节能灯和电子整流器三极管参数的选择指南

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常见三极管型号选型参考

常见三极管型号选型参考

常见三极管型号选型参考简介,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是⼀种控制电流的半导体器件。

其作⽤是把微弱信号放⼤成幅度值较⼤的电信号,也⽤作⽆触点开关。

三极管是半导体基本元器件之⼀,具有电流放⼤作⽤,是电⼦电路的核⼼元件。

三极管是在⼀块半导体基⽚上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列⽅式有PNP和NPN两种。

常见三极管的型号9011: 除是⾳频低噪⾳管外.还是长尾可变放⼤倍数的第⼀中放专⽤管. 长尾--即使电流⼀直延伸到接近0. 仍不会截⽌.可变放⼤倍数--电流变⼩.放⼤倍数不断变⼩.好象⼏乎是⽇常常⽤管中唯⼀⼀只第⼀中放专⽤管9012: PNP9013: NPN, Ic = 500mA, 中功率, 低频, 能推动普通⾳频输出的中功率放⼤9014: NPN, Ic = 100mA, MHz, ⼩功率, 低频, 低噪放⼤9015: PNP9018: NPN, Ic = 50mA, fT = ~ 620 ~ 1100 MHz, ⼩功率, ⾼频, ⼩电流低噪⾳8050: NPN, Ic = 1000~1500mA, ⾼频放⼤, 速度慢⼀些, 中功率管, ⼩功率放⼤电路中配对管, ⼩电⼦产品, ⾼频电路和电话中常见8550: PNP, Ic = 1000~1500mA, ⾼频放⼤, 速度慢⼀些, 中功率管2N3904: NPN,2N3906: PNP, Ic = 200mA, ⼩功率管, 速度⽐较快, 延时特别少, 最⼤通过的电流是在200mA, It is a 200 mA, 40 V, 625 mW transistor with a transition frequency of 300 MHz,[4] with a minimal beta, or current gain, of 100 at a collector current of 10 mA. It is used in a variety of analog amplification and switching applications. The 2N3904 is used very frequently in hobby electronics projects, including home-made ham radios, code-practice oscillators and as an interfacing device for microcontrollers.2N2222: NPN, Ic = 500mA, 可与2N2907/2N2907A PNP管做互补对称管使⽤, common NPN bipolar junction transistor (BJT) used for general purpose low-power amplifying or switching applications. It is designed for low to medium current, low power, medium voltage, and can operate at moderately high speeds. It was originally made in the TO-18 metal can as shown in the picture2N2907: PNP,2N5551: NPN, Ic = 600mA, VCEO=160V, ⾼反压三极管, 主要⽤途是1)做⾼压开关管, 2)做中功率功放, 3)做视频放⼤器2N5401: PNPBC184: NPN, VCEO=30V, Ic = 500mA, ICBO=<15nA, 通⽤⼩信号放⼤BC550: NPN, VCEO=45V, Ic = 100mA, ICBO=<15nA, 通⽤⼩信号放⼤BC560: PNP, VCEO=-45V, Ic = -100mA, ICBO=<15nA, 通⽤⼩信号放⼤MMBTA63, LMBTA63, SMBTA63: PNP, Darlington, Ic = -500mA, VCEO=-30V, hFE=5k~10kMPSA64, MMBTA64, LMBTA64, SMBTA64: PNP, Darlington, VCEO=-30V, Ic = -100mA, hFE=10k~20k,MPSA14, KSP14: NPN, Darlington, Ic在0.1~100mA之间hFE为1万⾄4万, 80mA处达到最⼤.hFE随温度上升明显升⾼, 低噪⾳微⼩信号放⼤KSP13: NPN, Darlington, Ic = 500mA, VCEO=30V, hFE=5k~10kMPSA18: NPN, ICBO=<15nA, 低噪⾳微⼩信号放⼤MPSA92: PNP, VCEO=-300V, Ic = -30mA, ⾼压⼩信号, 功放MPSA42: NPN, VCEO=300V, Ic = 30mA, ⾼压⼩信号, 功放与MPSA92组成对管FMMT734: PNP, Darlington, Ic = -800mA, VCEO=-100V, hFE=20k~60k, ⾼负压⾼电流⼤放⼤倍数达林顿管, 室温下Ic在1~100mA间能保持7.5万的hFE. hFE随温度上升明显升⾼FMMT634: NPN, DarlingtonMPSA系列⼩信号三极管主要参数选⽤三极管需要了解三极管的主要参数,三极管的四个极限参数:Icm, BVCEO, Pcm及fT是最基本的,另外,还要了解三极管的特征频率、噪⾳和输出功率。

