【名词解释】氧化物半导体TFT(oxide semiconductor TFT)
dummy半导体术语
dummy半导体术语
以下是与半导体相关的一些术语：
1. 半导体（Semiconductor）：一种介于导体和绝缘体之间的材料，具有在特定条件下能够导电的特性。
2. 掺杂（Doping）：向半导体材料中引入掺杂剂，以改变其导电性能的过程。
3. 电子（Electron）：带有负电荷的基本粒子，当它在半导体中移动时，产生电流。
4. 空穴（Hole）：带有正电荷的缺失电子，能够在半导体中移动，参与导电过程。
5. PN结（PN Junction）：由一个P型半导体和一个N型半导体结合而成的界面，是常见的半导体器件结构。
6. 二极管（Diode）：由PN结组成的电子器件，能够只允许电流单向通过。
7. 晶体管（Transistor）：一种能够放大或开关电流的三层或更多层半导体器件。
8. 集成电路（Integrated Circuit）：在一个小芯片上集成了数十亿个晶体管和其他电子组件的电路。
9. MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）：一种常见的金属氧化物半导体场效应晶体管，是现代计算机芯片中最重要的基本元件之一。
10. CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）：一种集成电路技术，采用MOSFET构成的电路，具有低功耗、高集成度等优点。
这里仅列举了一些常见的术语，实际上半导体领域还有更多术语和专业名词。
半导体专业名词解释
Cd cadmium
AWS advanced wet station
Manufacturing and Science
Sb antimony
===B===
B billion; boron
Ba barium
BARC bottom antireflective coating
BASE Boston Area Semiconductor Education (Council)
ACF anisotropic conductive film
ACI after-clean inspection
ACP anisotropic conductive paste
ACT alternative control techniques; actual cycle time
Al aluminum
ALD atomic layer deposition
ALE atomic layer epitaxy; application logic element
ALS advanced light source; advanced low-power Schottky
===A===
A/D analog to digital
AA atomic absorption
AAS atomic absorption spectroscopy
ABC activity-based costing
ABM activity-based management
AC alternating current; activated carbon
半导体器件名词解释汇总
半导体器件名词解释汇总
半导体器件是一种基于半导体材料制造的电子元件，用于控制电流和电压。
以下是一些常见的半导体器件名词解释：
1. 二极管（Diode）：由P型半导体和N型半导体组成，用于
限制电流的流动方向。
2. 整流器（Rectifier）：将交流电转换为直流电的装置，常由
二极管组成。
3. 可变电阻（Varistor）：一种电阻值可变的器件，用于保护
其他元件免受电压过高的损坏。
4. 三极管（Transistor）：由三个区域组成的半导体器件，用
于放大和控制电流。
5. 场效应晶体管（Field-Effect Transistor，FET）：一种三极管，其电流控制通过操控电场。
6. 绝缘栅双极型场效应晶体管（Insulated-Gate Bipolar Transistor，IGBT）：一种在功率控制电路中广泛应用的高压、大功率半导体器件。
7. 集成电路（Integrated Circuit，IC）：在一块半导体芯片上
集成了多个电子元件，如晶体管、电容和电阻。
8. 电容（Capacitor）：用于存储电荷的器件，由两个导体之间
的绝缘层组成。
9. 电阻（Resistor）：用于控制电流流过的器件，阻碍电流流动。
10. 电感（Inductor）：通过电磁感应产生电动势的元件，能够抵抗电流变化。
这些是一些常见的半导体器件名词解释，实际上还有许多其他类型的半导体器件。
薄膜晶体管与mos管
薄膜晶体管与MOS管1. 引言薄膜晶体管（Thin-Film Transistor，简称TFT）和金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET）是现代电子器件中常见的两种类型的晶体管。
