SEM实验报告
材料分析(SEM)实验报告

材料专业实验报告题目:扫描电镜(SEM)物相分析实验学院:先进材料与纳米科技学院专业:材料物理与化学姓名:学号:**********2016年6月30日扫描电镜(SEM)物相分析实验一.实验目的1.了解扫描电镜的基本结构与原理2.掌握扫描电镜样品的准备与制备方法3.掌握扫描电镜的基本操作并上机操作拍摄二次电子像4.了解扫描电镜图片的分析与描述方法二.实验原理1.扫描电镜的工作原理扫描电镜(SEM)是用聚焦电子束在试样表面逐点扫描成像。
试样为块状或粉末颗粒,成像信号可以是二次电子、背散射电子或吸收电子。
其中二次电子是最主要的成像信号。
由电子枪发射的电子,以其交叉斑作为电子源,经二级聚光镜及物镜的缩小形成具有一定能量、一定束流强度和束斑直径的微细电子束,在扫描线圈驱动下,于试样表面按一定时间、空间顺序作栅网式扫描。
聚焦电子束与试样相互作用,产生二次电子发射以及背散射电子等物理信号,二次电子发射量随试样表面形貌而变化。
二次电子信号被探测器收集转换成电讯号,经视频放大后输入到显像管栅极,调制与入射电子束同步扫描的显像管亮度,得到反映试样表面形貌的二次电子像。
本次实验中主要通过观察背散射电子像及二次电子像对样品进行分析表征。
1)背散射电子背散射电子是指被固体样品原子反射回来的一部分入射电子,其中包括弹性背反射电子和非弹性背反射电子。
弹性背反射电子是指被样品中原子和反弹回来的,散射角大于90度的那些入射电子,其能量基本上没有变化(能量为数千到数万电子伏)。
非弹性背反射电子是入射电子和核外电子撞击后产生非弹性散射,不仅能量变化,而且方向也发生变化。
非弹性背反射电子的能量范围很宽,从数十电子伏到数千电子伏。
背反射电子的产生范围在100nm-1mm深度。
背反射电子产额和二次电子产额与原子序数的关系背反射电子束成像分辨率一般为50-200nm(与电子束斑直径相当)。
背反射电子的产额随原子序数的增加而增加,所以,利用背反射电子作为成像信号不仅能分析形貌特征,也可以用来显示原子序数衬度,定性进行成分分析。
sem实验报告

电子显微镜一、实验目的1、了解并掌握电子显微镜的基本原理;2、初步学会使用电子显微镜;并能够利用电子显微镜进行基本的材料表面分析..二、实验仪器透射电镜一是由电子光学系统照明系统、成像放大系统、电源和真空系统三大部分组成..本实验用S—4800冷场发射扫描电子显微镜..实验原理电子显微镜有两类:扫描电子显微镜、透射电子显微镜;该实验主要研究前者..一扫描电子显微镜SEM由电子枪发射的电子束;经会聚镜、物镜聚焦后;在样品表面形成一定能量和极细的最小直径可以达到1-10nm电子束..在扫描线圈磁场的作用下;作用在样品表面上的电子束将按一定时间、空间顺序作光栅扫描..电子束从样品中激发出来的二次电子;由二次电子收集极;经加速极加速至闪烁体;转变成光信号;此信号经光导管到达光电倍增管再转变成电信号..该电信号经视屏放大器放大;输送到显像管栅极;调制显像管亮度;使之在屏幕上呈现出亮暗程度不同的反映表面起伏的二次电子像..由于电子束在样品表面上的扫描和显像管中电子束在荧屏上的扫描由同一扫描电路控制;这就保证了它们之间完全同步;即保证了“物点”和“像点”在时间和空间上的一一对应..扫描电镜的工作原理如图1..图1 扫描电镜的工作原理高能电子束轰击样品表面时;由于电子和样品的相互作用;产生很多信息;如图2所示;主要有以下信息:图2 电子束与样品表面作用产生的信息示意图1、二次电子:二次电子是指入射电子束从样品表面10nm左右深度激发出的低能电子<50eV..二次电子的产额主要与样品表面的起伏状况有关;当电子束垂直照射表面;二次电子的量最少..因此二次电子象主要反映样品的表面形貌特征..2、背散射电子象:背散射电子是指被样品散射回来的入射电子;能量接近入射电子能量..背散射电子的产额与样品中元素的原子序数有关;原子序数越大;背散射电子发射量越多因散射能力强;因此背散射电子象兼具样品表面平均原子序数分布也包括形貌特征..3、X射线显微分析:入射电子束激发样品时;不同元素的受激;发射出不同波长的特征X射线;其波长λ与元素原子序数Z有以下关系即莫斯莱公式:ν=hc/λ=KZ-σ2SEM主要特点1景深长视野大2样品制备简单3分辨本领高4样品信息丰富SEM样品的制备试样制备技术在电子显微术中占有重要的地位;它直接关系到电子显微图像的观察效果和对图像的正确解释..