2010《半导体物理》期中试题解答(1)
8. 对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺 杂浓度，将导致 D 靠近Ei； A、Ec; B、Ev; C、Eg; D、EF。 9. 当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的 浓度为施主浓度的 C 倍； A、1; B、1/2; C、1/3; D、1/4. 10. 在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3, 磷为1015 cm-3，则该半导体为 B 半导体；其有效杂质浓度约 为 E 。 A. 本征; B. n型; C. p型; D. 1.1×1015cm-3; E. 9×1014cm-3
，
2(2 mnk0T )3/ 2 NC h3
又，
N
D
ND N D [1 f ( E )] E EF 1 2 exp( D ) k0T
Ec EF n0 Nc exp( ) k0T
Ec EF ND ) E EF k0T 1 2 exp( D ) k0T
半导体为N型半导体； P元素是施主； 多子是电子，空穴是少子； 室温下， ND=1016/cm3 >>ni=1.5×1010/cm3 半导体处于饱和电离区 16
2 i
n0 N D 10 /cm
3
p0 n /n0 2.2510 /cm
4
3
八、试论证非简并半导体在热平衡时 载流子浓度积与杂质浓度无关，而与 禁带宽度有关。
1 dE a v ( E2 E1 ) sin( ka ) h dk 2h
设一n型半导体导带电子的有效质量为m*n=mo,试证明 在300K时，使得费米能级EF=(EC+ED)/2的施主浓度为ND= 2NC。（设此时的施主的电离很弱，按非简并情况处理） 证明：在非简并条件下：
Ec EF n0 N c exp( ) k0T
EF
1 ( EC ED ), N D 2 N C 2
得证。
有一硅样品在温度为300k时，施主与受主的浓度差ND-NA=1014 cm-3,设杂质全部电离，已知该温度下导带底的有效状态密度NC =2.9×1019cm-3，硅的本征载流子浓度ni=1.5×1010cm-3,求 样品的费米能级位于哪里？ 解：由电中性条件可得:
ni 2 (1.86 1013 )2 p0 8.89 1012 cm3 n0 3.89 1010
所以，样品的电导率为：
q(n0 n p0 p )
1.6 1019 (3.89 1013 3800 8.89 1012 1800) 2.62 102 ( S / cm)
n0 ( ND N A ) p0
由题意可知，ni=1.5×1010cm-3, ND-NA=1014cm-3 故有：
ND N A ni p0
，可忽略p0,
所以
n0 ND N A 1014 cm3
n0 NC exp( EC EF ) k0T
导带电子浓度为：
六、简述N型半导体载流子浓度、费米
能级随温度变化的规律，并绘出 示意图，在图中标明所处温区。
n0
弱电离区
强电离区
过渡区
本征区
ND
ni
0
T N型半导体载流子浓度(多子n)随温度的变化情况
EF
EC
ED 弱电离区 强电离区 过渡区 本征区
Ei
T
N型半导体费米能级随温度的变化情况
七、室温下，在元素半导体Si中掺入 1016/cm3 P后，半导体为哪种极性半导 体？P元素是施主还是受主？此时半导 体的多数载流子和少数载流子分别是 什么？浓度分别是多少？(室温下，Si 的ni =1.5×1010/cm3)。
n0 n / p0 5.4310 (/ cm )
2 i 12 3
掺入硅：
ni<<NA，故该P型材料处于饱和电离区
po N A 10 (/ cm )
14 3
n0 n / p0 2.25 10 (/ cm )
2 i 6 3
2）半导体器件的稳定工作区应位于其饱和 电离区，以保证其载流子浓度稳定，因此应 选用掺杂的Si材料
3.
4. 5. 6.
