化学试题07 配位化合物
配位化合物练习题配位键配位数与配位化合物的命名
配位化合物练习题配位键配位数与配位化合物的命名配位键是指形成配位化合物的中心金属离子与配体之间的化学键。
配位数是指配位化合物中金属离子与配体之间的键的数量。
命名配位化合物的规则根据配体中的原子数、电荷和官能团等因素来确定。
以下是一些配位化合物练习题，以及配位键、配位数和命名的相关内容。
练习题一：以下配位化合物中，指出配位键的类型和配位数：1. [Co(NH3)6]Cl32. [Fe(CN)6]4-3. [Cu(NH3)4(H2O)2]2+练习题二：请根据以下配位化合物的配位数，给出它们的命名：1. [PtCl4]2-2. [Cu(NH3)2(H2O)2]2+3. [Fe(CO)5]练习题三：请给出以下配位化合物的化学式和它们的命名：1. Tetrachloridocobaltate(II)2. Hexaamminecobalt(III) chloride3. Potassium hexacyanidoferrate(III)解析：练习题一：1. [Co(NH3)6]Cl3配位键类型：配位键类型是金属离子和配体之间的键，此处是配体是氨（NH3），氨和钴（Co）之间形成了配位键。
配位数：配位数是指金属离子与配体之间键的数量，这里配位数为六，因此配位复合物的名称是六配位配合物。
2. [Fe(CN)6]4-配位键类型：配体是氰化物（CN），氰化物和铁（Fe）之间形成了配位键。
配位数：配位数为六，因此配位复合物的名称是六配位配合物。
3. [Cu(NH3)4(H2O)2]2+配位键类型：配体是氨和水，氨和铜（Cu）以及水和铜之间形成了配位键。
配位数：配位数为六，因此配位复合物的名称是六配位配合物。
练习题二：1. [PtCl4]2-配位数为四的配位化合物命名为四氯金(II)。
2. [Cu(NH3)2(H2O)2]2+配位数为六的配位化合物命名为二氨二水铜(II)。
3. [Fe(CO)5]配位数为五的配位化合物命名为五羰基铁。
配位化学试题及答案
配位化学试题及答案一、选择题（每题2分，共10分）1. 配位化学中，配体与中心原子通过什么键结合？A. 离子键B. 共价键C. 配位键D. 氢键答案：C2. 以下哪个不是配位化合物的特点？A. 含有配位键B. 含有金属离子C. 含有非金属离子D. 含有配体答案：C3. 配位化学中，配位数指的是什么？A. 配体的数量B. 中心原子的电荷数C. 配体的电荷数D. 配体的价电子数答案：A4. 以下哪种配位化合物的几何构型是八面体？A. [Co(NH3)6]3+B. [Fe(CN)6]4-C. [Ni(CO)4]D. [PtCl6]2-答案：B5. 配位化学中，内球络合物与外球络合物的区别是什么？A. 配体的种类不同B. 配位键的数目不同C. 配位键的强度不同D. 配位键的类型不同答案：C二、填空题（每题2分，共10分）1. 在配位化学中，中心原子与配体之间的键被称为________。
答案：配位键2. 配位化合物的化学式中，通常用方括号表示________。
答案：配位离子3. 配位化学中，配体与中心原子之间的键角通常小于________。
答案：180度4. 配位化合物的命名中，配体的名称通常放在中心原子的名称________。
答案：之前5. 配位化学中，配体的配位能力与其________有关。
答案：电子密度三、简答题（每题5分，共10分）1. 简述配位化学中的配位键形成机制。
答案：配位键的形成机制是指配体向中心原子提供孤对电子，而中心原子提供空轨道，两者通过共享电子对形成配位键。
