贴片肖特基二极管代码S6
肖特基二极管参数表
肖特基二极管参数表【原创版】目录一、肖特基二极管概述二、肖特基二极管参数表详解三、肖特基二极管的应用场景四、结论正文一、肖特基二极管概述肖特基二极管，又称为肖特基势垒二极管，是一种金属与半导体接触的整流器件。
它具有很高的工作效率和较低的正向电压降。
肖特基二极管广泛应用于整流、限幅、开关和稳压等电路中。
二、肖特基二极管参数表详解肖特基二极管参数表主要包括以下几个方面：1.最大重复峰值反向电压（VRRM）：表示二极管能够承受的最大重复峰值反向电压。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VRRM 为 200V。
2.最大直流闭锁电压（VDC）：表示二极管在最大直流电压下仍能保持导通状态的电压值。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VDC 为 200V。
3.最大正向平均整流电流（I(AV)）：表示二极管在最大正向电压下能够通过的平均整流电流。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 I(AV) 为10.0A。
4.最大瞬时正向电压（VF）：表示二极管在最大正向电流下对应的正向电压。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VF 为 0.92V。
5.额定直流阻断电压下的最大直流反向电流（IR）：表示二极管在最大直流阻断电压下能够承受的最大直流反向电流。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 IR 分别为 0.1mA（TA25）和 20.0mA（TA125）。
6.工作温度和存储温度范围（TJ,TSTG）：表示二极管能够正常工作的温度范围和存储温度范围。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 TJ,TSTG 为 -65to 175。
三、肖特基二极管的应用场景肖特基二极管广泛应用于以下场景：1.整流电路：将交流电转换为直流电，例如在电源电路中。
2.限幅电路：限制信号波形的幅值，例如在音频处理电路中。
3.开关电路：实现开关控制功能，例如在场效应管开关电路中。
4.稳压电路：稳定输出电压，例如在稳压电源电路中。
SD103AWS贴片肖特基二极管规格书
SD103AWS 40 28
SD103BWS 30 21 350 1.5 200 300 -65 to +125
SD103CWS 20 14
UNITS VOLTS V mA A mW /W
VRRM VRMS VDC VR(RMS) IFM IFRM Pd RΘJA TSTG
.72(0.028) .69(0.027)
.08(.003) MIN
Case: Molded plastic body Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Polarity symbols marked on case Mounting Position: Any Marking: SD103AWS:S4, SD103BWS:S5, SD103CWS:S6
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
V(BR)R VF
40 30 20 0.37 0.60 5.0 50 10
V V
Fowrard voltage Reverse current SD103AWS SD103BWS SD103CWS Capacitance between terminals Reverse recovery time
【 领先的片式无源器件整合供应商 — 南京南山半导体有限公司 】
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES SD103AWS-SD103CWS
FIG. 1- TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
1000 100
肖特基二极管参数表
肖特基二极管（Schottky Diode）是一种具有低功耗、大电流、超高速特性的半导体器件。
它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
肖特基二极管的参数表通常包括以下内容：1. VF（Forward Voltage Drop）：正向压降。
这是肖特基二极管在正向导通时，从阳极到阴极的电压降。
通常情况下，VF的值较低，大约在0.4V到0.7V之间。
2. VFM（Maximum Forward Voltage Drop）：最大正向压降。
这是设备在正向工作时所能承受的最大电压。
VFM决定了二极管是否能在特定电路中进行可靠的操作。
3. VBR（Reverse Breakdown Voltage）：反向击穿电压。
这是肖特基二极管在反向偏置时，能够承受的最大电压，超过这个电压会导致器件损坏。
4. VRRM（Peak Reverse Voltage）：峰值反向电压。
这是设备在反向工作时所能承受的最大电压。
VRRM通常高于VBR，以确保器件在正常操作中不会因反向电压而损坏。
5. VRsM（Non-Repetitive Peak Reverse Voltage）：非反复峰值反向电压。
这是设备在非反复模式（如单次脉冲）下所能承受的最大反向电压。
6. VRwM（Reverse Working Voltage）：反向工作电压。
这是设备在反向偏置时能够安全工作的电压。
7. Vpc（Maximum DC Blocking Voltage）：最大直流截止电压。
这是肖特基二极管能够承受的最大直流电压，用于防止器件因过压而损坏。
8. Trr（Reverse Recovery Time）：反向恢复时间。
这是肖特基二极管从反向偏置到正向偏置的恢复时间，通常很短，大约在几纳秒到几十纳秒之间。
贴片S系列三极管参数
Code
Device
S (blue) BA592 S (red) BB640 S (white) BB535 S (yellow) BB639 S S S0 S1 S1 S1A S1B S1D S1G S1J S2 S2 S3 S3 S4 S5 S5 S5 S6 S6 S7 S7 S7s S7s S7 S8 S8 S9 S9 S12 S14 S15 S16 S16 S56 S70 S71 S74 S75 S76 S76 BB811 BAP64-02 HSMP-3880 HSMP-3881 BBY31 S1A S1B S1D S1G S1J BBY40 BFQ31 BFQ31R BBY51 BFQ31A BFQ31AR BBY52 BAT15-099 BAT15-099R BF510 BF511 SST177 BBY53-05 BBY53-05W BAT114-099 BF512 BAT14-099 BAT14-099R BF513 BBY39 SST5114 SST5115 SST5116 ZHCS1006 ZHCS506 SST270 SST271 SST174 SST175 SST176 ZHCS756