7.电子在晶体中的共有化运动指的是电子在晶体各元胞对应点 出现的几率相同 的几率相同。 8. 硅的晶体结构和能带结构分别是 金刚石 型和 间接带隙型。
二、选择题
1. 在常温下，将浓度为1014/cm3 的As 掺入 Si半导体中，该半导体中起主要散射作用 的是 C 。 A. 杂质散射 B. 光学波散射 C. 声学波散射 D. 多能谷散射
所以，
NC 2.9 1019 EF EC k0T ln EC (0.026eV ) ln EC 0.327eV 14 n0 10
样品的费米能级位于导带底Ec下方0.327eV。
在半导体锗材料中，掺入施主杂质浓度ND=1014cm-3, 受主杂质 浓度NA=7×1013cm-3,设室温下本征锗的电阻率为60Ω.cm， 假设电子和空穴的迁移率分别为μn=3600cm2/Vs，μp=1800 cm2/Vs，如流过样品的电流密度为52.3mA/cm2, 求所加的电场 强度。 （提示：杂质完全电离，先求ni,由电中型条件和n0×p0=ni2 求n0和p0，再求电导率和电场）
3/ 2
N c NV e
3/ 2
2kTmdp NV 2 h2
而Nc、Nv均与杂质浓度无关，故浓度积只 与禁带宽度Eg有关。
九、一个晶格常数为a的一维晶体，其 电子能量E与波矢k的关系是：
ka E E1 ( E2 E1 ) sin ( E2 E1 ) 2
《半导体物理》 期中试题解答
微电子与固体电子学院
一、填空题
1. 2. 纯净半导体的霍尔系数 小 于0。若一种半导体材料的霍 尔系数等于0，则该材料的极性是 P 型。 电子在各能量状态上的分布服从 费米分布 的半导体 称为简并半导体，可以采用 波尔兹曼分布 近似描述的 半导体称为非简并半导体。 室温下本征Si的掺入杂质P后，费米能级向 导带 / Ec 移动，若进一步升高温度，费米能级向 Ei /本征费米能 级 / 禁带中心能级 /价带 移动。 半导体回旋共振实验用来测量载流子的 有效质量 。 重掺杂通常会使半导体的禁带宽度变 窄 。 金掺入半导体Si中是一种 深能级 杂质。
52.3mA / cm2 E 1.996 103 (mA. / cm) 2.62 102 / .cm E 1.996(V / cm) J
2. 下列哪个参数不能由霍尔效应实验确定 C 。 A. 迁移率 B. 载流子浓度 C. 有效质量m* D. 半导体极性 3. 重空穴指的是 D 。 A. 质量较大的原子组成的半导体中的空穴 B. 比电子质量大的空穴 C. 价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴 D. 价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴
S2-
Pb2+ S2-
S
Pb
S
Pb
S的间隙原子由于 电负性大，容易获 取电子，形成负电 中心，充当受主
S
Pb
S
五、 1）计算下面两种材料在室温下的载流 子浓度： （1）掺入密度为1014/cm3 B的锗材料； （2）掺入密度为1014/cm3 B的硅材料。 2）制作一种p-n结需要一种P型材料，工作 温度是室温（300K）, 试判断上面两种材 料中哪一种适用，并说明理由。 （在室温下，硅：ni=1.5×1010/cm3 锗： ni=2.4×1013/cm3）
2
讨论在这个能带中的电子，其有效质 量和速度如何随k变化。
dE a ( E2 E1 ) sin( ka ) dk 2
d E a ( E2 E1 ) cos(ka) 2 dk 2
2
2
d 2E 2h 2 * 2 m h / 2 2 dk a ( E2 E1 ) cos(ka)
三、设半导体有两个价带，带顶均在 k=0处且能量相等，带顶空穴有效质 m 量有以下关系： 1 2m2 ，试定性画 出两者的E-k关系图。
E
m1 2m2
k E1：重空穴 E2：轻空穴
d E2 d E1 2 2 2 dk dk
2
2
四、分析化合物半导体PbS中S的间隙 原子是形成施主还是受主？
解：
1 ni 1.86 1013 (1/ cm2 ) q(n p ) 60 1.6 1019 (3800 1800)
i
p0 N
D
n0 N
，
A
n0 p0 ni
2
n20 ( N A ND )n0 Ni 2 0
( N A N D )2 4ni 2 (N A ND ) n0 2 2 3 1010 4.78 1013 3.89 1013 (cm3 ) 2 2
