电力电子器件的最新发展趋势
电力电子的发展方向
电力电子的发展方向请根据自己的实际情况对本文进行修改：电力电子作为现代电力系统的重要组成部分，关系到我国能源战略的实施和电力行业的可持续发展。
随着科技的不断进步和电力市场的日益繁荣，电力电子技术的发展方向也日益明确。
以下是我对未来电力电子技术发展方向的一些思考。
一、提高电力电子器件的性能1. 发展高性能、低损耗的电力电子器件。
随着硅基电力电子器件性能逐渐接近其理论极限，新型宽禁带半导体材料如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等逐渐成为研究热点。
未来发展方向应着重于提高这些材料的晶体质量、降低成本，并实现批量生产。
2. 研究新型电力电子器件拓扑结构。
通过创新器件结构，进一步提高电力电子器件的性能，降低损耗，减小体积，降低成本。
二、提升电力电子装置的智能化水平1. 发展具有自适应、自诊断、自优化功能的电力电子装置。
利用现代通信技术、大数据分析、人工智能等手段，实现对电力电子装置的实时监测、故障诊断和性能优化。
2. 推动电力电子装置与电网的深度融合。
通过智能化技术，实现电力电子装置与电网的协同优化，提高电力系统的稳定性和经济性。
三、拓展电力电子技术的应用领域1. 电力电子技术在新能源发电领域的应用。
随着可再生能源的快速发展，电力电子技术在光伏、风能、储能等新能源发电领域的应用将更加广泛。
研究方向包括：高效光伏逆变器、风力发电变流器、储能系统等。
2. 电力电子技术在电力系统中的应用。
电力电子技术在电力系统中的应用包括：柔性直流输电、无功补偿、电力电子变压器等。
未来发展方向应关注这些技术的可靠性、经济性和适用性。
四、促进电力电子技术的标准化和产业化1. 加强电力电子技术的标准化工作。
制定和完善电力电子器件、装置和系统的相关标准，推动产业链上下游的协同发展。
2. 推动电力电子技术的产业化进程。
加大政策支持力度，培育具有竞争力的电力电子企业，推动产业技术创新和产业升级。
五、加强人才培养和国际合作1. 培养电力电子领域的高端人才。
电力电子的发展趋势
电力电子的发展趋势
1. 高功率密度和高效率
电力电子的发展趋势是朝高功率密度和高效率的方向发展。
这可以通过使用新型的半导体材料和拓扑结构、优化的控制算法和散热技术等手段实现。
2. 多功能性和智能化
电力电子系统的应用领域越来越广泛，需要具备多种不同的功能。
同时，随着智能电网的发展，电力电子系统在协调能源的调度和优化方面也需要具备更高的智能化水平。
3. 集成化和模块化
随着电力电子系统的功能和复杂度不断提高，对系统集成化和模块化的需求也越来越强烈。
这可以加快系统开发和调试的速度，降低整体成本和维护难度。
4. 新能源技术的应用
随着新能源技术的不断发展，电力电子系统在太阳能、风能、储能等方面应用越来越广泛。
未来电力电子系统将需要更好地适应这些新能源技术的要求。
5. 绿色环保和可持续发展
在电力电子系统的设计和应用中，环保和可持续发展的考虑也越来越重要。
这包括降低系统的能耗、减少对环境的影响等方面。
新型电力电子器件在电力系统中的应用前景
新型电力电子器件在电力系统中的应用前景随着科技不断进步和社会经济的不断发展，电力系统的应用需求也越来越复杂。
为了满足这一需求，新型电力电子器件被广泛运用在电力系统中，提高了电力系统的安全性、可靠性和经济性，同时也促进了电力系统的可持续发展。
本文将介绍新型电力电子器件在电力系统中的应用前景。
一、交流光伏逆变器随着全球对可再生能源的投资不断增长，太阳能发电得到了广泛的应用和推广。
随着太阳能产业不断发展，交流光伏逆变器被广泛应用于户用和商用太阳能发电中。
交流光伏逆变器是一种用于将直流太阳能电池产生的电能变为交流电能的设备。