J177 p-ch fet n-ch mosfet 100V 0.17A p-ch mosfet 50V 0.13A npn RF 1.8W fT 6GHz npn RF 1.8W fT 6GHz dual 45-26pF cc VHF varicap n-ch mosfet 60V 0.19A npn RF 1.8W fT 6GHz dual 45-20pF cc varicap dual varicap for FM radio n-ch mosfet 240V 0.1A p-ch mosfet 50V 0.13A n-ch mosfet 50V 0.22A n-ch dep mosfet 250V 0.04A
05s2l-05s6l.pdf 表面贴装肖特基势垒二极管数据表说明书
VOLTAGE RANGE 20 to 60 Volts CURRENT 0.5 AmpereMAXIMUM RATINGS (@ T A =25 C unless otherwise noted)ELECTRICAL CHARACTERISTICS (@T A =25 C unless otherwise noted)RATINGSMaximum Recurrent Peak Reverse Voltage Maximum RMS Voltage Maximum DC Blocking VoltageMaximum Average Forward Rectified Current .375” (9.5mm) lead length at T A =550CPeak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method)Typical Junction Capacitance (Note 1)SYMBOL V RRM V R q JA R q JL DC I FSM C J T STGV RMS UNITS Volts Volts Volts Amps 0.51511030110Amps 0C 0C/W 0C/WStorage Temperature RangeI O 150pFOperating T Typical Thermal Resistance (Note 3)emperature Range T J 05S2L 05S4L 05S5L 05S6L 05S3L 204050603014283542212040506030-55 to + 150CNOTES : 1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.2006-11CHARACTERISTICSMaximum Average Reverse Current at Rated DC Blocking VoltageV F SYMBOL I RmAmps Maximum Instantaneous Forward Voltage at 0.5A DC Volts 0.22@T A = 25oC @T A = 100o C.55.70mAmps UNITS 05S2L 05S4L 05S5L05S6L 05S3L 2. 3. Thermal Resistance: Mounted on PCB.“Fully ROHS compliant”, “100% Sn plating (Pb-free)”.INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, (V)PERCENT RATED PEAK REVERSE VOLTAGE, (%)I N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T , (A )AMBIENT TEMPERATURE, (C)0.10.11.01020A V E R A G E F O R W A R D C U R R E N T , (A )C T , T O T A L C A P A C I T A N C E , (p F )0.10.20.30.40.51.7 1.91.30.50.30.90.7 1.1 1.52.117515012510075502500.0010.10.011.010100RATING AND CHARACTERISTICS CURVES ( 05S2L THRU 05S6L )FIG.3 TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICSFIG.1 TYPICAL FORWARD CURRENT DERATING CURVEFIG.2 TYPICAL INSTANTANEOUSREVERSE VOLTAGE, (V)I NS T A N T A NE O U S R E V E R S E C U R R E N T , (m A )1010080604020200400FIG.4 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE PERCENT RATED PEAK REVERSE VOLTAGE, (%)0.0010.10.011.010100FIG.3 TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICSI N S T A N T A N E O U S R E V E R S E C U R R E N T , (m A )NUMBER OF CYCLES AT 60HzP E A K F O R W A R D S U R G E C U R R E N T , (A )105152520FIG.5 MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD SURGE CURRENTMounting Pad LayoutDimensions in inches and (millimeters).052 MIN.(1.32 MIN.).033 MIN..033 MIN.