项目1 1.1半导体基础知识

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半导体基础知识.

半导体基础知识.

超过Izmax稳压管会因功耗过大而烧坏。
【例1-1】在图中,已知稳压二极管的
U Z 6.3V ,已知
稳压二极管的正向导通压降 U F =0.7V 。当U = 20V ,R=1kΩ I 时,求Uo
解 当 U I =+20V , 反向击穿稳压
U F2 = 0.7V U Z =6.3V VDZ2 正向导通, ,
U = +7V; 同理, U I = 20V
O
U = 7V
O
稳压电路
1.4.2 发光二极管
发光二极管简称LED,它是一种将电能转换为光能的半 导体器件。 发光二极管的符号如图所示。 发光二极管常用于作为显示器件, 可单个使用,也可作成7段式或矩 阵式,工作时加正向电压,并接入 相应的限流电阻,工作电流一般为 几毫安到几十毫安,正向导通时的 管压降为1.8~2.2V。
缘体。
束缚电子
+4
+4
+4
当温度升高或受到 光的照射时,束缚 电子能量增高,有 的电子可以挣脱原 子核的束缚,而参 与导电,成为自由
+4
空穴
+4
自由电子
+4
+4
+4
+4
电子。 自由电子产生的 同时,在其原来的共 价键中就出现了一个 空位,称为空穴。
这一现象称为本征激发,也称热激发。
可见本征激发同时产生
正向电流

内电场 E
EW
R
(2) 加反向电压——电源正极接N区,负极接P区
外电场的方向与内电场方向相同。 动画演示 外电场加强内电场 →耗尽层变宽 →漂移运动>扩散运动 →少子漂移形成反向电流I

半导体的基础知识教案

半导体的基础知识教案

半导体的基础知识教案第一章:半导体概述1.1 半导体的定义与特性解释半导体的概念介绍半导体的物理特性讨论半导体的重要参数1.2 半导体的分类与制备说明半导体材料的分类探讨半导体材料的制备方法分析半导体器件的制备过程第二章:PN结与二极管2.1 PN结的形成与特性解释PN结的概念与形成过程探讨PN结的特性分析PN结的应用领域2.2 二极管的结构与工作原理介绍二极管的结构解释二极管的工作原理探讨二极管的主要参数与规格第三章:双极型晶体管(BJT)3.1 BJT的结构与分类解释BJT的概念介绍BJT的结构与分类分析BJT的运作原理3.2 BJT的特性与参数探讨BJT的输入输出特性讨论BJT的主要参数与规格分析BJT的应用领域第四章:场效应晶体管(FET)4.1 FET的结构与分类解释FET的概念介绍FET的结构与分类分析FET的运作原理4.2 FET的特性与参数探讨FET的输入输出特性讨论FET的主要参数与规格分析FET的应用领域第五章:半导体器件的应用5.1 半导体二极管的应用介绍半导体二极管的应用领域分析二极管在不同电路中的应用实例5.2 半导体晶体管的应用解释半导体晶体管在不同电路中的应用探讨晶体管在不同电子设备中的应用实例5.3 半导体集成电路的应用介绍半导体集成电路的概念分析集成电路在不同电子设备中的应用实例第六章:半导体存储器6.1 存储器概述解释存储器的作用与分类探讨半导体存储器的发展历程分析存储器的主要参数6.2 RAM与ROM介绍RAM(随机存取存储器)的原理与应用解释ROM(只读存储器)的原理与应用分析RAM与ROM的区别与联系6.3 闪存与固态硬盘探讨闪存(NAND/NOR)的原理与应用介绍固态硬盘(SSD)的结构与工作原理分析固态硬盘的优势与挑战第七章:太阳能电池与光电子器件7.1 太阳能电池解释太阳能电池的原理与分类探讨太阳能电池的优缺点分析太阳能电池的应用领域7.2 光电子器件解释光电子器件的分类与应用探讨光电子器件的发展趋势第八章:半导体传感器8.1 传感器的基本概念解释传感器的作用与分类探讨传感器的基本原理分析传感器的主要参数8.2 常见半导体传感器介绍常见的半导体传感器类型解释半导体传感器的原理与应用分析半导体传感器的优势与挑战8.3 传感器在物联网中的应用探讨物联网与传感器的关系介绍传感器在物联网应用中的实例分析物联网传感器的发展趋势第九章:半导体激光器与光通信9.1 半导体激光器解释半导体激光器的工作原理探讨半导体激光器的特性与参数分析半导体激光器的应用领域9.2 光通信原理解释光纤通信与无线光通信的区别探讨光通信系统的组成与工作原理9.3 光通信器件与技术介绍光通信器件的类型与功能解释光通信技术的分类与发展趋势分析光通信在现代通信系统中的应用第十章:半导体技术与未来趋势10.1 摩尔定律与半导体技术发展解释摩尔定律的概念与意义探讨摩尔定律对半导体技术发展的影响分析半导体技术的未来发展趋势10.2 纳米技术与半导体器件介绍纳米技术在半导体器件中的应用解释纳米半导体器件的特性与优势探讨纳米半导体器件的未来发展趋势10.3 新兴半导体技术与应用分析新兴半导体技术的种类与应用领域探讨量子计算、生物半导体等未来技术的发展前景预测半导体技术与产业的未来发展趋势重点和难点解析重点环节一:半导体的定义与特性重点环节二:半导体的分类与制备重点环节三:PN结与二极管重点环节四:双极型晶体管(BJT)重点环节五:场效应晶体管(FET)重点环节六:半导体存储器重点环节七:太阳能电池与光电子器件重点环节八:半导体传感器重点环节九:半导体激光器与光通信重点环节十:半导体技术与未来趋势全文总结和概括:本文主要对半导体的基础知识进行了深入的解析,包括半导体材料的分类与特性、半导体的制备方法、PN结与二极管、双极型晶体管(BJT)、场效应晶体管(FET)、半导体存储器、太阳能电池与光电子器件、半导体传感器、半导体激光器与光通信以及半导体技术与未来趋势等内容进行了详细的阐述。