4. 半导体中载流子迁移率的大小主要决定于 B 。 A. 复合机构 B. 散射机构 C. 能带结构 D. 晶体结构 5. 若某材料电阻率随温度升高而单调下降，该材 料是 A 。 A. 本征半导体 B. 杂质半导体 C. 金属 D. 杂质化合物半导体
6．以长声学波为主要散射机构时，电子的迁移率μn 与温度的 B 。 A. 平方成正比 B. 3/2次方成反比 C. 平方成反比 D. 1/2次方成正比 7. 公式 q / m* 中的 是载流子的 C 。
非简并半导体在热平衡时载流子浓度：
Ec EF Βιβλιοθήκη TEF Ev kTno Nc e
po NV e
浓度积
no p0 N c NV e N c NV e
2kTmdn Nc 2 2 h
Ec EF kT E E c V kT
e
EF EV kT Eg kT
半导体物理试卷解答
物理学院《半导体物理》试卷一、名词解释（3’Ｘ10）1空穴：价带顶电子激发到导带底后带顶附近出现的空的量子态称为空穴。
波矢k态未被电子占据时，其它所有价带电子的导电行为，等效于一个带正电荷e，具有正有效质量m p 的准粒子的导电行为。
2间接带隙半导体：导带底与价带顶在不同k方向。
或间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和价带最大值（价带顶）在k空间中不同位置。
3. 施主杂质、施主能级：解：施主杂质：Ⅴ族原子向晶体提供多余不配对电子（电子可动），并同时成为带正电离子（不可动正电中心）的杂质。
或是在硅中掺入V族元素杂质（如磷P，砷As，锑Sb等）后，这些V族杂质替代了一部分硅原子的位置，但由于它们的外层有5个价电子，其中4个与周围硅原子形成共价键，多余的一个价电子便成了可以导电的自由电子，这样一个V族杂质原子可以向半导体硅提供一个自由电子而本身成为带正电的离子，把这种杂质称为施主杂质；若在硅中掺入III族元素杂质，（如硼B，铝Al，镓Ga，铟In等），这些III族杂质原子在晶体中替代了一部分硅原子的位置，由于它们的最外层只有3个价电子，在与硅原子形成共价键时产生一个空穴，这样一个III族杂质原子可以向半导体硅提供一个空穴，而本身接受一个电子成为带负电的离子，把这种杂质称为受主杂质。
4缺陷能级杂质能级解：实际半导体材料晶格中，存在着偏离理想情况的各种现象。
(1) 原子并不是静止在具有严格周期性的晶格的格点位置上，而是在其平衡位置附近振动；(2)半导体材料并不是纯净的，而且含有若干杂质，即在半导体晶格存在着与组成半导体材料的元素不同的其它化学元素的原子；(3)实际的半导体晶格结构并不是完整无缺的，而存在着各种形式的缺陷。
（a）点缺陷，如空位，间隙原子；（b）线缺陷，如位错；（c）面缺陷，如层错，多晶体中的晶粒间界等。
由于杂质和缺陷的存在，会使严格按周期性排列的原于所产生的周期性势场受到破坏，有可能在禁带中引入允许电子具有的能量状态（即能级）--------杂质能级、缺陷能级。
中山大学半导体物理2010级其中考试试卷-标准答案
第三能级上电子的有效质量的大小mn*
（4）k=1/2a和k=0时，能级I与II 和能级II与III
之间发生的跃迁需要能量最小。
2、画图描述下列问题（15分）
(1) 能带图中，标出下列能级的通常位置（为避免出现错误可填加必要的说明）
（a）征费米能级 (b) ED-施主能级 （c）EA-受主能级
EA(k) =E(0)+h2k2/2m*=EI(0)+h2/32mI*
EB(k) =E(0)+h2k2/2m*=EII(0)+h2/32mII*
EC(k) =E(0)+h2k2/2m*=EIII(0)+h2/32mIII*
(2) mI*>0, mIII*>0, mII*<0
在k=0处，II带上的有效质量最小
（A）0 （B） （C） （D）
（5） 流过x=x1处，空穴的漂移电流密度JEp为： （ B ）
（A）0 （B） （C） （D）
二、论述题：(30分，每题15分)
1．一维晶格能量E与波矢k的关系如图所示。分别讨论下列问题：
（1）假设电子能谱和自由电子一样，写出与简约 波 矢k=1/4a对应的A（第I能带），B (第II能带)和 C (第III能带)三点处的能量E。
(d) ET-产生-复合能级 （e）EF-对应于简并掺杂的p型材料
(2) 用能带图，画出温度分别为300K、40K和0K时，位于施主能级上电子冻结过程的示意图像.
(3) 使用价键模型，画出施主的物理图像.
(4) 画出p型掺杂的硅半导体中，载流子浓度和费米能级的位置随温度的变化曲线.
(5) 画出表面电势为正时，在N型半导体内的费米能级，并说明该表面是电子势阱还是电子势垒.