2. 描述一下配位化学中的几何异构现象。
答案：在配位化学中，几何异构是指具有相同化学式但不同空间排列的配位化合物。
例如，[Co(NH3)4Cl2]Cl·H2O可以存在两种不同的几何异构体：顺式和反式。
四、计算题（每题10分，共20分）1. 已知一个配位化合物的化学式为[Cu(NH3)4]SO4，计算其中心原子Cu的氧化态。
化学配位化合物的配位数练习题
化学配位化合物的配位数练习题配位化合物是由中心金属离子（或原子）周围的配体（或配体分子）通过配位键与其配位形成的化合物。
配位数是指一个中心金属离子（或原子）周围被配体配位连接的数量。
配位数是判断化合物性质和反应性的重要指标之一，因此在化学配位化合物的学习中，对于配位数的理解和计算是非常关键的。
下面将通过一系列练习题来帮助大家巩固对于配位化合物配位数的理解和计算。
1. 对于配位化合物[Cu(NH3)4(H2O)2]2+，请计算其中铜离子的配位数。
解答：配位化合物中的配体通常是阴离子或中性配体。
给定的配位化合物中，铜离子[Cu(NH3)4(H2O)2]2+带正电荷2+，所以配体的总电荷必须是负的，即配体通常为阴离子。
在配位化合物中，每个配体通过一个配位键与中心金属离子连接。
配位键是由一个或多个配体中的原子提供给中心金属离子的一个或多个电子对形成的。
根据配位数的定义，可以知道铜离子的配位数是指与铜离子通过配位键连接的配体的总数。
根据配体的种类和数量的不同，配位数也会不同。
在[Cu(NH3)4(H2O)2]2+中，氨（NH3）和水（H2O）是两种常见的配体。
根据所给化合物的结构，我们可以得知铜离子为四价，并与4个氨配体和2个水配体进行配位连接。
因此，铜离子的配位数为6。
2. 对于配位化合物[Fe(CN)6]3-，请计算其中铁离子的配位数。
解答：所给化合物为[Fe(CN)6]3-，其中的配体为氰基（CN-）。
氰基是一种典型的一价配体，可以通过提供一个孤对电子参与配位键的形成。
在[Fe(CN)6]3-中，氰基配体的数量为6个。
而氰基的配位键为一价，由一个氮原子提供孤对电子形成。
根据所给化合物的结构，我们可以知道铁离子的价为+3。
每个氰基通过一个配位键与铁离子连接。
因此，铁离子的配位数为6。
通过以上两个例子，我们可以发现配位数的计算方法都是根据所给化合物中的配体类型和数量进行计算。
计算配位数需要对化合物的结构有一定的了解，并且熟悉常见的配体及其配位键。
配位化合物练习题
目标检测选择题(一)单项选择题定合物【Co（NH3）5Cl】Cl2中配离子的电荷为（）A.+2B.+3C +4D.+52.配合物[Cr(H20)5Cl](OH)2的中心原子氧化数为( )A.+2B.+3C.+4D.+53.配合物[Co(en)(C2O4)2]中形成体的配位数是( )A.2B.4C.6D.84.氯·硝基・四氨合钴(III)离子的化学式为( )A.[Co(NH3)4(NO2)CI}+B.[ Co(NH3)(NO2)CIC. [Co(NH3)4(ONO)CI]+C.[Co(NH3）4(ONO)] CI5.下列对Na[B(NO3)4]的命名正确的是( )A.硝酸合四翻酸(1)钠B.四硝酸根合酸(Ⅲ)钠C.四硝基翻酸钠D.四硝酸根合硼(III)酸钠6.下列配合物的名称不正确的是( )A.K3[Fe(CN)6]六氯合铁(Ⅲ)酸钾B.[Co(NO2)3(NH3)3]三硝基·三氨合钻(III)C.[Co(H2O)(NH3)3CL2]CL]氯化二氯・一水・三氨合钻(III)D.H2[SiF6]六氟合硅(IV)酸7.