《模拟电子技术基础》基本概念复习题及答案
模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)
《模拟电子技术》复习试题一一、填空（每空1分，共20分）1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。
2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。
3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。
4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。
5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，T接成共基1组态，T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。
6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。
7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。
二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。
601.06===B C I I β， 985.01≈+=ββα （各1分，共2分）2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？R应如何接入？（在图中连接）f答：应接入电压串联负反馈（1分）R接法如图（1分）f（2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。
答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分）3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。
答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术基础试题及答案
一、在括号内用“√"或“×”表明下列说法是否正确.(1I)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( ）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ )(3）放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的;( )(4）电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；( ）（5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;（ )（6）由于放大的对象象是变化量,所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都豪无变化；（ )（7）只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。
（）【解答】 (1）×。
放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。
(2）√。
放大的特征就是功率的放大。
（3)×.应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。
(4）×。
．(5）√。
设置合适的静态工作点.(6）×。
任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。
(7）×。
二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由.设图中所有电对交流信号均可视为短路。
，【解答1 （a)不能。
因为输人信号被VBB所影响.（a）例1—-3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式？能否用判别晶体管的简易方法来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极？【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道, P沟道的场效应管，必须在UGs<0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点,而且会造成管子损坏。
‘而对于绝缘栅型效应管,由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能用测晶体管的办法来检测.对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极.自测题分析与解答一、判断下列说法是否正确，用“√’’和“×’’表示判断结果填人空内。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
模拟电子技术基本概念复习题与答案
《模拟电子技术基础》基本概念复习题一、判断题1、 凡是由集成运算放大器组成的电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
×2、 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算电路。
√3、 理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N = v P 。
×4、 当集成运放工作在闭环时，可运用虚短和虚断概念分析。
×5、 在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
×6、 在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。
√7、 温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。
√8、 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
×9、 因为P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。
×10、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
√ 11、稳压管工作在截止区时，管子两端电压的变化很小。
× 12、BJT 型三极管是电流控制型有源器件，基极电流i b 与集电极电流i c 的关系为c b i i β=。
×13、放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作。
√ 14、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。
× 15、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
× 16、 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
×17、共集电极电路没有电压和电流放大作用。
√ 18、共集放大电路无电压放大作用，但有功率放大作用。
√ 19、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
× 20、放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
× 21、射极输出器即是共射极放大电路，有电流和功率放大作用。
× 22、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
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《模拟电子技术基础》基本概念复习题一、判断题1、 凡是由集成运算放大器组成的电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
×2、 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算电路。
√3、 理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N = v P 。
×4、 当集成运放工作在闭环时，可运用虚短和虚断概念分析。
×5、 在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
×6、 在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。
√7、 温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。
√8、 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
×9、 因为P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。
×10、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
√ 11、稳压管工作在截止区时，管子两端电压的变化很小。
× 12、BJT 型三极管是电流控制型有源器件，基极电流i b 与集电极电流i c 的关系为c b i i β=。
×13、放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作。
√ 14、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。
× 15、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
× 16、 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
×17、共集电极电路没有电压和电流放大作用。
√ 18、共集放大电路无电压放大作用，但有功率放大作用。
√ 19、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