半导体物理试题及答案
半导体物理试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间，这是由于（）。
A. 半导体的原子结构B. 半导体的电子结构C. 半导体的能带结构D. 半导体的晶格结构答案：C2. 在半导体中，电子从价带跃迁到导带需要（）。
A. 吸收能量B. 释放能量C. 吸收光子D. 释放光子答案：A3. PN结形成的基础是（）。
A. 杂质掺杂B. 温度变化C. 压力变化D. 磁场变化答案：A4. 半导体器件中的载流子主要是指（）。
A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 光子答案：C5. 半导体的掺杂浓度越高，其导电性能（）。
A. 越好B. 越差C. 不变D. 先变好再变差答案：A二、填空题（每题2分，共20分）1. 半导体的导电性能可以通过改变其________来调节。
答案：掺杂浓度2. 半导体的能带结构中，价带和导带之间的能量差称为________。
答案：带隙3. 在半导体中，电子和空穴的复合现象称为________。
答案：复合4. 半导体器件中的二极管具有单向导电性，其导通方向是从________到________。
答案：阳极阴极5. 半导体的PN结在外加正向电压时，其内部电场会________。
答案：减弱三、简答题（每题10分，共30分）1. 简述半导体的掺杂原理。
答案：半导体的掺杂原理是指通过向半导体材料中掺入少量的杂质元素，改变其电子结构，从而调节其导电性能。
掺入的杂质元素可以是施主杂质（如磷、砷等），它们会向半导体中引入额外的电子，形成N型半导体；也可以是受主杂质（如硼、铝等），它们会在半导体中形成空穴，形成P型半导体。
2. 描述PN结的工作原理。
答案：PN结是由P型半导体和N型半导体结合而成的结构。
在PN结中，P型半导体的空穴会向N型半导体扩散，而N型半导体的电子会向P型半导体扩散。
由于扩散作用，会在PN结的交界面形成一个内建电场，该电场会阻止更多的载流子通过PN结。
半导体物理参考习题和解答
复习思考题与自测题第一章1.原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同, 原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同。
答：原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子云的形式存在，没有一个固定的轨道；而晶体中的电子是在整个晶体内运动的共有化电子，在晶体周期性势场中运动。
当原子互相靠近结成固体时，各个原子的内层电子仍然组成围绕各原子核的封闭壳层,和孤立原子一样;然而，外层价电子则参与原子间的相互作用，应该把它们看成是属于整个固体的一种新的运动状态。
组成晶体原子的外层电子共有化运动较强，其行为与自由电子相似，称为准自由电子，而内层电子共有化运动较弱，其行为与孤立原子的电子相似。
2.描述半导体中电子运动为什么要引入"有效质量"的概念, 用电子的惯性质量描述能带中电子运动有何局限性。
答：引进有效质量的意义在于它概括了半导体内部势场的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及半导体内部势场的作用。
惯性质量描述的是真空中的自由电子质量，而不能描述能带中不自由电子的运动，通常在晶体周期性势场作用下的电子惯性运动，成为有效质量3.一般来说, 对应于高能级的能带较宽,而禁带较窄,是否如此，为什么？答：不是，能级的宽窄取决于能带的疏密程度，能级越高能带越密，也就是越窄；而禁带的宽窄取决于掺杂的浓度，掺杂浓度高，禁带就会变窄，掺杂浓度低，禁带就比较宽。
4.有效质量对能带的宽度有什么影响，有人说:"有效质量愈大,能量密度也愈大,因而能带愈窄.是否如此，为什么？答：有效质量与能量函数对于K的二次微商成反比，对宽窄不同的各个能带，1（k）随k的变化情况不同，能带越窄，二次微商越小，有效质量越大，内层电子的能带窄，有效质量大；外层电子的能带宽，有效质量小。
5.简述有效质量与能带结构的关系；答：能带越窄，有效质量越大，能带越宽，有效质量越小。
2010《半导体物理》期中试题解答
n0 n / p0 5.4310 (/ cm )
2 i 12 3
掺入硅：
ni<<NA，故该P型材料处于饱和电离区
po N A 10 (/ cm )
14 3
n0 n / p0 2.25 10 (/ cm )
2 i 6 3
2）半导体器件的稳定工作区应位于其饱和 电离区，以保证其载流子浓度稳定，因此应 选用掺杂的Si材料
3/ 2
N c NV e
3/ 2
2kTmdp NV 2 h2
而Nc、Nv均与杂质浓度无关，故浓度积只 与禁带宽度Eg有关。
九、一个晶格常数为a的一维晶体，其 电子能量E与波矢k的关系是：