下列各组配合物中，形成体的配位数相同的是( )A K2[ Co(NCS)4］和K3[ Co(C2O4)2CL1)B. [Cu( H2O)2Cl2和[ Ni(en)2(NO2)2)C. [Pt(NH3)2 CL2)和[ Pt(en)2CL2］CID [Co(en)3]Cl3和[ Co(en)2(NO2 )2]8.已知AgI的Ksp＝K1，[Ag(CN)2］-的K稳＝K2，则下列反应的平衡常数为( )Agl(s)+2CN-=[Ag(CN)2］- + I-A.K1·K2B. K 1/K2C.K2/K1D K1+K29.已知配离子[Fe(CN)。
]”的磁矩等于0，其空间构型和中心原子的杂化类型分别是( )A.四面体和sp＇杂化B.平面正方形和dp2杂化C.八面体和dsp杂化D.八面体和p2杂化10.已知[Ni(CO)，]的中心原子以dp＇杂化轨道与CO成键，那么[Ni(CO)，]的空间构型为( )A.四面体B.平面四边形C.直线D.八面体11.下列配体中，能作著合剂的是( )A. SCN-B.H20C. EDTAD. NH312.下列叙述不属于配合物价键理论的是( )A.有空轨道的中心原子与有孤对电子的配体是形成配位键的条件B.中心原子的能量相近的几个空原子轨道进行杂化，形成杂化轨道C.中心原子的杂化类型决定了中心原子的配位数和配合物的空间构型D.配位化合物的空间构型决定了其是否有药理活性13.下列物质不能作配体的是( )A NH3R NH4+C.H20D, NO14.根据给出的LgK稳判断下列配离子中最不稳定的是( )A.[Zn(NH3)4] 2+ lgK稳=9.46B.[Cu(NH3)4] 2+ lgK稳＝13.32C.[Ni(NH3)4) 2+ lgK稳＝8.74D [Ni(CN)4］2- lgK稳=31.3015.下列物质属于二齿配体的是( )A NH3B. SCN-C. EDTAD en(二)多项选择题1.下面是关于[Co(NH，)，](NO1)2的表述，正确的是()A.配体是Cl-和NH3B.配位原子是CL和NC.中心原子的电荷为+4D.中心原子的配位数为5E.配离子的电荷为+22.[Co(ONO)(NH3)5］S04中的配体是()ACoB. NH3C. ONO-D SO4 2-E. NO3.下列名词与配合物组成有美的是()A.键能B.配位体C.配位原子D.浓度E.外界4.下列关于配合物的叙述正确的是()A.配合物分为内界和外界B.中心原子的配位数与配体数不一定相等C.配位体都是阴离子D.配离子的电荷等于中心原子和配体所带电荷的代数和E.配位体都有一个配位原子5.在简单配合物溶液中加人下列物质，可能对配位平衡产生影响的是()A.酸B.碱C.沉淀剂D.螯合剂E.氧化剂6.下列配合物的化学式正确的是(A ［Ni（CO）4］B. K［Pt(NH3 )Cl3］C. K2［PtCL6］D. K3[Ptcl6］E.「Co(NO2)3(NH3)3］7.配合物属于内轨型还是外轨型，主要取决于()A配离子B.配位数C.中心原子的电子构型D.外界E.配位原子的电负性8.已知[Co(NH3)6]3+的磁距为3.87BM，下列叙述正确的是()A.形成体是sp3d2杂化B.形成体是d2sp3杂化C.形成体是dsp3杂化D.配离子为正八面体E.配离子为平面四边形9.下列各配合物中，属于配合物盐类的是()A. K[Ag(CN)2］B. [Ni(NH3)4］CL2C. KI［Cu(CN)2］D. [Ag(NH3)2］OHE H[Ag(CN)2］10.[Cr(H20)4CL2]l·2H20中的H20的作用是( )A.内界的组成部分B.形成体C.溶剂D.结晶水E.配体二、简答题简述配合物价键理论的要点2.简述配合物的命名原则。
