第1节双极型晶体管的开关特性及简单门

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双极晶体管的开关原理

双极晶体管的开关原理

双极晶体管的开关原理一、双极晶体管开关作用机理双极晶体管,又称双极型晶体管,是一种固体半导体器件,其可实现电流的放大和开关功能。

其名称中的“双极”是指这种器件的两个电子传导方向由同一条半导体(即基区)引入到另一点(即发射极和集电极)。

在双极器件中电流只沿着基区通过,这就限制了少子和多子的浓度,也限制了集电极电流对发射极电流的倍数。

为了增大发射极电流,可通过将几个集电极接在一起构成共集放大电路来实现。

正因为这样,由于开关状态控制所需的输入电荷小、开关速度高以及输出电容小等特点,它为开关电路的实用化奠定了基础。

然而由于集电结电容和集电发射偏压的存在,增加了电路不稳定性。

一般地讲,低噪声电路,包括集成电路都要求工作在线性范围之内。

尽管半导体器件已经尽可能使结电容降到最小,而且我们利用适当的电路安排可以使该结电容成为零(在电路断态下),但由于元器件参数上的不匹配以及制造工艺问题(包括塑料封装时的注塑干涸)的影响,这样的理想情况很难做到。

因此在实际应用中应考虑使用并联电容或电感来补偿因结电容而产生的寄生效应。

双极晶体管的工作原理是基于三极管的电流控制作用,当基极电流增大时,集电极电流也相应增大。

但是,集电极电流的增加不会使集电极和发射极之间的电压降(集电极电阻)相应增大。

双极晶体管的开关作用是基于电子的注入。

在关闭状态下,基极电流非常小(微安级),此时集电极和发射极之间的电压降也最小(通常为几伏特)。

在开启状态下,注入更多的电子时,集电极和发射极之间的电压降会上升到几十伏特(约几百毫安)。

这种开关特性使得双极晶体管在各种电子设备中得到了广泛的应用。

三、双极晶体管工作条件1.集电极—基极间加电压Uc。

当集电极—基极间的电压Uc大于PN结的死区电压Uon(一般在0.6~0.7V左右)时,发射结正偏置,发射区的多数载流子(电子)通过PN结向基区扩散。

集电结的多数载流子(空穴)也向基区扩散。

当扩散到一定距离时,被集电极N+收集区收集;同时基区有等量的少数载流子(空穴)漂移到发射结(靠近基区一边)而终止。

晶体管的开关特性

晶体管的开关特性
晶体管由截止区转换到饱和区,或由饱和区转换到截 止区,可以通过加在其输入端的外界信号来实现,因此转 换速度极快,可达每秒几十万次到几百万次,甚至更高。
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半导体器件物理
第五章 晶体管的开关特性
5.1 二极管的开关作用和反向恢复时间
利用二极管正、反向电流相差悬殊这一特 性,可以把二极管作开关使用。当开关K打向 A时,二极管处于正向,电流很大,相当于接 有负载的外回路与电源相连的开关闭合,回路 处于接通状态(开态);若把K打向B,二极 管处于反向,反向电流很小,相当于外回路的 开关断开,回路处于断开状态(关态)。
练习
P106 1,4,5
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第五章 晶体管的开关特性
开关晶体管的工作状态
晶体管的工作状态完全由直流偏置情况决定。从共射输出
特性曲线上可以看出,随着偏置电压的不同,晶体管的工作区域 可以分为饱和区、放大区和截止区三个区域。
此外,当晶体管的发射极和集电极相互交换,晶体管处于倒 向运用状态时,也应该同样存在上述三个区域。
随着势垒区边界上的空穴和电子密度的增 加,P-N结上的电压逐步上升,在稳态即为VJ。 此时,二极管就工作在导通状态。
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第五章 晶体管的开关特性
当某一时刻在外电路上加的正脉冲跳变为负脉冲, 此时,正向时积累在各区的大量少子要被反向偏置电压 拉回到原来的区域,开始时的瞬间,流过P-N结的反向 电流很大,经过一段时间后,原本积累的载流子一部分 通过复合,一部分被拉回原来的区域,反向电流才恢复 到正常情况下的反向漏电流值IR。正向导通时少数载流 子积累的现象称为电荷储存效应。二极管的反向恢复过 程就是由于电荷储存所引起的。反向电流保持不变的这 段时间就称为储存时间ts。在ts之后,P-N结上的电流到 达反向饱和电流IR,P-N结达到平衡。定义流过P-N结 的反向电流由I2下降到0.1 I2时所需的时间为下降时间tf。 储存时间和下降时间之和(ts+tf)称为P-N结的关断时 间(反向恢复时间)。

