半导体二极管基础知识测试题
二极管的题目
第三章二极管一、判断题1、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）2、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）3、二极管的四类理想模型分别是理想二极管模型、恒压模型、折线模型、小信号模型（）。
4、掺入3价杂质元素形成的半导体叫N型半导体。
（）5、掺入5价杂质元素形成的半导体叫N型半导体。
（）6、N型半导体多子为电子，而P型半导体的少子为空穴（）7、N型半导体多子为电子，而P型半导体的少子也是电子。
（）8、PN结外加反向电压指N极电位比P极电位高。
（）9、PN结外加反向电压耗尽层变厚，扩散电流增加。
（）10、PN结外加反向电压耗尽层变厚，耗尽层变厚，扩散电流增加。
（）11、Si二极管的正向导通电压比较Ge二极管的正向导通电压高。
（）12、二极管的反向击穿有两种，一种是齐纳击穿，另一种雪崩击穿，齐纳击穿时所需反压一般比较雪崩击穿时高。
（）13、二极管的齐纳击穿是可逆的。
（）14、二极管的热击穿是可逆的，而击电穿是不可逆。
（）15、发光二极管正常工作时加正向偏置电压，而稳压二极管正常工作时一般加反向偏置电压。
（）16、PN结外加反向电压势垒区变窄。
（）17、二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
（）18、二极管在工作频率大于最高工作频率f M时会损坏。
（）19、二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM时会损坏。
（）20、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）21、稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。
（）二、填空题1、当PN结外加反向电压时，耗尽层厚度将变＿＿＿＿，漂移电流的大小将＿＿＿。
2、纯净的半导体叫＿＿＿＿半导体。
掺入3价杂质元素形成的半导体叫＿＿＿＿型半导体，它主要靠＿＿＿＿导电。
3、掺杂半导体叫＿＿＿＿半导体。
掺入5价杂质元素形成的半导体叫＿＿＿＿型半导体，它主要靠＿＿＿＿导电。
4、PN结正向偏置是指P区接电源的＿＿极、N区接电源的＿＿极。
电子技术基础题库(I_II类题)[1]
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第一章 半导体二极管I 类题一、简答题1． 杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？答杂质半导体有P 型半导体和N 半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。
2．什么是PN 结？PN 结最基本的特性是什么？ 答；P 型半导体和N 型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN 结。
PN 结最基本的特性是单向导电性。
3． 什么是半导体？半导体有哪些特性？答：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。
具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。
二、计算题1． 在下图所示电路中，哪一个灯泡不亮？答：b 不亮2．如图所示的电路中，试求下列两种情况下输出端Y 的电位U Y 及各元件（R ，VD A ，VD B ）中通过的电流；（1）U A =U B =0V ；（2）U A =+3V ，U B =0V ；答：（1）V Y =0VmA 33.9K Ω12V ≈=R I mA5.1232R DB DA ≈===I I I （2）D B 导通，D A 截止 V Y =0VmA39.312≈=R I V 0DA =I mA 3DB =I 3． 在下图所示电路中，设二极管是理想二极管，判断各二极管是导通还是截止？并求U AO =？答：a）图中，二极管导通，U AO=-6V；b）图，二极管截止，U AO=-12V；c）图V1导通，V2截止，U AO=0V。
II类题一、简答题1．从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？答：硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。
2．光电二极管和发光二极管有什么区别？答：发光二极管将电信号转化成光信号，工作时加正向电压；光电二极管将光信号转化成电信号，工作时加反向电压。