扫描电镜的最大优点是样品制备方法简单;对金属和陶瓷等块状样品;只需将它们切割成大小合适的尺寸;用导电胶将其粘接在电镜的样品座上即可直接进行观察..对于非导电样品如塑料、矿物等;在电子束作用下会产生电荷堆积;影响入射电子束斑和样品发射的二次电子运动轨迹;使图像质量下降..因此这类试样在观察前要喷镀导电层进行处理;通常采用二次电子发射系数较高的Au;Pt或碳膜做导电层;膜厚控制在几nm左右.. 二透射电子显微镜TEM透射电子显微镜结构包括两大部分:主体部分和辅助部分..主体部分包括照明系统、成像系统和像的观察和记录系统..辅助部分包括真空系统和电气系统..现代的高性能电镜一般有5个透镜组成:双聚光镜和3个成像透镜物镜、中间镜和投影镜..1、照明系统:由电子枪和聚光镜组成;其功能为成像系统提供一个亮度大、尺寸小的照明光斑..亮度是由电子枪的发射强度及聚光镜的使用相差十多倍有关;而光斑的大小有电子枪和聚光镜性能决定..由于电子显微镜一般在万倍以上的高放大倍率下工作;而荧光屏的亮度与放大倍率的平方成反比;因此电子枪的照明亮度至少是光学显微镜的105倍..在电子显微镜中;电子枪是发射电子的照明源;由阴极、栅极和阳极组成..阴极是灯丝;由0.03-0.1mm的钨丝做成V型..栅极是控制电子束的形状和发射强度通过加一个比阴极更低的负电位..阳极是使阴极电子获得较高能量;形成高速定向电子流..2、成像系统:由物镜、中间镜和投影镜组成..其中物镜是最重要的;因为分辨率是由物镜决定;其他两个透镜的作用是把物镜所形成的一次象进一步放大..成像可分为两个过程:一是平行光束受到具有周期性特点物样的散射作用;形成各级衍射谱;即物的信息通过衍射谱呈现出来;二是各级衍射谱通过干涉重新在像平面上形成反映物的特征的像..从物样不同地点发出的同级平行衍射波经过透镜后;都聚焦到后焦面的同一点;参与成像的次级波越多;叠加的像与物越逼真;因此要形成传统意义上的像;除透射束外;至少需要一个次级衍射束参与..当中间镜的物平面与物镜的像平面重合;荧光屏上得到放大的像;若中间镜的物平面与物镜的后焦面重合;荧光屏上得到放大的衍射花样;中间镜在TEM中起到总的调节放大倍数的作用..3、衍射花样和晶体的几何关系晶体对电子的散射如图3所示;一束波长为l的单色平面电子波;被一组面间距为d的晶面散射的情况..相邻晶面的散射电子束的光程差为d=SR+RT=2dsinθ 1散射束干涉加强的条件:光程差等于波长的整数倍;即2dsinθ=nλ 2d代表晶体的特征;l代表电子束的特征;q则表示他们之间的几何关系..图3 晶体对电子的散射倒易点阵:设a、b、c为正空间单胞的三个初基矢量;相对应的倒空间的三个初基矢量为a*、b*、c*..如果倒易点阵中的某一倒易点的倒易矢量为g hkl;表示为:g hkl= ha*+kb*+lc*..g hkl垂直于正空间点阵的h k l面;并且| g hkl |=1/d hkl;d hkl是h k l面的面间距..产生衍射的条件:对面心立方晶体;h、k、l指数全奇或全偶;对体心立方晶体;h+k+l=偶数..电子衍射的几何关系:晶体处于O1位置;倒易点G落在球面上;相应荧光屏上的衍射斑点为G’’;O’’是荧光屏上透射斑点..如图4所示..球心处的角为2θ注意不是θ;L为样品到荧光屏的距离..则r=Ltan2θ式中r为荧光屏上衍射斑点到透射斑点的距离..又2dsinθ=l一级衍射;由于θ很小;tan2θ»sin2θ»2θ..得到:rd=Lλ在恒定实验条件下;Lλ是常数;称为仪器常数;因此在衍射谱上通过测得衍射斑点到透射斑点的距离;就能得到相应衍射点对应的面间距注意衍射点对应于正空间中晶面族..电镜中使用的电子波长很短;因此反射球的半径1/λ很大;而产生电子衍射的θ很小;故可视反射球的有效部分为平面——反射面..电子衍射实际上将晶体的倒易点阵与反射面图4 电子衍射的几何关系相截的部分投影到荧光屏上;Lλ为其放大倍数..