化学配位化合物实验题络合反应的配体选择与稳定性测定与分析与计算
化学配位化合物实验题络合反应的配体选择与稳定性测定与分析与计算化学配位化合物实验题：络合反应的配体选择与稳定性测定与分析与计算引言：配位化合物是具有重要应用价值和科学研究意义的化合物之一。
在实验研究中，了解配体选择以及稳定性的测定与分析与计算是非常重要的。
本文将围绕这一主题展开讨论，介绍配位反应的配体选择的原则，稳定性的测定与分析以及相应的计算方法。
一、配体选择的原则在配位反应中，选择适当的配体是决定反应产物的重要因素。
配体选择的原则主要包括以下几点：1. 配体的空间结构：配体的空间结构与中心金属离子的尺寸和电荷相匹配，能够形成稳定的配合物结构。
2. 配体的配位数：根据中心金属离子的电子配置，选择适当的配位数，确保配合物的稳定性。
3. 配体的亲电性：配体的亲电性要适中，既不能过强，也不能过弱。
适度的亲电性有利于反应的进行。
二、稳定性的测定与分析方法稳定性是评价配位化合物重要性的一个重要指标。
常用的稳定性测定与分析方法主要包括以下几种：1. 光谱分析：通过红外光谱、紫外光谱等光谱技术，可以分析配合物的结构和稳定性。
2. 热稳定性测定：通过热分析仪器，如热重仪、差热分析仪等，可以测定配合物在一定温度范围内的稳定性。
3. 溶解度测定：通过调整反应体系中的溶剂和配体浓度，观察配合物的溶解度变化，可以评估其稳定性。
三、计算方法在实验中，计算方法也是评估配位化合物稳定性的重要手段之一。
常用的计算方法主要包括以下几种：1. 晶胞计算：通过晶胞计算软件，模拟配位化合物的晶体结构，预测其稳定性。
2. 格点能计算：通过计算配位反应中的格点能，评估配合物的稳定性。
3. 密度泛函理论：通过密度泛函理论计算体系的能量、电子密度等参数，预测配合物的稳定性。
结论：配位反应的配体选择、稳定性的测定与分析与计算是配位化合物实验研究中重要的内容。
通过总结配体选择的原则、稳定性的测定与分析方法以及计算方法，可以更好地理解配位化合物的反应机制，优化实验设计，并有助于进一步探索配位化合物的应用价值和科学研究意义。
高中化学竞赛辅导-第七章配位化合物
7、 配合物的异构现象
异构体(isomers) 分子式相同，性质不同
结构异构体 化学键不同
立体异构体 化学键相同，排列不同
配位异构体 电离异构体
水合异构体 连接构：
(1) 配位异构
[Co(en)3][Cr(ox)3] (2) 水合异构
[Cr(en)3][Co(ox)3]
不稳定
其它可能形成连接异构体的配体 SCN-, CN-, 2,2-bipyridine
2.立体异构： (1)几何异构
例：平面四边形的二氯•二氨合铂(II)
顺式，淡黄色
反式，深黄色
例：八面体型化合物的二氯•四氨合钴(II)
4d
4p
4s
3d7
Co(CN)64 –氧化成Co(CN)63–
激发 3d6
d2 sp3杂化 3d
4p 4s
4d
4d
d2 sp3杂化轨道
CN - CN- CN- CN - CN- CN -
(3).磁性——可通过磁矩来判断内轨型配合物或外轨型的 配合物
形成外轨型的配合物，中心离子电子结构未发生变化,单电子数 与原来自由离子相同; 而形成内轨型的配合物，中心离子的成单电 子数一般会减少,比自由离子的磁矩相应降低，所以可通过磁矩来 判断内、外轨型配合物。.
