低熔 点助熔剂溶液内，形成均匀的饱和溶液；然后 通过缓慢降温或其他方法，形成过饱和溶液而 使晶体析出。 良好的助熔剂需要具备下述物理化学性质： • 应具有足够强的溶解能力，在生长温度范围内， 溶解度要有足够大的变化； • 在尽可能宽的范围内，所要的晶体是唯一的稳 定相。最好选取与晶体具有相同离子的助熔剂， 而避免选取性质与晶体成分相近的其他化合物；
切割好的籽晶
籽晶培养
晶体的制备方法
水热合成方法的简介1．概述水热合成是指温度为100～1000 ℃、压力为1MPa～1GPa 条件下利用水溶液中物质化学反应所进行的合成。
在亚临界和超临界水热条件下,由于反应处于分子水平,反应性提高,因而水热反应可以替代某些高温固相反应。
又由于水热反应的均相成核及非均相成核机理与固相反应的扩散机制不同,因而可以创造出其它方法无法制备的新化合物和新材料。
一系列温和与高温高压水热反应的开拓及其在此基础上开发出来的水热合成路线,已成为目前获取多数无机功能材料和特种组成与结构的无机化合物的重要途径。
在水热合成体系中,已开发出多种新的合成路线与新的合成方法,如直接法、籽晶法、导向剂法、模板剂法、络合剂法、有机溶剂法、微波法以及高温高压合成技术等。
包括水热合成在内的无机合成化学,近期在凝聚态物理领域的某些强关联体系做出了重要的贡献。
目前的强关联无机固体的研究孕育着新概念、新理论和新材料。
具有特殊光、电、磁性质及催化性能的无机材料合成、制备与组装以及结构与性能之间关系研究的突破,导致新物种和新材料的出现,甚至会带动新的产业革命。
新型无机化合物及功能材料的大量开发,主要依赖于新的合成途径、合成技术与相关理论的发展。
针对国际上目前在无机材料的合成与制备研究方面的前沿动态,我们提出并发展了先进材料水热合成路线,深入广泛地探讨不同类型具特殊光、电、磁、催化功能的无机材料的合成与制备技术,系统地研究它们的形成规律和反应机制以及它们的结构、组成、性能及彼此之间的关系。
我们应用变化繁多的水热合成技术和技巧,制备出了具有光、电、磁性质的包括萤石、钙钛矿、白钨矿、尖晶石和焦绿石等主要结构类型的复合氧化物。
该系列复合氧化物的成功水热合成,替代及弥补了目前大量无机功能材料需要高温固相反应条件的不足。
目前温和水热合成技术,结合变化繁多的合成方法和技巧,已经获得了几乎所有重要的光、电、磁功能复合氧化物和复合氟化物。
如双掺杂二氧化铈固体电解质、巨磁阻材料以及铋系超导材料。
第二章单晶材料的制备
(1) (2) (3) (4) (5)
2、固—固生长方法的优缺点
固—固生长方法的优点： 可以在不添加组分的情况下和较低温下进行生长； 晶体形状可事先固定。所以，丝、箔等形状的晶体容易生长出来； 生长取向常常容易得到控制。如可采用使试样弯曲的办法，使试
样的单晶区具有相对试样轴来说所希望的空间关系而得到所希望的取 向； 除脱溶以外的固相生长中，杂质和其他添加组分的分布在生长前被固 定下来，并且不被生长过程所改变（除稍微被相当慢的固态扩散所改 变以外）。
2、常用的单晶生长方法
晶体生长有下列类型的复相化学反应： ①固体—晶体，②液体—晶体，③气体—晶体。 常用单晶生长方法分为： (1) 固相—固相平衡的晶体生长 (2) 液相—固相平衡的晶体生长 (3) 气相—固相平衡的晶体生长。
3、单晶材料的制备方法的选择
采用什么方法生长晶体是由结晶物质的性质决定 的。
例如:结晶物质只有分解温度而无熔点，就不能采用熔体法， 而应选择水溶液或高温溶液法生长其晶体，这样可以大大 降低其生长温度； 又如水中难溶物的晶体就不能用常温水溶液法，而需要采 用其他溶剂或高温溶液法生长其晶体。
有些晶体可用不同方法生长，这就要根据需要和实验条件 加以选择。一般来说，如果能够用熔体法生长晶体，就不 用溶液法生长；如果能够用常温溶液或水溶液法，就不用 高温溶液法。
应变退火通常是等温退火。 所用的退火炉和普通火炉没什么区别，主要是加 热部分和温度控制部分。要求可以控制炉内温度 梯度以及加热和冷却速度。
2、用应变退火法生长特殊晶体