立方系的电子衍射谱:标定立方系的电子衍射谱:因为常见的金属及很多物质的晶体结构都是立方系结构;立方系中晶面指数与晶面间距的关系:1/d2=h2+k2+l2/a2选择三个衍射斑点P1、P2、P3与中心透射斑点O构成平行四边形;其对应的倒易矢量g1、g2是为不共方向最短和次短的倒易矢量;测量其长度ri..计算对应与这些斑点的d值;根据已知晶体的参数由PDF卡片查的;决定每个斑点的指数注意;至此仅知斑点所属的晶面族..用试探法选择一套指数;使其满足:h3;k3;l3=h1;k1;l1+h2;k2;l2;也可以测量OP1与OP2之间的夹角;计算导出P1、P2的指数..根据晶带定律得到晶带指数;也即为晶体的取向..三、实验内容1、放入ZnO纳米棒样品;通过调节观察样品的二次电子像;2、观察Cu的断口材料;并且对析出相进行成分分析;3、标定电子衍射谱..四、实验数据及分析1.将制备好的ZnO纳米棒样品放入样品室;由于样品的半导体性质;为了避免电荷累积;设置较低的电压5 kV ;通过控制面板实现调节放大倍数;粗、微调焦等得到ZnO表面的较清晰形貌..如下图 5 为ZnO纳米棒的较清晰形貌..图5 ZnO纳米棒二次电子像2.实验中李老师将一Cu导线剪切一小段制成金属Cu的断口样品;观测Cu断口表面的形貌图..大概过程如下:将样品放入样品室;设置电压为20.0kV;工作距离15;通过控制面板实现调节放大倍数;通过控制面板实现调节放大倍数;粗、微调焦等得到Cu表面的较清晰形貌..如下图6为Cu断口表面的二次电子像..从图中我们可以看出一些杂质的析出相;其所含的元素见下面的实验内容..图6 Cu断口表面的二次电子像谱图处理:没有被忽略的峰处理选项: 所有经过分析的元素已归一化重复次数= 1标准样品:O SiO2 1-Jun-1999 12:00 AMCu Cu 1-Jun-1999 12:00 AMZn Zn 1-Jun-1999 12:00 AM元素重量原子百分比百分比O K 0.02 0.07Cu K 89.43 89.65Zn K 10.55 10.28总量100.00从上面的实验数据可以看出;样品铜中还含有Zn;O等杂质元素..3 标定电子衍射谱单晶硅的电子衍射图像见附图;从衍射图上测得:r1=1.5cm;r2=1.5cm;r3=2.2cm..实验中:L=80cm;加速电压为100Kv;可得电子波长λ=0.0037nm..单晶硅为面心立方结构;晶格常数:a=0.543nm..由 L rd L d r λλ=⇒= 及d =;得arL λ=代入相关数据后0.543 1.5 2.750.003780⨯==⨯; 2221118h k l ++≈ 10.543 1.5 2.750.003780⨯==⨯;2222228h k l ++≈ 20.543 2.2 4.040.003780⨯==⨯;22233316h k l ++≈ 3 单晶硅为面心立方;对面心立方晶体;h;k;l 指数为全奇或全偶..又对于立方系有:h3;k3;l3=h1;k1;l1+h2;k2;l2可得一组解为:111,,h k l =2;2;0;222,,h k l =2;2;0;333,,h k l =4;0;0.. 标出的指数见后面附图..。
扫描电镜显微分析报告

扫描电镜显微分析报告一、引言扫描电镜(Scanning Electron Microscope, SEM)是一种利用电子束对样品表面进行扫描观察和显微分析的仪器。
其分辨率比光学显微镜要高很多,可以清晰显示样品表面的形态和结构。
本次实验使用SEM对样品进行了显微分析,并编写下述报告。
二、实验目的1.了解SEM的基本原理和工作方式;2.观察样品表面的形态和结构;3.通过SEM图像分析,获取样品的组成成分和晶体形貌信息。
三、实验步骤1.准备样品,将其放在SEM样品台上;2.调节SEM参数,包括加速电压、工作距离、扫描速度等;3.进行扫描观察,获取SEM图像;4.根据SEM图像进行显微分析,分析样品的形态、结构和成分。
四、实验结果经过扫描电镜观察,我们获得了样品表面的SEM图像。