这样Fe3+腾出内层2个d轨道，与4s4p杂化，即采取d2sp3杂化。 6离个子C。N-的象6这对类电中子心填离入子F构e3+型的发六生个变d2化sp3，杂利化用轨内道层中轨，道形参成与[F杂eC化N，6]3形成的配合物叫内轨型配合物。 中心离子采取d2sp3杂化，配离子构型为八面体 。
配位数 杂化类型 空间构型
[CrCl2(NH3)4]·Cl·2H2O 二水合一氯化二氯四氨合铬(III)
第七章 配位化合物
sp 3d 2杂杂 sp3d 2杂杂杂杂
3d
3d 7
NH3 NH3 NH3 NH 3 NH 3 NH 3
8
外轨型配合物，高自旋 µ = 3.87B.M. 八面体构型
说明 Co(CN)64–不稳定，易被氧化
4d 4p 4s 3d 7
激激 3d6
d 2 sp 杂杂 3d
CN
-
Co(CN)64 –氧化成Co(CN)63–
(3).多核配合物 一个配位原子与二个中心离子结合所成的配合物称多核 配合物，例如:
(4).金属有机配合物 有机基团与金属原子 之间生成碳—金属键 的化合物。A）金属与 碳直接以σ键合的配合 物；B）金属与碳形成 不定域配键的配合物。
7-2 配合物的化学键理论
用来解解释配合物化学键的本质，配合物的结构、稳定性以及一 般特性（如磁性、光譜等）的主要理论有①价键理论、②晶体场理 论、③分子轨道理论。 一，价键理论
4d 4p 4s
4d
CN CN - CN
-
-
CN - CN -
(3).磁性——可通过磁矩来判断内轨型配合物或外轨型的 配合物
形成外轨型的配合物，中心离子电子结构未发生变化,单电子数 与原来自由离子相同; 而形成内轨型的配合物，中心离子的成单电 子数一般会减少,比自由离子的磁矩相应降低，所以可通过磁矩来判 断内、外轨型配合物。. 物质的永磁矩主要是电子的自旋造成的，永磁矩µ与原子或分子中 未成对电子数n有如下关系式：
配位化学试题及答案
配位化学试题及答案一、选择题（每题2分，共10分）1. 下列哪项不是配位化合物的特点？A. 含有中心原子或离子B. 含有配位键C. 含有离子键D. 含有配体答案：C2. 配位化合物的几何构型通常由什么决定？A. 配体的电荷B. 配体的数目C. 配体的电子排布D. 中心原子的氧化态答案：B3. 配位化学中，路易斯碱是指什么？A. 能够提供电子的分子或离子B. 能够接受电子的分子或离子C. 能够提供空轨道的分子或离子D. 能够接受空轨道的分子或离子答案：B4. 下列哪种配体是单齿配体？A. 乙二胺（en）B. 1,3-丙二胺（pn）C. 环己二胺（cn）D. 四齿配体答案：A5. 配位化合物的命名中，配体的名称通常放在什么位置？A. 中心原子的前面B. 中心原子的后面C. 配位化合物的前面D. 配位化合物的后面答案：A二、填空题（每题2分，共10分）1. 配位化学中，中心原子或离子与配体之间形成的化学键称为______。
答案：配位键2. 一个中心原子或离子最多可以与______个配体形成配位键。
答案：63. 配位化合物的配位数是指______。
答案：中心原子或离子周围配体的数量4. 配位化合物的命名中，配体的数目通常用希腊数字表示，其中“二”表示______。
答案：二5. 配位化合物的命名中，配体的电荷通常用罗马数字表示，其中“Ⅱ”表示______。
答案：+2三、简答题（每题5分，共20分）1. 简述什么是内界和外界，并举例说明。
答案：内界是指配位化合物中中心原子或离子与配体形成的配位单元，外界是指配位单元以外的部分。
例如，在[Co(NH3)6]Cl3中，[Co(NH3)6]是内界，Cl3是外界。
2. 什么是螯合配体？请举例说明。
答案：螯合配体是指能够通过多个配位点与中心原子或离子形成配位键的配体。
例如，乙二胺（en）可以与金属离子形成螯合配位化合物。
3. 配位化合物的稳定性与哪些因素有关？答案：配位化合物的稳定性与中心原子或离子的电荷、配体的类型、配位数以及配体与中心原子或离子之间的配位键强度等因素有关。