(0.85 MIN.)Rectron Inc reserves the right to make changes without notice to any productspecification herein, to make corrections, modifications, enhancements or other changes. Rectron Inc or anyone on its behalf assumes no responsibility or liabi- lity for any errors or inaccuracies. Data sheet specifications and its information contained are intended to provide a product description only. "Typical" paramet- ers which may be included on RECTRON data sheets and/ or specifications ca- n and do vary in different applications and actual performance may vary over ti- me. Rectron Inc does not assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit.Rectron products are not designed, intended or authorized for use in medical, life-saving implant or other applications intended for life-sustaining or other rela- ted applications where a failure or malfunction of component or circuitry may di- rectly or indirectly cause injury or threaten a life without expressed written appr- oval of Rectron Inc. Customers using or selling Rectron components for use in such applications do so at their own risk and shall agree to fully indemnify Rect- ron Inc and its subsidiaries harmless against all claims, damages and expendit- ures.DISCLAIMER NOTICE。
肖特基二极管参数表
肖特基二极管参数表摘要：1.肖特基二极管的基本概念和特点2.肖特基二极管的分类和应用领域3.常用肖特基二极管的型号与参数4.肖特基二极管的主要性能指标及其意义5.选择和使用肖特基二极管时需关注的因素正文：肖特基二极管（Schottky Barrier Diode，简称SBD）是一种低功耗、大电流、超高速半导体器件。
它以金属与半导体接触形成的金属半导体结原理制作，而非利用PN结原理。
由于其独特的性能优势，被广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路中。
肖特基二极管的特点包括：1.低功耗：正向导通压降仅0.4V左右，整流电流可达到几千毫安。
2.高速度：反向恢复时间极短，可达到几纳秒。
3.良好的热稳定性：具有较高的热稳定性，可以承受较高的功耗。
根据应用领域和性能要求，肖特基二极管可分为不同类型。
例如，用于续流二极管、保护二极管等。
在通信电源、变频器等电路中，肖特基二极管有着广泛的应用。
常用的肖特基二极管型号包括：1.引线式肖特基二极管：D80-004、B82-004等。
2.封装式肖特基二极管：MBR1545、MBR2535、MBR300100CT、MBR400100CT等。
在选择和使用肖特基二极管时，需要关注以下性能指标：1.正向电压VF：指肖特基二极管正向导通时，正向电压与正向电流的比值。
VF越低，功耗越小。
2.反向漏电IR：指二极管反向漏电流。
IR越小，二极管的反向性能越好。
3.反向电压VR：二极管能承受的最大反向电压。
VR越高，二极管的耐压能力越强。
4.反向恢复时间trr：二极管从反向导通到截止的时间。
trr越小，二极管的开关速度越快。
总之，肖特基二极管具有低功耗、高速度等优点，广泛应用于高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管等电路。
肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释
肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释肖特基二极管的命名：肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode 缩写成 SR），也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode 缩写成 SBD）的简称。
肖特基：Schottky整流：RectifierSR：即为肖特基整流二极管Schottky Rectifier Diode：肖特基整二极管，简称：SR，比如：SR107，SR10100CT......肖特基：Schottky势垒：BarrierSB：即为肖特基势垒二极管肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、SL....、BL....Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管，简称：SB，比如：SB107，SB1045CT......Schottky Barrier Diode：也有简写为：SBD 来命名产品型号前缀的。
但 SBD 不是利用 P 型半导体与 N 型半导体接触形成PN 结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。
因此，SBD 也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
关于肖特基 MBR 系列为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？因为最早是世界著名半导体公司－摩托罗拉半导体命名的产品型号M：是以最早 MOTOROLA 的命名，取 MB：Bridge 桥；Barrier：势垒R：Rectifier，整流器“MBR”意为整流器件SCHOTTKY：肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
例如：MBR10200CT M：MOTOROLA 缩写 MB：Barrier1 缩写 BR：Rectifier 缩写 R10：电流 10A200：电压 200VC：表示 TO-220AB 封装，常指半塑封。
常用肖特基二极管、型号的命名、字母含义
SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
例如：MBR10200CT
M：MOTOROLA
缩写 M
B：Barrier1
缩写 B
R：Rectifier