该样品是一块金属材料,其表面呈现出颗粒状的结构。
颗粒大小不均匀,分布较为稀疏。
部分颗粒表面存在裂纹和凹凸不平的现象。
通过放大图像,我们可以看到颗粒呈现出不规则的形态和表面结构。
根据样品的形态和颗粒特征,我们推测该样品可能是一种金属合金。
颗粒的大小和分布情况表明,在合金制备过程中,可能存在着颗粒的生长过程或者晶体相变的情况。
我们还可以观察到部分颗粒表面存在裂纹和凹凸不平,这可能与金属材料在制备、处理或使用过程中的应力释放有关。
通过对SEM图像的分析,我们得到了样品的表面形貌和结构信息,但对于其具体的成分和晶体形貌仍需要进一步的分析。
五、实验结论本次实验使用扫描电镜对样品进行了显微分析,并获得了样品的SEM图像。
1.样品表面呈现颗粒状结构,颗粒大小分布不均匀;2.部分颗粒表面存在裂纹和凹凸不平的现象;3.样品可能是一种金属合金,颗粒的形态和分布情况可能与晶体相变和应力释放有关。
对于SEM图像中的颗粒成分和晶体形貌信息,我们需要进一步的分析才能得出准确的结论。
比如可以使用能谱仪对样品进行能谱分析,确定其具体的成分元素;还可以进行X射线衍射分析,获取样品的晶体结构参数。
扫描电镜实验报告

扫描电镜实验报告扫描电镜(Scanning Electron Microscope,SEM)是一种应用广泛的高分辨率显微镜,能够对样品进行表面形貌和微观结构的观测和分析。
本实验旨在通过扫描电镜对不同样品的表面形貌和微观结构进行观察和分析,从而加深对扫描电镜原理和应用的理解。
首先,我们准备了几种不同的样品,包括金属材料、植物组织和昆虫外骨骼等。
在实验过程中,我们首先对样品进行了表面处理,包括金属样品的金属镀膜处理、植物组织的冷冻干燥处理以及昆虫外骨骼的金属喷镀处理,以保证样品在扫描电镜下的观察效果。
接下来,我们将样品放置在扫描电镜的样品台上,并调整好合适的观察条件。
在观察过程中,我们发现扫描电镜能够清晰地显示样品的表面形貌和微观结构,包括金属样品的晶粒结构、植物组织的细胞结构以及昆虫外骨骼的纹理结构等。
通过对这些结构的观察和分析,我们不仅可以直观地了解样品的表面特征,还可以深入地研究样品的微观结构和性质。
在实验中,我们还发现扫描电镜具有较高的分辨率和深度信息,能够对样品进行三维观察和分析。
通过调整扫描电镜的工作参数,我们成功地获得了不同角度和深度的样品图像,进一步揭示了样品的微观结构和表面形貌。
这为我们深入理解样品的微观特征提供了重要的信息和依据。
总的来说,通过本次实验,我们深入了解了扫描电镜的原理和应用,掌握了样品的表面形貌和微观结构的观察方法,提高了对样品性质和特征的认识。
扫描电镜作为一种重要的分析工具,将在材料科学、生物学、医学等领域发挥重要作用,为科学研究和工程应用提供有力支持。
通过本次实验,我们不仅提高了对扫描电镜的认识,还对不同样品的表面形貌和微观结构有了更深入的理解。
扫描电镜的高分辨率和深度信息为我们提供了更多的观察和分析角度,有助于我们更全面地认识样品的特性和性能。
希望通过今后的实践和研究,能够更好地利用扫描电镜这一强大的工具,为科学研究和工程应用做出更多的贡献。
扫描电镜实验报告

扫描电镜实验报告扫描电镜实验报告引言:扫描电镜(Scanning Electron Microscope,SEM)是一种常用的高分辨率显微镜,通过扫描样品表面并记录电子信号来观察样品的微观结构。
本实验旨在利用扫描电镜对不同样品进行观察和分析,以探索其微观特征和结构。
一、实验目的:本实验的主要目的是通过扫描电镜观察和分析样品的表面形貌和微观结构,了解扫描电镜的工作原理和应用。
二、实验步骤:1. 样品准备:选择不同类型的样品,如金属、生物组织等,并进行必要的前处理,如切片、抛光等。
2. 样品固定:将样品固定在扫描电镜样品台上,确保样品表面平整。
3. 调整参数:根据样品的性质和所需观察的特征,调整扫描电镜的加速电压、放大倍数等参数。
4. 开始观察:打开扫描电镜,将电子束聚焦在样品表面,并开始观察样品的微观结构。
5. 图像获取:通过扫描电镜的控制系统,获取样品表面的图像,并进行记录和保存。
三、实验结果:1. 金属样品观察:在扫描电镜下观察金属样品,可以清晰地看到金属表面的晶粒结构和纹理。