1-半导体基础知识

1-半导体基础知识
多数载流子 空穴比未加杂质时的数目多 了?少了?为什么?
5
杂质半导体主要靠多数载流 子导电。掺入杂质越多,多子 浓度越高,导电性越强,实现 导电性可控。 磷(P)
(二)、P 型半导体
在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素,如硼 (或铟),晶体点阵中的某些半导体原子被杂质 取代,硼原子的最外层有三个价电子,与相邻的 半导体原子形成共价键时, 空穴 产生一个空穴。这个空穴 +4 可能吸引束缚电子来填补, 使得硼原子成为不能移动 的带负电的离子。由于硼 +3 原子接受电子,所以称为 硼原子 受主原子。
面接触型:结面积大, 结电容大,故结允许 的电流大,最高工作 频率低。
平面型:结面积可小、 可大,小的工作频率 高,大的结允许的电 流大。
二、二极管的伏安特性及电流方程
二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。
i f (u )
i I S (e
u UT
1)
(常温下 U T 26m) V
2、本征半导体的结构
共价键
补充内容:
由于热运动,具有足够能量 的价电子挣脱共价键的束缚 而成为自由电子 自由电子的产生使共价键中 留有一个空位置,称为空穴 自由电子与空穴相碰同时消失,称为复合。 动态平衡 一定温度下,自由电子与空穴对的浓度一定;温度升高, 热运动加剧,挣脱共价键的电子增多,自由电子与空穴对 的浓度加大。(补充浓度公式)
2.空间电荷区中内电场阻碍P中的空穴.N区 中的电子(都是多子)向对方运动(扩散 运动)。 3.P 区中的电子和 N区中的空穴(都是少 子),数量有限,因此由它们形成的电流 很小。
2. PN结的单向导电性
PN 结加上正向电压、正向偏置的意思都是: P 区 加正、N 区加负电压。