本文将介绍这两种晶体管的结构、工作原理、特点以及应用领域。
2. 薄膜晶体管（TFT）2.1 结构薄膜晶体管是一种由多个层次组成的结构，主要包括：底部基板、栅极、源极、漏极和薄膜半导体层。
其中，底部基板通常由玻璃或塑料材料制成，栅极和源漏极则由导电材料如金属制成。
薄膜半导体层常使用非单晶硅或非晶硅材料制备。
2.2 工作原理在TFT中，通过在栅极上施加电压来控制源漏极之间的电流流动。
当栅极施加正电压时，电场会使得薄膜半导体层中的载流子（电子或空穴）被引入或排斥，从而改变了源漏极之间的电流。
这种控制电流的能力使得TFT在显示技术中得到广泛应用。
2.3 特点•高度集成化：TFT可以制备成非常小尺寸的晶体管，从而实现高度集成化的电路设计。
•低功耗：TFT在非工作状态下几乎不消耗能量，因此具有较低的功耗。
•高分辨率：TFT显示器具有高分辨率和良好的色彩表现力，适用于高质量图像显示。
2.4 应用领域薄膜晶体管主要应用于平面显示器（如液晶显示器）、触摸屏、光伏电池等领域。
其中，液晶显示器是最常见的应用之一，其通过控制每个像素点上TFT的导通与否来实现图像显示。
3. MOS管（MOSFET）3.1 结构MOS管是一种由金属-氧化物-半导体结构组成的晶体管。
它包括了栅极、源极、漏极和氧化物层。
栅极和源漏极由金属材料制成，氧化物层通常由二氧化硅（SiO2）构成。
3.2 工作原理在MOS管中，栅极施加的电压可以改变氧化物层下半导体中的电荷分布情况，从而调控源漏极之间的电流。
当栅极施加正电压时，形成了一个正电荷区域，吸引了负载流子（电子）。
物理知识大全氧化物半导体(oxidesemiconductor)
物理知识大全氧化物半导体
（oxidesemiconductor）
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氧化物半导体（oxidesemiconductor）
氧化物半导体(oxidesemiconductor)
指具有半导体特性的氧化物。
如MnO、Cr2O3、FeO、Fe2O3、CuO、SnO2和ZnO等。
大多数氧化物半导体的主要用途是制作热敏电阻，它们的电阻值随温度的变化而显著变化，其电阻的温度系数有正有负或临界温度系数。
SnO2、ZnO、Fe2O3等氧化物可用于制造半导体气敏元件，它们对某些可燃性气体、有毒气体非常灵敏，目前已制出探测某些气体(如CO、H2、C3H8和易燃气体等)的气敏检测器、报警器等。
近几年发展起来的MgCr2O4-TiO2、ZnO-Li2O-V2O5等多孔结构的金属氧化物，用以制造敏感器。
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半导体名词解释
半导体名词解释1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。
在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTIVE AREA会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK存在，也就是说ACTIVE AREA 比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3. 在FAB 内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查 1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。
发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。
3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查 1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
计算机专业英语名词解释大汇总
计算机专业英语名词解释大汇总1、公司及其商标名Microsoft: 有时缩略为MS，是全球最著名的软件商，美国软件巨头微软公司的名字。
Microsoft其实是由两个英语单词组成：Micro意为“微小”，Soft意为“软的”，此处应为“Software，软件”，顾名思义，微软(Microsoft)是专门生产软件的公司。
当今90％以上的微机都是装载Microsoft的操作系统，如MS－DOS 6.22、Windows 3.2、Windows 95、Windows NT等。
Intel：英特尔公司，是世界上最大的CPU(中央处理器，被人们称为电脑的心脏)及相关芯片制造商。
80％左右的电脑都是使用Intel公司生产的CPU。
其产品从早期的8088到目前流行的Pentium、Pentium Pro、Pentium MMX、Pentium Ⅱ等。
Pentium、Pentium Pro、Intel Inside标志：都是英特尔公司的注册商标。
