pn结知识回顾
Vbi
xn E(x)dx
xp
E(x)
qND
si
(xxn)
0
=
E(x)dx
xn E(x)dx
xp
0
E(x)
qNA
si
(xxp)
xn
x
21
③ 耗尽区宽度
Vbi
q
2si
(NAx2p
NDxn2)
NAxp NDxn
xp
2siVbi
ND
q NA(NAND)
xn
2siVbi
NA
q ND(NAND)
qN
Em
qNW
si
25
势垒区电容
V VdV W WdW
QQdQ d E d Q si
Cj
dQ dV
dQ dQW
si
W
si
26
偏压条件下的PN结
1
W2qsiVbi
1 NA
1
ND
2
27
偏压条件下的PN结
1
W2si(Vqbi Vr)N1AN1D2
28
偏压条件下的PN结
1
W2si(Vqbi Vf)N1AN1D2
18
② 内建电场
NAxp NDxn
Em
qNA
si
xp
qND
si
xn
E
xp 0 xn
x
qNDxn 或 qNAxp
si
si
19
耗尽区宽度
P
N
xp 0 xn
E
xp
xn
总耗尽区宽度:
W xn xp
E d
dx
x
Vbi
xn E(x)dx
xp
20
耗尽区宽度
E
V bikq Tln N n A iN 2D 0.0259ln 9 1.0 6 1 5 8 1 10 01 952 0.774V
② 由查图可知:
V b inp0.V 30 0.V 40 7.V 77
14
泊松方程
d 2 = s
dx2
s
E d
dx
d 2
dx2
dE dx
dE = s dx s
2
PN结电流电压特性
3
PN结制备
4
P/N型半导体
Ei Ei
5
PN结的行成
耗尽区
－－ － －
P －－ － －
N
－－ － －
－－ － －
内电场
扩散运动 空间电荷区 内电场
削弱内电场 漂移运动
扩散运动 动态平衡 漂移运动
6
PN结中费米能级
p
n
p
n
Jp
p
p dEF dx
=0
Jn
nn
dEF dx
=0
WxPxn
2 V si bi
q
1 1 NAND
22
PN结-单边突变结
当pn结一侧的掺杂浓度远高于另一侧时, 称为单边突变结:
xp
2siVbi
ND
q NA(NAND)
p+-n结:
xn
2siVbi
NA
q ND(NAND)
NAxp NDxn
W xn
2siVbi
qND
23
PN结-单边突变结
E -Em
dEF =0 dx
dEF =0 dx
在热平衡状态下, pn结中费米能级为一常数.
7
内建电势差
pn结内建电势差:
平衡pn结的空间电荷区两端间的电势差Vbi； qVbi: pn结的势垒高度;
q V b iE i E F pE F n E i
8
内建电势差
9
内建电势
根据玻尔兹曼分布：
nn0=ni
exp
EFn-Ei kT
EFn
-Ei
=kT
ln
nn0 ni
10
内建电势
根据玻尔兹曼分布：
pp0
ni
expEFpkTEi
Ei
EFp
kTln
pp0 ni
11
内建电势
q V b iE i E F pE F n E i
=kT
ln
p p0 ni
kT
ln
nn0 ni
E
xp
0
0 x xn qND
dE qN D
dx si
E(xn) 0
E
qND
si
(x
xn
)
E(0)
qND
si
xn
xn
x
qN D si
xn
17
内建电场
E
E
xp
xn
xp
xn
0
x
0
x
qN A si
xp
E(0)
qNA
si
xp
qN D si
xn
E(0)
qND
si
xn
NAxp NDxn
PN结
《半导体器件物理》
1
PN结基础
由P型半导体和N型半导体实现原子级接触所形 成的结构叫做PN结。
PN结是几乎所有半导体器件的基本单元,包括 MOSFET, BJT, LED, 太阳能电池, 二极管等。
PN结含有丰富的物理知识，掌握PN结的物理原 理是学习其它半导体器件器件物理的基础。
由同种物质构成的结叫做同质结(如硅)，由不 同种物质构成的结叫做异质结(如硅和锗)。
29
理想PN结的电流电压方程
理想p-n结的模型:
① 小注入条件: 少数载流子浓度比多数载流子浓度低 很多;
② 突变耗尽层条件: 外加电压和接触电势差都落在耗 尽层上，注入的少数载流子在p区和n区是纯扩散运 动；
