内存芯片命名规则
DDR命名规则
现代内存编号规则一、DDR SDRAM：选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。
虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。
我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。
这种最新上市的DDR 500原厂现个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。
究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。
三星NAND FLASH命名规则
三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下：第1位.Memory(K)第2位.NAND Flash:9第3位.Small Classification(SLC:Single Level Cell,MLC:Multi Level Cell,SM:SmartMedia,S/B:Small Bl ock)1:SLC1Chip XD Card2:SLC2Chip XD Card4:SLC4Chip XD CardA:SLC+Muxed I/F ChipB:Muxed I/F ChipD:SLC Dual SME:SLC DUAL(S/B)F:SLC NormalG:MLC NormalH:MLC QDPJ:Non-Muxed OneNandK:SLC Die StackL:MLC DDPM:MLC DSPN:SLC DSPQ:4CHIP SMR:SLC4DIE STACK(S/B)S:SLC Single SMT:SLC SINGLE(S/B)U:2STACK MSPV:4STACK MSPW:SLC4Die Stack第4~5位.Density（注：实际单位应该是bit，而不是Byte）12:512M16:16M28:128M32:32M40:4M56:256M64:64M80:8M1G:1G2G:2G4G:4G8G:8GAG:16GBG:32GCG:64GDG:128G00:NONE第6~7位.organization 00:NONE08:x816:x16第8位.VccA:1.65V~3.6VB:2.7V(2.5V~2.9V)C:5.0V(4.5V~5.5V)D:2.65V(2.4V~2.9V)E:2.3V~3.6VR:1.8V(1.65V~1.95V) Q:1.8V(1.7V~1.95V)T:2.4V~3.0VU:2.7V~3.6VV:3.3V(3.0V~3.6V)W:2.7V~5.5V,3.0V~5.5V 0:NONE第9位.Mode0:Normal1:Dual nCE&Dual R/nB 4:Quad nCE&Single R/nB 5:Quad nCE&Quad R/nB 9:1st block OTPA:Mask Option1L:Low grade第10位.GenerationM:1st GenerationA:2nd GenerationB:3rd GenerationC:4th GenerationD:5th Generation第11位."─"第12位.PackageA:COBB:TBGAC:CHIP BIZD:63-TBGAE:TSOP1(Lead-Free,1217) F:WSOP(Lead-Free)G:FBGAH:TBGA(Lead-Free)I:ULGA(Lead-Free)J:FBGA(Lead-Free)K:TSOP1(1217)L:LGAM:TLGAN:TLGA2P:TSOP1(Lead-Free)Q:TSOP2(Lead-Free)R:TSOP2-RS:SMART MEDIAT:TSOP2U:COB(MMC)V:WSOPW:WAFERY:TSOP1第13位.TempC:CommercialI:IndustrialS:SmartMediaB:SmartMedia BLUE0:NONE(Containing Wafer,CHIP,BIZ,Exception handling code)3:Wafer Level3第14位.Bad BlockA:Apple Bad BlockB:Include Bad BlockD:Daisychain SampleK:Sandisk BinL:1~5Bad BlockN:ini.0blk,add.10blkS:All Good Block0:NONE(Containing Wafer,CHIP,BIZ,Exception handling code)第15位.NAND-Reserved0:Reserved第16位.Packing Type- Common to all products,except of Mask ROM- Divided into TAPE&REEL(In Mask ROM,divided into TRAY,AMMO Packing Separately)【举例说明】1.Memory(K)2.NAND Flash:93.Small Classification(SLC:Single Level Cell,MLC:Multi Level Cell,SM:SmartMedia,S/B:Small Block)G:MLC Normal4~5.DensityAG:16G(Note:这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB)6.Technology0:Normal(x8)anization0:NONE8:x88.VccU:2.7V~3.6V9.Mode0:Normal10.GenerationM:1st Generation11."─"12.PackageP:TSOP1(Lead-Free)13.TempC:Commercial14.Customer Bad BlockB:Include Bad Block15.Pre-Program Version0:None整体描述就是：K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8（即I/O是8位），大小是2GB（16Gb），TSOP1封装。
芯片命名规则
IC命名规则是每个芯片解密从业人员应当了解和掌握的IC基础知识，一下详细地列出了IC 命名规则，希望对你的芯片解密工作有所帮助。
一个完整的IC型号一般都至少必须包含以下四个部分：◆.前缀（首标）-----很多可以推测是哪家公司产品◆.器件名称----一般可以推断产品的功能（memory可以得知其容量）◆.温度等级-----区分商业级，工业级，军级等◆.封装----指出产品的封装和管脚数有些IC型号还会有其它内容：◆.速率-----如memory，MCU，DSP，FPGA等产品都有速率区别，如-5，-6之类数字表示◆.工艺结构----如通用数字IC有COMS和TTL两种，常用字母C，T来表示◆.是否环保-----一般在型号的末尾会有一个字母来表示是否环抱，如Z，R，+等◆.包装-----显示该物料是以何种包装运输的，如tube，T/R，rail，tray等◆.版本号----显示该产品修改的次数，一般以M为第一版本◆.该产品的状态举例：EP 2C70 A F324 C 7 ES ：EP-altera公司的产品；2C70-CYCLONE2系列的FPGA；A-特定电气性能；F324-324pin FBGA封装；C-民用级产品；7-速率等级；ES-工程样品MAX 232 A C P E + ：MAX-maxim公司产品；232-接口IC；A-A档；C-民用级；P-塑封两列直插；E-16脚；+表示无铅产品详细的型号解说请到相应公司网站查阅。
IC命名和封装常识IC产品的命名规则：大部分IC产品型号的开头字母，也就是通常所说的前缀都是为生产厂家的前两个或前三个字母，比如：MAXIM公司的以MAX为前缀，AD公司的以AD为前缀，ATMEL公司的以AT为前缀，CY公司的以CY为前缀，像AMD，IDT，LT，DS，HY这些公司的IC产品型号都是以生产厂家的前两个或前三个为前缀。
但也有很生产厂家不是这样的，如TI的一般以SN，TMS，TPS，TL，TLC，TLV等字母为前缀；ALTERA（阿尔特拉）、XILINX（赛灵斯或称赛灵克斯）、Lattice（莱迪斯），称为可编程逻辑器件CPLD、FPGA。
各种品牌存储IC简单命名介绍
各种品牌存储IC简单命名介绍存储颗粒主要有这样的一些品牌：美国的Micron（美光）、德国的Infineon （英飞凌）；韩国的SAMSUNG（三星）、HY（现代）；日本的NEC（日本电气）、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(东芝)；台湾的EilteMT、ESMT （晶豪）、EtronTech（钰创）、Winbond（华邦）、Mosel（茂矽）、Vanguard （世界先进）、Nanya（南亚）。
有的品牌现在已经没有被采用了，只有在SDRAM时代采用过，有的品牌在DDR 时代采用的也不多了。
显存种类主要分SD和DDR两种，有时候，他们可以从编号上区分，DDR的可能会注明“D”，SDRAM的注明“S”或者其他字母。
另外主要从管角数量上来区分，以TSOP封装来说，SDRAM的管脚数量是27x2＝54，DDR 的管脚数量为33X2=66。