11半导体基础知识

11半导体基础知识

共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为 束缚电子,常温下束缚电子很难脱离共价键成为自 由电子,因此本征半导体中的自由电子很少,所以 本征半导体的导电能力很弱。
第一章 常用半导体器件
back
16
二、本征半导体的导电机理
1.载流子、自由电子和空穴
在绝对0度(T=0K)和没有外界激发时,价 电子完全被共价键束缚着,本征半导体中没有 可以运动的带电粒子(即载流子),它的导电 能力为 0,相当于绝缘体。
但由于数量的关系,起导电作用的主要是多子。 近似认为多子与杂质浓度相等。
第一章 常用半导体器件
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28
例:
纯净硅晶体中硅原子数为1022/cm3数量级,
在室温下,载流子浓度为ni=pi=1010数量级,掺入 百万分之一的杂质(1/10-6),即杂质浓度为1022* (1/106)=1016数量级,则掺杂后载流子浓度为 1016+1010,约为1016数量级,
V0
---- - - ---- - - ---- - - ---- - -
+ +++++ + +++++ + +++++ + +++++
P型区
空间 电荷 区
N型区
第一章 常用半导体器件
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34
注意:
1、空间电荷区中没有载流子。
2、空间电荷区中内电场阻碍P中的空穴、N区
中的电子(都是多子)向对方运动(扩散 运动)。
半导体的电阻率为10-3~109 cm。
半导体材料: 元素半导体: 硅(Si)、锗(Ge) 化合物半导体: 砷化镓(GaAs)

1.半导体基础知识doc

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基础知识半导体的研究和应用,虽然历史不长,但在科学、技术以及国民经济中已起着十分重要的作用。

在机械、冶金、化工、电子、空间技术以及国防工业等领域有着广泛的应用,差不多国民经济的每一个部门都要用到半导体。

半导体工业的兴起,被认为是上世纪六十年与原子能同等重要的世界科学新成就。

集成度探测器灵敏度整流元件高耐压大功率光电转换率1.绝缘体、半导体和导体物质就其导电性质而言,可分为绝缘体、半导体和导体。

金、银、铜、铁、铝等金属,具有良好的导电性能,称为导体。

橡胶、木材、玻璃、玛瑙、电木等不能导电的物质,称为绝缘体。

导电能力介于导体和绝缘体之间的材料,称为半导体。

如:硅、锗、氧化铜、硫化铝等。

物体的导电能力一般用材料的电阻率的大小来衡量,它的单位是欧姆.厘米(Ω·cm)。

电阻率越小,导电能力越强,电阻率越大,导电能力越弱。

2.半导体材料的种类半导体材料按化学成分和内部结构,大致可分为以下几类:●元素半导体又称为单质半导体。

在元素周期表中介于金属和非金属之间的元素。

其中具有实用价值的有硅、锗、硒。

50年代,锗在半导体中占主导地位,到60年代后期逐渐被硅材料取代。

用硅制造的半导体器件,耐高温和抗辐射性能较好,因此,硅成为应用最多的一种半导体材料,目前的集成电路大多数(70%以上)是用硅材料制造的.硅的物理化学性质:硅是元素周期表中四族元素,自然界中含量仅次于氧,居第二。