三极管参数介绍

三极管参数介绍

三极管参数介绍
三极管是一种常见的电子元件,广泛应用于电子电路中。

它是一种半导体器件,由三个掺杂不同材料的半导体层构成,其中夹在中间的一层称为基极,两侧的层分别称为发射极和集电极。

三极管的参数是指它的一些重要性能指标,下面我们来介绍一下。

首先是三极管的放大倍数,也称为电流放大倍数。

它是指三极管输出电流与输入电流之比,通常用β表示。

β值越大,表示三极管的放大能力越强。

一般来说,β值在几十到几百之间,不同型号的三极管β值也有所不同。

其次是三极管的最大耗散功率。

它是指三极管在正常工作条件下能够承受的最大功率。

如果超过这个值,三极管就会过热而损坏。

最大耗散功率与三极管的封装形式、散热条件等因素有关,一般在几百毫瓦到几瓦之间。

再来是三极管的最大工作电压。

它是指三极管能够承受的最大电压,超过这个值就会击穿。

最大工作电压与三极管的结构、材料等因素有关,一般在几十伏到几百伏之间。

最后是三极管的响应时间。

它是指三极管从输入信号发生变化到输出信号发生变化所需的时间。

响应时间与三极管的结构、工作状态等因素有关,一般在几纳秒到几十纳秒之间。

除了以上几个参数外,三极管还有许多其他的参数,如输入电阻、
输出电阻、噪声系数等。

这些参数都对三极管的性能和应用有着重要的影响,需要在具体的电路设计中进行综合考虑。

三极管是一种重要的电子元件,它的参数对于电路的设计和性能有着重要的影响。

在选择和使用三极管时,需要根据具体的应用需求和电路要求进行综合考虑,以达到最佳的效果。

电子镇流器元件选用技巧(电感、磁环、滤波电解、三极管、电阻)

电子镇流器元件选用技巧(电感、磁环、滤波电解、三极管、电阻)

0.11mm&TImes;6 股 60W80W:¢0.11mm&TImes;10 股 80W110W:¢0.2mm&TImes;10 股 也可以考虑导入阴极电流的 4.5 倍为平 方 1mm=1A 2、磁环 磁环又叫脉冲变压器,我以 2.5K 为主:7W 以下的灯用¢8*5*3mm、 3:13:3.720W 的灯用¢10*6*3mm、3:7:3.2030W 的灯用¢10*6*5mm 3:5:3 , 3080W 的灯用¢10*6*5mm、3:3:3.80110W 的灯用¢12*7*5mm、2:2:2 3、 滤波电解 7W 以下的灯用 1.5~1.8uF,711 瓦的灯用 1.8~2.7uF,1115 瓦的灯用 3.3uF,1520 瓦的灯用 6.8uF,2030 瓦的灯用 10uF ,3045 瓦的灯用 15uF,4560 瓦 的灯用 22uF,6080 瓦的灯用 33 UF 80100 瓦的灯用 47uF,100110 瓦的灯用 68uF
耐压在 400V~450V,电解在镇流器中,寿命相对较短,定要注意选择容量,漏
电流,高温度寿命.
4、三极管
10W 以下:1300120W 以下:13002,30 以下:13003,55W 以下:13005,85W 以下
13007,110W 以下:13009
考虑到它的放大倍数,开关时间,做好配对,三极管 13001 0.82~0.92 13002
电子镇流器元件选用技巧(电感、磁环、滤波电解、
三极管、电阻)
1. 电感 1.1 磁芯 EE10:10W 以下 EE13:13W 以下 EE16:18W 以下 EE19:24W 以下 EE19 加厚,EE20:30W 以下 EE25,EI25:45W 以下 EE25 加厚 EI28: 80 W 以下 EI33:110 W 以下 大于 55W 建议用 2 个电感 功率可做 3W~~~~125W 1.2 间隙,EE10 EE13 开 0.6 其它可以都开在 1.0 ,注意一点,间隙最大不可 以超过中间长度的 1/3,一般小功率 10W~20 W 0.4 30w~40w 0.6 60w~80w 0.8 100w~110w 1.0 1.3 线径 7W¢:0.11 713W: ¢0.13, 1320W:¢0.2, 2030W:¢0.25, 3060W:¢

