MSP430单片机外围晶振设计选型及参考方案
单片机系统外围电路中的电子器件选型简单指南
单片机系统外围电路中的电子器件选型简单指南各种类型电阻选用经验1．固定电阻器的选用固定电阻器有多种类型，选择哪一种材料和结构的电阻器，应根据应用电路的具体要求而定。
高频电路应选用分布电感和分布电容小的非线绕电阻器，例如碳膜电阻器、金属电阻器和金属氧化膜电阻器等。
高增益小信号放大电路应选用低噪声电阻器，例如金属膜电阻器、碳膜电阻器和线绕电阻器，而不能使用噪声较大的合成碳膜电阻器和有机实心电阻器。
线绕电阻器的功率较大，电流噪声小，耐高温，但体积较大。
普通线绕电阻器常用于低频电路或中作限流电阻器、分压电阻器、泄放电阻器或大功率管的偏压电阻器。
精度较高的线绕电阻器多用于固定衰减器、电阻箱、计算机及各种精密电子仪器中。
所选电阻器的电阻值应接近应用电路中计算值的一个标称值，应优先选用标准系列的电阻器。
一般电路使用的电阻器允许误差为±5%~±10%。
精密仪器及特殊电路中使用的电阻器，应选用精密电阻器。
所选电阻器的额定功率，要符合应用电路中对电阻器功率容量的要求，一般不应随意加大或减小电阻器的功率。
若电路要求是功率型电阻器，则其额定功率可高于实际应用电路要求功率的1~2倍。
2．熔断电阻器的选用熔断电阻器具有保护功能的电阻器。
选用时应考虑其双重性能，根据电路的具体要求选择其阻值和功率等参数。
既要保证它在过负荷时能快速熔断，又要保证它在正常条件下能长期稳定的工作。
电阻值过大或功率过大，均不能起到保护作用。
3．热敏电阻器的选用热敏电阻器的种类和型号较多，选哪一种热敏电阻器，应根据电路的具体要求而定。
正温度系数热敏电阻器（PTC）一般用于电冰箱压缩机起动电路、彩色显像管消磁电路、电动机过电流过热保护电路、限流电路及恒温电加热电路。
压缩机起动电路中常用的热敏电阻器有MZ-01~MZ-04系列、MZ81系列、MZ91系列、MZ92系列和MZ93系列等。
可以根据不同类型压缩机来选用适合它起动的热敏电阻器，以达到最好的起动效果。
MSP430单片机及设计实例
基于MSP430单片机的医疗设备控制系统
总结词
高可靠性、实时性、安全性
详细描述
MSP430单片机在医疗设备控制系统中具有高可靠性和实时性，能够满足医疗设备对安全性的高要求 。通过与各类传感器和执行器配合，实现对医疗设备的精确控制，如输液泵、监护仪等。系统可提高 医疗设备的自动化水平，减轻医护人员的工作负担。
通过PWM信号控制电机驱动器，实现电机的调速和方向控制。
速度与位置控制
通过编码器检测电机的实际速度和位置，实现闭环控制。
基于MSP430单片机的无线通信系统设计
无线通信模块选择
选择合适的无线通信模块，如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等。
MCU与无线通信模块接口
通过串口或SPI接口实现数据传输和控制。
数据传输与接收
实现数据的发送和接收，并进行必要的处理和显示。
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MSP430单片机应用实例
基于MSP430单片机的智能家居控制系统
总结词
低功耗、高效能、易于扩展
详细描述
MSP430单片机以其低功耗和高性能在智能家居控制系统中得到广泛应用。通过与传感器、执行器等外围设备连 接，实现对家居环境的智能监控和控制，如温度、湿度、光照等。系统可扩展性强，可接入各种智能设备，为用 户提供便捷的生活体验。
基于MSP430单片机的工业自动化控制系统
总结词
抗干扰能力强、适应性强、易于维护
详细描述
MSP430单片机在工业自动化控制系统中表现出抗干扰能力强、适应性强和易于维护等 优点。广泛应用于各种工业控制领域，如电机控制、过程控制等。系统可提高生产效率，
降低能耗，为企业带来经济效益。
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MSP430单片机的编程语言
(完整版)MSP430单片机课程设计
文华学院学生课程考查报告考查课程：MSP430单片机应用设计设计题目：基于MSP430单片机的温度测量仪设计专业班级：**学号：****姓名： **指导教师：**实验日期：2016年5月8日基于MSP430单片机的温度测量仪设计文华学院摘要MSP430单片机是德州公司最新开发的具有16位总线带FLASH的单片机，由于它的性价比和集成度高，受到广大技术开发人员的青睐。
它的可靠性能比较好，加强电干扰运行不受影响，适应工业级的运行环境，在各种行业中都占有重要的位置，越来越多的领域应用到以单片机为控制核心，用液晶显示作为显示终端的数字化控制设备，通过单片机对被控制对象进行智能控制。
MSP430单片机将会在工程技术应用中得到广泛的应用。
而且，它是通向DSP 系列的桥梁，随着自动控制的低功耗化和高速化，MSP430系列单片机将会得到越来越多人的喜爱。
通过这次毕业设计，我对MSP430单片机有了完整的了解，并且着重了解了MSP430F149芯片的原理图以及它的工作原理，对内部的硬件资源和自身的汇编语法进行了实验，把它和DS18B20温度传感器联系在一起实现了温度的测量以及报警。