不同金属的晶粒形状和大小有所差异,通过观察晶粒边界和晶粒内部的细节,可以进一步分析金属的晶体结构和性质。
2. 生物样品观察:利用扫描电镜观察生物样品,可以展示生物细胞、细胞器和细胞结构的微观特征。
例如,观察植物叶片的表面细胞,可以看到细胞壁、气孔和细胞间隙的形态和排列方式。
同时,观察细菌样品可以揭示其形态、大小和表面特征,有助于对细菌种类和功能的鉴定。
3. 其他样品观察:扫描电镜还可用于观察其他类型的样品,如纤维材料、陶瓷、矿物等。
通过观察这些样品的表面形貌和微观结构,可以了解它们的组织结构、纤维排列方式以及晶体形态等特征。
四、实验分析:通过扫描电镜的观察和分析,我们可以更深入地了解样品的微观结构和表面形貌。
这些观察结果对于材料科学、生物学和医学等领域具有重要意义。
例如,在材料科学中,通过观察金属晶粒的形态和排列方式,可以优化材料的力学性能和耐腐蚀性能。
材料分析(SEM)实验报告

材料专业实验报告题目:扫描电镜(SEM)物相分析实验学院:先进材料与纳米科技学院专业:材料物理与化学姓名:学号:**********2016年6月30日扫描电镜(SEM)物相分析实验一.实验目的1.了解扫描电镜的基本结构与原理2.掌握扫描电镜样品的准备与制备方法3.掌握扫描电镜的基本操作并上机操作拍摄二次电子像4.了解扫描电镜图片的分析与描述方法二.实验原理1.扫描电镜的工作原理扫描电镜(SEM)是用聚焦电子束在试样表面逐点扫描成像。
试样为块状或粉末颗粒,成像信号可以是二次电子、背散射电子或吸收电子。
其中二次电子是最主要的成像信号。
由电子枪发射的电子,以其交叉斑作为电子源,经二级聚光镜及物镜的缩小形成具有一定能量、一定束流强度和束斑直径的微细电子束,在扫描线圈驱动下,于试样表面按一定时间、空间顺序作栅网式扫描。
聚焦电子束与试样相互作用,产生二次电子发射以及背散射电子等物理信号,二次电子发射量随试样表面形貌而变化。
二次电子信号被探测器收集转换成电讯号,经视频放大后输入到显像管栅极,调制与入射电子束同步扫描的显像管亮度,得到反映试样表面形貌的二次电子像。
本次实验中主要通过观察背散射电子像及二次电子像对样品进行分析表征。
1)背散射电子背散射电子是指被固体样品原子反射回来的一部分入射电子,其中包括弹性背反射电子和非弹性背反射电子。
弹性背反射电子是指被样品中原子和反弹回来的,散射角大于90度的那些入射电子,其能量基本上没有变化(能量为数千到数万电子伏)。
非弹性背反射电子是入射电子和核外电子撞击后产生非弹性散射,不仅能量变化,而且方向也发生变化。
非弹性背反射电子的能量范围很宽,从数十电子伏到数千电子伏。
背反射电子的产生范围在100nm-1mm深度。
背反射电子产额和二次电子产额与原子序数的关系背反射电子束成像分辨率一般为50-200nm(与电子束斑直径相当)。
背反射电子的产额随原子序数的增加而增加,所以,利用背反射电子作为成像信号不仅能分析形貌特征,也可以用来显示原子序数衬度,定性进行成分分析。
扫描电镜实验报告图像分析怎么写

扫描电镜实验报告图像分析怎么写一、引言扫描电镜(Scanning Electron Microscope, SEM)是一种常用的高分辨率表面形貌分析仪器,广泛应用于材料科学、生物学、纳米科技等领域。
本实验旨在利用扫描电镜对样品进行观察和分析,掌握图像分析技巧,并结合实际图像进行详细分析,从而深入了解样品的表面形貌和微观结构。
二、实验方法1. 样品制备:选择需要观察的样品,根据不同的要求进行制备,如金属材料可以进行抛光、腐蚀处理,生物样品可以进行固定和超薄切片等。
2. 仪器操作:将制备好的样品放入扫描电镜的样品台上,调节加速电压和放大倍数等参数,开始观察和拍摄图像。
3. 图像获取:通过扫描电镜获取样品的图像,并保存在电脑上,以备后续的图像分析工作。
三、图像分析1. 图像质量评估:首先对所获得的图像进行质量评估。
评估图像的对比度、噪声、清晰度等指标,确保图像的质量符合要求。
可以通过测量像素密度、区域灰度分布等方法进行评估。
2. 图像预处理:针对图像中存在的噪声、伪影等问题,可以对图像进行预处理。