ka E E1 ( E2 E1 ) sin ( E2 E1 ) 2
EF
1 ( EC ED ), N D 2 N C 2
得证。
有一硅样品在温度为300k时，施主与受主的浓度差ND-NA=1014 cm-3,设杂质全部电离，已知该温度下导带底的有效状态密度NC =2.9×1019cm-3，硅的本征载流子浓度ni=1.5×1010cm-3,求 样品的费米能级位于哪里？ 解：由电中性条件可得:
ni 2 (1.86 1013 )2 12 3 p0 8.89 10 cm n0 3.89 1010
所以，样品的电导率为：
q(n0 n p0 p )
1.6 1019 (3.89 1013 3800 8.89 1012 1800) 2.62 102 ( S / cm)
《半导体物理》 期中试题解答
微电子与固体电子学院
一、填空题
1. 2. 纯净半导体的霍尔系数 小 于0。若一种半导体材料的霍 尔系数等于0，则该材料的极性是 P 型。 电子在各能量状态上的分布服从 费米分布 的半导体 称为简并半导体，可以采用 波尔兹曼分布 近似描述的 半导体称为非简并半导体。 室温下本征Si的掺入杂质P后，费米能级向 导带 / Ec 移动，若进一步升高温度，费米能级向 Ei /本征费米能 级 / 禁带中心能级 /价带 移动。 半导体回旋共振实验用来测量载流子的 有效质量 。 重掺杂通常会使半导体的禁带宽度变 窄 。 金掺入半导体Si中是一种 深能级 杂质。
半导体物理学期中考试试卷
《半导体物理学》期中试卷一、填空题1、半导体中有和两种载流子，而金属中只有一种载流子。
2、根据量子统计理论，服从泡利不相容原理的电子遵从费米统计率，对于能量为E的一个量子态，被一个电子占据的概率()f E，表达式为。
3、半导体与导体最大的差别，半导体与绝缘体最大差别。
4、本征半导体定义为：；5、杂质原子进入材料体内有很多情况，常见的有两种，它们是杂质和杂质；通常小的杂质原子容易形成杂质，而具有与本体材料类似电子结构的杂质原子容易形成杂质；6、施主杂质电离后向带释放，在材料中形成局域的电中心；受主杂质电离后带释放，在材料中形成电中心。
7、半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是和。
前者在下起主要作用，后者在下起主要作用。
8、掺有某种杂质的半导体的载流子浓度和费米能级由和决定。
9、半导体材料我们有时把它们分为非简并半导体材料和简并半导体材料，差异在于。
10、热平衡时，半导体中电子浓度与空穴浓度之积为常数，它只与有关，而与、无关。
11、半导体的禁带宽度随温度的升高而__________；本征载流子浓度随禁带宽度的增大而__________。
12、半导体中浅能级杂质的主要作用是；深能级杂质所起的主要作用。
二、判断题1、与半导体相比，绝缘体的价带电子激发到导带所需要的能量比半导体的大。
（）2、砷化稼是直接能隙半导体，硅和锗是间接能隙半导体。
（）3、室温下，对于某n型半导体，其费米能级在其本征半导体的费米能级之下。
（）4、在热力学温度零度时，能量比F E小的量子态被电子占据的概率为100%，如果温度大于热力学温度零度时，能量比F E小的量子态被电子占据的概率为小于50%。
（）5、费米分布函数适用于简并的电子系统，玻耳兹曼分布函数适用于非简并的电子系统。
（）6、将Si掺杂入GaAs中，Si取代Ga则起施主杂质作用，若Si取代As则起受主杂质作用。
（）三、选择题1、下面说法正确的是。
A、空穴是一种真实存在的微观粒子；B、若半导体导带中发现电子的几率为0，则该半导体必定为本征半导体；C、稳态和平衡态含义是一样的；D、同一种半导体材料中，电子迁移率比空穴迁移率高。
半导体物理习题及问题详解
复习思考题与自测题第一章1.原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同, 原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同。
答：原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子云的形式存在，没有一个固定的轨道；而晶体中的电子是在整个晶体内运动的共有化电子，在晶体周期性势场中运动。
当原子互相靠近结成固体时，各个原子的内层电子仍然组成围绕各原子核的封闭壳层,和孤立原子一样;然而，外层价电子则参与原子间的相互作用，应该把它们看成是属于整个固体的一种新的运动状态。
组成晶体原子的外层电子共有化运动较强，其行为与自由电子相似，称为准自由电子，而内层电子共有化运动较弱，其行为与孤立原子的电子相似。
2.描述半导体中电子运动为什么要引入"有效质量"的概念, 用电子的惯性质量描述能带中电子运动有何局限性。
答：引进有效质量的意义在于它概括了半导体内部势场的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及半导体内部势场的作用。