它采用了现代的电力电子技术，对太阳能板产生的直流电进行零压降变换，从而不需要通过变压器使其升压变频输出。
交流光伏逆变器的主要优点是其能大大提高太阳能发电系统的效率，同时也能降低电网的改造成本。
应用前景广阔。
二、高压直流输电器高压直流输电器可以使电力系统更加可靠、高效，同时也可以降低输电线路的损耗和占地面积。
与传统的输电方式相比，高压直流输电器具有更高的效率和更好的控制机制。
它是一种新型的电力转换器，能够将交流电转换为高压直流电，并通过受控的直流输电线路进行传输。
高压直流输电器在跨越长距离、交流电能输送过程中的电缆损耗和电力系统的容量限制都具有独特的优势。
三、有源电力滤波器电力滤波器已经成为电力系统中的一项重要技术，主要用于解决电力系统中的谐波问题和保护电力设备。
有源电力滤波器是一种新型的电力滤波器，其具有非常高的电力品质和电力调节能力。
它可以通过交叉直接制导电流来对电力设备中存在的光伏和谐波进行处理和调节，从而避免对电力系统中的设备和连接器造成不必要的损坏。
有源电力滤波器在保护电力系统和提高电力质量方面的能力是非常强大的。
四、电动汽车充电设备随着电动汽车的不断普及，其充电设备也成为电力系统中新的焦点。
电动汽车充电设备主要有两种类型：交流充电和直流充电。
交流充电是将交流电通过车载充电的交流电缆进行传输，而直流充电则是将直流电传输到车辆的电池中，以便快速充电。
2024年电力电子市场发展现状
电力电子市场发展现状1. 引言随着电力系统的快速发展和能源转型的推进，电力电子作为关键技术之一，在电力系统中发挥着越来越重要的作用。
电力电子的应用涉及到电力传输、转换、控制等多个领域，对于提高电力系统的可靠性、安全性和能源利用效率具有重要意义。
本文将对电力电子市场的发展现状进行分析。
2. 电力电子市场的背景随着工业化和城市化的发展，电力需求不断增长。
传统的电力系统难以满足复杂多变的电力需求，因此电力电子技术逐渐受到重视。
电力电子技术通过将电力转换、传输和控制，实现了能源的高效利用和进一步智能化管理，成为了电力系统中不可或缺的一部分。
3. 电力电子市场的发展趋势3.1 可再生能源的快速发展随着全球对能源可持续性的关注度增加，可再生能源的发展得到了推动，尤其是太阳能和风能等清洁能源。
这些可再生能源的高效利用离不开电力电子技术的支持，因此可再生能源的快速发展也带动了电力电子市场的增长。
3.2 能源储存技术的提升能源储存技术是电力电子市场的一个重要方向。
电池技术的进步和成本的下降，使得能源储存系统在电力系统中的应用日益广泛。
能源储存技术能够提供电力系统的稳定性和可靠性，同时也为可再生能源的大规模应用提供了可能。
3.3 电动汽车市场的增长电力电子技术在电动汽车市场上的应用也是市场发展的一个重要方向。
随着电动汽车市场的迅速增长，电力电子技术在车载充电、电动驱动等方面发挥着重要作用。
电动汽车市场的增长将直接推动电力电子市场的发展。
4. 电力电子市场的挑战和机遇4.1 技术创新和成本控制电力电子技术的应用受到技术创新和成本控制的双重挑战。
技术创新能够推动电力电子市场的发展，但也需要大量的研发投入和时间。
同时，成本控制是电力电子企业在市场竞争中必须面对的问题，低成本高性能的产品将具有竞争优势。
4.2 标准化和规范化电力电子技术的应用涉及到电力系统的安全稳定，因此标准化和规范化是电力电子市场发展的重要保障。
加强标准化和规范化工作，能够提高电力电子产品的质量和可靠性，促进市场的健康发展。
电力电子技术的未来发展趋势是什么？
电力电子技术的未来发展趋势是什么？在当今科技飞速发展的时代，电力电子技术作为一门关键的交叉学科，正以前所未有的速度改变着我们的生活和工业生产方式。
从智能手机的快速充电到电动汽车的高效驱动，从可再生能源的大规模并网到智能电网的优化运行，电力电子技术的身影无处不在。