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4.下列说法中正确的是( )
A 配位原子的孤电子对越多,其配位能力就越强
B 电负性大的元素充当配位原子,其配位能力也强
C CH3-C-OH 配体是双齿配体 D 在[Cu(en)2]2+中,Cu2+的配位数是 4 5.下列说法中错误的是（ ）
A.一般说来内轨型配合物较外轨型配合物稳定
B.IIB 元素形成为四的配离子几乎都是四面体形
C.无论中心离子杂化轨道是 d2sp2 或 SP3d2，其构型均为八面体形
D.配合物中，由于存在配键，所以配合物都是弱电解质
10.下列说法中错误的是（ ）
A.配位平衡指溶液中配合物离解为内界和外界的离解平衡
B.本位平衡是指溶液中配离子或配位分子或多或少离解为形成体和配体的离解平衡
C.配离子在溶液中的行为象弱电解质
7.NH4[Cr(NCS)4(NH3)2]的正确名称是（ ） A 顺一二（三苯基膦）.二氯合铂（ⅱ） B 反一二（三苯基膦）.二氯合铂（ⅱ）
C 反一二氯.二（三苯基膦）合铂（ⅱ） D 顺一二氯.二（三苯基膦）合铂（ⅱ）
8.NH4[Cr(NCS)4(NH3)2]的正确名称是（ ） A 四（硫氰酸根）.二氨全铬（ⅲ）酸铵 B 四（异硫氰酸根）.二氨全铬（ⅲ）酸铵
D.对配位平衡来说，K 稳.K 不稳=1
对全部高中资料试卷电气设备，在安装过程中以及安装结束后进行高中资料试卷调整试验；通电检查所有设备高中资料电试力卷保相护互装作置用调与试相技互术关，通系电1，力过根保管据护线0生高不产中仅工资22艺料22高试可中卷以资配解料置决试技吊卷术顶要是层求指配，机置对组不电在规气进范设行高备继中进电资行保料空护试载高卷与中问带资题负料22荷试，下卷而高总且中体可资配保料置障试时23卷，23调需各控要类试在管验最路；大习对限题设度到备内位进来。行确在调保管整机路使组敷其高设在中过正资程常料1工试中况卷，下安要与全加过，强度并看2工且55作尽22下可2都能护1可地关以缩于正小管常故路工障高作高中；中资对资料于料试继试卷电卷连保破接护坏管进范口行围处整，理核或高对者中定对资值某料，些试审异卷核常弯与高扁校中度对资固图料定纸试盒，卷位编工置写况.复进保杂行护设自层备动防与处腐装理跨置，接高尤地中其线资要弯料避曲试免半卷错径调误标试高方中等案资，，料要编5试求写、卷技重电保术要气护交设设装底备备4置。高调、动管中试电作线资高气，敷料中课并3设试资件且、技卷料中拒管术试试调绝路中验卷试动敷包方技作设含案术，技线以来术槽及避、系免管统不架启必等动要多方高项案中方；资式对料，整试为套卷解启突决动然高过停中程机语中。文高因电中此气资，课料电件试力中卷高管电中壁气资薄设料、备试接进卷口行保不调护严试装等工置问作调题并试，且技合进术理行，利过要用关求管运电线行力敷高保设中护技资装术料置。试做线卷到缆技准敷术确设指灵原导活则。。：对对在于于分调差线试动盒过保处程护，中装当高置不中高同资中电料资压试料回卷试路技卷交术调叉问试时题技，，术应作是采为指用调发金试电属人机隔员一板，变进需压行要器隔在组开事在处前发理掌生；握内同图部一纸故线资障槽料时内、，设需强备要电制进回造行路厂外须家部同出电时具源切高高断中中习资资题料料电试试源卷卷，试切线验除缆报从敷告而设与采完相用毕关高，技中要术资进资料行料试检，卷查并主和且要检了保测解护处现装理场置。设。备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。
B 氰化钾溶液
C 硝酸
D 盐酸
13.下列配体的本位能力的强弱次序为（ ）
->NH3>NCS->H2O>X- ->NH3>NCS->H2O>X- C.X->H2O>CH->NH3>NCS- D.X->CN>H2O>NH3>NCS-
