电力电子变流技术(下)题库

《电力电子变流技术》机械工业出版社命题人王翠平第六章晶闸管的串并联和保护知识点：●晶闸管的串联●晶闸管的并联●晶闸管的过电压保护●晶闸管的过电流保护一、填空题1、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。

2、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为 100A。

3、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。

（写出四种即可）4、在电力晶闸管电路中，常用的过电流保护有快速熔断器；电路串电抗器；过流时快速移相；和直流快速开关等几种。

5、和门极G。

6、晶闸管的导通条件阳极加正电压、门极加正向电压；关断条件是阳极电流大于掣住电流、阳极电流小于维持电流或加反向电压。

7、一般操作过电压都是瞬时引起的尖峰电压，经常使用的保护方法是阻容保护而对于能量较大的过电压，还需要设置非线性电阻保护，目前常用的方法有压敏电阻和硒堆。

8、晶闸管的过电流能力比较差，必须采用保护措施，常见的快速熔断器、过流继电器、直流快速开关、、限流与脉冲移相保护。

二、判断题1、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。

（×）2、晶闸管并联使用时，必须注意均压问题。

（×）3、两个以上晶闸管串联使用，是为了解决自身额定电压偏低，不能胜用电路电压要求，而采取的一种解决方法，但必须采取均压措施。

（√）4、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。

（√）5、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。

（×）6、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。

（×）7、晶闸管一旦导通，门极没有失去控制作用。

（×）8、加在晶闸管门极上的触发电压，最高不得超过100V。

×9、双向晶闸管额定电流的定义，与普通晶闸管的定义相同。

（√）10、逆变角太小会造成逆变失败。

（√）11、设置补偿电容可以提高变流装置的功率因数。

（√）、三、简答题1、抑制过电压的方法有几种？分别是什么？2、晶闸管装置发生过电流的原因有哪些？可以采用那些过电流保护措施？第七章自关断器件知识点：1、掌握GTR 、电力MOSFET 、GTO 、IGBT 、MCT 、SIT 、SITH的工作原理。

2、掌握GTR 、电力MOSFET 、GTO 、IGBT 、MCT 、SIT 、SITH的电气符号3、掌握GTR 、电力MOSFET 、GTO 、IGBT 、MCT 、SIT 、SITH的开关特性、参数。

4、了解GTR 、电力MOSFET 、GTO驱动电路、缓冲电路。

二、填空题1、目前常用的电力晶体管有: 单管GTR 、达林顿管、 GTR模块。

2、电力晶体管的三个极分别为：发射极、集电极、基极。

3、功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用__快速恢复______ 型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。

4、动态特性描述GTR的开关过程的瞬态性能，又称开关特性。

5、GTR能够安全运行的范围称为安全工作区。

6、功率场效应晶体管的三个极分别为栅极、源极、漏极7、、功率场效应晶体管的导电沟道分为N沟道和P沟道。

8、功率MOSFET的保护分为静电保护和工作保护9、过电压保护措施主要是利用缓冲电路抑制过电压的产生。

10、IGBT缓冲电路，也称为吸收电路。

11、MOS控制晶闸管是一种单极型和双极型组合而成的复合器件。

12、MCT的三个极分别为：阳极、阴极、门极13、一般使MCT导通的负脉冲电压为-5V~-15V，使MCT关断的正脉冲电压为+10~20V。

14、静电感应晶体管SIT也是采用垂直导电型式的多胞集成结构15、绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管的栅极作为栅极，以电力晶体管的集电极和发射极作为发射极与集电极复合而成。

16、可关断晶闸管的图形符号是；电力场效应晶体管的图形符号是绝缘栅双极晶体管的图形符号是；电力晶体管的图形符号是；17、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源逆变器与无源逆变器两大类。