在自然界中硅主要以二氧化硅及硅酸盐的形式存在。

结晶形硅是一种有灰色金属光泽的晶体,与金刚石具有类似的晶格,性质硬而脆。

元子量、原子密度、比重、本征载流子浓度、本征电阻率---;硅的许多化合物及在许多化学反应中的行为与磷很相似。

硅极易与卤素化合。

在1000℃以上与氮反应,生成氮化硅。

化学性质不活泼,在常温下很稳定,不溶于所有的酸(包括氢氟酸)。

在高温下,化学活泼性大大增加。

●化合物半导体化合物半导体是由两种或两种以上的元素化合而成的半导体材料。

半导体基础知识

半导体基础知识
2、P型半导体的形成及特点
1)形成:在纯净的半导体中掺入三价元素硼
2)特点:自由电子少、空穴多
学生听述并记录笔记
练习
1、常用的半导体材料是()和()。
2、N型半导体的多数载流子是()、少数栽流子是()。
学生自己完成
教学过程(第2课时)
教学环节
教学预设
学生活动
讲授新课
3、N型和P型半导体的电中性
N型半导体的结构P型半导体的结构
班级
2013级数控设备应用与维护高职1班
2013级数控设备应用与维护高职2班
授课日期
9月3日第1、2节
9月4日第3、4节
课题序号
1
学时
2
章节名称
第1章晶体二极管及其应用
1.1晶体二极管的使用
1.1.1半导体的基本知识
教学目标知ຫໍສະໝຸດ 和技能1.知道半导体的导电特性
2.知道两种杂质半导体的形成、特点
过程和方法
3、PN结及其单向导电性
总结、记录
作业
1、半导体有什么独特的导电特性?
2、如何理解PN结的单向导电性?
三、PN结及其单向导电性
1、PN结的形成
1)扩散运动:物质从浓度高的地方向浓度低的地方的运动
2)漂移运动:载流粒子在电场的作用下发生的移动
3)PN结的形成
扩散运动和漂移运动达到动态平衡时形成的空间电荷区即是PN结。空间电荷区也叫阻挡层、耗尽层
2、PN结的特点
PN结正偏时,电阻小导通,PN结反偏时,电阻大截止。
2、如何理解PN结的单向导电性?
教学后记
教学过程(第1课时)
教学环节
教学预设
学生活动
组织教学
考勤,教师组织学生做好上课准备:

半导体基础知识(1)(1)

半导体基础知识(1)(1)

2021/3/6
3
2、本征半导体中的两种载流子
运载电荷的粒子称为载流子。 外加电场时,带负电的自由电 子和带正电的空穴均参与导电, 且运动方向相反。由于载流子数 目很少,故导电性很差。 温度升高,热运动加剧,载流 子浓度增大,导电性增强。 热力学温度0K时不导电。
载流子
为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体?
传统机械按键结构层图:

PCBA

开关 键
传统机械按键设计要点: 1.合理的选择按键的类型, 尽量选择平头类的按键,以 防按键下陷。 2.开关按键和塑胶按键设计 间隙建议留0.05~0.1mm,以 防按键死键。 3.要考虑成型工艺,合理计 算累积公差,以防按键手感 不良。
三、PN结的形成及其单向导电性
2021/3/6
4
二、杂质半导体
1. N型半导体
多数载流子
空穴比未加杂质时的数目
多了?少了?为什么?
5
杂质半导体主要靠多数载
流子导电。掺入杂质越多,
多子浓度越高,导电性越强,
实现导电性可控。
磷(P)
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5
在N型半导体中自由电子是多数载流子, 它主要由杂质原子提供;空穴是少数载流 子, 由热激发形成。
无杂质 稳定的结构
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2
1、本征半导体的结构(价电子,除价电子外的正离子)
共价键
由于热运动,具有足够能量 的价电子挣脱共价键的束缚
而成为自由电子
自由电子的产生使共价键中 留有一个空位置,称为空穴
自由电子与空穴相碰同时消失,称为复合。
一定温度下,自由电子与空穴对的浓度一定;温度升高, 热运动加剧,挣脱共价键的电子增多,自由电子与空穴对 的浓度加大。

半导体基础知识.

半导体基础知识.