× 20、放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
× 21、射极输出器即是共射极放大电路，有电流和功率放大作用。
× 22、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
× 23、放大器的输入电阻是从输入端看进去的直流等效电阻。
× 24、输出电阻越大，放大电路带负载的能力越弱。
√25、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中，共射放大电路的输入电阻最小。
× 26、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中，共基放大电路的输出电阻最小。
× 27、阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，它只能放大交流信号。
√ 28、放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是耦合电容和旁路电容的影响。
× 29、场效应管也是一种由PN 结组成的半导体器件，是电流控制器件，沟道越宽电流越大。
×30、由MOSFET 管组成的放大电路中0G i 。
√ 31、在由耗尽型N 沟道MOSFET 管组成的放大电路中，若GS V 小于零，则i D ＝0。
× 32、若增强型N 沟道MOS 管的v GS 大于开启电压V T ，则输入电阻会明显变小。
× 33、N 沟道JFET 在正常工作时的v GS 不能大于零。
√ 34、耗尽型MOS 管在栅源电压u GS 为正或为负时均能实现压控电流的作用。
√ 35、 结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。
√36、耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式。
× 37、增强型MOS 管采用自给偏压时，漏极电流i D 必为零。
√ 38、 现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数为10000。
×39、通频带BW 等于放大电路的上限频率H f 和下限频率L f 的平均值。
× 40、集成运放内部第一级是差动放大电路，因此它有两个输入端。
√ 41、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
√ 42、集成运放内部是直接耦合的多级放大电路。
√ 43、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。
√ 44、共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。
× 45、 对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模输入交流通路中，长尾电阻R e 一概可视为短路。
×46、用电流源代替R e 后电路的差模电压放大倍数增加。
× 47、 带有理想电流源的差分放大电路，只要工作在线性范围内，不论是双端输出还是单端输出，其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比，而与两个输入端电压本身的大小无关。
√48、集成运放的输入失调电压V IO 是两输入端电位之差。
×49、反馈量仅仅决定于输出量。
√50、稳定输出电压，提高输入电阻应引入电压串联负反馈。
√51、若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。
×52、稳定输出电压，提高输入电阻应引入电压并联负反馈。
×53、任何实际放大电路严格说都存在某种反馈。
√54、反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。
×55、共集放大电路A u<1，电路不可能有反馈。
×56、单管共射放大电路通过电阻引入负反馈有可能产生自激。
×57、负反馈能扩大放大电路的通频带，因此在负反馈电路中可以用低频管代替高频管。
×58、负反馈可以抑制一切干扰。
×59、在深度负反馈条件下，A f＝1÷F与原来的A无关，所以可以任选管子。
×60、在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。
×61、由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作状态，所以微变等效电路已不再适用。
√62、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
√63、输入信号越大，非线性失真也越大。
交越失真属于非线性失真，因此，大信号时更为严重。
×64、乙类互补对称功率放大电路存在交越失真。
√65、功率放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。
×66、在OTL功放电路中,若在负载8Ω的扬声器两端并接一个同样的8Ω扬声器,则总的输出功率不变,只是每个扬声器得到的功率比原来少一半。
×67、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN管或都为PNP管时）才能组成复合管。
×68、复合管的类型取决于第一个管子的类型。
√69、复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积。
√70、只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。
×71、RC桥式振荡电路只要R f ≤2R1就能产生自激振荡。
×72、因为正反馈使放大器诸多的性能变坏，故在任何情况下放大器均不采用正反馈。
×73、比较器是模拟电路和数字电路的“接口”。
√74、在电压比较器中，其输出只有两种状态。
√75、在电压比较器中，集成运放一直处于非线性工作状态。
×76、为使电压比较器的输出电压不是高电平就是低电平，一般情况电路中使集成运放不是工作在开环状态，就是仅仅引入正反馈。
√77、单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。
×78、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使性能得到改善。
×79、放大电路的级数越多，引入的反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。
×80、一个理想对称的差分放大电路，能放大差模输入信号，也能放大共模输入信号。
×81、负反馈放大电路不可能产生自激振荡。
×82、正反馈放大电路有可能产生自激振荡。
√83、满足自激振荡平衡条件的反馈放大电路，就一定能产生正弦波振荡。
×84、凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。
×85、对于正弦波振荡电路，只要满足自激振荡的平衡条件，就有可能自行起振。
×86、石英谐振器相当于一个高Q值的RC电路。
×87、当只想要放大频率为10kHz以上的信号时，应采用带通有源滤波器。
√88、直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。
×89、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。
√90、整流的目的是将交流变为单向脉动的直流。
√91、滤波就是将正弦交流电压滤波为单向脉动电压。
×92、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。
√二、选择题1、关于理想运算放大器错误的叙述是( A )。
A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零B．输入信号为零时，输出处于零电位C．频带宽度从零到无穷大D．开环电压放大倍数无穷大2、集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是（A）。
A．反相输入端为虚地；B．输入电阻大；C．电流并联负反馈；D．电压串联负反馈。
3、欲将方波转换为三角波，应选用（ D ）。
A．反相比例运算电路B．同相比例运算电路C ．求和运算电路D ．积分运算电路4、 当温度下降高时，二极管的反向饱和电流将 （ ）。
A ．增大B ．不变C ．减少5、 P 型半导体主要靠（ B ）导电A ． 正电荷B ． 空穴C ．自由电子D ．负电荷6、 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ C ）。
A ．温度B ．掺杂工艺的类型C ．杂质浓度D ．晶体中的缺陷7、 PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ A ）。
A ．变窄B ．基本不变C ．变宽D ．不定8、 外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ A ）。
A ． 增大B ． 减小C ． 不变9、 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（ A ）。
A ． 大B ． 小C ． 相等10、 对于稳压二极管，它正常工作时是处于（ B ）状态。
A ． 正向导通B ． 反向击穿C ． 截止D ．随外加电压变化而变化11、 根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B ＝－6.3V ，V E ＝－7V ，V C ＝－4V ，可以判定此晶体管是 管，处于 。
（ D ）A ． NPN 管，饱和区B ． PNP 管， 放大区C ． PNP 管，截止区D ． NPN 管， 放大区12、 处于饱和状态的晶体管其特点有：( B )A ．b ,1C CE I i U β><B ．b ,1C CE I i U β<<C ．b ,1C CE I i U β<>D ．b ,1C CE I i U β=>13、 工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 （ C ）。
A ．83B ．91C ．10014、 一个晶体管的极限参数为P CM =100mW ，I CM =20mA ，U (BR)CEO =15V ，则下列( A ）是正常工作状态。