大部分利用应变退火生长的晶体是金属单晶。 例如：由于铝的熔点低(660℃)，对金属铝的再结晶和晶 粒长大有许多研究。在施加临界应变和退火生长过程前， 铝的晶粒尺寸大约为0.1mm。对99.99%的铝采用交替施加 应变和退火的方法，获得了直径为5mm的晶粒。也有研究 利用诱导晶界迁移制取了宽为2.5cm的高纯度单晶铝带。
乙醇酸晶体的生产方法[发明专利]
![乙醇酸晶体的生产方法[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/9b830f8e970590c69ec3d5bbfd0a79563c1ed4b3.png)
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201610831241.X(22)申请日 2016.09.19(71)申请人 中国石油化工股份有限公司地址 100728 北京市朝阳区朝阳门北大街22号申请人 中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院(72)发明人 陈亮 宗弘元 丁素萍 陈燕鑫 王璐 (51)Int.Cl.C07C 51/43(2006.01)C07C 59/06(2006.01)(54)发明名称乙醇酸晶体的生产方法(57)摘要本发明涉及一种由乙醇酸溶液生产乙醇酸晶体的方法，先对乙醇酸水溶液进行冷却，然后在低于原料饱和温度下，加入乙醇酸晶体作为晶种促进乙醇酸结晶，最后经固液分离与干燥，得到高纯度的乙醇酸晶体。
本发明所采用的技术方案较好地解决了现有技术中存在的结晶过程效率低的问题，可用于乙醇酸晶体的生产中。
权利要求书1页 说明书5页 附图1页CN 107840790 A 2018.03.27C N 107840790A1.一种乙醇酸晶体的生产方法，包括以下步骤：a)对原料乙醇酸溶液进行冷却，在低于原料饱和温度下，加入乙醇酸晶体作为晶种，结晶温度为-20℃～10℃，得到含乙醇酸晶体的晶浆；b)对含乙醇酸晶体的晶浆进行固液分离，得到乙醇酸晶体和结晶母液；c)对乙醇酸晶体进行干燥，得到乙醇酸晶体产品。
2.根据权利要求1所述的乙醇酸晶体的生产方法，其特征在于原料乙醇酸溶液中乙醇酸的浓度为50％～90％。
3.根据权利要求1所述的乙醇酸晶体的生产方法，其特征在于在低于原料饱和温度0.5℃～5℃范围内加入乙醇酸晶体作为晶种。
4.根据权利要求1所述的乙醇酸晶体的生产方法，其特征在于加入的乙醇酸晶种纯度≥99％。
5.根据权利要求1所述的乙醇酸晶体的生产方法，其特征在于加入的乙醇酸晶种量为原料中乙醇酸质量的0.5％～5％。
6.根据权利要求1所述的乙醇酸晶体的生产方法，其特征在于加入的乙醇酸晶种粒度分布为100μm～800μm。
晶体的制备
晶体的制备朋友！你知道不？晶体那玩意儿，就像是大自然和科学家联手创造的魔法宝贝。
今天咱就来聊聊晶体的制备，让你也能亲手创造属于自己的“魔法”。
咱先说说晶体是啥。
晶体就像是一个个排列整齐的小士兵，规规矩矩地站在那里。
它们有着漂亮的形状和光泽，有的像钻石一样闪闪发光，有的像雪花一样晶莹剔透。
你想想，要是你能自己做出这么漂亮的晶体，那得多有成就感啊！那么，怎么制备晶体呢？首先，你得有材料。
这就好比做饭得有食材一样。
常见的晶体材料有盐、糖、硫酸铜等等。
这些东西在我们生活中很容易找到。
你可以去超市买一包盐，或者从化学试剂店买一点硫酸铜。
不过要注意哦，有些化学试剂是有危险性的，一定要在大人的指导下使用。
有了材料，接下来就是制备的过程了。
咱以盐为例吧。
你可以把盐溶解在水里，就像把糖放进咖啡里一样。
然后，把这个盐水放在一个安静的地方，让它慢慢地蒸发。
这个过程就像是太阳在晒衣服，水分慢慢被晒干，留下了盐的晶体。
你可以找一个小杯子，把盐水倒进去，然后放在窗台上，等着奇迹发生。
说不定过几天，你就能看到杯子里长出了漂亮的盐晶体呢！要是你觉得盐晶体太普通了，想做点更厉害的，那可以试试硫酸铜晶体。