缩写 R
10：电流 10A
200：电压 200V
C：表示 TO-220AB 封装，常指半塑封。
T：表示管装
MBR1045CT，其中的“C”：表示 TO-220 封装；MBR6045PT，其中的“P”：表示 TO-3P 封装
MBR30150CT，30A，150V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；
MBR30200CT，30A，200V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；
MBR3045PT， 30A， 45V，TO-247、TO-3P；
MBR3060PT， 30A， 60V，TO-247、TO-3P；
MBR30100PT，30A，100V，TO-247、TO-3P；
MBR1045CT、MBR10100CT：TO-220AB（三脚半塑封），10A
M
BMBR1535CT、MBR1545CT：TO-220AB（三脚），15A RFMBR2045CT、MBR20200CT：TO-220AB（三脚），20A 1MBR2535CT、MBR2545CT：TO-220AB（三脚），25A 0MBR3045CT、MBR3060CT：TO-220AB（三脚），30A
MBR40150PT，40A，150V，TO-247、TO-3P；
MBR40200PT，40A，200V，TO-247、TO-3P；
MBR6045PT， 60A， 45V，TO-247、TO-3P；
MBR6060PT， 60A， 60V，TO-247、TO-3P；
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.72(0.028) .69(0.027)
.08(.003) MIN
Case: Molded plastic body Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Polarity symbols marked on case Mounting Position: Any Marking: SD103AWS:S4, SD103BWS:S5, SD103CWS:S6
Dimensions in millimeters and (inches)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Maximum ratings and electrical characteristics, Single diode @TA=25 PARAMETER Peak repetitive peak reverse voltage Working peak reverse voltage DC Blocking voltage RMS Reverse voltage Forward continuous current Repetitive peak forward current @t 1.0s Power dissipation Thermal resistance junction to ambient Storage temperature Electrical ratings @TA=25 PARAMETER Reverse breakdown voltage SD103AWS SD103BWS SD103CWS
IF,FORWARD CURRENT(mA)
CJ, CAPACITANCE(pF)
0 0.5 1.0
100
10
10
1.0
1.0
0.1
0.01
0.1 0 10 20 30 40
VR REVERSE VOLTAGE(V)
VR REVERSE VOLTAGE(V)
R
LING
JIE
STAR SEA ELECTRONICS CO.,LTD.
IRM CT trr
uA pF ns
IR=10uA IR=10uA IR=10uA IF=20mA IF=200mA VR=30V VR=20V VR=10V VR=0V,f=1.0MHz IF=IR=200mA Irr=0.1XIR,RL=100
R
LING
JIE
STAR SEA ELECTRONICS CO.,LTD.
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
|样品申请单模板
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SYMBOLS SYMBOLS
SD103AWS 40 28
SD103BWS 30 21 350 1.5 200 300 -65 to +125
SD103CWS 20 14
UNITS VOLTS V mA A mW /W
VRRM VRMS VDC VR(RMS) IFM IFRM Pd RΘJA TSTG
【 领先的片式无源器件整合供应商 — 南京南山半导体有限公司 】
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES SD103AWS-SD103CWS
FIG. 1- TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
1000 100
FIG. 2-TYP. JUNCTION CAPACITANCE VS REVERSE VOLTAGE
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SD103AWS-SD103CWS
SCHOTTKY DIODES
SOD-323
1.35(0.053) 1.15(0.045) 1.26(.050) 1.24(.048)
FEATURES
Low forward voltage drop Guard ring construction for transient protection Negligible reverse recovery time low reverse capacitance
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
V(BR)R VF
40 30 20 0.37 0.60 5.0 50 10
V V
Fowrard voltage Reverse current SD103AWS SD103BWS SD103CWS Capacitance between terminals Reverse recovery time
2.75(0.108) 2.30(0.091)
1.80(0.071).108) 2.30(0.091)
1.80(0.071) 1.60(0.063)
MECHANICAL DATA
0.4(0.016) .25(0.010) .177(.007) .089(.003) 1.00(.040) 0.80(.031) 0.1(0.004) MIN .305(0.012) .295(0.010)