nandflash命名规则大全(三星,海力士,美光)

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内存芯片命名规则解读

1. H yn ix SDRAM :HY57V281620ETP-HHY XX X XX XX X X HYNIX MEMORYPRODUCT FAMIL¥57 :SDRAMPROCESS & POWERSUPPLYV : VDD=3.3V & VDIX1=3.3VY : VDD^3.0V & VDDQ=3,0VU : VDD=2.5V & VDDQ=2.5VW : VDD-2.5V &甘DDQ二3 : Vt)D= L.BV B L VDDQ= l.SVDCNSITZ16 : 16M32 : 32M64 : &4M28 : UflM2A : 128M withTZSF56 : 256M5A : 256M with TCSR12 :512MORGANIZATION斗：X4g : x816 ；X1632 : X32#of BANK1 i 2Bdnk&2 :斗Banks XX X X X-XX XTEMPERATUREBlank : Com mere ia 1(01? -70T) E :Extended ('25r-S5D 1:Industrial (*40r-S6'C)SPEED5 : ZOOMHZ55 : 183MHzS : 166MHz7 : 143MHzK : PC13X CL2H : PC®,CL38 : 125MHzr ; FC100f CL2s : PC 100, CL310 : 100MHzPACKAGE MATERIALBLANK : NormalP: Lead freeH : Halogen freeR : Lead & Haloge n freePACKAGE TYPET : TSOPS : Stack Package [Hynix)K ；stack Package (M & T)J : Stack Package f Others)W : KGDPOWER CONSUMPTIONBLANK ; Normal PowerL : Low PowerS : Super Low PowerINTERFACE0 : LVTTL1 : SSTL_3DIE GENERATION Ichor Cheong-juBlank:1st Ger,H:1st Gen. A:2nd Gen.HA:2nd Gen. 0:3rd Gen,HB:3rd Gen. C:4th Gen.HC:抽Gen, D:Sth Gen.HG::Sth Gen. E:6th Gen.2. H yn ix DDRAM : H Y5DU56822BT-HHYXXXXXXXXXXXXXXXXIIYNIX MEMORYPRODUCE FAMILY5D : DD^ SDRAMs5P : DD^-DPROCESS & POWER SUPPLYV : VDD = 3 3V &HDOQ=2,5VU : VDD-2.5V & VDDQ-2.5VW 1 VDD-2.SV & VDDQ-L.aVS ；VDD^I.&V & VDDQ-1.8VDFNSITYXi RFFRFSHS464M, 4K Ref.6664亂2K. Ref.2812SM, 4K RflL56256M「SK Ref”12512M f 3K Ref.1G1G SK 树.ORGANIZATIONPACKAGEI JSOPQ : LQFPF :FBGAS : Stack PkG^Fynix)K : Stack PKG+(M&T)J : Stack PKG^omers)All DDR 5 DRAM 5 fol low above Fart Num be line System s wee nt HY5DV65152 27C-senes POWER CONSUMPTIONINTERFACE1 : SSTL_32 : SSTL_23 ：SSTL_lflBlank : NormalL : LOW PowerDIE GENERATIONBlank : LstGen,A : 2nd Gen.& : 3rd Gen.C : 4th Gen.1 E:industnal leyipeiTitUR:Extended leTiperatureSPEED 2t5 :375MH204DDR400 3-4-42& : 350MHz043IDDR400 3-3-3 3044nDR401 4-4-4 33 ；W0MH7D54DPIR533 4-4-4 36 : 275MHz055DDR533 5-5-5 4:J50MHI J DOR333斗3 : 233Mdz M DDR266 2-2-2晒：222MHs r IDDR266A5:2DOM-IZ H DDR266B65 : 183M-II:166M-I21DDR200PACKAGF MATFRTAIBlank : NormalP : Pbfr&eH : HdlogEn freeR : Pb & halogen free4 : x48 : xe16 : xie32 : x32# Of Bank1 ; 25anks2 : Banks3 ; DDankiT^iniwAturt13.SAMSUNG SDRAM: K4S561632H-UC75Sync DRAM Code lnformation(1/2)Last Updated : August 2006K 4 XXXXXXXX - XXXXXXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 1810. Generation M : 1st Generation A : 2nd Generation B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5in Generation E : 6th Generation F 7th Generation G : 8th Generation H 9th Generation 1:10th Generation K . 