全系列三极管应用参数及代换

全系列三极管应用参数及代换

全系列三极管应用参数及代换三极管是一种常用的电子元件,其应用非常广泛。

下面我们将介绍全系列三极管的应用参数和代换。

1.三极管的应用参数:-最大耐压:这是指三极管能够承受的最大电压。

超过这个电压,三极管可能会烧毁。

-最大电流:这是指三极管能够承受的最大电流。

超过这个电流,三极管可能会损坏。

-放大倍数:这是指输入信号与输出信号之间的比例关系。

一般来说,放大倍数越大,三极管的放大效果越好。

-最高频率:这是指三极管能够传输信号的最高频率。

超过这个频率,三极管可能无法正常工作。

2.三极管的代换:-电流放大系数代换:在一些场合,我们需要使用不同电流放大系数的三极管。

可以通过改变电阻的大小或者改变输入信号的大小来实现电流放大系数的代换。

-放大倍数代换:在一些需要不同放大倍数的场合,可以通过串联或者并联多个三极管来实现放大倍数的代换。

串联多个三极管可以增加放大倍数,而并联多个三极管可以减小放大倍数。

-频率代换:在一些需要不同频率响应的场合,可以选择不同截止频率的三极管来代换。

截止频率越高,三极管的频率响应越好。

3.全系列三极管的典型应用:-NPN型三极管(如2N3904):NPN型三极管常用于放大电路和开关电路中。

大部分的电子设备中都会使用NPN型三极管实现信号放大。

-PNP型三极管(如2N3906):PNP型三极管与NPN型三极管的原理相同,只是其电流流向相反。

PNP型三极管常用于功率放大电路和开关电路中。

-功率三极管(如2N3055):功率三极管通常能够承受较大的电流和电压,因此常用于功率放大和开关电路中。

-高频三极管(如2SC3355):高频三极管的截止频率较高,适用于高频放大和射频电路中。

-双极性(双极)场效应管(如2SK170):双极性场效应管的导通性能较好,适用于低噪声放大器和射频电路中。

总结:全系列三极管具有各自的特点和应用范围,可以根据具体的需求选择合适的三极管进行应用。

在实际应用中,我们还可以通过代换来实现不同参数的应用。

三极管的选用

三极管的选用

三极管的选用介绍(1)选用三极管的种类很多,用途各异,恰当,合理地选用三极管是保证电路正常工作的关键,下面介绍选用步骤:1)根据不同电路的要求,选用不同类型的三极管。

在不同的电子产品中,电路各有不同,如高频放大电路、中频放大电路、功率放大电路、电源电路、振荡电路、脉冲数字电路等等。

由于电路的功能不同,构成电路所需要的三极管的特性及类型也不同,如高频放大电路所需要的是高频小功率管,如3DG79、3DG80、3DG8l等,也可选用3DG91、3DG92、3DG93等超高频低噪声小功率管。

又如电源电路的调整管可选用3DA581、DF104D、2SC1875、2SC2060等。

功率放大电路可选用2SC1893、2SC1894、D2027、2SC2383、DA2271等。

2)根据电路要求合理选择三极管的技术参数,由于三极管的参数较多,但其中主要的参数要满足电路的需求,否则将影响电路的正常工作如:①电流放大系数hFE;②集电极最大电流Icm;③集电极最大耗散功率;④特征频率fT等。

对于特珠用途的三极管除满足上述的要求外,还必须满足对特殊管的参数要求。

如选用光敏晶体管时,就要考虑光电流、暗电流和光谱范围是否满足电路要求。

3)根据整机的尺寸合理选择三极管的外形及其封装。

由于三极管的外形有圆形的、方形的、高简形的、扁平形等,封装又可分为金属封装、塑料封装等,尤其是近年来采用了表面封装三极管,其体积很小,节约了很多的空间位置,使整机小型化。