③ 通过耗尽层的电子和空穴电流为常量，不考虑耗尽 层中载流子的产生及复合作用；
④ 玻耳兹曼边界条件：在边界两端，载流子分布满足 玻耳兹曼统计分布。
推导电流电压方程方法：
首先根据准费米能级计算出势垒区边界处的非平衡 载流子浓度，
然后根据扩散理论计算出：J=Jn+Jp
30
热平衡状态下的pn结
Vbi
kT e
ln
pp0nn0 ni2
ni2 pp0nn0
q(N DN Apn)
15
内建电场
P
N
E
xp
xn
xp 0 xn
x
0
x
xp x 0 qNA
dE(x)(x)qNA
dx
si
si
qN A sixpΒιβλιοθήκη E(xp) 0E(x)
qNA
si
(xxP)
E(0)
qNA
si
xp
16
内建电场
P
N
xp 0 xn
=kT
ln
p p0 ni
ln
nn0 ni
=kT
ln
p p0n n0 ni2
Ei
-EFp
kT
ln
pp0 ni
EFn
-Ei
=kT
ln
nn0 ni
Vbi
kT q
ln
pp0nn0 ni2
12
① 内建电势
Vbi
kT q
ln
pp0nn0 ni2
p p0 N A nn0 N D
Ex
Em
qNDx
si
Em
qN DW
si
(0xW)
xVbix2 x (0xW)
W W
Vbi
qN DW
2 si
2
24
例题
一硅突变结, 其NA=1019cm-3, ND=1016cm-3, 计算在零偏压时的耗尽区宽度和最大电场(T= 300K)
Vbi
kT q
ln
NAND ni2
W 2 s iVbi
Vbi
kT q
ln
NAND ni2
ni2
NCNV
expkETg
Vbi与pn结两边的掺杂浓度、温度和材料的禁带宽度有关： ✓ 温度一定时,参杂浓度越大,内建电势差Vbi越大; ✓ 禁带宽度Eg越大,内建电势差Vbi越大;
13
内建电势
计算一硅pn结在300 K时的内建电势, 其中 NA = 1018 cm-3, ND=1015cm-3。 ① 由公式计算:
半导体的基础知识与PN结
空穴浓度多于自由电子浓度 空穴为多数载流子(简称多子）， 电子为少数载流子(简称少子)。
+3
(本征半导体掺入 3 价元素后，原来 晶体中的某些硅原子将被杂质原子 代替。杂质原子最外层有 3 个价电 子，3与硅构成共价键，多余一个空 穴。)
6．在PN结的两端通过一块电流表短接，回路中无其它电源
，当用光照射该半导体时，电流表的读数是____C___。
A．增大 B．减小 C．为零 D．视光照强度而定
7．P型半导体中的多数载流子是__B_____。
A．电子 B．空穴 C．电荷 D．电流
8．N型半导体中的多数载流子是____A___。
A．自由电子 B．空穴 C．电荷 D．电流
B．P型半导体中只有空穴导电 C．N型半导体中只有自由电子参与导电 D．在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电
12．N型半导体中，主要靠__C_____导电，_______是少数载
流子。
A．空穴／空穴
B．空穴／自由电子
C．自由电子／空穴 D．自由电子／自由电子
13．P型半导体中，主要靠___B____导电，_______是少数载
+4
+4
+4
图 1.1.1 本征半导体结构示意图
3、本征半导体中的两种载流子
若 T ，将有少数价
T
电子克服共价键的束缚成
为自由电子，在原来的共 +4
+4
价键中留下一个空位—— 空穴。
自由电子和空穴使本
空穴
+4
+4
征半导体具有导电能力，
【半导沙雕】pn结基础知识
【半导沙雕】pn结基础知识
【原创版】
目录
1.PN 结的定义与结构
2.PN 结的特性
3.PN 结的应用
正文
一、PN 结的定义与结构
PN 结，全称为 P 型半导体与 N 型半导体结，是由 P 型半导体和 N 型半导体相互接触而形成的。
P 型半导体中含有较多的空穴（电子空位），N 型半导体中含有较多的自由电子。
当 P 型半导体与 N 型半导体接触时，空穴和自由电子会发生复合，形成一个电子空位和空穴的平衡区域，这就是 PN 结。
二、PN 结的特性