12lh Genera lion :11.12. Package 2 N : STSOP2 :T : TSOP2Li : TSOP2 (Lead-"ree) i V : STSOP2 (Lead-Free} 13. Temp, PowerC : Commercial, Normal ( 0^370 *C )；L : Commercial, Low ( Ot ； - 70 X ；)I: Industrial, Normal (-40 *85 D ! P : Industrial, Low ( -40 U - 85 9) E : Extended, Normal (-25 匸 * 85 匸) i N : Extended, Low ( 25Z - 85 X ：)-14^16. Speed (Wafer/Chip Biz / BGD : 00 } $ 50 : 5ns55 : 5.5ns j 60 : 6ns | 70 : 7 ns i 75:7 5ns, PC I33 80 : 8ns1. Memory (K)2. DRAM : 43. Small Classification S:SDRAM4-5. Density, Refresh 16 :16M t 2K/32ms 28 128M, 4K 64ms 51 :512M ?8K/64ms 50.256M, 8K 64H1S 64 J34M ?4K/64ms 1G: 1G. aKG4ms6-7 .Organization 04 ：x4 06 :x4 Stack 07 :x8 Stack 08 :x8 16 ：x16 32 :x32S. Bank 2 : 2 Banlk 3 ; 4 BurU9. IrUrfmc 创 VDD, VDDQ 2 : LVTTL. 3.3V r 3.3V L : ILVCMOS, 2 5V, 2.5V4.SAMSUNG DDRAM: K4H561638F-UCB3DDR SDRAM Code lnformation(1/2)Last Updated : August 2006K4XXXXXXXX 二XXXXXXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 181. Memory (K]2. DRAM: 43. Small Cla«*ificaticnH : DDR SDRAM46” Density, Refresh 28: 123Mb, 4K'64ms51 : 512 Mb, SK 64ms 56: 256Mb P 8K r64ms1G:1Gb, 8K/64ms2G ：2Gb, 8如msG^7. OrganizationOJ :x408:x816:X1632 : x3S06 : M Stack07 : x8 Stack8. Bank3 : ^BankInterface, VDD, VDDQ 8: SSTL 2, 2,5V, 2.5V 10. GenerationM : 1st GeneraticnA : 2nd GenerationB : 3rd GonorationC : 4th GenerationD : 5th GenerationE : 6th GonerationF : 7th Gererat onG : 8th GenerationH : 9th Generation 12. Package T： TSOP2U : TSOP2 I Lead Free )N : sTSOP2V : sTSOP2 ( Lead Free )G : FBGAZ : FEGA t Le^id Free13. Temp. PowerC : Commercial. Normal ・ 0匕FOPL : Commerciol, LowI: Industria, NormalP : Industnal, Low(Ot )(-40C 05C)(^01 - BE Y))14-16. Speed (Wafer Chip Biz/BCD: 00)CC : DDR4Q0 ( 200MHz © CL=3f 1RCD=3, tRP=3 ) B3 : DDR333 ( 166MHz @ CL=2 5 tRCD=3, tRP=3 ) M : DDR266 (133MHz @ CL=2, tRCDW tRP=2 ) A2 EDR266 ( 133MHz @CL=2. IRCD=3, tRP=3 ) E0 :DDR266 ( 133MHz @ CL=2.5 tRCD=3, tRP=3 )5.SPANSION: S29GL032M90TAIR30S20G 、阳 MW T A I HI 0L Packing Typ* 0 - T»y吉二 7'inch Tap? And 矗也 9-13-inch Tap* and R%---------- M «d«| N umbaiFil - ^'>16. V C , ^3O-J6V, h 巾诫試日曲却&5 鹽Mor 换恪出机1砧御 WP W 'AGG S V ILR2= M AA 怙 V cr =3.(i^ 3,6 V, U nrftxm wrtor fi^> ICQ IchM&ttaddws wstnr 卩心却胡伸的WP*：ACC=V|LR3= xSiiie,先」亍3 0-3.6 X Top bwt j«dor 如top two 问dr ・i* 詢加「* prabKt#d wh«riWP#>0C=V|LFM M 肉Jk*氐 %尹Q ・33、Bottwn bwtiidor 曲ic 已 b^n<v 1*0 add 冲即p 闻beebed 麻n WP ^ACCiV| L理能 KlE t Vcc-2.7 - 3甫 v €6-bdl FBGA, tep boot “Mor cMw * W4= K 16T V (JQ =2.7 *3.6 * S&bkll FBGA, bottom boot MCtcxW arrJ W4 日權 htcympHUt 畑曲*鬱M hi valkJ 谕 han-,fe<?1i wly------------------ T smp»r atur» Ran^aI - IrKiKtiial t-<rv ID +4■尹5-------------------------- P ackage Maierial SetA =曲Mid F = PI>F TB ®--------------------------------- P ackage TypeT = Thin Simsdl