磁控溅射台技术参数
磁控溅射仪主要技术指标

磁控溅射仪主要技术指标
真空室尺寸:视窗不锈钢真空室,Ф200 x200mm
真空系统:配置涡轮分子泵、机械泵(带防返油过滤器)
极限压力:≤1.0 x 10-5Pa
恢复真空时间:恢复工作背景真空6×10-4Pa:35分钟左右(充干燥氮气)
磁控靶组件:配置两个直径2英寸溅射靶枪,带独立挡板,共焦溅射,可以溅射小于等于4英寸的工件;有一个靶枪为磁场增强型,可以溅射厚度不小于3mm的Ni靶材;直流电源和射频电源可以自动切换到两个靶枪实现直流和射频溅射;4英寸工件溅射均匀性优于±5%;溅射重复性优于±3%。
样品尺寸:≤4 inches (约100mm)
运动方式: 0~20RPM
气路系统:配置两路进气,采用知名品牌流量计控制(最大流量50sccm)
计算机控制系统:触摸屏控制系统,可以在触摸屏上实现所有设备操作。
磁控溅射ti的工艺参数

磁控溅射ti的工艺参数嘿,朋友!咱们今天来聊聊磁控溅射 Ti 的工艺参数,这可是个相当有趣又重要的话题哟!你知道吗,磁控溅射 Ti 就像是一场精心编排的舞蹈,而工艺参数就是指挥这场舞蹈的节拍和旋律。
先来说说溅射功率。
这玩意儿就好比是舞者的力量,功率越大,溅射出的粒子就像充满活力的舞者,跳得更高、更远,沉积的速度也就越快。
但要是功率太大了,那可就像舞者用力过猛,容易出现“乱了阵脚”的情况,导致薄膜质量下降。
所以,控制好溅射功率,那可是关键中的关键呐!再讲讲工作气压。
它就像是舞台上的氛围,气压合适,粒子们就能在“舞台”上有序地表演,形成均匀、致密的薄膜。
要是气压太低,粒子们就像在空旷的舞台上找不到伙伴,孤单又迷茫;气压太高呢,它们又像在拥挤的人群中挤来挤去,乱成一团。
你说这是不是很有趣?还有靶基距。
这相当于舞者和观众的距离。
距离适中,观众能欣赏到精彩的表演,也就是能得到质量良好的薄膜。
距离太近,就像观众贴到舞者跟前,会影响表演效果;距离太远,观众又看不清楚,薄膜的质量也就难以保证啦。
至于溅射时间,那就是舞蹈的时长。
时间短了,薄膜还没成型,就像舞蹈刚刚开场就结束,能精彩吗?时间太长,又可能会出现过度沉积,就像舞者跳得太久累得不行,影响整体效果。
还有靶材的纯度,这可关乎着“舞者”的出身。
纯度高的靶材,就像出身名门的舞者,基础好,表演自然精彩;纯度低的靶材,就像半路出家的舞者,总会有些小瑕疵。
温度也是个重要的参数。
它就像舞台的温度,合适的温度能让舞者发挥得更好,让粒子们更活跃,形成的薄膜性能也就更优越。
总之,磁控溅射 Ti 的工艺参数就像是一场精妙的交响乐,每个参数都是一个独特的音符,只有相互协调,才能演奏出美妙的乐章,得到理想的薄膜。
所以,在实际操作中,咱们可得像个经验丰富的指挥家,精心调整每个参数,让这场“磁控溅射之舞”完美呈现!。
磁控溅射设备说明书教材