关键词：MSP430；超低功耗；单片机；DS18B20AbstractTexas MSP430 microcontroller is the latest development of a 16-bit bus with FLASH MCU, due to its cost-effective and highly integrated, by the majority of technology developers of all ages. Its reliability is better, enhancing electrical interference unaffected, adapt industrial-grade operating environment, in a variety of industry occupies an important position in both, applied to more and more areas to microcontroller core, with LCD as a digital control display terminal equipment, through the controlled object MCU intelligent control.MSP430 microcontroller applications engineering technology will be widely used. And, it is a bridge leading DSP family, with automatic control, low power consumption and high speed, MSP430 MCU will get more and more people's favorite.Through this graduation project, I have a complete understanding of the MSP430 microcontroller, and focus on understanding the MSP430F149 chip schematic and it works, and the internal hardware resources and their own assembler syntax conducted experiments it and DS18B20 linked to the temperature sensor of the temperature-measuring andalarm.Keywords: MSP430; ultra-low power; SCM; DS18B20一、概述1.1 引言十七世纪是温度计诞生和发展的最初阶段，这个仪器几乎比任何其它仪器都得到更加广泛的应用。
MSP430单片机及设计实例
{
IFG1 &= ~OFIFG; for (i = 0xFF; i > 0; i--); } while ((IFG1 & OFIFG) != 0); // 如果振荡器失效标志存在 //清除振荡器失效标志 // 稳定时间
BCSCTL2 |= SELM1;
for (;;); }
// MCLK = XT2
《电子系统设计》 成都理工大学工程技术学院 石坚
TM
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6、MSP430单片机的基本时钟模块
LFXT1CLK 低频时钟源 XT2CLK 高频时钟源 DCOCL 数字控制RC振荡器
时钟输入源：
慢速外设
CPU和
系统
快速外设 时钟输出信号 ACLK 辅助时钟 MCLK主系统时钟 SMCLK子系统时钟
《电子系统设计》 成都理工大学工程技术学院 石坚
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Hale Waihona Puke 相关寄存器说明——IFG1（中断标志寄存器1）
《电子系统设计》 成都理工大学工程技术学院 石坚
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相关寄存器说明——IE1（中断使能寄存器1）
《电子系统设计》 成都理工大学工程技术学院 石坚
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相关寄存器说明——看门狗定时器寄存器
WDTHOLD：为0时WDT功能激活，否则禁止； WDTPW：高8位口令，为5AH时允许操作。
89C51单片机是8位单片机，采用“CISC”，共111条指令； MSP430单片机是16位单片机，采用“RISC”，共27条指令。 89C 51 单片机电源电压是 5 伏，正常情况下消耗的电流为 24mA ，在掉电状态下，其耗电电流仍为 3mA ；即使在掉电方式 下，电源电压可以下降到 2V ，但是为了保存内部 RAM 中的数 据，还需要提供约 50uA 的电流；MSP430单片机则为超低功耗单 片机。 89C51单片机受其结构本身限制，很难实现模拟功能部件的增 加；MSP430单片机无论扩展 8 位功能模块还是 16 位的功能模块 ，即使扩展模 / 数转换或数 / 模转换这类的功能模块也很方便。 89C51单片机在线编程始终是个问题；但MSP430单片机不仅 开发工具简便，而且价格也相对低廉，并且可以实现在线编程。
如何选择MSP430
时钟系统是MCU功率消耗的关键。应用中1秒可能进入和退出各种低功耗模式几次甚至
几千次。进入和退出低功耗模式并迅速处理数据的能力是至关重要的，因为电流在CPU等待时
钟稳定的过程中是被浪费掉。大部分时钟系统都能在10~20us内为CPU准备好稳定的时钟源，
但是重要的是要知道哪些时钟能够瞬间启动。有些MCU分两步完成，在高频时钟稳定之前先
器。ADC12能够在转化完成之后唤醒CPU。
有些MSP430设备包括直接存储器存取（DMA）能够在CPU不介入的情况下自动完成数据的
操作。使用直接存储器存取控制器能够增加数据操作的能力，更重要的是这样能够降低功率的
消耗。例如，可以允许CPU在休眠的状态下，使用DMA自动传送模数转换器转换完成的数据到
围和部分片内外设都应该有中断。有些外围像定时器A，定时器B和ADC12转换器为了能够
灵活处理常有多个中断。
下面我们以按钮或按键为例来说明外围中断在应用中的益处。没有中断的MCU需要定时
检测按键或按钮，这样才能知道它们是否被按下。不仅仅是定时检测需要电流，同时控制定时
需要定时器，这也要消耗电流。相反，使用中断的话CPU只需要在按钮按下时被唤醒而在其它