那么，未来电力电子技术又将朝着哪些方向发展呢？首先，更高的功率密度和效率将是电力电子技术追求的重要目标。
随着电子设备的日益小型化和功能的不断强大，对电源模块的功率密度提出了越来越高的要求。
通过采用新型的半导体材料，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），以及优化电路拓扑结构和控制策略，可以显著提高电力电子装置的功率密度和效率。
这不仅能够减少设备的体积和重量，还能降低能源消耗，为实现可持续发展做出贡献。
在半导体技术方面，宽禁带半导体器件的发展将成为未来的主流趋势。
相较于传统的硅基半导体器件，SiC 和 GaN 具有更高的击穿电场强度、更高的热导率和更低的导通电阻。
这使得它们能够在更高的电压、温度和频率下工作，从而提高电力电子系统的性能。
例如，在电动汽车的充电器中，采用 SiC 器件可以大大缩短充电时间，提高充电效率；在光伏逆变器中，使用 GaN 器件能够降低能量损耗，增加发电量。
集成化也是电力电子技术未来发展的一个重要方向。
将多个功能模块集成在一个芯片上，可以减少寄生参数，提高系统的可靠性和稳定性。
此外，系统级封装（SiP）和三维封装技术的不断进步，将为电力电子集成化提供更多的可能性。
未来，我们可能会看到更多高度集成的电力电子模块，它们不仅具有功率变换功能，还集成了驱动、控制和保护等电路，从而简化系统设计，降低成本。
智能化控制技术将在电力电子领域发挥越来越重要的作用。
随着人工智能、大数据和机器学习的发展，电力电子系统可以实现更加精确和自适应的控制。
通过对系统运行数据的实时监测和分析，智能控制器能够根据负载变化和工作环境的动态调整控制策略，以达到最优的性能。
电力电子器件的最新发展现状
静电感应晶体管 SIT是一种电压控制器件。在零栅压或很小旳负栅压 时，沟道区已全部耗尽，呈夹断状态，接近源极一侧旳沟道中出现呈马 鞍形分布旳势垒，由源极流向漏极旳电流完全受此势垒旳控制。在漏极 上加一定旳电压后，势垒下降，源漏电流开始流动。漏压越高,越大,亦即 SIT旳源漏极之间是靠漏电压旳静电感应保持其连接旳,所以称为静电感 应晶体管。
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和双极型晶体管相比,SIT具有下列旳优点：①线性好、噪声小。用 SIT制成旳功率放大器,在音质、音色等方面均优于双极型晶体管。②输 入阻抗高、输出阻抗低，可直接构成OTL电路。③SIT是一种无基区晶体 管，没有基区少数载流子存储效应，开关速度快。④它是一种多子器件， 在大电流下具有负温度系数，器件本身有温度自平衡作用，抗烧毁能力 强。⑤无二次击穿效应，可靠性高。⑥低温性能好，在-19℃下工作正常。 ⑦抗辐照能力比双极晶体管高50倍以上。
电子技术旳开端。今后，晶闸管(SCR)旳派生器件越来越多， 到了70年代
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已经派生了迅速晶ห้องสมุดไป่ตู้管、逆导晶闸管、双向晶闸管、不对称晶闸管等半 控型器件，功率越来越大，性能日益完善。但是因为晶闸管本身工作频 率较低（一般低于400Hz），大大限制了它旳应用。另外，关断这些器 件，需要逼迫换相电路，使得整体重量和体积增大、效率和可靠性降低。 全控型器件——第二代电力电子器件
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器件中是最高旳。另外，MCT可承受极高旳di/dt和du/dt， 使得其保护电路能够简化。MCT旳开关速度超高GTR,开关 损耗也小。