硫酸铜晶体那可是蓝色的宝石啊！制备硫酸铜晶体的过程稍微有点复杂。
你需要把硫酸铜溶解在热水里，直到它不能再溶解为止。
这就像在给马儿喂草，直到它吃不下了为止。
然后，把这个溶液放在一个安静的地方，让它慢慢地冷却。
在冷却的过程中，硫酸铜晶体会慢慢地长出来。
这个过程就像是在种水晶，需要耐心和细心。
在制备晶体的过程中，有几个要点要注意哦。
第一，溶液要干净。
要是溶液里有杂质，就像米饭里有沙子一样，会影响晶体的质量。
所以，在溶解材料的时候，要用干净的水和容器。
第二，环境要安静。
晶体就像一个害羞的小姑娘，需要一个安静的环境才能长得漂亮。
如果周围太吵太闹，晶体可能会长得歪歪扭扭的。
第三，要有耐心。
制备晶体可不是一蹴而就的事情，需要时间和等待。
就像种一棵树，你不能指望它一天就长大。
晶体工艺的制备过程
晶体工艺的制备过程净室一般的机械加工是不需要洁净室(clean room)的，因为加工分辨率在数十微米以上，远比日常环境的微尘颗粒为大。
但进入半导体组件或微细加工的世界，空间单位都是以微米计算，因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上，便有可能影响到其上精密导线布局的样式，造成电性短路或断路的严重后果。
为此，所有半导体制程设备，都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，这就是洁净室的来由。
洁净室的洁净等级，有一公认的标准，以class 10为例，意谓在单位立方英呎的洁净室空间内，平均只有粒径0.5微米以上的粉尘10粒。
所以class后头数字越小，洁净度越佳，当然其造价也越昂贵(参见图2-1)。
为营造洁净室的环境，有专业的建造厂家，及其相关的技术与使用管理办法如下：1、内部要保持大于一大气压的环境，以确保粉尘只出不进。
所以需要大型鼓风机，将经滤网的空气源源不绝地打入洁净室中。
2、为保持温度与湿度的恒定，大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统中。
换言之，鼓风机加压多久，冷气空调也开多久。
3、所有气流方向均由上往下为主，尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放调配，使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。
4、所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。
5、所有人事物进出，都必须经过空气吹浴(air shower) 的程序，将表面粉尘先行去除。
6、人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源，为此务必严格要求进出使用人员穿戴无尘衣，除了眼睛部位外，均需与外界隔绝接触(在次微米制程技术的工厂内，工作人员几乎穿戴得像航天员一样。
) 当然，化妆是在禁绝之内，铅笔等也禁止使用。
7、除了空气外，水的使用也只能限用去离子水(DI water, de-ionized water)。
一则防止水中粉粒污染晶圆，二则防止水中重金属离子，如钾、钠离子污染金氧半(MOS) 晶体管结构之带电载子信道(carrierchannel)，影响半导体组件的工作特性。
单晶的制备
• 从溶液中生长晶体的过程中，最关键的问题是控制和 保持溶液有一定的过饱和度，从而使晶体有一个基本 恒定的生长速率，这样才能培养出高质量的单晶体． • 控制溶液过饱和度的措施主要有降温法和蒸发法．前 者适合于溶解度随温度变化大的溶质，而后者适合于 溶解度随温度变化较小的溶质． • α一LiIO3是一种实用的非线性光学晶体，常用作倍频 材料，可以将YAG：Nd3+激光器发射的波长为1.06 μm的近红外光转变为530nm的绿色光． • 该晶体可以通过蒸发法从水溶液中生长，蒸发温度保 持在7 0~80º C 之间，长出的单晶直径为7 0 mm，质 量达1.2 kg．控制蒸发温度在70~80 º C 之间的目的是 避免β一LiIO3的结晶．