美光（Micron）图1 美光芯片颗粒美光是美国第一大、全球第二大内存芯片厂商，目前显卡厂商采用它显示芯片较少，它主要供应内存OEM商，下面用上图的实例对Micron（美光）颗粒编号的简单含义作介绍：MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。
48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。
LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
8M8——内存颗粒容量为8M。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
颗粒编号MT 48LC8M8A2 TG-75，从编号上的48很容易知道这是SDRAM颗粒，采用TSOP封装方式，速度为7.5ns，单颗粒为8M，位宽8bit。
亿恒（In fineon）图2 Infineon（亿恒）颗粒Infineon是德国西门子的一个分公司，它主要生产内存颗粒。
目前，Infineon在全球排名已经跃居为第四位，超过了韩国的Hynix。
内存芯片型号
三星内存颗粒目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。
由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。
三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。
这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。
Samsung-NAND-FLASH命名规则
三星的pure nand flash〔就是不带其他模块只是nand flash存储芯片〕的命名规那么如下：1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : Smart Media, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed OneNandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack4~5. Density〔注：实际单位应该是bit，而不是Byte〕12 : 512M16 : 16M28 : 128M32 : 32M40 : 4M56 : 256M64 : 64M80 : 8M1G : 1G2G : 2G4G : 4G8G : 8GAG : 16GBG : 32GCG : 64GDG : 128G00 : NONE6~7. Organization00: NONE08: x816: x168. VccA : 1.65V~3.6VB : 2.7V (2.5V~2.9V)C : 5.0V (4.5V~5.5V)D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)E : 2.3V~3.6VR : 1.8V (1.65V~1.95V)Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)T : 2.4V~3.0VU : 2.7V~3.6VV : 3.3V (3.0V~3.6V)W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. "─"12. PackageA : COBB : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free)J : FBGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217)L : LGAM : TLGAN : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)S : SMART MEDIAT : TSOP2U : COB (MMC)V : WSOPW : WAFERY : TSOP113. TempC : CommercialI : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)3 : Wafer Level 314. Bad BlockA : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 1~5 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately) 【举例说明】K9GAG08U0M 详细信息如下:1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)G : MLC Normal4~5. DensityAG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB)0 : Normal (x8)7. Organization0 : NONE 8 : x88. VccU : 2.7V~3.6V9. Mode0 : Normal10. GenerationM : 1st Generation11. "─"12. PackageP : TSOP1 (Lead-Free)13. TempC : Commercial14. Customer Bad BlockB : Include Bad Block15. Pre-Program Version0 : None整体描述就是：K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8〔即I/O是8位〕，大小是2GB〔16Gb〕，TSOP1封装。
内存条上文字及字母标识的含义
内存条上文字及字母标识的含义一、SamSUng内存具体含** 释：例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0主要含义：第 1 位——芯片功能K ，代表是内存芯片。
第 2 位——芯片类型4，代表DRAM 。
第 3 位——芯片的更进一步的类型说明，S 代表SDRAM 、H 代表DDR、G 代表SGRAM 。
第4、 5 位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A 代表64Mbit 的容量；28、27、2A 代表128Mbit 的容量；56、55、57、5A 代表256Mbit 的容量；51 代表512Mbit 的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08 代表8位数据；16代表16位数据；32 代表32 位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns; 70为7ns；7B为7.5ns(CL=3); 7C 为7.5ns(CL=2); 80 为8ns；10 为10ns(66MHz)°知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR 内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0 颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”表该颗粒是128MbitS ,第6、7位“08”表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128MbitS (兆数位)×16 片/8bits=256MB (兆字节)。
注：“bit为数位” “B w字节“byte,” 一个字节为8位则计算时除以&关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8 片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8 位的ECC 校验码。
通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。
常用内存命名规则
常用内存命名规则常见内存芯片命名2010-06-08 21:13:23| 分类：个人日记| 标签：|字号大中小订阅三星（Samsung）内存具体含义解释：例：SAMSUNGK4S283232E-TC60 SDRAMK4H280838B-TCB0 DDRK4T51163QE-HCE6 DDR2K4B1G164E-HCE7 DDR3主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
9代表NAND FLASH第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、T代表DDR2、B代表DDR3、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A 代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C 为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC 校验码。