选用三极管时在满足型号、参数的基础上,就要考虑外形和封装,在安装位置允许的前提下,优先选用小型化产品和塑封产品,以减小整机尺寸、降低成本。

(2)三极管的使用1)把选好的三极管进行复合后方可装人电路,复合内容主要是三极管的1作电压是否与电源电压适应、特征频率、fT、耗散功率PCM等是否符合电路要求。

2)识别好三极管的三个引脚,装人电路时,不能装错脚位,一且接错,轻者不起作用,重者就要损坏。

如何正确选择电路中的三极管

如何正确选择电路中的三极管

如何正确选择电路中的三极管电路中的三极管是一种常见的电子元件,广泛应用于各种电路中。

在选择三极管时,我们需考虑到电路的需求和特性,以确保选择合适的三极管以获得最佳性能。

本文将从以下几个方面介绍如何正确选择电路中的三极管。

一、了解三极管的基本参数首先,我们应该了解三极管的一些基本参数。

常见的参数包括最大电流Ic、最大功耗Pd、最大电压Vceo、放大倍数hfe等。

这些参数是选择三极管时需要考虑的重要指标。

通过了解这些参数,我们可以更好地匹配电路需求。

二、确定电路的工作点在选择三极管之前,我们需要确定电路的工作点。

工作点决定了三极管的偏置情况,对电路的性能有重要影响。

为了保证稳定的工作状态,我们应选择三极管的工作点在其输出特性曲线的线性区域,避免过度饱和或截止。

三、根据电流要求选择三极管接下来,我们需要根据电路的电流要求选择合适的三极管。

根据电流放大倍数hfe,我们可以计算出所需的基极电流Ib和集电极电流Ic 的关系。

选择的三极管应能够满足电路中的最大电流需求,并能提供足够的电流放大倍数。

四、根据电压要求选择三极管除了电流要求,电压要求也是选择三极管时需要考虑的因素之一。

我们应该选择具有足够高的最大电压Vceo的三极管,以确保其在电路中正常工作,不会被过高的电压击穿。

五、考虑工作环境和温度选择三极管时,还应该考虑工作环境和温度条件。

一些特殊环境下,如高温、高湿度或高振动环境,会对三极管的性能产生影响。

在这些特殊条件下,我们应选择具有更好稳定性和耐受能力的三极管。

六、了解不同类型的三极管最后,了解不同类型的三极管也是选择合适的关键。

常见的三极管有NPN型和PNP型,它们具有不同的极性和工作方式。

根据不同的应用场景和电路需求,我们可以选择合适的三极管类型。

总之,正确选择电路中的三极管需要充分了解三极管的基本参数,确定电路的工作点,考虑电流和电压要求,以及考虑工作环境和温度条件。

通过合理选择三极管,我们可以确保电路的性能和稳定性,提高电路的工作效率。

三极管的主要参数和选用

三极管的主要参数和选用

三极管的主要参数和选用余姚市职成教中心学校陈雅萍在使用三极管前,应从有关器件手册或网上查找到三极管的型号、主要用途、主要参数和器件的外形尺寸与引脚排列等,这些资料是正确使用三极管的重要依据。

“3” 表示三极管PNP 型锗材料NPN 型锗材料PNP 型硅材料NPN 型硅材料X——低频小功率管G——高频小功率管D——低频大功率管A——高频大功率管示例:3AG54A 表示锗材料PNP 型高频小功率管。

——国产三极管三极管的型号美国和日本的常以“2N”或“2S”开头。

如2N1307、2SD880等。

N ——表示是美国电子工业协会注册产品S ——表示是日本电子工业协会注册产品示例:2SD880表示硅材料NPN 型低频中功率管。

查阅手册韩国生产的通常是90系列的。

如9013、9011等。

——国外型号三极管三极管的型号三极管的主要参数h FE :直流电流放大系数。

I CM :集电极最大允许电流。

P CM :集电极最大允许耗散功率。

也称β。

是三极管的电流放大倍数。

三极管的集电极工作电流不能超过此值。

是三极管的最大允许平均功率。

超过此值,三极管会过热而损坏三极管的选用1.三极管的使用频率明确高频还是低频。

一般要求三极管的频率>3倍电路工作频率2.三极管工作的安全性三极管的主要参数和选用1.三极管的型号如3AG54A、2SD880、9013等2.三极管的主要参数I CM、P CM、h FE使用频率、工作的安全性。