• 在该方法中，液体应能很好地溶解固体，但不与 其反应．若我们称固体为A，液体为B，则A与B 之间可以形成如图2.15中表示的二元相图． • 与晶体A在溶剂B中生长单晶相关的相平衡区只 是图中线段αβ及附近的区域．为了讨论问题的方 便，我们将这一部分相图以溶解度的形式表示， 见图2.16． • 在溶解度图中，曲线αβ表示在各种温度下A溶解 在B中所生成的饱和溶液的浓度． αβ曲线下面是 不饱和溶液区； • αβ曲线是固相A与溶液共存平衡的区域边界； αβ 曲线的上面是固相A与溶液共存的区域．
• 通过缓慢冷却的方式生长单晶，其降温速率在 每小时0.5~10º C．若降温速率太快，容易产生 自发结晶． • 钇铁石榴石Y3Fe5O12(YIG)单晶是人工合成的一 种亚铁磁材料．该材料在1555℃下分解为 YFeO3和Fe2O3，因而不能利用该材料的纯熔体 生长单晶，但可以利用助熔剂缓慢冷却方法制 备这种单晶。 • 其条件：以Y2O3，Fe2O3，PbO，PbF2，B2O3 和CaO为原料，其摩尔分数分别为1 0％，20.5 %，37%, ，27％，5.5％和0.1％．原料放入 500 cm3的坩埚中，加盖密封，置于电阻炉中．
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晶圆
4、倒角
大圆片边缘加工成圆弧，即边缘轮廓整形，也叫倒角
5、磨平抛光
（1）双面机械研磨 Wafer Lapping
• Rough polished • conventional, abrasive, slurry-lapping • To remove majority of surface damage • To create a flat surface
Czochralski Growth 提拉法生长晶体示意图
籽晶浸没
长细颈
放肩
等直径生长
CZ法单晶拉制过程 一支85公分长，重76.6公斤的 8寸 硅晶棒，约需 2天半时间长成。
CZ Crystal Pullers CZ法单晶拉制设备
提拉法单晶硅生产车间
单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450 毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。 但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。 Intel为研制和生产300毫米硅锭而建立 的工厂耗费了大约35亿美元，新技术的成功使得intel可以制造复杂程度更高，功能 更强大的集成电路芯片。而200毫米硅锭的工厂也耗费了15亿美元。
（2）去除机械研磨损伤 Wet Etch
• Remove defects from wafer surface • 4:1:3 mixture of HNO3 (79 wt% in H2O), HF (49 wt% in H2O), and pure CH3COOH
（3）化学机械抛光 CMP
晶圆制备过程
2000℃
SiO2 + 2C ----> Si + 2CO2
上述过程在电弧炉中完成，能量消耗很高，约为14kwh／kg，因此硅的生产通常
冶金级多晶 硅（MGS）
在水电过剩的地方（挪威，加拿大等地）进行，这样被还原出来的硅的纯度约98 ％一99％，称为冶金级硅（MG一Si），主要用于冶金工业的添加剂。
区熔法生长晶体示意图
区熔法生长晶体过程示意图
区熔法的另一个主要用途在于材料的物理提纯。加热器不断地重复移动， 杂质被逐渐赶到一边，原料从而得到提纯。
两种单晶硅制备方法对比
•提拉法 –成本低，更常用，目前在硅单晶总产量中，80%以上是CZ硅，剩余约20%则主
要是FZ硅。 – 可制备大直径硅棒 (300 mm in production) –主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底