MCT曾一度被以为是一种最有发展前途旳电力电子器件 。所以，20世纪80年代以来一度成为研究旳热点。但经过十 数年旳 研 究 ，其关键技术问题没有大旳突破，电压和电流容 量都远未到达预期旳数值，未能投入实际应用。而其竞争对 手IGBT却进展飞速，所以，目前从事MCT研究旳人不是诸 多。
电力电子元器件制造行业市场前景分析
电力电子元器件制造行业市场前景分析在当今科技飞速发展的时代，电力电子元器件制造行业作为现代工业的重要基石，正发挥着日益关键的作用。
从消费电子到工业设备，从新能源汽车到智能电网，电力电子元器件的身影无处不在。
那么，这个行业的市场前景究竟如何呢？首先，让我们来了解一下电力电子元器件的基本概念和分类。
电力电子元器件是用于电能变换和控制的电子器件，常见的有功率二极管、晶闸管、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）等。
这些元器件能够实现对电流、电压、频率等参数的精确控制，从而满足各种不同的电力应用需求。
随着全球经济的持续增长和工业化进程的不断推进，对电力的需求也在稳步上升。
特别是在新兴经济体中，基础设施建设、制造业扩张以及城市化发展都需要大量可靠的电力供应。
这就为电力电子元器件制造行业提供了广阔的市场空间。
例如，在电力传输和分配领域，高效的电力电子变压器和无功补偿装置能够有效降低能耗，提高电网的稳定性和可靠性。
在新能源领域，电力电子元器件更是扮演着不可或缺的角色。
太阳能光伏发电和风力发电系统中，需要通过逆变器将直流电转换为交流电并接入电网。
随着新能源发电规模的不断扩大，对高性能、高效率逆变器的需求也在急剧增加。
同时，在新能源汽车领域，电力驱动系统中的电机控制器、车载充电器等关键部件都依赖于先进的电力电子技术。
未来，随着新能源汽车市场的进一步普及，电力电子元器件的市场规模有望迎来爆发式增长。
消费电子市场也是电力电子元器件的重要应用领域之一。
智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备的快速充电技术、电源管理芯片等都离不开电力电子元器件的支持。
而且，随着消费者对电子产品性能和便携性的要求不断提高，对电力电子元器件的小型化、集成化和高效化提出了更高的挑战，也为行业的技术创新提供了动力。
另外，工业自动化和智能制造的发展也为电力电子元器件制造行业带来了新的机遇。
在工业机器人、数控机床、自动化生产线等设备中，精确的运动控制和高效的能量利用都需要依靠电力电子技术来实现。
电力电子器件的发展与趋势
电力电子器件的发展与趋势随着现代电力系统和电子技术的快速发展，电力电子器件在能源转换和电力控制方面的作用日益重要。
本文将探讨电力电子器件的发展历程和当前的趋势。
一、电力电子器件的发展历程电力电子器件起源于20世纪50年代，最早用于电力电子转换器和变频器等领域。
在过去的几十年中，电力电子器件经历了从硅基材料到碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体材料的转变。
这些新材料具有更高的电子迁移率和温度稳定性，能够承受更高的温度和电压，提高了电力电子器件的效率和可靠性。
同时，电力电子器件的封装技术也在不断发展。
最初的器件封装采用普通结构，如二极管、三极管等采用金属外壳，使得器件散热效果相对较差。
而随着电子器件功率密度的提高，高效的封装结构应运而生，如无机封装、有机封装和双轨封装等。
这些封装结构不仅提高了散热性能，还减小了尺寸和重量，满足了电力电子器件高密度集成和散热要求。
二、电力电子器件的当前趋势1. 高频高效率随着电子技术的进步，电力电子器件正朝着高频高效率的方向发展。
新材料的应用和器件结构的改进使得电力电子器件的开关频率不断提高，传输损耗减少，效率更高。
例如，功率MOSFET和晶闸管等器件，其开关频率已经达到数兆赫兹，能够实现更高的电力变换效率。