节能灯和电子整流器三极管参数的选择指南

节能灯和电子整流器三极管参数的选择指南

节能灯和电子整流器三极管参数的选择指南过去,人们对用于节能灯、电子镇流器三极管参数的要求定位是不清晰的。

除了BVceo、BVcbo、Iceo、hFE、Vces、Ic等常规参数要求之外,低频管只有特征频率的要求(一般在几兆数量级)。

但是,特征频率是对正弦波线性放大的要求,与开关工作状态下三极管开关参数不是一个概念。

另外,由于认识水平和国内硬件条件的限制,妨碍了人们对灯用三极管的参数进行有效的控制和鉴别。

本文试图将节能灯和电子镇流器用三极管的选择做一些总结,以便充分了解应用过程中三极管的损坏机制。

完整的功率容限曲线降低三极管的发热损耗放大倍数hFE和贮存时间ts 完整的功率容限曲线功率容限(SOA)是一个曲线包围的区域(图1),当加在三极管上的电压、电流坐标值超过曲线范围时,三极管将发生功率击穿而损坏。

在实际应用中,某些开关电源线路负载为感性,三极管关断后,电感负载产生的自感电势反峰电压加在三极管的CE极之间,三极管必须有足够的SOA、BVceo和BVcbo 值才能承受这样的反压。

必须注意:目前一般三极管使用厂家不具备测试SOA的条件,即使是有条件的半导体三极管生产厂家,具备测试该指标的能力,但是仪器测试出的往往只是安全工作区边界点上的数值,而不是SOA曲线的全部。

这样就有可能出现:在一点上SOA值完全一样的两对三极管,实际线路上使用过程中,一对三极管损坏了,而另外一对却没有损坏。

因此,在选择灯用三极管的过程中,一定要找到器件生产厂家提供的完整SOA曲线。

降低三极管的发热损耗目前,节能灯、电子镇流器普遍采用上下管轮流导通工作的线路,电感负载产生的自感电势反峰电压经由导通管泄放,所以普遍感到三极管常温下SOA值在节能灯、电子镇流器线路中不十分敏感。

而降低三极管的发热损耗却引起了业界的普遍关注,这是因为三极管的二次击穿容限是随着温度的升高而降低的(图2)。

三极管在电路中工作一段时间以后,线路元器件会发热(包括管子本身的发热),温度不断上升导致三极管hFE增大,开关性能变差,二次击穿特性下降。

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节能灯和电子整流器三极管参数的选择指南
过去,人们对用于节能灯、电子镇流器三极管参数的要求定位是不清晰的。

除了BVceo、BVcbo、Iceo、hFE、Vces、lc等常规参数要求之外,低频管只有特征频率的要求(一般在几兆数量级)。

但是,特征频率是对正弦波线性放大的要求,与开关工作状态下三极管开关参数不是一个概念。

另外,由于认识水平和国内硬件条件的限制,妨碍了人们对灯用三极管的参数进行有效的控制和鉴别。

本文试图将节能灯和电子镇流器用三极管的选择做一些总结,以便充分了解应用过程中三极管的损坏机制。

完整的功率容限曲线
降低三极管的发热损耗
放大倍数hFE和贮存时间ts
完整的功率容限曲线
功率容限(SOA)是一个曲线包围的区域(图1),当加在三极管上的电压、电流坐标值超过曲线范围时,三极管将发生功率击穿而损坏。

在实际应用中,某些开关电源线路负载为感性,三极管关断后,电感负载产生的自感电势反峰电压加在三极管的CE极之间,三极管必须有足够的SOA、BVceo和BVcbo值才能承受这
样的反压。

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必须注意:目前一般三极管使用厂家不具备测试SOA的条件,即使是有条件的半导体三极管生产厂家,具
备测试该指标的能力,但是仪器测试出的往往只是安全工作区边界点上的数值,而不是SOA曲线的全部。