例如,可以利用图像处理软件进行滤波、增强对比度等操作,以提高图像清晰度和可视化效果。
3. 形貌分析:通过对图像进行形貌分析,可以获得样品的表面形貌特征。
可以使用图像处理软件中的测量工具来计算样品的颗粒大小、距离、角度等参数。
同时,可以根据图像中的拓扑结构特征,推测样品的形成过程和相互关系。
4. 结构分析:通过图像分析,可以对样品的微观结构进行分析。
可以从图像中观察并描述样品的晶体结构、纤维形态等。
同时,可以对样品中存在的裂纹、孔洞等缺陷进行分析,评估样品的完整性和质量。
5. 成分分析:在图像分析的基础上,可以借助图谱分析和能谱分析等技术手段,对样品的成分进行分析。
通过识别元素的峰位和峰强,可以得到样品的成分组成,进一步了解样品的化学特性。
四、实验结果与讨论本次扫描电镜实验中,我们选择了一块金属样品,并进行了抛光和腐蚀处理。
电子显微镜实验报告

一、实验名称电子显微镜技术二、实验目的1. 了解扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)的基本原理和结构。
2. 掌握电子显微镜的样品制备和操作方法。
3. 通过观察样品的微观结构,了解材料的形貌、内部组织结构和晶体缺陷。
三、实验仪器1. 扫描电子显微镜(SEM):型号为Hitachi S-4800。
2. 透射电子显微镜(TEM):型号为Hitachi H-7650。
3. 样品制备设备:离子溅射仪、真空镀膜机、切割机、研磨机等。
四、实验内容1. 扫描电子显微镜(SEM)实验(1)样品制备:将待观察的样品切割成薄片,用离子溅射仪去除表面污染层,然后用真空镀膜机镀上一层金属膜,以增强样品的导电性。
(2)操作步骤:① 开启扫描电子显微镜,调整真空度至10-6Pa。
② 将样品放置在样品台上,调整样品位置,使其位于物镜中心。
③ 设置合适的加速电压和束流,调整聚焦和偏转电压,使样品清晰成像。
④ 观察样品的表面形貌,记录图像。
(3)结果分析:通过观察样品的表面形貌,了解材料的微观结构,如晶粒大小、组织结构、缺陷等。
2. 透射电子显微镜(TEM)实验(1)样品制备:将待观察的样品切割成薄片,用离子溅射仪去除表面污染层,然后用真空镀膜机镀上一层金属膜,以增强样品的导电性。
(2)操作步骤:① 开启透射电子显微镜,调整真空度至10-7Pa。
② 将样品放置在样品台上,调整样品位置,使其位于物镜中心。
③ 设置合适的加速电压和束流,调整聚焦和偏转电压,使样品清晰成像。
④ 观察样品的内部结构,记录图像。
(3)结果分析:通过观察样品的内部结构,了解材料的微观结构,如晶粒大小、组织结构、缺陷等。
五、实验结果与讨论1. 扫描电子显微镜(SEM)实验结果:通过观察样品的表面形貌,发现样品表面存在大量晶粒,晶粒大小不一,且存在一定的组织结构。
在样品表面还观察到一些缺陷,如裂纹、孔洞等。
2. 透射电子显微镜(TEM)实验结果:通过观察样品的内部结构,发现样品内部晶粒较小,且存在一定的组织结构。
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Lab1扫描电镜与能谱仪的原理及应用(一)实验目的1. 熟悉扫描电子显微镜的结构与工作原理2. 熟悉试样制备的要求3. 了解真空镀碳膜仪,真空镀铂膜仪的操作步骤及状态参数了解扫描电子显微镜的操作规程,熟悉二次电子像与背散射电子像的不同及应用。
4. 了解能谱仪的操作规程,熟悉能谱分析中微区成分的点分析、线分析和面分析的应用与要求。
(二)实验仪器设备及样品准备如下:a) HitachiS-4700扫描电子显微镜b) EDAX能谱仪c) 真空镀碳膜仪,真空镀铂膜仪d) 超声波清洗仪,电吹风e) 脆性断口试样、韧性断口试样、陶瓷试样、电镀试样(三)实验原理图1.1 扫描电镜的成像原理3.1 电镜工作原理由最上边电子枪发射出来的电子束,经栅格聚焦后,在加速电压作用下,经过二至三个电磁透镜所组成的电子光学系统,电子束会聚成一个细的电子数聚焦在样品表面。
在末级透镜上边装有扫描线圈,在它的作用下使电子束在样品表面扫描。