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磁控溅射镀膜机等设备技术参数

磁控溅射镀膜机/电子束蒸发镀膜仪技术参数一、电子束蒸发镀膜仪技术要求:1. 整机需采用柜式一体化集成封闭结构。
高压强电系统需密封在柜内。
2. 镀膜技术:采用高真空电子束镀膜和电阻式热蒸发镀膜两种技术。
3. 电子枪及热蒸发源:3.1)1台E型电子枪(功率≥8KW)3.2)四穴水冷坩埚(无氧铜材料)。
与基片的距离必须350~400mm可调。
3.3)3套水冷电极柱3.4)3套电阻热蒸发源3.5)4套挡板。
4. 真空腔体:4.1)需用真空专用奥氏体,304不锈钢。
立式D形前开门结构;4.2)真空室内外全部电化学抛光。
4.3)必须预留膜厚仪接口及两个CF35接口;4.4)腔体上要有≥Φ100mm观察窗,需配不锈钢挡板。
观察窗。
4.5)极限真空≤8×10-5Pa4.6)不锈钢金属波纹管路,真空规管用金属规,需用微机型复合真空计。
5. 真空系统:真空系统需采用分子泵(抽速≥1200L/S)+机械泵真空机组(抽速≥8L/S)。
6. 控制系统:采用PLC控制。
同时具有手动操控方式和半自动运行方式。
7. 电源系统:恒流,0~300A,可控可调。
能在三套热蒸发源之间切换使用。
8. 基片台:8.1)需配1套尺寸不小于Ф200mm可水冷样品台。
8.2)4块独立挡板,可通过磁控拉杆独立控制4部分区域镀膜;8.3)基片转速2~20转/分,可控可调。
基片台可旋转、可升降。
9. 膜厚仪:四通道,分辨率≥0.1埃;至少配1支水冷膜厚探头。
10. 水冷系统:需配1台循环制冷恒温水箱,确保能满足冷却要求。
11. 动力气源:需配1台低噪声气泵,确保系统能正常工作。
12. 安全及报警系统:具有完善的真空互锁及保护系统,对泵、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况报警并执行相应保护措施。
至少配6台水流流量计,观察窗必须加装铅玻璃和滤光片。
二、磁控溅射镀膜机技术要求:1. 整机需采用柜式一体化集成封闭结构。
高压强电系统需密封在柜内。
2. 镀膜形式:三个磁控溅射靶向心溅射镀膜。
高真空磁控溅射仪技术参数

高真空磁控溅射仪技术参数1用途该系统适用于实验室制备金属单质、氧化物、介电质、半导体膜、电极材料等。
2 工作条件2.1环境温度: 0 —40℃;2.2相对湿度: 20-50%;2.3适用电源规格:380V(AC),50。
3 技术参数3.1真空腔室采用前开门,选用优质不锈钢,牌号不低于304★3.2 前级机械泵:抽速不小于8.3L/s★3。
3 复合分子泵:抽速不小于1300L/s;包含可控蝶阀★3.4 溅射室极限真空度≤8x10—6Pa(经烘烤除气后)3.5系统真空检漏漏率≤5x10—7Pa.l/S★3。
6系统停泵关机12小时后真空度≤6Pa3.7 反磁控皮拉尼真空计★测试范围: 10—9mbar至1000mbar精度:不超过±30%可重复性:不超过±5%反应时间:P10-6mbar:小于10毫秒3.8电容膜片真空计测试范围:10—2Pa至102Pa精度:0。
2%分辨率:0。
003%压强最大:260KPa反应时间:不超过30毫秒温度效应:在满量程:0.01%读值/℃3.9配备三靶溅射系统,含一个强磁靶。
靶大小为60mm或3英寸,XX靶可/顺次/共同工作,电源和靶可自动切换,XX靶含旋转气动控制挡板组件3.10 全自动匹配直流电源2台★功率输出:单输出 0~500W,最大可输出到500W输出电流: 0~1A模式:功率调节、电流调节或电压调节显示精度:小于实际输出值的0。
2%,或小于最大输出值的2%多级弧抑制及灭弧3。
11 ★全自动匹配射频溅射电源1套(包括600w射频电源、1000VA匹配器、射频电缆、数据电缆)频率:13.560M,误差不超过± 0。
005 %最大输出功率(W): 600W,50Ohm负载最小输出功率(W): 6W, 50Ohm负载反射功率极限(W): 小于200W射频输出接头:N-type(fem.)最低启辉气压:10—5Pa射频匹配器最大工作功率:1000W射频匹配器阻抗调节范围:-j220到j503。
磁控溅射系统基本技术要求