3．为什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大？答：因二极管的非线性。
半导体二级管试题
半导体二级管一、填空题1、二极管的P区引出端叫（）极或（）极，N区的引出端叫（）极或（）极。
2、按二极管所用的材料不同，可分为（）和（）两类；按用途不同，可分为（）二极管、（）二极管、（）二极管、（）二极管、（）二极管、（）二极管和（）二极管。
3、二极管的正向接法是（）接电源的正极，（）接电源的负极；反向接法相反。
4、硅二极管导通时的正向管压降约为（）v，锗二极管导通时的管压降约为（）。
5、使用二极管时，应考虑的主要参数是（）和（）。
6、电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会（），如果加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会（）。
7、有一锗二极管正、反向电阻均接近于零，表明该二极管已（）；有一硅二极管正反向电阻均接近于无穷大，表明二极管已（）。
8、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常（）于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较（）。
9、发光二级管将（）信号转换成（）信号；光电二极管将（）信号转换成（）信号。
二、判断题1、二极管是线性元件。
（）2、一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
（）3、无论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压豆味0.3v左右。
（）4、二极管具有单向导电性。
（）5、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。
（）6、当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。
（）7、二极管加正向电压时一定导通。
（）8、二极管加反向电压时一定截止。
（）9、有两个电极的元件都叫二极管。
（）10、二极管一旦反向击穿就一定损坏。
（）11、光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。
（）12、光电二极管可以作为电路通断和指示用。
（）13、发光二极管可以接收可见光线。
（）三、选择题1、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管（）A、立即导通B、到0.3v才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通2、把电动势为1.5v的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（）A、基本正常B、将被击穿C、将被烧坏D、电流为零3、当硅二极管加上0.4v正向电压时，该二极管相当于（）A、很小的电阻B、很大的电阻C、短路D、电阻4、某二极管反向击穿电压为150v，则其最高反向工作电压（）A、约等于150VB、略大于150VC、等于75vD、等于300v5、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A、增大B、减小C、不变6、测量二极管正向电阻时，若两手把管脚捏紧，电阻值将会（）A、变大B、变小C、不变化。
第一章 二极管章节测试题
第1 页 共 2页第一章 二极管章节测试题一、选择(每空2分，共22分) 1、本征半导体又叫（ ）A 、普通半导体B 、P 型半导体C 、掺杂半导体D 、纯净半导体 2、关于晶体二极管的正确叙述是：（ ）A 普通二极管反向击穿后，很大的反向电流使PN 结温度迅速升高而烧坏。
B 普通二极管发生热击穿，不发生电击穿。
C 硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿，所以要串接电阻降压。
D 以上说法都不对。
3、如下图所示的四只硅二极管处于导通的是（ ）-5.3V -6V -6V -5.3V -5V -5V 0V -0.7V4、变压器中心抽头式全波整流电路中，每只二极管承受的最高反向电压为（ ） A 、U 2 B 、2U 2 C 、1.2 U 2 D 、22 U 25、关于滤波器，正确叙述是：（ ）A 电容滤波器电路的电容量越大，负载越重，输出直流越平滑。
B 电容量越小，负载越重，输出电压越接近脉动电压峰值。
C 电感滤波器是利用电感具有反抗电流变化的作用，使负载电流的脉动程度 减小，从而使输出电压平滑。
D 电感量越大，产生的自感电动势越大，滤波效果越差。