npn pnp 晶体管输出 压力开关-概述说明以及解释

npn pnp 晶体管输出 压力开关-概述说明以及解释

npn pnp 晶体管输出压力开关-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述:npn和pnp晶体管是两种常见的双极型晶体管,它们在电子领域中扮演着重要的角色。

npn和pnp晶体管的工作原理和特性有所不同,但它们都可以用来实现电流放大、开关控制等功能。

本文将重点介绍npn和pnp晶体管的工作原理,并探讨它们在输出压力开关中的应用。

通过深入研究npn pnp晶体管输出压力开关的优势和未来发展展望,可以更好地认识和理解这一重要的电子元件。

1.2文章结构文章结构部分将介绍npn pnp 晶体管输出压力开关的相关知识,包括npn 晶体管和pnp 晶体管的工作原理,以及它们在压力开关中的应用。

通过这些内容,读者将会了解到npn pnp 晶体管输出压力开关的工作原理和优势,以及未来可能的发展方向。

文章结构清晰明了,有助于读者更好地理解和掌握相关知识。

1.3 目的:本文旨在深入探讨npn和pnp晶体管输出压力开关的工作原理和应用,通过对这两种晶体管的比较分析,探讨它们在压力开关中的优势和不同之处。

通过本文的研究,读者将更深入地了解npn和pnp晶体管在压力开关领域的应用价值,促进相关技术的发展和应用。

同时,本文也旨在为工程师和研究人员提供参考,帮助他们更好地选择和设计适合的晶体管输出压力开关,推动该领域的进步和发展。

2.正文2.1 npn 晶体管的工作原理npn 晶体管是一种双极型晶体管,由两个n型半导体夹着一个p型半导体构成。

它的工作原理基于p-n 结的特性。

当npn 晶体管处于正常工作状态时,基极(p区)的电压高于发射极(n区)的电压,这样就会形成一个正向偏置。

这会导致在基极和发射极之间形成一个电场,使得p-n 结处于导通状态。

当一个正向电压施加在基极上时,这会促使少量电子从发射极注入到基极中,进而形成主电流。

这个主电流的大小受到基极电流的控制,即控制输入电流即可控制输出电流。

总的来说,npn 晶体管的工作原理可以简单理解为:控制输入信号作用在基极上,调节基极电流,进而控制输出电流。

双极型晶体三极管的开关特性

双极型晶体三极管的开关特性

1 0.7 mA 10
0.03mA
iB
3
0.7 10
mA
0.23mA
三极管临界饱和时的基极电流: 而
I BS
VCC uCES
Rc
5 0.3 mA 50 1
0.094 mA
因为0<iB<IBS,三极管工作在放大
状态。iC=βiB=50×0.03=1.5mA,
输出电压:
uo=uCE=UCC-iCRc=5-1.5×1=3.5V
状态称为放大状态。
2.2 双极型晶体三极管的开关特性
(3)三极管的饱和状态和可靠饱和的条件
当输入电压vI增加
:A. iB增加,工作点上移,当工作点上移至Q3点时,三
极管进入临界饱和状态。
B. iB再增加,输出iC将不再明显变化 。
当输入电压vI增加 :C.工作点向上移至Q3点以上,饱和深度增加,进入可
2.2 双极型晶体三极管的开关特性
(4)三极管开关的过渡过程
td:延迟时间,上升到0.1Icmax tr:上升时间, 0.1Icmax到0.9Icmax
ton = td +tr ton开通时间
ts:存储时间,下降到0.9Icmax tf:下降时间,下降到0.1Icmax
toff = ts +tf toff关断时间
iC=βiB
uCE=VCC- iCRc
可变
饱和
iB>IBS 发射结正偏 集电结正偏 uBE>0,uBC>0
iC=ICS uCE=UCES=
0.3V 很小, 相当开关闭合
+VCC Rc iC
Rb b
c
uo
ui
iB
e
iB(μA)