CXrlliria Packaf]^ (TSOP) Slsndand PinoulB - Fin^pilch B P II Grid Aney Hackege F m F“「t 初d BfllL-Grid M 紗 R JI *科*------------------------------------------ S peed OptionSee Prwd'ucr口r 总wde on 闫gm Q and V B I M I CombiiEdontE belcw--------- Devie* NijmlwrjDvteviprioH32 U ■淨 bit Ppfl&T Mod? Fl* eh Mnciry Mflrxjf9^tui?d icir*g NX 1 nm Mirror Bit™ Pioc&ii TeUinology, 3.0 Vi-lt- :-nk R?ftd,Program* Er*和T&b-le I. S29GL032M Ordering Option*S29GL032N90 T A I 01X PACK ING TYPE0 = Tea/2 = 7-inch Tape «nd Reel3 = 13-inch Tape and Reel --------- M ODEL NUMBER01 s M 8/X 16. V QQS V IQS 2.7-3 6 V. Unrtocm sector. WP 仰AGC = V tL protects highest addrewed sector 2 = x&/x 怡.s V QS 2.7 V. IWfocm sector. WP"A8 = pvot^cts lox 叙 acHr^s^d wclor 03 = x8/x 16, Vcc =27 - 3 6 V. Top boot sector. WP^'ACC = prolocts top Uo dddr^Md wctocs 04 = x8/x 16, V QQ = 2.7-3.6 V, Bottom bootsector, WR*/ACC = V|Lprotects ixrttcxn two addressed &ecfexs V1 = x&x 16, V^c = 2.7 - 3.6 V Vjo = 1 65 - 3.6 Uribcnn eector. WP*ACC = Vn pfotecls hi ghedsector V2 = x&/x 16. V QC = 2.7 -3.6 V Vio= 1.65 - 3.6 V, Uniform sector, WP^ACC = Y|L protectsaddressed sector---------------- T EMPERATURE RANGEI = lrdustrial(^0e Cto^ft5°C) ---------------------- PACK AGE MATERIA L SET A = Suif>tard(htote4)F = Pb ・Fw---------------------------- P ACKAGE TYPET ■ Thin Sn \All Outtn^ Package (TSOP) StAhdftrd PinoutB ■ Fint -pitch Bell-GrrtArray Pewka 旷 F ■ F^rtrfi«l B A II -Grid Army P M I CAO & ------------------------------------ S PEED OPTIONSee Product Sdecior Gude and Vfilid C^tnbnaitore (90«®0 ne, 11 «110 n®----------- DEYICE NUMBER/DESGRIPTIONS29GL032N32 Mejabit P»g?-IAxle* Flash Memory Manufeetiured using 110 rm MhrcxBiP ProoeessTechr»bgy. 9.0 Volt-coly R 心.Program, ard E IQMMoips1. Type 0is standard gdfgZw TSOPgG0 Z(电d inTypes 0 and3; BGAs can bepadredm 知w 0, 2, or 3.2. TSOPpAckpge o 祕6 pa&M 〃网naftv fro/n ar 如yparf number.3. BGA package making emits leading S29 and pecRMip fype teemoftiering pan numbet.4. Contact bca/ safes for o/aiiabiUfy Ibr Leaded •知 mo parts.Valid Combin&tiomV A M ConbinAtions list configurations ptann^d to be supported in glume tor this device. Consdt your local &ako office lo confirm availability ci specific valid axibinatfons and lo cheGk ca newly released Gcmbmaticfis.02 2PACKING TYPE 0 = Tray2 = 7-inch Tap 老 ad 3=13-inch Tape and R«lMODEL NUMBER01 = x&«x1 & Vg= V JQ = 2.7 — 3.G V, Uniform sector, WPdACC = % protects highest a<Hre^sed sector =xA^xIG. Vcc= Vi© =2.7-3.6 V, Uniform sector, WP*AGC = % protects lo ・wsiaUr^sscd wctor =x&*x1^ V Q ^= 5.7 —3.6 V, T>p boot sector, WP ・MCC =\7|^ protects top two addressed sectors =xflrtdG. V QC =2.7 -3.6 V, Bottom boot sector, WPWAGC =Y|L protects two acWre<s8iKl sectors =xl€y V QQ = 27 -3.6 V, Uniform sector, WP ・=V|L protects hi^ecst addressed sector =K 1& Vc*= 27 -3.6 V. Unifoimsector, WP ・=V|Lprotecte lowestacMfeesed $@cto«=K 8/X (§ V QQ =2.7-3.6V, V JQ = 1.65 - 3.6 V f Unitorm aectoc, WP*/ACC = Vg_ pfotecls highest addressed sector =V QQ = 27- 3.6 V, V|O = 1.6S ・ 3.6 V. UnW&nn ftwtor. WP-4/ACC = V L wtwb I CAM 削 Ml&z 輛 sector =Vcc s 2.7 -3.6 X ><10 = 1.66 - 3.6 V, Uniform sector. WP* =Y|L pr^ecto highest addfewe^l $ectx =xlG Vcc *2.7 ・ 3.G M V|(> = i 65 - 3.6 V. Umltorm<«tor. WP* =V|L pn>t4cte hwKt AddrM$«l swtorTEMPERATURE RANGE I = Incb&tr tai (-40°G to -f65e C)PACKAGE MATERIAL SET A = Standard i.Note 4) F = Pb-Free PACKAGE TYPET = Thin Small Outline Package (TSOP) Standard Pirout B = AriG-pitch EaM rd Array Pack age F = ForifiR Ball ・G 『id Array PackageSPEED OPTION&&& Predict SolectorGukte A M Malid Ccmbirwtions. (00 = 00 M . 11 = 110 ns)DEVICE NUMBERJDESCR1PTION S29GL064N, 64 Page-Mod* Fl»h MstnocyMftiuifAetu r «i using 1Wnm MirraBif 1 Procws Tichnol 咖 3.0 Wt-only Rxd, Prgwn, end ErwTable 7.1 S29GL064N Valid Combinations INote 4)S29GL064N Valid Combination*Package Detcripti^nDevice NumberOptwn Package ・ Material & Temperature Rm goModd Number Packing TypeS29GL064N9003,04,06,07TS048 (Mote 2) TSOP11 TFIV6.V7 9001,02 Q 2.3 (Ncxel)TS056(H^2) TSOP11 VI. V290 BFI 03,04 VBKCda (No(s3)Fin^-prtch BGA 90F 冋01. 02. 03, 04.LAA0&4»N C K€*3) Fortified BGA11VI. V2fk>a1. Type (fiss findard. Specify others as rdpuired; TSOPs can be peeked in Types 0 and 3: BGAs can he g 鈕d in 号阳0.2・<y 3. TSOFpQCkagQ rnanong omits poddng type dMignator from crd&ring pArtrvnt^r.BGA package tnarid^g omns i^adng S29 and pacing type afeaynaror from orcferirp pact number. Conner iocai ssCes fcx a/adatw 吟 for /ead-fram e parts.ce8 2 X07WV2V6V7Valid CombihationsValid Combinatois ist ocnfigurations planned to b4 supported 次 vdum© tor ihlg Consult your locel aekM olfce to confirm of specific valid con )tmafc>n$ wd b check on wmbinalk-ns.2 3. 4. S29GL0G4N 90 TSST39 VF 6402 ・70 XX XX 4CXXEXTKXTExx-nEnvironmental AttributeE1 = non・PbPackage ModifierK = 48 balls or leadsPackage TypeE = TSOP (typel f die up, 12mm x 20mm) B3 =TFBGA (6mm x 8mm, 0.8mm pitch) B1 =TFBGA (8mm x 10mm, 0.8mm pitch)Temperature RangeC = Commercial = 0°C to +70°CI = Industrial = -40°C to +85°CMinimum Endurance4 = 10,000 cyclesRead Access Speed70 = 70 ns90 = 90 nsHardware Block Protection1 = Bottom Boot-Block2 = lop Boot-BlockDevice Density160 = 16 Mbit320 = 32 Mbit640 = 64 MbitVoltageV = 2.7-3.6VProduct Series39 = Multi-Purpose Flash1. Envlronmental suffix “E" denotes non-Pb solder.SST non-Pb solder devices are “RoHS Complian仁。