1.单向导通性：PN 结具有单向导通性，即只有在正向电压作用下（P 端接正，N 端接负），PN 结才能导通，电流才能通过。
而在反向电压作用下（P 端接负，N 端接正），PN 结是绝缘的，电流不会通过。
2.动态响应特性：PN 结的动态响应特性是指在外加电压改变时，PN 结的导通或截止状态随之改变的特性。
当外加电压迅速改变时，PN 结的导通或截止状态不能立即跟随改变，存在一定的延迟，这就是 PN 结的动态响应特性。
三、PN 结的应用
1.二极管：PN 结最基本的应用是制作二极管。
二极管是电子器件中最常见的元件之一，具有单向导通性，常用于整流、限幅、信号切换等电路。
2.晶体管：PN 结也是晶体管的核心组成部分。
晶体管是电子器件中最重要的元件之一，具有放大、开关等功能，广泛应用于放大器、稳压器、脉冲发生器等电路。
3.光电二极管：PN 结还可以用于制作光电二极管。
光电二极管是一种光敏半导体器件，具有光电转换功能，广泛应用于光电传感器、光电开关等光电子器件。
总结pn结
总结 pn 结引言pn 结是指由一种p型半导体和一种n型半导体组成的结构，广泛应用于半导体器件中。
本文将总结pn结的基本原理、应用领域以及常见问题与解决方法。
一、pn 结的基本原理1. 构成pn 结由p型半导体和n型半导体组成，其中p型半导体富含正电荷载流子（空穴），n型半导体则富含负电荷载流子（电子）。
2. 结电势差当p型半导体与n型半导体相接触时，由于电子和空穴的扩散和结合，形成一个带电离子层。
这一过程会导致pn 结两侧的电势差，形成电势垒。
3. 动态平衡在静止状态下，当电势垒达到平衡时，p型半导体一侧的正电荷与n型半导体一侧的负电荷形成了耗尽区。
此时，电势差阻碍了进一步的扩散和结合。
4. 正向偏置和反向偏置在正向偏置下，外加电压使得电势差减小，进一步扩大耗尽区，导致载流子的扩散和结合加剧。
这样，电流得以通过pn 结。
在反向偏置下，外加电压增大电势差，进一步增强耗尽区，阻碍电流通过。
二、pn 结的应用领域1. 整流器pn 结由于具有单向导电特性，在电子设备中被广泛应用于整流器电路，将交流电信号转换为直流电信号，从而满足电子设备对直流电的需求。
2. 发光二极管pn 结在电流通过时会发生辐射激发现象，从而产生可见光。
这一特性被应用于发光二极管（LED）的制造，用于照明、指示灯和显示屏等领域。
3. 太阳能电池当光照射到pn 结上时，光子的能量将产生电子和空穴对。
这些载流子的运动会引起直流电压，在太阳能电池中将太阳能转化为电能。
4. 双向导通二极管双向导通二极管（TRIAC）利用了pn 结的双向导通特性，可以实现双向导通的控制，广泛应用于电能调节和开关控制等领域。
三、pn 结常见问题与解决方法1. 温度效应温度的变化会影响pn 结的导电性能，导致电流的变化。
解决方法是在设计中考虑温度补偿措施，如使用温度传感器进行反馈控制。
2. 热失效在高温环境下，pn 结可能会发生热失效，导致器件损坏。
解决方法是通过散热设计、温度保护器等方式来控制温度，保护pn 结的稳定性。
PN结——精选推荐
第一章 PN结§ 1.1 热平衡PN结1．PN结的形成和杂质分布将同种半导体材料的N型和P型两部分紧密结合在一起，在二者的交界处形成一个结，称为PN结。
例如P型硅（P–Si）和N型硅（N–Si）结合在一起形成硅半导体的PN结。
PN是很多重要半导体器件如结型晶体管、集成电路的工作核心，了解和掌握了PN结的性质具有很重要的实际意义。
为使性能优越，通常在一块N型（或P型）半导体单晶上，采用合金法、扩散法、外延生长法和离子注入法等把P型（或N型）杂质掺入其中，使这块单晶的不同区域分别具有N型和P型的带电类型，在两者的交界面处就形成了PN结。
（1）合金法及其杂质分布①制备过程下图表示用合金法制造PN结的过程。
把一小颗粒铟（In，Ⅲ族元素）放在N型锗单晶片上，加热到一定的温度，形成铟锗共熔体，然后降低温度，在降温过程中，锗便从共熔体中析出，沿着锗片的晶向再结晶。
在再结晶的锗区中，将含有大量的P型杂质铟，使该区变成P区，从而形成了PN结。
②杂质分布合金法PN结的杂质分布如图所示。
其特点是：P区中受主杂质浓度为N a，而且均匀分布；N区中施主杂质浓度为N d，也是均匀分布的。