6、在下图所示电路中，正确的稳压电路为（ ）7、如右图，电源接通后，正确说法为：（ ） A H 1、H 2、H 可能亮。
B H 1、H 2、H 都不亮。
C H 1可能亮，H 2、H 不亮。
D H 不亮，H 2、H 1可能亮。
8、二极管两端加上正向电压时（ ）A 一定导通B 超过死区电压才能导通 B 超过0.7伏才能导通 D 超过0.3伏才能导通 9、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。
A. 增大 B. 不变 C. 减小10、稳压二极管稳压时，其工作在( )，发光二极管发光时，其工作在( )。
A ．正向导通区 B ．反向截止区 C ．反向击穿区二、判断（每题1分，共10分） （ ）1、本征半导体中没有载流子。
（ ）2、将P 型半导体和N 型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN 结。
电子技术基础试题
电子技术基础试题库（第四版）第一章:半导体二极管一、填空题1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。
导体、绝缘体、半导体2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。
单向导电特性、导通、截止3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。
0.7、0.34、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。
最大整流电流、最高反向工作电压5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________小、好6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为 _______ 、_________和__________三类。
导体，绝缘体，半导体7、PN结具有 _____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结_________。
单向导电性，导通，截止二，判断题１、半导体随温度的升高，电阻会增大。
（）N２、二极管是线性元件。
（）N３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。
（）N４、二极管具有单向导电性。
（）Y５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。
（）N６、二极管加正向压时一定导通（）N7、晶体二极管是线性元件。
（）N8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。
（）Y三、选择题１、ＰＮ结的最大特点是具有（）CＡ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）CＡ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）AＡ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小4、半导体中传导电流的载流子是（）。
电子技术基础第一单元《半导体二极管》测试卷
《电子基础基础》单元测试卷姓名：学号：得分：一、填空题：1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为、和三类。
2、PN结正偏时，P区接电源的极，N区接电源的极；PN结反偏时，P区接电源的极，N区接电源的极。
3、PN结具有特性，即加正向电压时PN结，加反向电压时PN结。
4、硅二极管导通时的正向管压降约V，锗二极管导通时的管压降约V。
5、有一锗二极管正、反向电阻均接近于零，表明该二极管已；有一硅管正、反向电阻均接近于无穷大，表明二极管已。
6、三极管有三个电极，即极、极和极，分别用符号、和或、和表示。
7、半导体三极管有型和型，前者的图形符号是，后者的图形符号是。
8、硅三极管发射结的死区电压约V，锗三极管发射结的死区电压约V。
9、当三极管的发射结、集电结时，工作在放大区；发射结，集电结或时，工作在饱和区；发射结或、集电结时，工作在截止区。
10、三接管电流放大系数太小，电流放大作用，电流放大系数太大，会使三极管的性能。
11、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