Pentium(读音为／′pentj m／)是著名的CPU商标名，汉译为“奔腾”。
人们称赞不已、开口闭口所说的“奔腾”电脑，是因为电脑里安装有英特尔公司生产的“奔腾”CPU。
AMD：世界第二大CPU制造商，主要产品有K5，K6 MMX CPU系列。
Cyrix：CPU制造商，主要产品有M1，M2 MMX CPU系列。
Epson：爱普生，日本爱普生打印机制造商。
HP：惠普，Hewlett Packard的缩写，是美国著名的惠普打印机、电脑制造商。
Canon：佳能，著名打印机商标。
日本著名的佳能打印机制造商。
Canon英文意思为“宗教法规，标准”，可以看出佳能公司在创业之初，就决心要把自己的产品作为业界的“标准”。
Compaq：汉译为“康柏”，美国康柏电脑公司，它是世界上最大的电脑公司之一。
IBM：是International Business Machine Company(美国国际商用机器公司)的缩写。
通信行业通用名词解释大全
手机行业通用名词解释大全手机:Mobile Phone，又称移动电话，是通过基站甚至卫星传递信号的一种通讯设备主芯片:手机处理器芯片解决方案:以某些芯片为主体进行主机板开发设计（Skyworks,ADI/Philips/Ti/MTK 等）PCB:Printed Circuit Board, 印刷电路板，一般指排布元气件的电路载体SMT:贴片CTA:PRT、ESD、Audio测试、EMC测试等FTA:FTA测试全称是全面型号认证（FULL TYPE APPROVAL）。
IMEI:IMEI(INTERNATIONAL MOBILE EQUIPMENT IDENTIFIER)。
EMC:电池兼容性ID（外观设计）:Interface Design 界面设计MD（结构）:Makeup DegineToolings（开模）:加工开模PP： Production Phase:生产阶段MP： Mass Production:量产CDMA: CDMA (Code Division Multiple Access) 译为“码分多址分组数据传输技术”，被称为第2.5代移动通信技术。
GSM: GSM全名为：Global System for Mobile Communications，中文为全球移动通讯系统，PHS: PHS中文名为低功率移动电话。
英文名全称为Personal Handy-phone System。
PHS系统是日本自行研发的数字式无线电话系统。
蓝牙: 蓝牙(BlueTooth) 是Intel、Nokia、Ericsson、IBM及Toshiba在1998年组成的SIG小组制定的一套短距离无线射频连接技术的标准，并于1999年5月正式发表。
双模手机: 所谓的“双模手机”，就是同时支持联通的GSM和CDMA两套制式。
手机魔卡: 魔卡（一卡双号、一卡多号），不需改变手机的任何部件，插上科特超级魔卡即可享受一机多号带来的服务。
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作为“新一代电子的基础材料”而备受全球显示器技术人员关注的就是氧化物半导体TFT。
因为氧化物半导体TFT是驱动超高精细液晶面板、有机EL面板以及电子纸等新一代显示器的TFT材料最佳候选之一。
预计最早将在2012～2013年开始实用化，将来或许还会成为具备“柔性”和“透明”等特点的电子元件的实现手段。
氧化物半导体是通常容易成为绝缘体的氧化物，但却具有半导体的性质。
在众多物质当中，最受关注的是“透明非晶氧化物半导体（TAOS：Transparent Amorphous Oxide Semiconductors）”。
非晶IGZO（In-Ga-Zn-O）就是一个代表性例子。
除了三星和LG显示器等韩国企业外，日本的夏普、凸版印刷以及佳能等企业也在致力于TFT的应用开发。
TAOS类TFT的载流子迁移率高达10cm2/Vs以上，特性不均现象也较小。
因此，可驱动像素为“4K×2K”（4000×2000像素级）、驱动频率为240Hz的新一代高清晰液晶显示器。
当前的标准技术——非晶硅类TFT以及作为新一代技术而被大力开发的有机半导体TFT因载流子迁移率只有数cm2/Vs以下，很难应用到上述用途中。
即使是在有机EL显示器领域，与开发案例较多的低温多晶硅类TFT相比，实现大屏幕化时还是TAOS类TFT具有优势这是因为AOS类TFT可以抑制有机EL面板中存在着的因TFT特性不均而导致的显示不均现象。
TAOS薄膜可通过溅射法形成，制造成本也容易降低。
制造工艺温度可低至接近室温这一点也是TAOS类TFT的一大魅力。
可利用耐热性较差的树脂基板，因此能够实现可弯曲的电子纸等柔性显示器。
利用TAOS膜的透明特性，有望使电子元件实现透明化等。
进一步扩大氧化物半导体的用途时碰到的课题是如何实现p型半导体。
如果能实现高质量的pn结，就有望应用于柔性透明的集成电路、LED以及太阳能电池等用途。