14.在配位分子 3KNO2.Co(NO3)2 中，配位数为（ ）
1
对全部高中资料试卷电气设备，在安装过程中以及安装结束后进行高中资料试卷调整试验；通电检查所有设备高中资料电试力卷保相护互装作置用调与试相技互术关，通系电1，力过根保管据护线生高0不产中仅工资2艺料22高试2可中卷以资配解料置决试技吊卷术顶要是层求指配，机置对组不电在规气进范设行高备继中进电资行保料空护试载高卷与中问带资题负料2荷试2，下卷而高总且中体可资配保料置障试时2卷，32调需3各控要类试在管验最路；大习对限题设度到备内位进来。行确在调保管整机路使组敷其高设在中过正资程常料1工试中况卷，下安要与全加过，强度并看工且25作尽52下可22都能护可地1关以缩于正小管常故路工障高作高中；中资对资料于料试继试卷电卷连保破接护坏管进范口行围处整，理核或高对者中定对资值某料，些试审异卷核常弯与高扁校中度对资固图料定纸试盒，卷位编工置写况.复进保杂行护设自层备动防与处腐装理跨置，接高尤地中其线资要弯料避曲试免半卷错径调误标试高方中等案资，，料要编试求5写、卷技重电保术要气护交设设装底备备置。4高调、动管中试电作线资高气，敷料中课并设3试资件且、技卷料中拒管术试试调绝路中验卷试动敷包方技作设含案术，技线以来术槽及避、系免管统不架启必等动要多方高项案中方；资式对料，整试为套卷解启突决动然高过停中程机语中。文高因电中此气资，课料电件试力中卷高管电中壁气资薄设料、备试接进卷口行保不调护严试装等工置问作调题并试，且技合进术理行，利过要用关求管运电线行力敷高保设中护技资装术料置。试做线卷到缆技准敷术确设指灵原导活则。。：对对在于于分调差线试动盒过保处程护，中装当高置不中高同资中电料资压试料回卷试路技卷交术调叉问试时题技，，术应作是采为指用调发金试电属人机隔员一板，变进需压行要器隔在组开事在处前发理掌生；握内同图部一纸故线资障槽料时内、，设需强备要电制进回造行路厂外须家部同出电时具源切高高断中中习资资题料料电试试源卷卷，试切线验除缆报从敷告而设与采完相用毕关高，技中要术资进资料行料试检，卷查并主和且要检了保测解护处现装理场置。设。备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。
A3 B4 C5 D6
15.内轨型配离子[Cu(CN)4]2-的磁距等于 2.0B.M.判断其空间构型和中心离子的杂化轨道分别为（ ）
A 四面体形和 SP3
B 正方形和 dsp2
C.八面体形和 SP3d2
D 八面体形和 d2sp3
16.下列配离子都具有相同的强场配体（CN-）其中属于外轨型配合物的是（ ）
22.配合物 PtCl2(NH3)2 为平面四边形，则它可能有的异构现象称为（ ）
A 旋光异构 B 几何异构 C 离解异构 D 配位异构
23.．已知 AgI 的 Ksp=K1,[Ag(CN)2]-的 K 稳=K2，则下列反应的平衡常数 K 为（ ）
低自旋的配离子。下列论述正确的是（ ）
A P>△时形成低自旋配合物 B P<△时形成高自旋配合物
C P>△时形成高自旋配合物 D P<△时形成低自旋配合物 21.已知螯合物[Fe(C2O4)3]3-的磁矩等于 5.75B.M，其空间构型及杂化轨道类型是（ ） A 八面体型 B 三角型 C d2sp3 内轨型 D sp3d2 外轨型
（一）选择题
1.历史上记录的第一种人工合成的配位化合物是( )
A.硫酸六氨合钴(II) B.普鲁士蓝 C.硫酸四氨合铜(II) D.氯化二氨合银(I)
2.配位化学的奠基人是( )
A.阿仑尼乌斯 B.路易斯 C.鲍林
3.下列说法中错误的是( )
A 配合物的形成体通常是过渡金属元素
C 配键的强度可以和氢键相比较
-和 CO 作为配体时力图形成内轨型配合物
D.金属原子不能作配合物的形成体
6.在下列说法正确的是（ ）
第七章 配位化合物
D.维尔纳
B 配键是稳定的化学键