常见内存芯片命名

常见内存芯⽚命名常见内存芯⽚命名三星（Samsung）内存具体含义解释：例：SAMSUNGK4S283232E-TC60 SDRAMK4H280838B-TCB0 DDRK4T51163QE-HCE6 DDR2K4B1G164E-HCE7 DDR3主要含义：第1位——芯⽚功能K，代表是内存芯⽚。

第2位——芯⽚类型4，代表DRAM。

9代表NAND FLASH第3位——芯⽚的更进⼀步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、T代表DDR2、B代表DDR3、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采⽤不同的刷新速率，也会使⽤不同的编号。

64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯⽚的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到⼀个内存条后就⾮常容易计算出它的容量。

例如⼀条三星DDR内存，使⽤18⽚SAMSUNGK4H280838B-TCB0颗粒封装。

颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）×16⽚/8bits=256MB（兆字节）。

注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，⼀个字节为8位则计算时除以8。

关于内存容量的计算，⽂中所举的例⼦中有两种情况：⼀种是⾮ECC内存，每8⽚8位数据宽度的颗粒就可以组成⼀条内存；另⼀种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。

各种品牌存储IC简单命名介绍

各种品牌存储IC简单命名介绍存储颗粒主要有这样的一些品牌：美国的Micron（美光）、德国的Infineon （英飞凌）；韩国的SAMSUNG（三星）、HY（现代）；日本的NEC（日本电气）、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(东芝)；台湾的EilteMT、ESMT （晶豪）、EtronTech（钰创）、Winbond（华邦）、Mosel（茂矽）、Vanguard （世界先进）、Nanya（南亚）。

有的品牌现在已经没有被采用了，只有在SDRAM时代采用过，有的品牌在DDR 时代采用的也不多了。

显存种类主要分SD和DDR两种，有时候，他们可以从编号上区分，DDR的可能会注明“D”，SDRAM的注明“S”或者其他字母。

另外主要从管角数量上来区分，以TSOP封装来说，SDRAM的管脚数量是27x2＝54，DDR 的管脚数量为33X2=66。

美光（Micron）图1 美光芯片颗粒美光是美国第一大、全球第二大内存芯片厂商，目前显卡厂商采用它显示芯片较少，它主要供应内存OEM商，下面用上图的实例对Micron（美光）颗粒编号的简单含义作介绍：MT——Micron的厂商名称。

48——内存的类型。

48代表SDRAM；46 代表DDR。

LC——供电电压。

LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

8M8——内存颗粒容量为8M。

A2——内存内核版本号。

TG——封装方式，TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

颗粒编号MT 48LC8M8A2 TG-75，从编号上的48很容易知道这是SDRAM颗粒，采用TSOP封装方式，速度为7.5ns，单颗粒为8M，位宽8bit。

亿恒（In fineon）图2 Infineon（亿恒）颗粒Infineon是德国西门子的一个分公司，它主要生产内存颗粒。

目前，Infineon在全球排名已经跃居为第四位，超过了韩国的Hynix。

三星电容命名规则

规格说明：CL=积层陶瓷电容03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520)05=0402(1005) 31=1206(3216) 43=1812(4532)10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750)14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220)电容容量用三位数表示，前面两位为有效数字，第三位为有效数字后"O"的位数如：105 = 10 00000 （单位pF）如果中间一位为R 则表示"."如：3R3 = 3.3pFA=常规产品钯/银/镍屏蔽/锡 100% N=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡100%G=常规产品铜/铜/镍屏蔽/锡 100% L=低侧面产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%A =阵列(2-元素) L =LICCB =阵列(4-元素) N =常规 P =自动 C=高频预留的用途第1页规格事例:I类符号EIA编码工作温度范围（℃）温度系数范围（ppm/℃）C C0G -55～+125 0±30P P2H -55～+125 -150±60R R2H -55～+125 -220±60S S2H -55～+125 -330±60T T2H -55～+125 -470±60U U2J -55～+125 -750±120L S2L -55～+125 -1000～+350II类符号EIA编码工作温度范围（℃）电容变化（?C%）A X5R -55～+85 ±15B X7R -55～+125 ±15X X6S -55～+105 ±22F Y5V -30～+85 -82～+22**系列TC电容步骤***第2页外型尺寸：特征.尺寸的大小从：从0402到2220；.PCB高可靠公差和高速自动芯片更换；.大电容范围；.大温度补偿和电压范围：从COG到Y5V和从6.3V到50V；.高可靠性性能；.高电阻端子金属；.表面贴装组件的带料和料盘尺寸表示图（值见下表）鈀 MLCC(MLCC=A鈀零件编码第12号).I类电容<10pF（I类。