在两种杂质的交界面处，杂质浓度由N a（P型）突变为N d（N型），具有这种杂质分布的PN结称为突变结。
设PN 结的位置在0=x ，则突变结的杂质分布可以表示为0<x ， N x N a )(=0>x ， N x N d )(=实际的突变结，两边的杂质浓度相差很多（例如N 区的施主杂质浓度为1016cm –3，而P 区的受主杂质浓度为1019cm –3），通常称这种结为单边突变结。
若N N d a >>，则记为N P +结；若N N d a <<，则记为PN +结。
（2）扩散法及其杂质分布① 制备过程下图表示用扩散法制造PN 结的过程。
它是在N 型（或P 型）单晶Si 片上，通过氧化、光刻、扩散（或离子注入）等工艺制得的PN 结，其杂质分布由扩散过程及杂质补偿决定。
二极管基础知识---PN结工作原理
二极管基础知识---PN结工作原理展开全文晶体二极管是一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结。
在二者的交界处出现电子和空穴的浓度差别，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散，扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子,N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。
半导体中的离子不能随意移动，因此不参与导电。
这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，就是所谓的PN结。
当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于动态平衡状态。
正向偏置当外界有正向电压偏置时，即电源的正极接P区，负极接N区时，外加电场与PN结内电场方向相反,这时PN结内的电流由起支配地位的扩散电流所决定。
在外电路上形成一个流入P区的电流，称为正向电流。
当外加电压达到某一个数值后，再稍有变化，便能引起电流的显著变化，电流是随外加电压增加急速上升的。
这时，正向的PN结表现为一个很小的电阻。
反向偏置当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，流过PN结的电流由起支配地位的漂移电流所决定，漂移电流表现在外电路上有一个流入N区的反向电流IR。
由于少数载流子是由本征激发产生的，其浓度很小，所以IR是很微弱的，通常被称为反向饱和电流。
此时的PN结可以看作是一个很大的电阻。
PN结的伏安特性表达式肖特基方程的表达式式中ID——通过PN结的电流VD——PN结两端的外加电压VT——温度的电压当量，VT= KT/q = 0.026V.其中k为玻耳兹曼常数，T为热力学温度，q为电子电量。
常温下，VT ≈26mV。
Is——反向饱和电流，1.当VD>>0，且VD＞VT时， ID = Is e (VD / VT)对应右图的正向特性曲线部分2.当VD＜0，且|VD|>>VT时，ID≈-Is≈0对应右图的反向特性曲线部分从图上我们可以明显的看出PN结的单向导电性根据肖特基方程的伏安特性曲线PN结的击穿当外加的反向电压小于击穿电压VBR时，ID≈–Is 。
01第1章01_101缓变pn结与突变pn结
半导体器件物理(1)第1章pn结大多数半导体器件（包括集成电路）, 都包含一个或者多个pn结（pn Junction）。
这些器件的特性均与pn结密切相关，因此深入理解并熟练掌握pn结原理是学习其他半导体器件理论的关键。
半导体器件物理(I)p 区与n 区的交界面称为冶金结。
1. pn 结的结构组成半导体材料一个区域为p 型，相邻区域为n 型，则组成pn 结。
1-1 平衡pn 结定性分析一、pn 结的形成和杂质分布（Doping Profile ）半导体器件物理(I)第1章pn结为便于分析，采用剖面图并且旋转90度，采用一维方式显示杂质分布。