第六章双极晶体管的开关特性.ppt

第六章双极晶体管的开关特性.ppt
VCES VBE VBC Icrcs I E res
IE

R IC

IEBO exp
qVBE kT
பைடு நூலகம்
1
VBE

kT q
ln
IE RIC
I EBO

IC

R IE

ICBO exp
qVBC kT

1
VBC
Ib1 IBS


C

IB

Ics


ts
C
ln
Ib1 Ib2 Ics Ib2

t ts , QC ts
0
4、下降过程及下降时间
下降过程可以看作是上升过程的逆过程,-Ib2的作用
与上升过程相反。

Ib2

CDe
CTe
dvBE dt


EC
RL
IB
IBS

IB

Ics

S T

IB

EC
RL
Q
S IB IB
IBS ICS
过驱动因子
R
n+
pe(x) peo
p
nb(x) ②
Qbx ① nbo
n
过驱动
pc(x) Qcx
pco
超量储 存电荷
过驱动电流(
IB

IBS )

Qbx
B

Qcx
C
IB
IBS

Qcx
饱和区
IC EC VCE / RL
VBC VBE

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的工作原理、基本特性、主要参数

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的工作原理、基本特性、主要参数

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的工作原理、基本特性、主要参数绝缘栅双极晶体管(Insulated-Gate Bipolar Transistor,IGBT)是一种复合型电力电子器件。

它结合了MOSFET和电力晶体管GTR的特点,既具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点,又具有输入通态电压低、耐压高和承受电流大的优点,因而具有良好的特性。

自1986年IGBT开始投入市场以来,就迅速扩展了其应用领域,目前已取代了原来GTR和一部分MOSFET的市场,成为中、小功率电力电子设备的主导器件,并在继续努力提高电压和电流容量,以期再取代GTO的地位。

IGBT的结构与工作原理IGBT是三端器件。

具有栅极G、集电极C和发射极E。

图1(a)给出了一种由N 沟道MOSFET与双极型晶体管组合而成的IGBT的基本结构。

与MOSFET对照可以看出,IGBT比MOSFET多一层P+注入区,因而形成了一个大面积的PN结J1。

这样使得IGBT导通时由P+注入区向N基区发射载流子,从而对漂移区电导率进行调制,使得IGBT具有很强的通流能力。

图1 IGBT的结构、等效电路和电气符号从图1可以看出,这是用双极型晶体管与MOSFET组成的达林顿结构,相当于一个由MOSFET驱动的PNP晶体管,RN为晶体管基区内的调制电阻。

因此,IGBT 的驱动原理与MOSFET基本相同,它是一种场控器件,其开通和关断是由栅射电压uGE决定的,当uGE为正且大于开启电压UGE(th)时,MOSFET内形成沟道,并为晶体管提供基极电流,进而使IGBT导通。