nandflash及闪存命名规则大全（三星，海力士，美光等）U盘存储技术

nandflash及闪存命名规则大全（三星，海力士，美光等）U盘存储技术nandflash命名规则大全（三星，海力士，美光等）今天找三星闪存资料,发现了他的命名规则,发上来与大家分享下.三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下：1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed OneNandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack4~5. Density（注：实际单位应该是bit，而不是Byte）12 : 512M16 : 16M28 : 128M32 : 32M40 : 4M56 : 256M64 : 64M80 : 8M1G : 1G2G : 2G4G : 4G8G : 8GAG : 16GBG : 32GCG : 64GDG : 128G00 : NONE6~7. organization00 : NONE08 : x816 : x168. VccA : 1.65V~3.6VB : 2.7V (2.5V~2.9V)C : 5.0V (4.5V~5.5V)D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)E : 2.3V~3.6VR : 1.8V (1.65V~1.95V)Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)T : 2.4V~3.0VU : 2.7V~3.6VV : 3.3V (3.0V~3.6V)W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. "─"12. PackageA : COBB : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free)J : FBGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217)L : LGAM : TLGAN : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)R : TSOP2-RS : SMART MEDIAT : TSOP2U : COB (MMC)V : WSOPW : WAFERY : TSOP113. TempC : CommercialI : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)3 : Wafer Level 314. Bad BlockA : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 1~5 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately)【举例说明】K 9 G A G 0 8 U 0 M - P C B 01 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 1 5 16 17 18K9GAG08U0M 详细信息如下:1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)G : MLC Normal4~5. DensityAG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB)6. Technology0 : Normal (x8)7. Organization0 : NONE 8 : x88. VccU : 2.7V~3.6V9. Mode0 : Normal10. GenerationM : 1st Generation11. "─"12. PackageP : TSOP1 (Lead-Free)13. TempC : Commercial14. Customer Bad BlockB : Include Bad Block15. Pre-Program Version0 : None整体描述就是：K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8（即I/O是8位），大小是2GB（16Gb），TSOP1封装。

内存命名规则

内存条可以通过查看内存颗粒的型号来确认其容量大小。

下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。

三星内存颗粒目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。

由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。

三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。

这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。

编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。

64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit 的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit 的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。

例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。

颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。

注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。

(完整版)micron镁光nand命名规则

Standard NAND Flash Part Numbering SystemMicron's part numbering system is available at Standard NAND Flash*MT 29F 2G 08 A A A WP - xx xx xx xx ES : AMicron Technology Design Revision (shrink)A = 1st design revision1. Single-Supply Flash29F = Single-Supply NAND Flash Production Status29H = High Speed NAND Blank = ProductionES = Engineering samples2. Density QS = Qualification samples1G = 1Gb MS = Mechanical samples2G = 2Gb4G = 4Gb Operating Temperature Range8G = 8Gb Blank = Co mmercial (0°C to +70°C)16G = 16Gb ET = Extended (–40°C to +85°C)32G = 32Gb WT = Wireless (–25°C to +85°C)64G = 64Gb128G = 128Gb Block Option (Reserved for use)256G = 256Gb Blank = Standard device3. Device Width Flash Performance08 = 8 bits Blank = Full specification16 = 16 bits4. Speed Grade (MT29H Only)Classification 15 = 133 MT/s12 = 166 MT/s5. Mark Bit/cell Die RnBA SLC 1 1 Package CodeB SLC 2 1 WP = 48-pin TSOP I (CPL version) (Pb-free)C SLC 2 1 WC = 48-pin TSOP I (OCPL version) (Pb-free)D SLC 2 2 H1 = 100-ball VFBGA (Pb-free), 12 x 18 x 1.0E SLC 2 2 H2 = 100-ball TFBGA (Pb-free), 12 x 18 x 1.2F SLC 4 2 HC = 63-ball VFBGA, 10.5 x 13 x 1.0G SLC 4 2 C2 = 52-pad ULGA, 12 x 17 x 0.4 (use TBD)J SLC 4 + 4 2 + 2 C3 = 52-pad ULGA, 12 x 17 x 0.65K SLC 8 4 C4 = 52-pad VLGA, 12 x 17 x 1.0 (SDP/DDP/QDP) Z SLC 1 NA C5 = 52-pad VLGA, 14 x 18 x 1.0 (SDP/DDP/QDP)C6 = 52-pad LLGA, 14 x 18 x 1.47 (8DP, QDP, DDP)M MLC 1 1 C7 = 48-pad LLGA, 12 x 20 x 1.47 (8DP)N MLC 2 1 SWC = 48-pin Stacked TSOP (OCPL version) (Pb-free)P MLC 2 1 SWP = 48-pin Stacked TSOP (CPL version) (Pb-free)Q MLC 2 2R MLC 2 2 Generation (M29 only)/Feature SetT MLC 4 2 A = 1st set of device featuresU MLC 4 2 B = 2nd set of device features (rev only if different than 1st set)V MLC 4 + 4 2 + 2 C = 3rd set of device features (rev only if different) W MLC 8 4 D = 4th set of device features (rev only if different)Y MLC 8 4 etc.6. Operating Voltage RangeA = 3.3V (2.70–3.60V), VccQ 3.3V (2.70–3.60V)B = 1.8V (1.70–1.95V)C = 3.3V (2.70–3.60V), VccQ 1.8V (1.70–1.95V)*Contact Micron for help differentiating between standard andnext-generation NAND offerings。