二、选择题：1、最常用的半导体材料是（）A、铜B、硅C、铝D、锗2、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管（）A、立即导通B、到0.3V才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通3、当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于（）A、很小的电阻B、很大的电阻C、短路D、电阻4、某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（）A、约等于150VB、略大于150VC、等于75VD、等于300V5、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A、增大B、减小C、不变D、先变大后变小6、测量小功率二极管的好坏时，一般把万用表欧姆档拨到（）A、R╳100B、R╳1KC、R╳1D、R╳10K7、用万用表R╳100档来测试二极管，如果二极管（），说明管子是好的。
A、正、反向电阻都为零B、正、方向电阻都为无穷大C、正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧D、反向电阻为几百欧，正向电阻为几百千欧8、发光二极管工作时，应加（）A、正向电压B、反向电压C、正向电压或反向电压9、三极管放大的实质是（）A、将小能量换成大能量B、将低电压放大成高电压C、将小电流放大成大电流D、用较小电流的变化控制较大电流的变化10、在一块正常放大的电路板上，测得三极管1、2、3脚对地电压分别为－10V、－10.3V、－14V，下列符合该三极管叙述的是（）A、该三极管是PNP型B、该三极管是硅三极管C、1脚是发射极D、2脚是基极11、用直流电压表测量NPN型三极管中管子各极电位是U B=4.7V，U C=4.3V，U E=4V，则该晶体三极管的工作状态是（）A、截止状态B、饱和状态C、放大状态D、击穿状态12、在三极管放大器中，三极管各极电位最高的是（）A、NPN管的集电极B、PNP管的集电极C、NPN管的发射极D、PNP管的发射极13、三极管各极对地电位如图所示，工作于饱和状态的三极管是（）A 、B 、C 、14、满足I C=βI B的关系，三极管工作在（）A、饱和区B、放大区C、截止区D、击穿区15、晶体三极管处于饱和状态，它的集电极电流将（）A、随基极电流的增加而增加B、随基极电流的增加而减小C、与基极电流变化无关，只取决于U CC和R C16、三极管的（）作用是三极管最基本和最重要的特性。
二极管习题(含答案)
习题６基础知识部分：6.1 选择题1．用万用表R×1K电阻档测某一个二极管时，发现其正、反电阻均近于1000ＫΩ，这说明该二极管（）A、短路B、完好C、开路D、无法判断答案：C2.AB0.7V，反偏时电阻为∞，则以下说法正确的是（）。
A、VD导通，U AO=5.3V；B、VD导通，U AO=—5.3V；C、VD导通，U AO=—6V；D、VD导通，U AO=6V；E、VD截止，U AO=—9V。
答案：C4.下列电路中变压器二次电压均相同，负载电阻及滤波电容均相等，二极管承受反向电压最低的是( )，负载电流最小的是（）。
A.半波整流电容滤波电路B.全波整流电容滤波电路C.桥式整流电容滤波电路答案：C A5.测得输出电压为10VA.滤波电容开路B.负载开路C.滤波电容击穿短路D.其中一个二极管损坏答案：B D A6. 稳压二极管电路如图，稳压二极管的稳压值U Z=6.3V，正向导通压降0.7V，则U O 为( )。
A.6.3VB.0.7VC.7VD.14V答案：C7.图示电路，若U I上升，则U O( )→U A（）→U CE1（）→U O（）。
A.增大B.不变C.减小答案：b9.某NPN硅管在放大电路中测得各极对地电压分别为U C=12V，U B=4V，U E=0V，由此可判别三极管（）。
A.处于放大状态B.处于饱和状态C.处于截止状态D.已损坏答案：D10.测得三极管的电流方向、大小如图所示，则可判断三个电极为（）。
A.①基极b，②发射极e，③集电极cB.①基极b，②集电极c，③发射极eC.①集电极cD.①发射极e答案：C6.2 填空题1.PN结具有性，偏置时导通，偏置时截止。
答案：单向导电正向反向2. 半导体二极管2AP7是半导体材料制成的，2CZ56是半导体材料制成的。
答案：N型锗N型硅3．图示电路中设二极管正向压降为0.7V，当U i=6V时，U o为答案：4.7V4.I R= mA；⑷流过稳压二极管的电流为mA。
二极管试题及答案