2. 大功率大电流随着电力电子应用领域的扩大，对于大功率大电流电力电子器件的需求不断增加。
同时，新材料的应用和器件结构的改进也使得电力电子器件能够承受更高的电流和功率，满足更多领域的需求。
例如，碳化硅MOSFET和氮化镓HEMT等器件，其电流密度和耐压能力大大提高，适用于电力电子交流传输、电机驱动等高功率应用领域。
3. 高可靠性电力电子器件通常在高温、高电压和高电流等恶劣工况下工作，因此高可靠性是其发展的重要方向。
新材料的应用、封装技术的改进和智能控制系统的应用，可以减少器件的故障率、延长器件的寿命、提高系统的稳定性。
例如，采用双轨封装和无机封装等高可靠性封装结构，能够有效降低器件的温度和电压应力，提高器件的工作可靠性。
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电力电子器件的最新发展趋势现代的电力电子技术无论对改造传统工业（电力、机械、矿冶、交通、化工、轻纺等），还是对新建高技术产业（航天、激光、通信、机器人等）至关重要，从而已迅速发展成为一门独立学科领域。
它的应用领域几乎涉及到国民经济的各个工业部门，毫无疑问，它将成为本世纪乃至下世纪重要关键技术之一。
近几年西方发达的国家，尽管总体经济的增长速度较慢，电力电子技术仍一直保持着每年百分之十几的高速增长。
从历史上看，每一代新型电力电子器件的出现，总是带来一场电力电子技术的革命。
以功率器件为核心的现代电力电子装置，在整台装置中通常不超过总价值的20%～30%，但是，它对提高装置的各项技术指标和技术性能，却起着十分重要的作用。
众所周知，一个理想的功率器件，应当具有下列理想的静态和动态特性：在截止状态时能承受高电压；在导通状态时，具有大电流和很低的压降；在开关转换时，具有短的开、关时间，能承受高的di/dt和dv/dt，以及具有全控功能。
自从50年代，硅晶闸管问世以后，20多年来，功率半导体器件的研究工作者为达到上述理想目标做出了不懈的努力，并已取得了使世人瞩目的成就。
60年代后期，可关断晶闸管GTO实现了门极可关断功能，并使斩波工作频率扩展到1kHz以上。
70年代中期，高功率晶体管和功率MOSFET问世，功率器件实现了场控功能，打开了高频应用的大门。
80年代，绝缘栅门控双极型晶体管(IGBT) 问世，它综合了功率MOSFET和双极型功率晶体管两者的功能。
它的迅速发展，又激励了人们对综合功率MOSFET和晶闸管两者功能的新型功率器件- MOSFET门控晶闸管的研究。
因此，当前功率器件研究工作的重点主要集中在研究现有功率器件的性能改进、MOS门控晶闸管以及采用新型半导体材料制造新型的功率器件等。
下面就近几年来上述功率器件的最新发展加以综述。
一、功率晶闸管的最新发展1．超大功率晶闸管晶闸管（SCR）自问世以来，其功率容量提高了近3000倍。
现在许多国家已能稳定生产8kV / 4kA的晶闸管。
日本现在已投产8kV / 4kA和6kV / 6kA的光触发晶闸管(LTT)。
美国和欧洲主要生产电触发晶闸管。
近十几年来，由于自关断器件的飞速发展，晶闸管的应用领域有所缩小，但是，由于它的高电压、大电流特性，它在HVDC、静止无功补偿（SVC）、大功率直流电源及超大功率和高压变频调速应用方面仍占有十分重要的地位。
预计在今后若干年内，晶闸管仍将在高电压、大电流应用场合得到继续发展。
现在，许多生产商可提供额定开关功率36MVA ( 6kV/ 6kA )用的高压大电流GTO。
传统GTO的典型的关断增量仅为3～5。
GTO关断期间的不均匀性引起的“挤流效应”使其在关断期间dv/dt必须限制在500～1kV/μs。
为此，人们不得不使用体积大、昂贵的吸收电路。
另外它的门极驱动电路较复杂和要求较大的驱动功率。