磁控溅射系统基本技术要求磁控溅射技术是一种常用的表面涂层技术,其主要应用于金属和陶瓷等材料的制备和涂装工艺。
该技术具有高效、环保、省能等优点,在航空、航天、电子、建材和汽车等领域得到广泛的应用。
以下是关于磁控溅射系统基本技术要求的介绍。
磁控溅射系统构成磁控溅射系统主要由以下几个部分组成:1.溅射源:是磁控溅射系统中最主要的组成部分,其目的是通过电弧或其他方法将目标材料加热,使其变成蒸汽或离子的形式,并将其喷射到表面上。
2.磁控装置:是系统中必要的部件,其作用是将带电的粒子引导到基底表面,并控制沉积厚度和成膜质量。
3.基底清洗装置:磁控溅射系统必备的组成部分之一,其作用是清洗基底表面,以确保良好的粘附质量并减轻表面缺陷。
4.惰性气体供应系统:惰性气体一般用于气氛控制和作为扩散气体。
主要供应氖气、氦气等。
5.辅助设备:如抽真空系统、高压直流电源、电极、调节装置等。
磁控溅射技术要求基底处理在进行磁控溅射涂装时,亲和力高、表面光洁度好、无油污和控制参量稳定的基底表面是必须的。
基底的表面光洁度和氧化状态均会影响后续的磁控溅射涂装工艺。
因此,应对基底表面进行一系列的清洗、去油、抛光、脱氧等处理工艺,以便使得其表面达到所要求的状况。
物质选择选择合适的溅射材料,对于保证磁控溅射涂装质量来说是至关重要的。
在进行溅射材料的选择时,应考虑其化学成分、物理特性、结构性能等因素,以便确保溅射材料能够满足工艺要求,并保证其与表面的粘附性。
溅射条件对于溅射条件的选择,其主要依据是溅射材料的物理性质和目标涂层的质量标准。
在溅射过程中,应对各项参量予以严格控制,如气氛、溅射电流、溅射功率、沉积速度等,以保证成膜速度、膜层厚度、颗粒大小等参数的准确控制和调节。
喷涂设备磁控溅射涂装设备应具有高度的自动化程度和稳定性,以确保溅射涂装的全过程不受外界因素的干扰。
在选购喷涂设备时,应根据溅射涂装工艺和工艺参数综合考虑设备的各项指标,如溅射功率、电子束束流密度、溅射效率、撞击速度、设备稳定性等因素。
2019年磁控溅射说明书-推荐word版 (8页)

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设备的密封采用金属密封与氟胶圈密封相结合的方式,电极采用陶封技术,运动采用金属焊接波纹管结构。
设备整体用优质不锈钢制造,系统可靠,运动灵活,定位准确。
1 设备的主要结构及介绍设备按外观结构可分为三部分,磁控溅射室、磁控靶、工作台如图(一)2.1磁控溅射室磁控溅射室由加热水冷样品架、真空获得及测量系统等组成。
如图(二)。
2.1.1 加热及其水冷样品台加热样品台安装在磁控溅射室的上方,采用陶瓷炉盘及高温炉丝盘制而成,升温与降温速度快,温度均匀性良好。
可加热到600℃,长时间在500℃条件下工作,控温精度±2℃。
水冷样品台可以和加热样品台更换使用,安装在磁控溅射室上方,采用不锈钢焊接而成,冷却效果良好。
(如图三)加热样品台(图三)水冷样品台2.1.2真空获得系统由2X—4B机械泵1台,620C分子泵(中科科仪KYKY 620C)1台,上海三井的100L离子泵一台,K-100扩散泵一台,CF150超高真空闸板阀1台,CF100超高真空闸板阀1台,CF35超高真空角阀1只。
通断蝶阀一只,KF40电磁真空阀3只,Ф32金属波纹管路3段,(总长6.5米)构成。
详见配套部分的《插板阀说明书》《110A分子泵说明书》《2XZ-4B机械泵使用说明书》,《三井离子泵使用说明书》2.1.3真空获得系统真空测量系统由测量规管和超高真空真空计组成。
该机配有KF电阻规、超高真空金属电离规。
详见《正华真空计说明书》。
2.2 磁控靶3寸磁控溅射靶,靶体采用无氧铜加工而成,无磁力干扰,磁场部分模拟,提高靶材利用率,内置水冷结构,保证靶材使用寿命,水冷结构特殊设计,抗污染能力强(建议还是要使用纯净水,水中的杂质太多,大大的缩短靶水道清洗的周期。
pvd 磁控溅射 参数