18、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是 MOSFET和GTR的复合管。

19、目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有、、、几种。

二、判断题1、一次击穿具有可逆性，一般不会引起晶体管的特性变坏。

（对）2、集电极电压上升率是动态过程中的一个重要参数。

（对）3、电力晶体管是具有自关断能力的全控型器件。

（对）4、换向安全工作区是功率MOSFET寄生二极管或集成二极管反向恢复性能所决定的极限工作范围。

（对）5、功率MOSFET的栅极是绝缘的，不属于电压控制器件，属于开关器件。

（错）6、为防止功率MOSFET误导通，截止时最好对其提供负的栅偏压。

（对）7、过电流保护措施措施主要通过检出过电流信号后切断栅极控制信号的办法来实现。

（对）8、驱动电路与整个控制电路在电位上应严格隔离，具有对IGBT的自保护功能，并有较高的抗干扰能力。

（对）9、IGBT的关断过程是从正向导通状态转换到反向阻断状态的过程。

（错）10、MCT的门极是由MOSFET管引出，属于电压控制器件。

(对)11、SIT器件不仅可以工作在开关状态，而且还可以工作在放大状态。

（对）12、功率MOSFET的栅极是绝缘的，不属于电压控制器件，属于开关器件。

（错）13、MOS控制晶闸管是一种单极型和双极型组合而成的复合器件。

（对）三、选择题1、具有自关断能力的电力半导体器件称为( A )A. 全控型器件B. 半控型器件C. 不控型器件D. 触发型器件2、晶闸管不具有自关断能力，常称为( B )A. 全控型器件B. 半控型器件C. 触发型器件D. 自然型器件3、晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（C）。

A 分流，B 降压，C 过电压保护，D 过电流保护。

4、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（C）。

A 分流，B 降压，C 过电压保护，D 过电流保护。

5、功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止6、变压器一次侧接入压敏电阻的目的是为了防止（C）对晶闸管的损坏。

A 关断过电压，B 交流侧操作过电压，C 交流侧浪涌。

7、晶闸管变流装置的功率因数比较（B）。

A 高，B 低，C 好。

8、.电力晶体管的三个引出电极分别是（D）A.阳极、阴极、门极B.阳极、阴极、栅极C.栅极、漏极、源极D.发射极、基极、集电极9、下面给出的四个图形符号，哪个是可关断晶闸管的图形符号（）10、下面四个电力电子器件中，属于全控型电力电子器件的是（）A．二极管B．晶闸管C．功率晶体管D．逆导晶闸管11、.可关断晶闸管（GTO）是一种（）结构的半导体器件。

A.四层三端B.五层三端C.三层二端D.三层三端12、电力晶体管（GTR）是一种__________结构的半导体器件。

( )A.四层三端B.五层三端C.三层二端D.三层三端13、它的控制极具有电压驱动型器件特点，管子导通时管压降也较低的器件是( )A. SCRB. GTRC. IGBTD. MOSFET14、四种电力半导体器件的电路符号如图所示，表示IGBT器件的电路符号是( D )。

15、在下列器件中，不存在二次击穿现象的功率半导体器件是( A )。

A. SCRB. MOSFETC. GTRD. IGBT四、简答题1、达林顿GTR管和单管GTR的主要区别是什么？单管GTR的电流增益低；达林顿GTR管是有两个或多个晶体管复合而成，电流增益高（A）2、电力晶体管有几个区？各有什么特点？放大区：放大区的特点是发射结正偏，集电结反偏。

截止区：截止区的特点是发射结，集电结反偏。

饱和区：饱和区的特点是发射结，集电结正偏3、什么是转移特性？转移特性是指功率场效应管的输入栅极电压与输出漏极电流之间的关系。

（B）4、功率场效应晶体管的主要参数？漏极击穿电压漏极连续电流和漏极峰值电流栅极击穿电压开启电压极间电容（B）5、功率MOSFET并联使用时应注意什么问题？（1）在每个栅极上串联一个小电阻、（2）在每一个栅极导线上套一个小磁环（3）必要时在漏极和源极之间接入数百皮法的小电容（4）尽可能降低驱动信号源的内阻。

6、分析电路的工作原理？光隔离式驱动电路3-1当输入信号为正时，光电晶体管导通，晶体管V1、V2、截止，功率场效应晶体管的栅极电容R6充电，功率场效应晶体管开通。

当输入信号为负时，光电晶体管截止，晶体管V1、V2、导通。

功率场效应晶体管关断。

五、绘图（A）1、画出晶闸管、双向晶闸管、可关断晶闸管的符号？2、绘制GTR 、功率MOSFET、绝缘栅双极晶体管符号。

3、绘制静电感应晶体管、MOS控制晶闸管、静电感应晶闸管的符号。