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NAND Flash Code Information(1/3)Last Updated : August 2009K9XXXXXXXX - XXXXXXX11. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 3 : 4bit MLC Mono 4 : SLC 4 Chip XD Card 5 : MLC 1 Chip XD Card 6 : MLC 2 Chip XD Card 7 : SLC moviNAND 8 : MLC moviNAND 9 : 4bit MLC ODP A : 3bit MLC MONO B : 3bit MLC DDP C : 3bit MLC QDP F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP O : 3bit MLC ODP P : MLC ODP Q : SLC ODP R : MLC 12-die stack S : MLC 6 Die Stack T : SLC SINGLE (S/B) U : MLC 16 Die Stack W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 32 : 32M 64 : 64M 2G : 2G AG : 16G DG : 128G GG : 384G NG : 96G23456789 10 11 12 13 14 15 16 17 186. Technology 0 : Normal (x8) C : Catridge SIP M : moviNAND P : moviMCP Z : SSD 7. Organization 0 : NONE 6 : x161 : Normal (x16) D : DDR N : moviNAND FAB T : Premium eSSD8 : x88. Vcc A : 1.65V~3.6V B : 2.7V (2.5V~2.9V) C : 5.0V (4.5V~5.5V) D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V) E : 2.3V~3.6V R : 1.8V (1.65V~1.95V) Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) T : 2.4V~3.0V S : 3.3V (3V~3.6V/ VccQ1.8V (1.65V~1.95V) U : 2.7V~3.6V V : 3.3V (3.0V~3.6V) W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE 9. Mode 0 : Normal 1 : Dual nCE & Dual R/nB 3 : Tri /CE & Tri R/B 4 : Quad nCE & Single R/nB 5 : Quad nCE & Quad R/nB 6 : 6 nCE & 2 RnB 7 : 8 nCE & 4 RnB 8 : 8 nCE & 2 RnB 9 : 1st block OTP A : Mask Option 1 L : Low grade 10. Generation M : 1st Generation A : 2nd Generation B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5th Generation E : 6th Generation Y : 25th Generation Z : 26th Generation16 : 16M 40 : 4M 80 : 8M 4G : 4G BG : 32G EG : 256G HG : 512G ZG : 48G28 : 128M 56 : 256M 1G : 1G 8G : 8G CG : 64G FG : 256G LG : 24G 00 : NONE-1-Part Number DecoderNAND Flash Code Information(2/3)Last Updated : August 2009K9XXXXXXXX - XXXXXXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 1814. Customer Bad Block B : Include Bad Block D : Daisychain Sample K : Special Handling L : 1~5 Bad Block N : ini. 0 blk, add. 10 blk S : All Good Block 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)11. "─" 12. Package 8 : TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free, CU) 9 : 56TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free, CU) A : COB B : FBGA (Halogen-Free, Lead-Free) D : 63-TBGA E : ISM (Lead-Free, Halogen-Free) F : WSOP (Lead-Free) G : FBGA H : BGA (Lead-Free, Halogen-Free) I : ULGA (Lead-Free) (12*17) J : FBGA (Lead-Free) K : ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (12*17) L : ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (14*18) M : 52-ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (13*18) P : TSOP1 (Lead-Free) Q : TSOP2 (Lead-Free) R : 56-TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free) S : TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free) T : WSOP (Lead-Free, Halogen-Free) U : COB (MMC) V : WSOP W : Wafer Y : TSOP1 Z : WELP (Lead-Free) 13. Temp C : Commercial I : Industrial S : SmartMedia B : SmartMedia BLUE 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)15. Pre-Program Version 0 : None Serial (1~9, A~Z)-2-Part Number DecoderNAND Flash Code Information(3/3)Last Updated : August 2009K9XXXXXXXX - XXXXXXX116. Packing Type - Common to all products, except of Mask ROM - Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately) Divide Component Packing Type TAPE & REEL Other ( Tray, Tube, Jar ) Stack Module MODULE TAPE & REEL MODULE Other Packing T 0 ( Number) S P M New Marking23456789 10 11 12 13 14 15 16 17 1817~18. Customer "Customer List Reference"-3-Part Number Decoderzhangshengheng@三星 flash 命名规则如何根据 Samsung 的 Nand Flash 的芯片型号(Part Number)读懂芯片详细信息 + 举例 K9GAG08U0M 说明【Samsung ：NAND Flash Code Information】三星的 NAND Flash Code Information： /global/business/semiconductor/productInfo.do?fmly_id=672&partnum=K9 GAG08U0M 中的 Part Number Decoder拷贝出来如下：NAND Flash Code