惯性质量描述的是真空中的自由电子质量，而不能描述能带中不自由电子的运动，通常在晶体周期性势场作用下的电子惯性运动，成为有效质量3.一般来说, 对应于高能级的能带较宽,而禁带较窄,是否如此，为什么？答：不是，能级的宽窄取决于能带的疏密程度，能级越高能带越密，也就是越窄；而禁带的宽窄取决于掺杂的浓度，掺杂浓度高，禁带就会变窄，掺杂浓度低，禁带就比较宽。
4.有效质量对能带的宽度有什么影响，有人说:"有效质量愈大,能量密度也愈大,因而能带愈窄.是否如此，为什么？答：有效质量与能量函数对于K的二次微商成反比，对宽窄不同的各个能带，1（k）随k的变化情况不同，能带越窄，二次微商越小，有效质量越大，内层电子的能带窄，有效质量大；外层电子的能带宽，有效质量小。
5.简述有效质量与能带结构的关系；答：能带越窄，有效质量越大，能带越宽，有效质量越小。
半导体物理习题及解答
第一篇 习题 半导体中得电子状态1-1、 什么叫本征激发？温度越高，本征激发得载流子越多，为什么？试定性说明之。
1-2、 试定性说明Ge 、Si 得禁带宽度具有负温度系数得原因。
1-3、 试指出空穴得主要特征。
1-4、简述Ge 、Si 与GaAS 得能带结构得主要特征。
1-5、某一维晶体得电子能带为[])sin(3.0)cos(1.01)(0ka ka E k E --=其中E 0=3eV ，晶格常数a=5х10-11m 。
求：（1） 能带宽度；（2） 能带底与能带顶得有效质量。
第一篇 题解 半导体中得电子状态刘诺 编1-1、 解：在一定温度下，价带电子获得足够得能量（≥E g ）被激发到导带成为导电电子得过程就就是本征激发。
其结果就是在半导体中出现成对得电子-空穴对。
如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需得能量变小，将会有更多得电子被激发到导带中。
1-2、 解：电子得共有化运动导致孤立原子得能级形成能带，即允带与禁带。
温度升高，则电子得共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间得禁带相对变窄。
反之，温度降低，将导致禁带变宽。
因此，Ge 、Si 得禁带宽度具有负温度系数。
1-3、 解： 空穴就是未被电子占据得空量子态，被用来描述半满带中得大量电子得集体运动状态，就是准粒子。
主要特征如下：A 、荷正电：+q ；B 、空穴浓度表示为p （电子浓度表示为n ）；C 、E P =-E nD、m P*=-m n*。
1-4、解：（1）Ge、Si:a）Eg (Si：0K) = 1、21eV；Eg (Ge：0K) = 1、170eV；b）间接能隙结构c）禁带宽度E g随温度增加而减小；（2）GaAs：a）E g（300K）第二篇习题-半导体中得杂质与缺陷能级刘诺编2-1、什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？2-2、什么叫施主？什么叫施主电离？施主电离前后有何特征？试举例说明之，并用能带图表征出n型半导体。
半导体物理学试题及答案
半导体物理学试题及答案半导体物理学试题及答案(一) 一、选择题1、如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以( A )导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以( E )导电为主;如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以( C )导电为主。
A、本征B、受主C、空穴D、施主E、电子2、受主杂质电离后向半导体提供( B )，施主杂质电离后向半导体提供( C )，本征激发向半导体提供( A )。
A、电子和空穴B、空穴C、电子3、电子是带( B )电的( E );空穴是带( A )电的( D )粒子。
A、正B、负C、零D、准粒子E、粒子4、当Au掺入Si中时，它是( B )能级，在半导体中起的是( D )的作用;当B掺入Si中时，它是( C )能级，在半导体中起的是( A )的作用。
A、受主B、深C、浅D、复合中心E、陷阱5、 MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型( A )。
A、相同B、不同C、无关6、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是( B )。
A、变大，变小 ;B、变小，变大;C、变小，变小;D、变大，变大。
7、砷有效的陷阱中心位置(B )A、靠近禁带中央B、靠近费米能级8、在热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( D )，当温度大于热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( A )。