由于前面提到的电导调制效应,使得电阻RN减小,这样高耐压的IGBT也具有很小的通态压降。

当栅极与发射极间施加反向电压或不加信号时,MOSFET内的沟道消失,晶体管的基极电流被切断,使得IGBT关断。

上述PNP晶体管与N沟道MOSFET组合而成的IGBT称为N沟道IGBT,记为N-IGBT,其电气图形符号如图1(c)所示。

最简单的门电路

最简单的门电路
单元1 最简单的门电路
数字电子技术
1.1 概述 1.2 二极管、晶体管的开关特性 1.3 最简单的门电路
单元1 最简单的门电路
数字电子技术
1.1 概述
门电路:用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。 常用的门电路:与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、
异或门等。
在电子电路中,用高、低电平分别表示二值逻辑的1和0 两种逻辑状态。
由于二极管具有单向导电性,即外加正电电压时导通,
外加反向电压时截止,所以它相当于一个受外加电压极性控
制的开关。
二极管开关电路
当输入信号为高电平uI=UIH=VCC时,二极管 截止,输出为高电平uO=UOH=VCC,当输入为 低电平uI=UIL=0V时,二极管导通,输出为 低电平uO=UOL≈0。因此,可以用uI的高、低 电平控制二极管的开关状态,并在输出端得
二极管与门电路的真值表
A
B
Y
0
0
0
0
1
0
1
0
0
1
1
1
显然,Y和A、B是与逻辑关系。
单元1 最简单的门电路
1.3 最简单的门电路
数字电子技术
2、二极管或门
或门电路:输入变量和输出变量之间满足或逻辑关系的电路 。
或门电路
逻辑符号
若输入的高、低电平分别为VIH =3V,VIL=0V,二极管D1、D2 的正向导通压降为0.7V。则只要A、B当中有一个是高电平, 输出就是2.3V。只有当A、B同时为低电平时,输出才是0V。
单元1 最简单的门电路
1.3 最简单的门电路
数字电子技术
2、二极管或门
或门电路:输入变量和输出变量之间满足或逻辑关系的电路 。

二极管和三极管的开关特性

二极管和三极管的开关特性

第一节二极管的开关特性一般而言,开关器件具有两种工作状态:第一种状态被称为接通,此时器件的阻抗很小,相当于短路;第二种状态是断开,此时器件的阻抗很大,相当于开路。

在数字系统中,晶体管基本上工作于开关状态。

对开关特性的研究,就是具体分析晶体管在导通和截止之间的转换问题。

晶体管的开关速度可以很快,可达每秒百万次数量级,即开关转换在微秒甚至纳秒级的时间内完成。

二极管的开关特性表现在正向导通与反向截止这样两种不同状态之间的转换过程。

二极管从反向截止到正向导通与从正向导通到反向截止相比所需的时间很短,一般可以忽略不计,因此下面着重讨论二极管从正向导通到反向截止的转换过程。

一、二极管从正向导通到截止有一个反向恢复过程在上图所示的硅二极管电路中加入一个如下图所示的输入电压。

在0―t1时间内,输入为+V F,二极管导通,电路中有电流流通。

设V D为二极管正向压降(硅管为0.7V左右),当V F远大于V D时,V D可略去不计,则在t1时,V1突然从+V F变为-V R。

在理想情况下,二极管将立刻转为截止,电路中应只有很小的反向电流。

但实际情况是,二极管并不立刻截止,而是先由正向的I F变到一个很大的反向电流I R=V R/R L,这个电流维持一段时间t S后才开始逐渐下降,再经过t t后,下降到一个很小的数值0.1I R,这时二极管才进人反向截止状态,如下图所示。

通常把二极管从正向导通转为反向截止所经过的转换过程称为反向恢复过程。

其中t S 称为存储时间,t t称为渡越时间,t re=t s+t t称为反向恢复时间。

由于反向恢复时间的存在,使二极管的开关速度受到限制。

二、产生反向恢复过程的原因——电荷存储效应产生上述现象的原因是由于二极管外加正向电压V F时,载流子不断扩散而存储的结果。

当外加正向电压时P区空穴向N区扩散,N区电子向P区扩散,这样,不仅使势垒区(耗尽区)变窄,而且使载流子有相当数量的存储,在P区内存储了电子,而在N区内存储了空穴,它们都是非平衡少数载流于,如下图所示。

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第1节双极型晶体管的开关特性及简单门
所有数字集成电路都是由晶体二极管、晶体三极管和场效应管组成的。