可以通过改变uGS来控制iD的大小。
漏极电流受栅-源电压的控制
电压控制元件
总结
1、场效应管是电压控制元件。 2、当uDS增加,使uDS = uGS - Vp时,d—s间预夹断。
3、预夹断前, uDS < uGS - Vp ,对应于不同的uDS ,d— s间等效成不同阻值的电阻。
4、预夹断后,uDS > uGS - Vp ,iD几乎只取决于uGS,与 uDS无关,d—s间可视为受uGS控制的电流源。
uGD > VP
uGD = VP
预夹断
预夹断前:
iD uDS
uGS 常 数
d - s间呈电阻特性 预夹断后:
uDS iD增大
uGD < VP
抵消
导电沟道电阻增大
iD与uDS无关,几乎只由uGS决定
iD不变
恒流特性
(3)当uGD<Vp时, uGS对iD的控制作用
在uGD<Vp,即uDS> uGS-Vp时, 当uDS为一常量时,对应于确 定的uGS,就有确定的iD。
四、PN 结的电容效应
1. 势垒电容
PN结外加电压变化时,空间电荷区的宽度将发生 变化,有电荷的积累和释放的过程,与电容的充放电 相同,其等效电容称为势垒电容Cb。
2. 扩散电容
PN结外加的正向电压变化时,在扩散路程中载 流子的浓度及其梯度均有变化,也有电荷的积累和释 放的过程,其等效电容称为扩散电容Cd。
1. 伏安特性
由一个PN结组成, 反向击穿后在一 定的电流范围内 端电压基本不变, 为稳定电压。
限流电阻
进入稳压区的最小电流
2. 主要参数
稳定电压UZ、稳定电流IZ
不至于损坏的最大电流
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任务一 直流稳压电源的制作与调试 实施 步骤 工作过程安排 具体内容 教学方法 和手段 实施 地点 建议学时 支撑知识和技能:

项目1 获取半导体元件方面的理论知识 1.1半导体基础 1.2半导体二极管 1.3半导体三极管 1.4场效应管 任务驱动法、讲解、举例、比较、讨论和演练多法并用 多媒体教室或实训室 8

项目2 二极管、三极管测试 二极管、三极管极性判别和质量好坏的判断 讲解示范“教、学、做”一体 实验室 2

项目3常用电子仪器使用方法 万用表和示波器的正确使用 讲演示范“教、学、做”一体 实验室 2

项目4解剖直流稳压电源电路

1.5单相整流电路 1.6滤波电路 1.7稳压电路 讲解、举例、比较、讨论和演练多法并用 多媒体

教室或实训室 6

项目5直流稳压电路 的性能测试 对单相桥式整流电容 滤波电路进行测试 讲演示范“教、学、做”一体 实验室 2

任务描述:

任务 获取 知识 准备

制作并调试串联型直流稳压电源:1、输入交流220V时输出直流电压6V;2、输出纹波电压<5mV,稳压系数≤0.01;3、具有短路保护功能;4、 AI0.1max

头脑风暴法、分组讨论、查阅资料 实训室或 图书馆 1

制作前的准备;根据电路图焊接各元件,制作稳压电路;检查、调试稳压电路,测试参数、记录结果;撰写直流稳压电路的制作与调试报告书。

实践 补充 理论 转化 (项目6) 学生自行检查完成情况,并填写自评表; 老师根据任务实施情况对学生小组和个人作出评价。 头脑风暴法、利用设备工具实际操作法 实训室 5