这样就有可能岀现:在一点上SOA值完全一样的两对三极管,实际线路上使用过程中,一对三极管损坏了, 而另外一对却没有损坏。

因此,在选择灯用三极管的过程中,一定要找到器件生产厂家提供的完整SOA曲线。

降低三极管的发热损耗
目前,节能灯、电子镇流器普遍采用上下管轮流导通工作的线路,电感负载产生的自感电势反峰电压经由导通管泄放,所以普遍感到三极管常温下SOA值在节能灯、电子镇流器线路中不十分敏感。

而降低三极管
的发热损耗却引起了业界的普遍关注,这是因为三极管的二次击穿容限是随着温度的升高而降低的(图2)
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三极管在电路中工作一段时间以后,线路元器件会发热(包括管子本身的发热),温度不断上升导致三极管hFE增大,开关性能变差,二次击穿特性下降。

反过来,进一步促使管子发热量增大,这样的恶性循环最终导致三极管击穿烧毁。

因此,降低三极管本身的发热损耗是提高三极管使用可靠性的重要措施。

实验表明:晶体管截止状态的功耗很小;导通状态的耗散占一定比例,但变化余地不大。

晶体管耗散主要
发生在由饱和向截止和由截止向饱和的过渡时期,而且与线路参数的选择及三极管的上升时间tr、下降时间tf有很大关系。

最近几年,业界推岀的节能灯和电子镇流器专用三极管都充分注意到降低产品的开关损耗,例如,国产
BUL6800系列产品在优化MJE13000系列产品的基础上,大幅提高了产品的开关损耗性能。

此外,控制磁环参数也有利于控制损耗。

因为磁环参数的变化会引起三极管lb的变化,影响三极管上升和
下降时间。

三极管过驱动可以造成三极管严重发热烧毁,而三极管驱动不足,则可能造成三极管冷态启动时瞬时击穿损坏。

放大倍数hFE和贮存时间ts
三极管的hFE参数与贮存时间ts相关,一般hFE大的三极管ts也较大,过去人们对ts的认识以及ts的测量仪器均较为欠缺,人们更依赖hFE参数来选择三极管。

在开关状态下,hFE的选择通常有以下认识:第一、hFE应尽可能高,以便用最少的基极电流得到最大的
工作电流,同时给出尽可能低的饱和电压,这样就可以同时在输出和驱动电路中降低损耗。

但是,如果考
虑到开关速度和电流容限,则hFE的最大值就受到限制;第二、中国的厂家曾经倾向于选用hFE较小的器件,例如hFE为10到15,甚至8到10的三极管就一度很受欢迎(后来,由于基极回路流行采用电容触发线路,hFE的数值有所上升),hFE的数值小则饱和深度小,从而有利于降低晶体管的发热。

实际上,晶体管的饱和深度受到Ib、hFE 两个因素的影响,因而通过磁环及绕组参数、基极电阻Rb 的调整,也可以降低饱和深度。

目前,业界推出的节能灯和电子镇流器专用三极管都十分注重对贮存时间的控制。

因为贮存时间ts 过长,电路的振荡频率将下降,整机的工作电流增大易导致三极管的损坏。

虽然可以调整扼流圈电感及其他元器件参数来控制整机功率,但ts 的离散性,将使产品的一致性差,可靠性下降。

例如,在石英灯电子变压器线路中,贮存时间太大的晶体管可能引起电路在低于输出变压器工作极限的频率振荡,从而造成每个周期的末端磁芯饱和,这使得晶体管Ic 在每个周期出现尖峰,最后导致器件过热损坏(图3)。

如果同一线路上的两个三极管贮存时间相差太大,整机工作电流的上下半波将严重不对称,负担重的那只三极管将容易损坏,线路也将产生更多的谐波和电磁干扰。

实际使用表明,严格控制贮存时间ts 并恰当调整整机电路,就可以降低对hFE 参数的依赖程度。

还值得一提的是,在芯片面积一定的情况下,三极管特性、电流特性与耐压参数是矛盾的,中国市场曾经用BUT11A 来做
220V40W 电子镇流器,其出发点是BVceo、BVcbo 数值高,但是目前绝大部分电子镇流器线路中,已经没有必要过高选择三极管的电压参数。

图3 :两个不同贮存时间的三极管用于同一线路的Ic 波形图。

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