由于高能电子束与样品物质的交互作用,结果产生了各种信息:二次电子、背散射电子、吸收电子、X射线、俄歇电子、阴极荧光和透射电子等。
这些信号被相应的接收器接收,经放大后送到显像管的栅极上,调制显像管的亮度。
由于经过扫描线圈上的电流是与显像管相应的亮度一一对应,也就是说,电子束打到样品上一点时,在显像管荧光屏上就出现了一个亮点。
扫描电镜就是这样采用逐点成像的方法,把样品表面不同的特征,按顺序,成比例地转换为视频信号,完成一帧图像,从而使我们在荧光屏上观察到样品表面的各种特征图像。
3.2 EDX原理--特征X射线图1.2 X-射线的产生X射线的产生是由于入射电子于样品发生非弹性碰撞的结果,当高能电子与原子作用时,它可能使原子内层电子被激发,原子处于激发状态,内层出现空位,而外层电子跃迁到空穴产生特征X射线(如K层电子被激发,从L层电子跃迁到空穴就形成Kα射线),同时产生连续X射线(背底),特征X射线与原子序数有关,通过计数Si检测器的脉冲确定元素含量。
X射线产生原理如图1.4所示。
特征X射线分析法是一种显微分析和成分分析相结合的微区分析,特别适用于分析试样中微小区域的化学成分。
其原理是用电子探针照射在试样表面待测的微小区域上,来激发试样中各元素的不同波长(或能量)的特征X-射线(或荧光X-射线)。
然后根据射线的波长或能量进行元素定性分析,根据射线强度进行元素的定量分析。
3.3 样品要求扫描电镜的优点之一是样品制备简单,对于新鲜的金属断口样品不需要做任何处理,可以直接进行观察,但在有些情况下需对样品进行必要的处理。
a) 样品表面附着有灰尘和油污,可用有机溶剂(乙醇或丙酮)在超声波清洗器中清洗;b) 样品表面锈蚀或严重氧化,采用化学清洗或电解的方法处理。
清洗时可能会失去一些表面形貌;c) 特征的细节,操作过程中应该注意;d) 对于不导电的样品,观察前需在表面喷镀一层导电金属或碳,镀膜厚度控制在5-10nm为宜。
在扫描电镜样品制备过程中,首先必须清洁样品。
一般的方法是利用超声波清洗机和适当的溶剂(如丙酮、无水乙醇等)对样品进行清洗即可。
若样品上油污过多或样品上表面腐蚀产物经超声波清洗仍无法去除,可先用适当的清洗剂(如稀盐酸水溶液等)进行处理。
对于金属等导电的样品,直接将其用导电胶固定在样品台上即可。
对于陶瓷等非导电的样品,将其用导电胶固定在样品台上后,应根据分析目的进行不同的导电处理。
a) 对于仅观察组织形貌的样品,将其送入离子溅射仪中喷镀上一层导电膜(一般为纯金膜)后,就可以放进扫描电镜进行观察了;b) 对于不仅观察组织形貌,而且还需用能谱仪作元素分析的样品,则应将其送入真空镀膜仪中喷镀上一层导电的碳膜后,方可将其放进扫描电镜进行观察和分析。
(四)实验步骤1)了解扫描电子显微镜和能谱仪的结构、原理并熟悉使用方法。
2)扫描电镜试样制备要求试样去除表面油污、锈蚀、切屑灰尘,不导电试样进行镀Pt 或者C 膜;电吹风吹干。
3)二次电子图像的观察二次电子图像能够表征材料最表面的形貌特征。
二次电子信号产额多,分辨率高。
为获得立体感强、层次丰富、细节清楚的高质量图像,在观察过程中需要反复选择设定各种条件参数。
①高压的选择;②束斑电流的选择;③物镜光阑的选择;④工作距离和试样倾斜角的选择;⑤聚焦和像散校正;⑥放大倍数的选择;⑦亮度和对比度的选择。
4)能谱仪微区成分分析①扫描电镜开机;②抽真空,稳定运行10~15min 后开启能谱仪;③选择合适的工作参数,点击“Image”按钮,接收SEM 照片;点击“Spc”按钮,对所选区域作全谱分析;点击鼠标右键,对感兴趣的区域作点、线、面成分分析。
5)实验数据的输出与分析(五)数据分析5.1 用扫描电镜观察ZrO2颗粒形貌图1.3 ZrO2颗粒的低倍扫面照片图1.4 ZrO2颗粒的高倍扫描照片如图1.3所示,ZrO2颗粒在低倍扫描电子显微镜的形貌很清晰,根据二次电子成像原理,凸出部分的二次电子产额高,ZrO2颗粒(由于ZrO2不导电,所以颗粒表面事先要喷金或喷碳)凸出表面,所以在二次电子像中呈现为明亮的像,尤其在颗粒的边缘。
根据图像上的标尺,可粗略估计颗粒的尺寸在1~15um左右,颗粒尺寸的分布并不均匀,有个别颗粒尺寸很大,可能是ZrO2小的颗粒团聚的结果。