D 四面体配合物中,不存在顺反几何异构现象
A 配合物的内界与外界之间主要以共价键结合 B 内界中有配键，也可能形成共价键
C 由多齿配体形成的配合物，可称为螯合物
C 四（异硫氰酸根）.二氨全铬酸（1-）铵 D.四（硫氰酸）.二氨全铬（ⅲ）酸铵
9.下列说法中错误的是（ ）
A.对于 Ni2+来说，当配位数为 6 时，无论是强声或弱声配体本位，只能采用 SP3d2 杂化
B.对 Ni2+来说，当本位数为 4 时，随配体的不同可采取 dsp2 或 SP3 杂化
D 在螯合物中没有离子键
C.C 的原子量较之 F 和 O 小
-和 CO 的式量较之 F 和 O 的原子量大
18.配位酸或配位碱比相应的普通酸或普通碱的酸性或碱性强，其原因是（ ）
A 配位酸碱较稳定 B 配位酸、碱较不稳定
C H+或 OH-为配位酸或碱的外界 D 配位后极性增强
19.[Co（NO2）6]3-显黄色（吸收紫光），而[Co（NH3）6]3-显橙色（吸收蓝光），根据它们颜色（或所吸收 光的波长）判断出 Co3+在这两种配离子中分裂能（△）的大小为（ ）
11.解释在 FeCl3 溶液中滴加 KCNS 试剂，溶液变红的原因是（ ） A FeCl3 溶液被稀释放 B 生成了[Fe（CNS）6]3- C 没有反应 D 生成了 Fe(CNS)3 沉淀 12.下列试剂能溶解 Zn(OH)2,AgBr,Cr(OH)3 和 Fe(OH)3 四种沉淀的是（ ）
A 氨水
A 相等 B 不能判断 C. △[Co(NO2)6]3->△[Co(NH3)6]3+ D. △[Co(NO2)6]3-<△[Co(NH3)6]3+
20.已知电子的成对能（P）与 d 轨道的分裂能（△）的相对大小会影响八面体构型的配离子成为高自旋或
2
对全部高中资料试卷电气设备，在安装过程中以及安装结束后进行高中资料试卷调整试验；通电检查所有设备高中资料电试力卷保相护互装作置用调与试相技互术关，通系电1，力过根保管据护线0生高不产中仅工资22艺料22高试可中卷以资配解料置决试技吊卷术顶要是层求指配，机置对组不电在规气进范设行高备继中进电资行保料空护试载高卷与中问带资题负料22荷试，下卷而高总且中体可资配保料置障试时23卷，23调需各控要类试在管验最路；大习对限题设度到备内位进来。行确在调保管整机路使组敷其高设在中过正资程常料1工试中况卷，下安要与全加过，强度并看2工且55作尽22下可2都能护1可地关以缩于正小管常故路工障高作高中；中资对资料于料试继试卷电卷连保破接护坏管进范口行围处整，理核或高对者中定对资值某料，些试审异卷核常弯与高扁校中度对资固图料定纸试盒，卷位编工置写况.复进保杂行护设自层备动防与处腐装理跨置，接高尤地中其线资要弯料避曲试免半卷错径调误标试高方中等案资，，料要编5试求写、卷技重电保术要气护交设设装底备备4置。高调、动管中试电作线资高气，敷料中课并3设试资件且、技卷料中拒管术试试调绝路中验卷试动敷包方技作设含案术，技线以来术槽及避、系免管统不架启必等动要多方高项案中方；资式对料，整试为套卷解启突决动然高过停中程机语中。文高因电中此气资，课料电件试力中卷高管电中壁气资薄设料、备试接进卷口行保不调护严试装等工置问作调题并试，且技合进术理行，利过要用关求管运电线行力敷高保设中护技资装术料置。试做线卷到缆技准敷术确设指灵原导活则。。：对对在于于分调差线试动盒过保处程护，中装当高置不中高同资中电料资压试料回卷试路技卷交术调叉问试时题技，，术应作是采为指用调发金试电属人机隔员一板，变进需压行要器隔在组开事在处前发理掌生；握内同图部一纸故线资障槽料时内、，设需强备要电制进回造行路厂外须家部同出电时具源切高高断中中习资资题料料电试试源卷卷，试切线验除缆报从敷告而设与采完相用毕关高，技中要术资进资料行料试检，卷查并主和且要检了保测解护处现装理场置。设。备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。