但是，高的导通电流密度、高的阻断电压、阻断状态下高的dv/dt耐量和有可能在内部集成一个反并二极管，这些突出的优点仍使人们对GTO感到兴趣。
到目前为止，在高压（VBR > 3.3kV )、大功率（0.5～20 MVA）牵引、工业和电力逆变器中应用得最为普遍的是门控功率半导体器件。
目前，GTO的最高研究水平为6in、6kV / 6kA以及9kV/10kA。
为了满足电力系统对1GVA以上的三相逆变功率电压源的需要，近期很有可能开发出10kA/12kV的GTO，并有可能解决30多个高压GTO 串联的技术，可望使电力电子技术在电力系统中的应用方面再上一个台阶。
2．脉冲功率闭合开关晶闸管该器件特别适用于传送极强的峰值功率（数MW）、极短的持续时间（数ns）的放电闭合开关应用场合，如：激光器、高强度照明、放电点火、电磁发射器和雷达调制器等。
该器件能在数kV的高压下快速开通，不需要放电电极，具有很长的使用寿命，体积小、价格比较低，可望取代目前尚在应用的高压离子闸流管、引燃管、火花间隙开关或真空开关等。
该器件独特的结构和工艺特点是：门-阴极周界很长并形成高度交织的结构，门极面积占芯片总面积的90%，而阴极面积仅占10%；基区空穴-电子寿命很长，门-阴极之间的水平距离小于一个扩散长度。
上述两个结构特点确保了该器件在开通瞬间，阴极面积能得到100%的应用。
此外，该器件的阴极电极采用较厚的金属层，可承受瞬时峰值电流。
3.新型GTO器件-集成门极换流晶闸管当前已有两种常规GTO的替代品：高功率的IGBT模块、新型GTO派生器件-集成门极换流IGCT晶闸管。
IGCT晶闸管是一种新型的大功率器件，与常规GTO晶闸管相比，它具有许多优良的特性，例如，不用缓冲电路能实现可靠关断、存贮时间短、开通能力强、关断门极电荷少和应用系统（包括所有器件和外围部件如阳极电抗器和缓冲电容器等）总的功率损耗低等。
在上述这些特性中，优良的开通和关断能力是特别重要的方面，因为在实际应用中，GTO的应用条件主要是受到这些开关特性的局限。
众所周知，GTO的关断能力与其门极驱动电路的性能关系极大，当门极关断电流的上升率（diGQ/dt）较高时，GTO晶闸管则具有较高的关断能力。
一个4.5kV/4kA的IGCT与一个4.5kV/4kA的GTO的硅片尺寸类似，可是它能在高于6kA的情况下不用缓冲电路加以关断，它的diGQ/dt高达6kA/μs。
对于开通特性，门极开通电流上升率（diG/dt）也非常重要，可以借助于低的门极驱动电路的电感比较容易实现。
IGCT之所以具有上述这些优良特性，是因为在器件结构上对GTO采取了一系列改进措施。
图1是IGCT管饼和芯片的外形照片，芯片的基本图形和结构与常规GTO 类似，但是它除了采用了阳极短路型的逆导GTO结构以外，主要是采用了特殊的环状门极，其引出端安排在器件的周边，特别是它的门、阴极之间的距离要比常规GTO的小得多，所以在门极加以负偏压实现关断时，门、阴极间可立即形成耗尽层，如图2所示。
这时，从阳极注入基区的主电流，则在关断瞬间全部流入门极，关断增益为1，从而使器件迅速关断。
不言而喻，关断IGCT时需要提供与主电流相等的瞬时关断电流，这就要求包括IGCT 门阴极在内的门极驱动回路必须具有十分小的引线电感。
实际上，它的门极和阴极之间的电感仅为常规GTO的1/10。
IGCT的另一个特点是有一个极低的引线电感与管饼集成在一起的门极驱动器。
IGCT 用多层薄板状的衬板与主门极驱动电路相接。
门极驱电路则由衬板及许多并联的功率MOS 管和放电电容器组成。
包括IGCT及其门极驱动电路在内的总引线电感量可以减小到GTO 的1/100，表1是IGCT的电特性参数。
目前，4.5kV (1.9kV/2.7kV 直流链)及5.5kV (3.3kV直流链)、275A<Itgqm<3120A的IGCT 已研制成功。