1-1 平衡pn 结定性分析一、pn 结的形成和杂质分布（Doping Profile ）2. 平面工艺与缓变结半导体器件物理(I)第1章pn结平面工艺中的“选择性掺杂”：2. 平面工艺与缓变结1-1 平衡pn 结定性分析一、pn 结的形成和杂质分布（Doping Profile ）只要p 区与/或n 区为非均匀掺杂，则称为缓变结（Graded Junction ）。
X j 为冶金结面与半导体表面之间的距离，称为结深（Junction Depth）。
半导体器件物理(I)第1章pn结3. 合金工艺与突变结早期pn 结采用“合金”工艺制备，其特点是掺杂为均匀分布。
若p 区与n 区均为均匀掺杂，则称为突变结（Step Junction ）。
1-1 平衡pn 结定性分析一、pn 结的形成和杂质分布（Doping Profile ）半导体器件物理(I)第1章pn结3. 合金工艺与突变结为了突出物理过程，本章以突变结为对象介绍pn 结基本工作原理。
1-1 平衡pn 结定性分析一、pn 结的形成和杂质分布（Doping Profile ）半导体器件物理(I)第1章pn结第1章pn结1-1 平衡pn结定性分析一、pn结的形成和杂质分布（Doping Profile）上面简要介绍了pn的构成和杂质分布。
pn节的知识
[编辑本段]PN结（PN junction）采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。
PN 结具有单向导电性。
P是positive的缩写，N是negative的缩写，表明正荷子与负荷子起作用的特点。
一块单晶半导体中，一部分掺有受主杂质是P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时，P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结。
PN结有同质结和异质结两种。
用同一种半导体材料制成的PN 结叫同质结，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。
制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。
制造异质结通常采用外延生长法。
P型半导体（P指positive，带正电的）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成，会在半导体内部形成带正电的空穴；N型半导体（N指negative，带负电的）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成，会在半导体内部形成带负电的自由电子。
在P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。
在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的。
N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。
当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P 型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。
空穴和电子相遇而复合，载流子消失。
因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区。
P 型半导体一边的空间电荷是负离子，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。
正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡。
在PN结上外加一电压，如果P型一边接正极，N型一边接负极，电流便从P 型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过。
如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。
pn结知识点归纳总结
pn结知识点归纳总结1. PN结的基本结构PN结的结构由N型半导体和P型半导体构成，N型半导体中电子浓度大，载流子主要为自由电子；P型半导体中正孔浓度大，载流子主要为正孔。