各团队对现场实施情况进行总结,并用PPT展示成果 梳理总结实践升华 师生根据实际完成情况给出小组和学生个人成绩 讨论和归纳总

结法 实训室 2 任务一 直流稳压电源的制作与调试 引导学生列举生活中常用的直流稳压电源,简介直流稳压电源的组成和作用,导入新课: 压压u1u

2u3u

4u

o

压压压压

压压压压压压

图1-0 直流稳压电源组成方框图

任务一知识网络分布图 项目1 获取半导体元件方面的理论知识 1.1 半导体基础 自然界的物质,按其导电能力可分为导体、半导体和绝缘体。导体和绝缘体材料在电力系统中得到了广泛的应用。半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,20世纪40年代,科学家在试验中发现半导体材料具有一些特殊性能,其电阻率随温度、光照以及所含杂质的种类、浓度等条件的不同而出现显著的差别。奇妙的PN结,带领我们进入奥妙无穷的电子世界。 常用的半导体材料有硅、锗、硒、砷化镓及金属的氧化物和硫化物等。 一.半导体的特性及结构 1.半导体的特性 半导体的电阻率随温度、光照以及所含杂质的种类、浓度等条件的不同而出现显著的差别,所以半导体具有热敏性、光敏性和杂敏性的特点。 2、半导体的结构 自然界的一切物质都是由原子组成的,而原子又是由一个带正电的原子核与若干带负电的电子所组成。电子分层围绕着原子核不停地旋转,内层电子受原子核的吸引力较大,而外层电子受原子核的吸引力较小。所以,外层的电子获得能量后就容易脱离原子核的束缚成为自由电子。半导体材料的价电子数是4个,其原子的外层电子既不像金属那样容易挣脱出来,也不像绝缘体那样被原子核紧紧束缚住。 最常见的半导体材料是硅和锗。其结构见图1-1,每个原子最外层的4个电子不仅受自身原子核的束缚,还与周围相邻的4个原子发生联系。相邻的原子通过共用价电子而连接在一起,这种相邻原子共用价电子形成的束缚作用称为共价

键。 图1-1 硅和锗原子结构平面示意图

二.半导体分类 1、本征半导体 (1)定义: 完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 (2)特点 1)两种载流子—自由电子和空穴。 2)特点:a温度越高,电子空穴对越多; b电子空穴对的热运动杂乱无章,整体对外不显电性。

2.杂质半导体 (1)N型半导体 在本征半导体(以硅为例)中掺入少量的5价元素,如磷(P)、砷(AS)等。磷原子的最外层有5个价电子,其中4个价电子与相邻硅原子的最外层价电子组成共价键形成稳定结构,多余的电子很容易受激发成为自由电子。掺入的磷元素越多,则自由电子越多。这种掺入5价元素的半导体称为N型半导体。

N型半导体主要靠自由电子导电,称为多数载流子,而空穴数量远少于电子数量,称为少数载流子。 (2)P型半导体 在本征半导体(以硅为例)中掺入少量的3价元素,如硼(B)原子的最外层只有3个价电子,3个价电子与相邻的3个硅原子组成共价键后,就留下一个空穴,空穴数量增多,自由电子则相对很少,故掺入3价元素的半导体称为P型半导体。 P型半导体主要靠空穴导电,称为多数载流子,而自由电子数量远少于空穴数量,称为少数载流子。 注意:不论N型半导体还是P型半导体都是电中性,对外不显电性。 三.PN结的形成与特性

1、PN结的形成 (1)定义:P型与N型半导体接触后,在交界面附近就会形成一个具有特殊性质的薄层,这个薄层就是PN结。 (2)几种运动 扩散运动:因浓度差而引起载流子从浓度高的区域向浓度低的区域运动。 漂移运动:在内电场的作用下,对方区域内的少数载流子会被吸引过来,形成漂移运动。

当多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动达到一个相对稳定的动态平衡时,在交界面上形成稳定的空间电荷区—即PN结。 2.PN结的特性 (1)正向导通特性 给PN结加正向电压,即P区接电源正极,N区接电源负极,这种接法叫正向偏置。形成的电流叫做正向电流。 实验证明外加电场越强,正向电流越大,PN结的正向电阻变小。处于正向导通状态。 (2)反向截止特性 给PN结加反向电压,即N区接电源正极,P区接电源负极,这种接法叫反向偏置。形成的电流叫做反向电流。 实验证明,当温度一定且反向电压不超过某一值时,反向电流几乎不随外加反向偏置电压的变化而变化,又称其为反向饱和电流。其受温度影响很大。反向电流很小,可以忽略,所以反向偏置时,处于截止状态,电阻很大。 结论:PN结正偏导通,反偏截止---PN结的单向导通特性 小结: 本次课的主要内容:  半导体的结构和特性;  两种杂质半导体的构成和特点;  PN结的形成和特性 重点:杂质半导体和 PN结的特性;难点:PN结的形成 作业:P48 1-1、1-2 P8 预习1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 复习提问: 1、杂质半导体分哪两种,各有什么特点? 2、PN结是怎样形成?它的特性是什么? 导入新课: 奇妙的PN结,具有单向导通特性,加正向电压导通,加反向电压截止。利用这一特点,给一个PN结加上相应的外引线,然后用塑料、玻璃或铁皮等材料做外壳封装就成为最简单的二极管。换言之,PN结的特性,就是二极管的特性。 一、二极管的结构和类型 1.二极管的结构