硅来自哪里？
如果问及CPU的原料是什么，大家都会轻而易举的给出答案—是硅。这是 不假，但硅又来自哪里呢？其实就是那些最不起眼的沙子。难以想象吧，价格 昂贵，结构复杂，功能强大，充满着神秘感的CPU竟然来自那根本一文不值的 沙子，因为沙子里含有石英，石英中又含有硅。
第一节 多晶硅的制备方法
石英沙
单质化
硅片尺寸（ 硅片尺寸（ Wafer SizeWafer Size））的变化趋势
单晶硅制备的FZ法
FZ法（区熔法）为将 一多晶硅棒(Polysilicon Rod)通过铜线圈等环带 状加热器，以产生局部 融化现象，再控制凝固 过程而生长单晶棒。熔 区被限制在加热器加热 的狭小范围内，绝大部 分的原料处于固态。加 热器从一端向另一端缓 慢移动，熔区也缓慢移 动，晶体逐渐生长。
1、由 无 水 氯 化 氢 和 MGS 反 应生 成三 氯 氢 硅（SiHCl3）
纯化
2、2SiHCl3(气态) + 2H2(气态) ---> 2Si(固态) + 6HCl(气态)
太阳级硅 (SG)：纯度介于冶金级硅与电子级硅之间
电 子 级 多 晶 硅（EGS）
一般要求含Si > 99.9999 %以上，超高纯达到99.9999999%～ 99.999999999%（9～11个9），是制造集成电路晶圆的主要原料。
Electronic Grade Silicon
非晶
晶粒 晶粒多晶来自晶粒单晶Electronic Grade Silicon
单 晶 硅锭或棒
第二节 单晶硅的制备方法
单晶硅的制备主要是通过对高纯多晶硅的熔化，用提拉法 （CZ法） 、区熔法（ FZ法）等方法制备。
单晶硅制备的CZ法
CZ法的单晶拉制是被普遍 采用的晶体生长方法。它是将 多晶硅料放在铂或铱坩埚中加 热熔化，在适当的温度下，将 籽晶浸入液面，让熔体先在籽 晶的末端生长，然后边旋转边 慢慢向上提拉籽晶，因为籽晶 是慢慢浮出熔化物的，籽晶和 熔化物间的表面张力在籽晶表 面上形 成一层薄的硅膜，然后 冷却。冷却时，已熔化硅中的 原子会按照籽晶的晶体结构自 我定向，形成与籽晶同样的晶 体结构，即单晶。晶体即从籽 晶末端开始逐渐长大，这种方 法又称提拉法、直拉法。在国 内比较普遍，容易实现，且单 晶炉价格较FZ（区熔）法拉制 的设备便宜很多。
思考题
• 画一个提拉法晶体生长的示意图并指出你 认为重要的部位。
Thanks for listening
集成电路工艺
第二章 晶圆制备
本章内容
• 硅圆片是如何制备出来的
为什么现代集成电路主要用硅来制造？
• 丰富、廉价：地 壳 中 硅 含 量 丰 富,仅 次 于 氧， 达 25.7%。
• 热稳定性较好
多子
导带
+++ + + 杂质电离 本征激发
少子
价带
容易在其表面形成二氧化硅膜作为掺杂工艺的掩蔽层；同时 • 二氧化硅又是很好的绝缘介电层
•区熔法 – 可制备纯度更高的单晶硅 – 设备更贵，可制备的硅棒直径较小 (150 mm) – 主要用于制备功率器件、高压器件等
第三节 晶圆的制备工艺
单晶硅圆片的制备主要包括外圆研磨、晶片定向、切片、倒角、磨片抛光工艺。
1、外圆研磨
2、晶片定向
用X射线定晶向，沿纵向磨出几个平面（基准面和辅助面），用以帮助 识别晶片划片方位、以及晶片晶向及导电类型
Ingot Polishing, Flat, or Notch
3、切片
常规的硅片切割采用内圆切片机，其刀损为0.3一0.35mm，使晶体硅切割损失 较大，且大硅片不易切得很薄。近几年，多线切割机的使用对晶体硅片的成本下 降具有明显作用。多线切割机采用钢丝带动碳化硅磨料来进行切割硅片，切损只 有0.22mm，硅片可切薄到0.2mm，且切割的损伤小，可减少腐蚀的深度。一般可减 少硅材料的损失。目前先进的大公司基本上都采用该设备。一台设备可切割2一 4MW／年的硅片。近期研究出可将85％的碳化硅磨料及油液经过离心机分离后重复 使用工艺，可进一步降低材料消耗。