如图1.4所示,ZrO2颗粒在50K倍的高倍下有些模糊,这是因为即使镀了层导电薄膜(为了保持表面相貌的清晰,薄膜不能太厚),导电性不会太好,所以成像不是很清晰。
这是因为电子在颗粒表面堆积,产生电场,对电子枪发射的电子有排斥作用,影响二次电子成像的分辨率。
通过图像可知,低倍扫描像中的微米尺寸的ZrO2颗粒是由很多微小的纳米尺寸颗粒组成,这是由于在颗粒团聚的结果。
尺寸做够小的情况下,表面能大,由于能量越低系统越稳定,减小颗粒的表面有利于减低能量。
2.2 用能谱仪元素分析2.2.1 点分析——ZrO2颗粒Element Wt% At%OK 20.97 60.20ZrL 79.03 39.80Matrix Correction ZAF图1.5 ZrO2中选定微区的成分分析结果图1.5是采用能谱仪(EDS)对ZrO2颗粒进行微区成分点分析的结果,由结果可知,O:Zr的原子数的比值为60.20:39.80,不满足通常分子式中2:1的比例关系,Zr的比值稍微高一些,可能存在其他形式的Zr-O化合物或者颗粒中存在单质Zr。
2.2.2 线分析——焊缝的元素分布图1.6 合金焊缝的EDS线成分分析如图1.6所示,以焊缝为分界,焊缝的右侧比左侧的O含量升高,Sn含量降低,Cr的含量降低,Fe的含量升高。
由此可知,将被焊接到一起的两块材料是不同类别的板材,元素含量差别较大。
(五)思考题1)简述扫描电镜的基本结构及特点。
扫描电子显微镜由电子光学系统,信号处理、图像显示和记录系统,真空系统三个基本部分组成。
电子光学系统包括电子枪、电磁透镜、扫描线圈和样品室,其中电磁透镜只做聚光镜的作用;信号处理、图像显示和记录系统中二次电子和被反射电子及投射电子都可以采用闪烁计数器来进行检测;真空系统中一般采用机械泵和分子泵相结合的方式获取所需要的真空度,其中先用机械泵抽到一定真空度,再用分子泵接着抽至高的真空度。
图1.7 扫描电子显微镜的工作原理2)二次电子像衬度与哪些因素有关?说明所观察图像的典型特征。
二次电子的衬度于原子序数无关,与表面形貌有关。
二次电子信号来自于样品表面层5~l0nm,信号的强度对样品微区表面相对于入射束的取向非常敏感,随着样品表面相对于入射束的倾角增大,二次电子的产额增多。
因此,二次电子像适合于显示表面形貌衬度。
同时,材料的导电性也可以一定程度的影响表面衬度,绝缘体物质表面电子的堆积可导致衬度变量亮。
图1.3所示,凸出的部分明亮,有很明显的边缘效应,这是因为边缘是棱角位置,二次电子的产额多,容易被探测器接受。
而凹处的部分产生的二次电子不易被接受,显示在SEM像上比较暗。
3)说明能谱仪的工作原理,即X射线信号的接受,转换及显示过程。
各种元素都有自己的特征X射线波长,特征波长的大小取决于能级跃迁过程中释放的特征能量。
能谱仪就是根据不同元素特征波长的能量不同这一特点进行分析的。
X射线光子进入锂漂移硅Si(Li)探测器后,在晶体内产生电子一空穴对。
在低温下,产生一个电子-空穴对平均消耗能量为3.8ev。
能量为E的X射线光子产生的电子-空穴对为N=E/3.8,特征波长越大,产生的N越大。
利用加在晶体两端的偏压收集电子-空穴对,经前置放大器准换为电流脉冲,电流脉冲的高度取决于N的大小,电流脉冲经主放大器准换为电压脉冲进入多道脉冲分析器。
电子-空穴对形成电压脉冲信号,探测器输出的电压脉冲高度对应X射线的能量。
图1.8 锂漂移硅检测器能谱仪框图4)结合元素定性和定量分析的结果及样品形貌,说明能谱分析方法的特点。
(1)定点分析--获得样品中一个选定点的全谱分析,确定夹杂、第二相等选定点所含元素的种类和浓度(定量分析)。
(2)线分析--获得样品在一个选定线上的某一元素的浓度变化(定性分析);(3)元素的面分布--获得样品在一个选定区域内某一元素的浓度分布图(定性分析)。
另外EDS还有一些特点:①探测X效率高,比较灵敏;②工作效率高,可以在同一时间对所有元素的特征X射线光子能量进行探测和计数,并可在短时间内获得结果;③其内部无机械传动部分,稳定性和重复性好;④X射线不需聚焦,对表面无特殊要求。