二极管试题及答案1. 二极管是一种具有单向导电性的半导体器件，其正向导通电压约为多少伏？A. 0.3VB. 0.7VC. 1.5VD. 2.0V答案：B2. 在电路中，二极管的正极通常用哪个符号表示？A. -B. +C. ○D. ∆答案：B3. 以下哪个不是二极管的特性？A. 单向导电性B. 整流作用C. 放大作用D. 稳压作用答案：C4. 稳压二极管的工作原理是什么？A. 利用PN结的正向导通特性B. 利用PN结的反向击穿特性C. 利用PN结的正向击穿特性D. 利用PN结的反向导通特性答案：B5. 在整流电路中，二极管的作用是什么？A. 放大信号B. 整流C. 稳压D. 滤波答案：B6. 以下哪个二极管不是按照材料分类的？A. 硅二极管B. 锗二极管C. 稳压二极管D. 肖特基二极管答案：C7. 一个二极管的正向电流为10mA，反向电流为1nA，那么它的正向电流与反向电流的比值是多少？A. 1000B. 10000C. 100000D. 1000000答案：D8. 以下哪个参数不是二极管的主要特性参数？A. 最大整流电流B. 反向击穿电压C. 导通电压D. 频率响应答案：D9. 在电路中，二极管的正向导通电压一般是多少？A. 0.2VB. 0.7VC. 1.0VD. 2.0V答案：B10. 稳压二极管的反向击穿电压称为什么？A. 导通电压B. 反向击穿电压C. 稳压电压D. 正向导通电压答案：C。
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2020秋季电子技术基础第一次月考 半导体二极管基础知识测试题 （满分100分，时间：1.5小时） 一、填空题（每题2分，第19题1分，共37分） 1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为 、 和 。
2、导电性能介于导体和绝缘体之间的物质是 。
3、半导体具有 特性、 特性和 特性。
4、二极管P 区的引出端叫 极或 极, N 区的引出端叫 极或 极。
5、按二极管所用的材料不同可分为 和 两类;二极管按用途分,有 二极管、 二极管、 二极管、 二极管、 二极管、 二极管和 二极管等。
6、二极管的正向接法是 接电源的正极, 接电源的负极;反向接法则相反。
7、硅二极管导通时的正向管压降约为 V,锗二极管导通时的管压降约为 V 。
8、二极管最主要的特性是 ，它是指:PN 结正偏时呈 状态,正向电阻 很(小,大),正向电流很 (小,大); PN 结反偏时呈 状态,反向电阻很 (小,大),反向电流很 (小,大)。
9、二极管是用一个PN 结制成的半导体器件,它的最基本的性质是 硅 管的死区电压和正向压降比锗管的 ,而反向饱和电流比锗管的 得
多。
10、硅二极管的死区电压约为 V 。
11、使用二极管时,应考虑的主要参数是 、 。
12、电路中流过二极管的正向电流过大,二极管将会 ；如果加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会 。
13、2CW 是 材料的 二极管; 2AP 是 材料的 二极管; 2DZ 是 材料的 二极管; 2AK 是 材料的 二极管。
14、有一锗二极管正反向电阻均接近于零,表明该二极管已 ;有一硅二极管正、反向电阻均接近于无穷大,表明二极管已 。
15、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常 于锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性较 。
16、发光二极管将 信号转换成 信号;光电二极管将 信 号转换成 信号,其中 是作为显示器件用的。
17、PN 结正偏时, P 区接电源的 极, N 区接电源的 极; PN 结反偏时, P 区接电源的 极, N 区接电源的 极
18、PN 结具有 特性,即加正向电压时, PN 结 ，加反向电压时，PN 结 。
19、PN 结正向偏置时,应该是P 区的电位比N 区的电位
二、判断题(正确的在括号内打“√”,错误的打“×"，每题1分共18分)
1、半导体随温度的升高,电阻会增大。
（ ）
2、N 型半导体又称为空穴型半导体。
（ ）
3、PN 结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大。
（ ）
4、二极管是线性元件。
（ ）
5、一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
（ ）
6、不论是哪种类型的半导体二极管,其正向电压都为0.3V 左右。
（ ）
7、二极管具有单向导电性。
（ ）
8、二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。
（ ）
9、二极管加正向电压时一定导通。
（ ）
10、二极管加反向电压时一定截止。
（ ）
11、有两个电极的元件都叫二极管。
（ ）
12、二极管一旦反向击穿就一定损坏。
（ ）
13、当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;当反向电压大于反向击穿电压时,其反向电流迅速增加。
（ ）