它们大部分工作在导通和截止状态,相当于开关的“接通”和“断开”,因此被称为电子开关。

电子开关较机械开关具有速度高、可靠程度高、无抖动、功耗低、体积小等诸多优点。

本节将讨论双极型晶体管的开关特性。

、晶体二极管的开关特性
在数字电路中,晶体二极管(以下简称二极管)常工作于开关状态,在数字信号作用下,它时而导通,时而截止,相当于开关的“闭合”与“断开”。

研究二极管的开关特性,就是要分析它在什幺条件下导通,什幺条件下截止,既要分析其静态开关特性,也要分析它在导通与截止两种状态之间的转换过程,即分析其动态开关特性。

1 •二极管静态开关特性
(1)二极管正向导通时的特点及导通条件
以硅二极管为例,当外加正向电压使二极管承受一定的正向偏置时,二极管正向导通,其电压、电流正方向如图2-2所示。

图2-3为二极管的伏一安特性曲线,它是二极管电流与两端电压的关系曲线
图2-2二极管开关电路图2-3 二极管伏一安特性曲线(未按比例画出)
当二极管外加正向电压二》时,二极管导通,此后,随着外加电压
增大,电流按指数规律变化。

VON是二极管的门槛(阈值、开启)电压,硅管约
为0.5V,锗管约为0.1V。

'一 > :时,特性趋于直线,VD基本不随电
流变化。

VD称为二极管的导通压降,硅管约为0.7V,锗管约为0.3V。

在数字电路的分析估算中,常将VD=0.7 V视为硅二极管的导通条件。

图2-4二极管正向导通时的等效电路图2-5二极管截止时的等
效电路
图2-4为二极管正向导通时的等效电路。

当外加正向电压VIH(输入信号高电平)使硅二极管导通后,可近似认为: 保持0.7V不变。

因此,在数字信号作用
下二极管正向导通时,它相当于一个具有0.7V压降的闭合的开关。

(2)二极管截止时的特点及截止条件
当外加电压较小或者承受反向偏置时,二极管截止。

由图2-3所示的二极管伏一安特性曲线可见,当丨V 匚V 时二极管截止,只有很小的反向漏电流流过二极管。

硅管的反向漏电
流J- V1 “ -1,,锗管的V 20 」,
< < 二时,二极管反向击穿。

是二极管的反向击穿电压。

在数字电路的分析计算中,常将:V In 视为硅
二极管的截止条件。

实际电路中,外加压常使:wo,以保证二极管可靠
截止。

图2 - 5为二极管截止时的等效电路,当外加数字信号为二(输入信号低电平,小于』)时,二极管截止。

此时,可认为]为0,二极管如同断开的开关。

2. 二极管动态开管特性
一般为工作在开关状态的二极管除了有导通和截止两种稳定状态外,还要在导通和截止之间转换,这个转换的过程称为二极管动态过程(或过渡过程)。

当输入电压波形如图2-6 (a)时,理想开关的输出电流波形如图2-6 (b)所示。

实际的输出波形如
图2-6 (c)所示。

图2-6 二极管开关的过渡过程
(a)输入电压波形;(b)理想过渡过程;(c)实际过渡过程。

由图2-6可见,在〔时刻,二极管从正向偏置突变为反向偏置,由于二极管
存在结电容且在导通后充电,因此二极管在由导通转变到截止的过程中,在二极管内产生了很大的反向电流,二极管才进入截止状态。