有效硅面积小、低损耗、快速开关这些优点保证了IGCT能可靠、高效率地用于300 kVA～10MVA变流器，而不需要串联或并联。
在串联时，逆变器功率可扩展到100MVA。
虽然高功率的IGBT模块具有一些优良的特性，如能实现di/dt和dv/dt 的有源控制、有源箝位、易于实现短路电流保护和有源保护等。
但因存在着导通高损耗、硅有效面积低利用率、损坏后造成开路以及无长期可靠运行数据等缺点，限制了高功率IGBT模块在高功率低频变流器中的实际应用。
因此在大功率MCT未问世以前，IGCT可望成为高功率高电压低频变流器的优选功率器件之一。
二、IGBT模块的最新发展1．高功率沟槽栅结构IGBT(Trench IGBT) 模块当今高功率IGBT模块中的IGBT元胞通常多采用沟槽栅结构IGBT。
与平面栅结构相比，沟槽栅结构通常采用1μm加工精度，从而大大提高了元胞密度。
由于门极沟的存在，消除了平面栅结构器件中存在的相邻元胞之间形成的结型场效应晶体管效应，同时引入了一定的电子注入效应，使得导通电阻下降。
为增加长基区厚度、提高器件耐压创造了条件。
所以近几年来出现的高耐压大电流IGBT器件均采用这种结构。
1996年日本三菱和日立公司分别研制成功3.3kV/1.2kA 巨大容量的IGBT模块。
它们与常规的GTO相比，开关时间缩短了20%，栅极驱动功率仅为GTO的1/1000。
1997年富士电机研制成功1kA/2.5kV平板型IGBT，由于集电、发射结采用了与GTO类似的平板压接结构，采用更高效的芯片两端散热方式。
特别有意义的是，避免了大电流IGBT模块内部大量的电极引出线，提高了可靠性和减小了引线电感，缺点是芯片面积利用率下降。
所以这种平板压接结构的高压大电流IGBT模块也可望成为高功率高电压变流器的优选功率器件。
2．新型大功率IGBT模块- 电子注入增强栅晶体管IEGT(Injection Enhanced Gate Trangistor)近年来，日本东芝公司开发了IEGT，与IGBT一样，它也分平面栅和沟槽栅两种结构，前者的产品即将问世，后者尚在研制中。
IEGT兼有IGBT和GTO两者的某些优点：低的饱和压降，宽的安全工作区（吸收回路容量仅为GTO的1/10左右），低的栅极驱动功率（比GTO低2个数量级）和较高的工作频率。
加之该器件采用了平板压接式电极引出结构，可望有较高的可靠性。
IEGT之所以有前述这些优良的特性，是由于它利用了“电子注入增强效应"。
为了简要说明这一效应，将IGBT及IEGT单胞示意图示于图4。
与IGBT相比，IEGT结构的主要特点是栅极长度Lg较长，N长基区近栅极侧的横向电阻值较高，因此从集电极注入N长基区的空穴，不像在IGBT中那样，顺利地横向通过P区流入发射极，而是在该区域形成一层空穴积累层。
为了保持该区域的电中性，发射极必须通过N沟道向N长基区注入大量的电子。
这样就使N长基区发射极侧也形成了高浓度载流子积累，在N长基区中形成与GTO中类似的载流子分布，从而较好地解决了大电流、高耐压的矛盾。
目前该器件已达到4.5kV /1kA 的水平。
三、MOS门控晶闸管MOS门极控制晶闸管充分地利用晶闸管良好的通态特性、优良的开通和关断特性，可望具有优良的自关断动态特性、非常低的通态电压降和耐高压，成为将来在电力装置和电力系统中有发展前途的高压大功率器件。
目前世界上有十几家公司在积极开展对MCT的研究。
MOS门控晶闸管主要有三种结构：MOS场控晶闸管（MCT）、基极电阻控制晶闸管(BRT)及射极开关晶闸管(EST)。
其中EST可能是MOS门控晶闸管中最有希望的一种结构。
但是，这种器件要真正成为商业化的实用器件，达到取代GTO的水平，还需要相当长的一段时间。
四、采用新型半导体材料制造的新型功率器件至今，硅材料功率器件已发展得相当成熟。