接在二极管P区的引出线称二极管的阳极,接在N区的引出线称二极管的阴极,如图1.2.1(a)所示。

2. 二极管的符号 二极管的符号如图1.2.1(b)所示,其中三角箭头表示正向电流的方向,正向电流从二极管的阳极流入,阴极流出。 3.二极管的类型 二极管有很多类型:按PN结形成的制造工艺方式可分为点接触型、面接触型和平面型;按用途分有整流管、检波二极管、稳压二极管、光电二极管和开关二极管等。

图1.2.2 二极管的几种外形 (1)点接触型二极管 如图1.2.3所示,它是用一根含杂质元素的金属丝压在半导体晶片上,经特殊工艺、方法,使金属丝上的杂质掺入到晶体中,从而形成导电类型与原晶体相反的区域而构成PN结。

图1.2.3 a 点接触型二极管图 1.2.3b 面接触型二极管 (2)面接触型二极管 PN结面积大,用于工频大电流整流电路。

(3)平面接触型二极管 往往用于集成电路制造工艺中。PN 结 面积可大可小,用于高频整流和开关电路中。

图1.2.3c 平面接触型二极管 二、二极管的特性及参数 1.二极管的伏安特性 (1)正向特性 外加正向电压较小时,外电场不足以克服内电场对多子扩散的阻力,PN结仍处于截止状态。 正向电压大于死区电压后,正向电流随着正向电压增大迅速上升。通常死区电压硅管约为0.5V,锗管约为0.2V。当二极管完全导通后,正向压降基本维持不变,称为二极管正向导通压降,一般导通压降硅管约为0.7V,锗管约为0.3V。

阴极引线阳极引线

PNP型支持衬底(2)反向特性 外加反向电压时, PN结处于截止状态,反向电流很小。当反向电压增大到某一数值时,反向电流急剧增加。这种现象称为二极管反向击穿。击穿时对应的电压称为反向击穿电压。 2.二极管的主要参数 (1)最大整流电流IFM:指管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流。 (2)反向击穿电压UB:指管子反向击穿时的电压值。 (3)最大反向工作电压URM:二极管运行时允许承受的最大反向电压(约为UB

一半)。

(4)最大反向电流IRM:指管子未击穿时的反向电流,其值越小,则管子的单向导电性越好。 (5)最高工作频率fM:主要取决于PN结结电容的大小。 三、特殊二极管 1、发光二极管 一种将电能直接转换成光能的固体器件,简称LED(Light Emitting Diode)。 当发光二极管的PN结加上正向电压时,电子与空穴复合过程以光的形式放出能量。不同材料制成的发光二极管会发出不同颜色的光。常见的有红、橙、黄、绿、蓝五种颜色。 发光二极管具有很强的抗振动和抗冲击能力、亮度高、清晰度高、电压低(1.5~3V)、反应快、体积小、可靠性高、寿命长等特点,是一种很有用的半导体器件,常用于信号指示、数字和字符显示。

图1.2.9 发光二极管符号及其电路图 1.2.10 光电二极管符号 2.光电二极管

阳极阴极 (a) (b)LED

LED

RE阳极阴极

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