pvd 磁控溅射参数
PVD磁控溅射是一种先进的薄膜沉积技术,广泛应用于制备功能性薄膜和涂层。
在PVD磁控溅射过程中,通过控制一系列参数来实现对涂层性能的精确调控,这些参数包括溅射功率、溅射时间、气体流量、基底温度等。
首先,溅射功率是影响溅射速率和涂层成分的重要参数。
通过调节溅射功率,可以控制溅射材料的离子化程度和沉积速率,从而影响涂层的致密性和结晶度。
其次,溅射时间也是影响涂层厚度和成分均匀性的关键参数。
合理的溅射时间可以确保涂层的厚度均匀性和稳定性,同时避免过度溅射导致材料损耗过多。
此外,气体流量和基底温度也对涂层质量起着重要作用。
适当的气体流量可以调节沉积速率和涂层成分,而基底温度则影响涂层的结晶度和附着力。
综合来看,PVD磁控溅射参数的精确控制对于薄膜涂层的制备至关重要。
通过合理调节这些参数,可以实现对涂层微观结构、力
学性能和光学特性的精确调控,从而满足不同领域对于功能性涂层的需求。
随着技术的不断进步,PVD磁控溅射技术将在材料科学、电子器件、光学涂层等领域发挥越来越重要的作用。
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磁控溅射台技术参数
一、设备名称:磁控溅射台
二、采购数量:1台
三、技术参数及配置要求:
1.真空室:不锈钢真空室
2.极限真空:6.7×10-5 Pa(环境湿度≤55%);
3.真空室漏气率:≤5.0×10-7 Pa•L/s;
4.抽气速率:系统短时间暴露大气并充干燥N2开始抽气,溅射室30分钟可达到9.0×10-4 Pa;
5.真空室保压:系统停泵关机12小时后真空度:≤5Pa;
6.溅射材料:至少3inch向下兼容;各种金属、合金、化合物、陶瓷、超导、铁磁、铁电、热电、磁性材料薄膜
7.溅射靶:Φ60mm可弯曲磁控溅射靶三只(其中一只为强磁靶),上置安装,靶基距6~10cm范围内可调;
8.溅射不均匀性:≤±5%(共溅工位Φ75mm范围内,直溅工位Φ37.5mm范围内)
9.溅射室规格:内空容量≥0.1m3
10工件台旋转:中心工位自转,转速5~30rpm可调,
11样品加热:样品衬底可加热,共溅加热温度≥600℃,直溅三工位加热温度均达到≥400℃,多段控温模式,控温精度±1%,
12.载片量:Φ75mm 样片一片。
13.高效实验模式。
一炉可以完成不少于3次的相互无污染的独立工艺试验。
14.进口射频电源:600W,一台。
15.进口直流电源,1000W,一台。
16.偏压电源,一台。
17.质量流量控制器2台,气路三条Ar、O2、N2,并提供气体Ar、O2、N2各一瓶,以及相关减压阀。
18.复合分子泵,600升/秒,设备选用不低于中科科仪产品。
19.外企生产机械泵:8升/秒,设备选用不低于日本真空独资宁波爱发科产品。
20.超高真空插板阀。
21.自动压力控制系统,配套进口规管。
22.全自动控制系统,包括进口控制模块、工控机、控制软件。
23.配套循环冷却水机、静音空气压缩机。
24. 配套靶材7种:Al、Cu、Cr、Ti、Si、SiO2、Au(其中靶材Au为Φ60mm*3mm,纯度不低于99.99%,其他6种为Φ60mm*5mm,高纯)。
四、安装、售后及培训:
1、交货期:合同正式生效后30天内到货。
2、质保期:自验收之日起,仪器设备至少免费保修三年。
3、包含该设备运输,上楼搬运,所需气路实验室内部铺设。
仪器安装、验收:专业工程师提供免费的安装调试,并按照出厂指标验收。
4、培训:免费提供该仪器设备培训;提供本设备全套操作教学视频。