14、用数字万用表测试二极管时,显示"000",说明该二极管内部开路。
（ ）
15、光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。
（ ）
16、光电二极管可以作为电路通断和指示用。
（ ）
17、发光二极管可以接收可见光。
（ ）
18、当增大变容二极管两端的反向电压时,结电容减小。
（ ）
三、选择题（将正确答案的序号填入括号中，每题1.5分，共45分）
1、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管（ ）
A.立即导通
B.到0.3 V 才开始导通
C.超过死区电压时才开始导通
D.不导通
2、把电动势为1.5 V 的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管的负极,则该管（ ） A.基本正常 B.击穿 C.烧坏 D.电流为零
3、当硅二极管加上0.4 V 正向电压时,该二极管相当于（ ） A.很小的电阻 B.很大的电阻 C ．短路 D.电阻
4、加在硅二极管上的正向电压大于死区电压,其两端电压为（ ） A.随所加电压增加而变大 B. 0.7 V 左右 C.随所加电压增加而减小 D. 0.3 V 左右
5、在电路中测得某二极管正负极电位分别为3V 与10v,判断二极管应是（ ） A.正偏 B. 反偏 C.零偏 D.损坏
6、硅二极管加正向电压（ ） A.立即导通 B.超过0.3 V 导通 C.超过0.7 V 导通 D.超过死区电压导通
7、用万用表直流电压挡分别测出VI, V2和V3正极与负极对地的电位如图所示, VI, v2和v3的偏置状态为（ ） A. V1, v2和V3均正偏 B. V1反備, v2和V3正偏 C. V1, v2反偏, V з ЕЕ D. V1、v2和v3均反偏
8、某二极管反向击穿电压为150 V,则其最高反向工作电压（ ） A.约等于150 V B.略大于150V C.等于75V D.等于300 V
9、下列（ ）不是二极管的主要参数。
A.电流放大倍数
B.最大整流电流
C.最高反向工作电压 D ．反向电流
10、PN 结的最大特点是具有（ ）
A.导电性
B.绝缘性
C.单向导电性
D.负阻性
11、半导体受光照,导电性能（ ）
A.增强
B.减弱
C.不变
D.不一定
12、最常用的半导体材料是（ ）
A.铜
B.硅
C.铝
D.锗
13、当外界温度升高时，半导体的导电能力（ ）
A.不变
B.显著增加 C ． 增加 D.先减小后增加
14、PN 结正向偏置时（ ）
A. P 区接电源正极,N 区接电源负极
B. N 区接电源正极, P 区接电源负极
C.电源极性可以任意调换
D.不接电源
15. PN结的主要特性为（）
A.正向导电特性 C.反向击穿特性
B.单向导电性D.可控的单向导电特性
16、当环境温度升高时,二极管的反向电流将（）
A.增大
B.减小
C.不变
D.先大后小
17、用于整流的二极管型号是（）
A.2AP9
B.2CW14C
C.2CZ52B
D.2CK84A
18、2AP9表示（）
A. N型材料整流管
B. N型材料稳压管
C.N型材料普通管
D. N型材料开关管
19、判断二极管的极性用万用表的（）挡。
A.直流电压
B.直流电流
C.交流电流
D.欧姆
20、测量小功率二极管的好坏时,一般把万用表欧姆挡拨到（）
A. RX 100
B. RX1K C . RX1 D. RX10 K
21、用万用表R×100挡来测试二极管,其中（）说明管子是好的。
A.正、反向电阻都为零
B.正、反向电阻都为无穷大
C.正向电阻为几百欧,反向电阻为几百千欧
D.反向电阻为几百欧,正向电阻为几百欧
22、用万用表的电阻挡判断小功率二极管管脚极性时,应选用（）挡.
A. RX1 B . RX100 C. RX1k D. RX10
23、在测量二极管正向电阻时,若用两手把管脚捏紧,电阻值将会（）
A.变大
B.变小
C.不变化
D.不能确定
24、二极管正反向电阻相差（）
A.越小越好
B.越大越好
C.无差别最好
D.无要求
25、用数字式万用表测试二极管时,显示0.550~0.700 v,则该二极管（）
A.是锗管B．短路 C. 开路 D.是硅管
26、用万用表不同的电阻挡测量一个正常二极管的正向电阻,测量结果（）
A.相同В. 不同 C.可能相同也可能不同 D.以上都不正确
27、变容二极管工作时应（）
A.加反向电压
B.加正向电压
C.加正向电压或反向电压
D.不加电压
28、发光二极管工作时,应（）
A.加正向电压
B.加反向电压
C.加正向电压或反向电压
D.不加电压
29、变容二极管常用在（）电路中。
A.高频B．低频 C.直流 D.所有
30、交通信号灯采用的是（）
A.发光二极管
B.光电二极管
C.变容二极管
D.稳压二极管。