当N型半导体和P型半导体连接在一起时，由于扩散电子（来自N型半导体）和空穴（来自P型半导体）产生的载流子浓度差异，会在结附近形成电场，形成“势垒”。
2. PN结的形成原理PN结的形成原理主要包括扩散、漂移和复合过程。
（1）扩散过程：由于N型半导体中电子浓度大，P型半导体中正孔浓度大，在两者接触的区域，高浓度的电子和正孔会通过热激发和碰撞扩散到对方半导体中。
（2）漂移过程：在扩散过程中，载流子会受到电场的作用而发生漂移运动，形成电场。
（3）复合过程：当电子和正孔扩散到对方半导体中后，它们会发生复合，释放出能量，从而形成势垒。
3. PN结的电子学性质PN结在正向和反向偏置下的电子学性质不同。
（1）正向偏置：当PN结连接的端子电压为正向偏置时，P区的正电荷和N区的负电荷将被中和，减小势垒高度，电子和正孔将跨过势垒，导致电流流通，二极管处于导通状态。
（2）反向偏置：当PN结连接的端子电压为反向偏置时，P区的正电荷与N区的负电荷互相吸引，增大势垒高度，阻止电子和正孔跨过势垒，导致电流无法流通，二极管处于截止状态。
4. PN结的应用PN结广泛应用于各种半导体器件中，包括二极管、晶体管、光电二极管和太阳能电池等。
（1）二极管：二极管是最基本的半导体器件，由PN结构成。
它具有正向导电、反向截止的特性，可用于整流、开关和信号检测等电路中。
（2）晶体管：晶体管是一种三端口设备，由PNP或NPN结构构成。
它可以放大电流信号，用于放大器、开关和逻辑电路中。
（3）光电二极管：光电二极管是一种能够将光信号转换为电信号的器件，由PN结构成。
它广泛应用于光通信、光电传感器等领域。
（4）太阳能电池：太阳能电池是一种能够将太阳光能转换为电能的器件，由PN结构成。
半导体技术之-PN结基础知识
（2-69）
在正向偏置情况下，取 I I 0 eV VT，导出
dV dT
I 常数
V T
VT
1 I0
dI0 dT
dI dT
V 常数
I
1 I0
dI 0 dT
V TVT
将（2-69）式代入（2-70）和（2-71）式中，得到
dV
V
Eg0
q
dT
T
（2-72） 和
m
x
0 0
（c ）
• 单边突变结电荷分 布、电场分布、电 势分布
（a）空间电荷分布
（b）电场
（c）电势图
➢ 利用中性区电中性条件导出空间电荷区内建电势差公式:
0
n
p
VT
ln
Nd Na ni2
➢ 解Poisson方程求解PN结SCR内建电场、内建电势、内建电势差和耗尽层宽度：
m 1
x xn
qNd xn2 2k 0
➢ 空间电荷区载流子通过复合中心复合的最大复合率条件：
n p ni eV 2VT
最大复合率为:
U max
ni 2 0
eV
2VT
➢ 正偏复合电流和反偏产生电流分别为：
I rec
qAniW
2 0
eV 2VT
I R eV 2VT
IG
qAU W
qni AW 2 0
由于空间电荷层的宽度随着反向偏压的增加而增加因而反向电流是不饱和的。
是稳态载流子输运满足扩散方程
1.3 理想P-N结的直流电流-电压特性
2.3 理想P-N结的直流电流-电压特性
理想的P-N结的基本假设及其意义 ➢ 外加电压全部降落在耗尽区上，耗尽区以外的半导体是电中性的，这意
pn结知识点
两边浓度相差很多，若p区的受主杂质浓度较大，为p+n结。
氧化、光刻、扩散等工艺。
其杂质分布由扩散过程及杂质补偿决定。
缓变结
在这种结中，杂质浓度从p（n）区到n（p）区是逐渐变化的，通常称为缓变结。
空间电荷区
单独的n型或者p型半导体是电中性的（平衡状态）。
当两块半导体结合形成之间存在着载流子浓度梯度，导致了空穴从p区到n区，电子从
一般室温附近，对于绝大部分势垒区，其中杂质虽然都已电离，但载流子浓度比起数载流子浓度小很多，好像已经耗尽了。
所以通常也称势垒区为
很小，可以忽略，空间电荷密度就等于电离杂质浓度。
结电流电压特性
1.在非平衡载流子存在的区域内，必须用电子的准费米能级Efn
与正向偏压相似，位置不同。
结模型及其电流电压方程
假设条件
小注入条件
突变耗尽层条件
通过耗尽层的电子和空穴电流为常量
1.突变结的势垒宽度与势垒区上的总电压的平方根成正比。
谷值电流与电压。