Information1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 3 : 4bit MLC Mono 4 : SLC 4 Chip XD Card 5 : MLC 1 Chip XD Card 6 : MLC 2 Chip XD Card 7 : SLC moviNAND 8 : MLC moviNAND 9 : 4bit MLC ODP A : 3bit MLC MONO B : 3bit MLC DDP C : 3bit MLC QDP F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP O : 3bit MLC ODP P : MLC ODP Q : SLC ODPzhangshengheng@R : MLC 12-die stack S : MLC 6 Die Stack T : SLC SINGLE (S/B) U : MLC 16 Die Stack W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density（注：实际单位应该是 bit，而不是 Byte） 12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M 32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M 64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G 2G : 2G 4G : 4G 8G : 8G AG : 16G BG : 32G CG : 64G DG : 128G EG : 256G FG : 256G GG : 384G HG : 512G LG : 24G NG : 96G ZG : 48G 00 : NONE 6. Technology 0 : Normal (x8) 1 : Normal (x16) C : Catridge SIP D : DDR M : moviNAND N : moviNAND FAB P : moviMCP T : Premium eSSD Z : SSD 7. Organization 0 : NONE 8 : x8 6 : x16 8. Vcc A : 1.65V~3.6V B : 2.7V (2.5V~2.9V) C : 5.0V (4.5V~5.5V) D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V) E : 2.3V~3.6V R : 1.8V (1.65V~1.95V) Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) T : 2.4V~3.0V S : 3.3V (3V~3.6V/ VccQ1.8V (1.65V~1.95V) U : 2.7V~3.6V V : 3.3V (3.0V~3.6V) W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE 9. Mode 0 : Normal 1 : Dual nCE & Dual R/nB 3 : Tri /CE & Tri R/B 4 : Quad nCE & Single R/nB 5 : Quad nCE & Quad R/nB 6 : 6 nCE & 2 RnB 7 : 8 nCE & 4 RnB 8 : 8 nCE & 2 RnB 9 : 1st block OTP A : Mask Option 1 L : Low grade 10. Generation M : 1st Generation A : 2nd Generationzhangshengheng@B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5th Generation E : 6th Generation Y : 25th Generation Z : 26th Generation 11. "─" 12. Package 8 : TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free, CU) 9 : 56TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free, CU) A : COB B : FBGA (Halogen-Free, Lead-Free) D : 63-TBGA E : ISM (Lead-Free, Halogen-Free) F : WSOP (Lead-Free) G : FBGA H : BGA (Lead-Free, Halogen-Free) I : ULGA (Lead-Free) (12*17) J : FBGA (Lead-Free) K : ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (12*17) L : ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (14*18) M : 52-ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (13*18) P : TSOP1 (Lead-Free) Q : TSOP2 (Lead-Free) R : 56-TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free) S : TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free) T : WSOP (Lead-Free, Halogen-Free) U : COB (MMC) V : WSOP W : Wafer Y : TSOP1 Z : WELP (Lead-Free) 13. Temp C : Commercial I : Industrial S : SmartMedia B : SmartMedia BLUE 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code) NAND Flash Code Information(2/3) K 9 X X X X X X X X - X X X X X X X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 14. Customer Bad Block B : Include Bad Block D : Daisychain Sample K : Special Handling L : 1~5 Bad Block N : ini. 0 blk, add. 10 blk S : All Good Block 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionzhangshengheng@handling code) 15. Pre-Program Version 0 : None Serial (1~9, A~Z) 16. Packing Type - Common to all products, except of Mask ROM - Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately17~18. Customer "Customer List Reference" 【举例说明】 K 9 G A G 0 8 U 0 M P C B 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 K9GAG08U0M 详细信息如下: 1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) G : MLC Normal 4~5. Density AG : 16G (Note: 这里单位是 bit 而不是 byte，因此实际大小是 16Gb=2GB) 6. Technology 0 : Normal (x8) 7. Organization 0 : NONE 8 : x8 8. Vcc U : 2.7V~3.6V 9. Mode 0 : Normal 10. Generation M : 1st Generation 11. "─" 12. Package P : TSOP1 (Lead-Free) 13. Temp C : Commercialzhangshengheng@14. Customer Bad Block B : Include Bad Block 15. Pre-Program Version 0 : None 整体描述就是： K9GAG08U0M 是，三星的 MLC Nand Flash，工作电压为 2.7V~3.6V，x8（即 I/O 是 8 位），大小是 2GB （16Gb），TSOP1 封装。