A、大于1/2B、小于1/2C、等于1/2D、等于1E、等于09、如图所示的P型半导体MIS结构的C-V特性图中，AB段代表( A)，CD段代表( B )。
A、多子积累B、多子耗尽C、少子反型D、平带状态10、金属和半导体接触分为：( B )。
A、整流的肖特基接触和整流的欧姆接触B、整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触C、非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触D、非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触11、一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t??后，其中非平衡载流子将衰减为原来的( A )。
[整理]半导体物理学习题解答
[整理]半导体物理学习题解答第⼀章习题1．设晶格常数为a 的⼀维晶格，导带极⼩值附近能量E c (k)和价带极⼤值附近能量E V (k)分别为：E c =0220122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V -=-+ 0m 。
试求：为电⼦惯性质量，nm a ak 314.0,1==π（1）禁带宽度;（2）导带底电⼦有效质量; （3）价带顶电⼦有效质量;（4）价带顶电⼦跃迁到导带底时准动量的变化解：（1）eVm k E k E E E k m dk E d k m kdk dE Ec k k m m m dk E d k k m k k m k V C g V V V c 64.012)0()43(0,060064338232430)(2320212102220202020222101202==-==<-===-==>=+===-+ 因此：取极⼤值处，所以⼜因为得价带：取极⼩值处，所以：在⼜因为：得：由导带：043222*83)2(1m dk E d mk k C nCsN k k k p k p m dk E d mk k k k V nV/1095.7043)()()4(6)3(25104300222*11-===?=-=-=?=-== 所以：准动量的定义：2. 晶格常数为0.25nm 的⼀维晶格，当外加102V/m ，107 V/m 的电场时，试分别计算电⼦⾃能带底运动到能带顶所需的时间。
解：根据：tkhqE f ??== 得qE k t -?=?sat sat 137192821911027.810106.1)0(1027.810106.1)0(----?=??--=??=??--=π补充题1分别计算Si （100），（110），（111）⾯每平⽅厘⽶内的原⼦个数，即原⼦⾯密度（提⽰：先画出各晶⾯内原⼦的位置和分布图）Si 在（100），（110）和（111）⾯上的原⼦分布如图1所⽰：（a ）(100)晶⾯（b ）(110)晶⾯（c ）(111)晶⾯补充题2⼀维晶体的电⼦能带可写为)2cos 81cos 87()22ka ka ma k E +-= （，式中a 为晶格常数，试求（1）布⾥渊区边界；（2）能带宽度；（3）电⼦在波⽮k 状态时的速度；（4）能带底部电⼦的有效质量*n m ；（5）能带顶部空⽳的有效质量*p m解：（1）由0)(=dk k dE 得 an k π= （n=0，±1，±2…）进⼀步分析an k π)12(+= ，E （k ）有极⼤值，214221422142822/1083.7342232212414111/1059.92422124142110/1078.6)1043.5(224141100cm atom a a a cm atom a a a cm atom a a ?==?+?+??==?? +?+?=?==?+-）：（）：（）：（222)mak E MAX=（ ank π2=时，E （k ）有极⼩值所以布⾥渊区边界为an k π)12(+=(2)能带宽度为222)()ma k E k E MIN MAX =-（ (3）电⼦在波⽮k 状态的速度)2sin 41(sin 1ka ka ma dk dE v -== （4）电⼦的有效质量)2cos 21(cos 222*ka ka mdkEd m n-==能带底部 an k π2=所以m m n 2*= (5)能带顶部 an k π)12(+=，且**n p m m -=，所以能带顶部空⽳的有效质量32*mm p =第⼆章习题1. 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？答：（1）理想半导体：假设晶格原⼦严格按周期性排列并静⽌在格点位置上，实际半导体中原⼦不是静⽌的，⽽是在其平衡位置附近振动。