…* 是二极管从导通到截止所需的时间,称为反向恢复时间。

小功率开关管的
纳秒数量级。

反向恢复时间飞对二极管开关动态特性有很大影响。

若二极管两端输入电压的频率过高,以至输入负电压的持续时间小于它的反向恢复时间时,二极管将失去其单向导电性。

当然,二极管从截止到导通也是需要时间的,
这段时间称为开通时间门,这段时间较短,一般可以忽略不计。

所以二极管作为开关使用时与理想开关在静特性和动特性方面都是有一定差别的,但一般可以近似将其视为理想开关。

3. 二极管的开关参数
这里仅介绍二极管作为开关应用时的一些参数
(1)反向恢复时间:指在规定负载、正向电流及最大反向瞬态电流下测出的反向恢复
时间。

例如,硅开关管2CK15当负载电阻为50 Q 时,由正向电流辽=10逬L变为最大反向电流■':=10卢门的10%
时,飞=5ns。

(2)零偏压电容:指二极管两端电压为零时,扩散电容和结电容的容量之和例如
2CK15的零偏压电容小于5Pf。

4. 二极管开关的应用
二极管开关的应用范围很广,可以组成脉冲极性选择电路、限幅电路和钳位电路等,分析电路是将其视为理想开关,即正向导通时忽略其正向压降,相当于开关短路接通,电阻为零;反向截止时忽略其反向漏电流,相当开关断开,电阻无穷大。

F面简要介绍开关二极管的应用
(1)脉冲极性选择电路
数字电路中,经常需要单一方向变化的脉冲信号。

这可以用图2-7(a)所示的开
关电路实现,当电路的输入信号为图2-7(b)上图所示的交流脉冲波时,利用开
关二极管的单向导电性,在输出端即可得到正极性脉冲如图2-7(b)下图所示。

若要选择负极性脉冲,则把图2-7(a)中的二极管反接即可实现。

图2-7脉冲极性选择电路及波形
(a)电路;(b)输入信号、输出正极性脉冲
(2)限幅电路数字电路所能处理的信号幅度有一定的要求,例如为+5V。

若输入信号幅度过大, 可以利用图2-8(a)所示电路将其变换为所需的幅度。

设VD1和VD2为理想二极
管,当电路输入如图2-8(b)所示的电压信号「一川:〔’丄V时,其输出信号电压I 的波形如图2-8(b)所示。

分析:当:■'11时,VD1导通相当于短路,VD2截止,输出被限定为' 1 =5V。

当<-V2时,VD2导通相当于短路,VD1截止,输出:被限定为V。

当 1 < 「< / 时,和
'■ 1均截止,输出】=:。

限幅器又称为削波器,如果用一只二极管则为单限限幅器,分为上限幅(只
用 ':)和下限幅(只用「】);若不加限幅电压V1 (或V2)则为零
电平限幅器,即将横坐标轴以上(或以下)的波形削去。

调节直流电压V1和V2, 即可以改变输出电压幅度。

(3)钳位电路图2-9(a)电路为顶部钳位器,输入信号电压二及其对应输出信号电
压:的波形如图2-9(b)所示。

钳位器的组成特点是
RC >>T,即RC耦合电路的时间常数远远大于信号周期T o
(<>
图2-8二极管限幅
器图2-9二极管钳位器
在「〔时刻:假定电容C未充电,输入信号「的正跳变使二极管VD正向导通,电容端电压不能突变,输出即为二极管的正向压降(约0.7V,由于二极管的正向导通电阻很小,其余电压降落在信号源内阻上)。

而后电容C充电,由于充电回路电阻较小,输出电压 :很快按指数规律下降至零,电容C左正右负充满电;
在】时刻:输入电压二由+1V下跳至-IV,电容端电压不能突变,输出
电压:则由零下跳同样幅度至-2V,二极管VD反偏而截止。

而后电容C通过电阻R放电,由于R比二极管VD导通时电阻大得多,输出电压变化较缓
慢,〔~ 〔期间内:的绝对值略有下降;
在I 时刻:输入电压;有-1V上跳至+1V,电容端电压不能突变,输出
电压则由约-2V上跳同样幅度,二极管VD又正偏导通,重复时刻的过程,:~ :期间内电容放电损失的电荷得到补充,输出电压略有上升;
在-一时刻重复〔时刻的过程。

如果将图2-9 (a)电路中二极管VD反方向,则组成底部钳位电路,对应输入信号,输出波形的底部被钳在横坐标上;如果在二极管的下方接人一个直流电压源
(可以是正电源,也可以是负电源),则输出波形的底部(或顶部)被钳在钳位电压上,共有四种不同情况。

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