时时钟源。下图是8Mhz时钟瞬间启动的状态。只需要292ns就达到完全的稳定。
另外，假如MCU为外设提供多个时钟源，外设就可以在CPU处于休眠状态下运作。例如，
A/D转换器可能需要一个高速时钟，假如MCU时钟系统中有独立于CPU的高速时钟源，这样的
话，CPU就可以在A/D转换的过程中处于休眠状态。从而达到降低CPU电路消耗的目的。
引脚输入MSP430的总电流为50nA~1uA。
●执行效率
MSP430系列MCU选型手册
MSP430系列MCU选型手册msp430芯片选型中文手册指南F1XX系列Vcc1.8V-3.6V型号MSP430F1101A参数说明1KBflash,128BRam；slopeA/D；14个I/O口；16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）,比较器_A；20DW、PW封装型号MSP430F1111A参数说明2KBflash,128BRam；slopeA/D；14个I/O口；16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）,比较器_A；20DW、PW封装型号MSP430F1121A参数说明4KBflash,256BRam；slopeA/D；14个I/O口；16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）,比较器_A；20DW、PW封装型号MSP430F1122参数说明4KBflash,256BRam；5通道10bitA/D；14个I/O口；16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）,温度传感器；20DW、PW封型号MSP430F1132参数说明8KBflash,256BRam；5通道10bitAD；14个I/O口；16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）；温度传感器；20DW、PW封型号MSP430F122参数说明4KBflash,256BRam；slopeA/D；22个I/O口；16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）；1个USART接口，比较器A；28DW、PW封装型号MSP430F123参数说明8KBflash,256BRam；slopeA/D；22个I/O口；16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）；1个USART接口，比较器A；28DW、PW封装型号MSP430F1222参数说明4KBflash,256BRam；8通道10bitA/D；22个I/O口；16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）；1个USART接口；温度传感器；28DW、PW封装型号MSP430F1232参数说明8KBflash,256BRam；8通道10bitA/D；22个I/O口；16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）；1个USART接口；温度传感器；28DW、PW封装型号MSP430F133参数说明8KBflash,256BRam；8通道12bitA/D；48个I/O口；16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）_A；1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器）；1个USART接口；比较器_A；温度传感器；64PM封装型号MSP430F135参数说明16KBflash,512BRam；8通道12bitA/D；48个I/O口；16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）_A；1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器）；1个USART接口；比较器_A；温度传感器；64PM封装型号MSP430F147参数说明32KBflash,1024BRam；8通道12bitA/D；48个I/O口；16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）；1个16位Timer_B（7个捕获/比较寄存器）；2个USART接口；MPY；比较器_A；温度传感器；64PM封装型号MSP430F1471参数说明32KBflash,1024BRam；slopeA/D；48个I/O口；16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）_A；1个16位Timer_B（7个捕获/比较寄存器）；2个USART接口；MPY；比较器_A；64PM封装型号MSP430F148参数说明48KBflash,2048BRam；8通道12bitA/D；48个I/O口；16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）_A；1个16位Timer_B（7个捕获/比较寄存器）；2个USART接口；MPY；比较器_A；温度传感器；64PM封装型号MSP430F1481参数说明48KBflash,2048BRam；slopeA/D；48个I/O口；16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）_A；1个16位Timer_B（7个捕获/比较寄存器）；2个USART接口；MPY；比较器_A；64PM封装型号MSP430F149参数说明60KBflash,2048BRam；8通道12bitA/D；48个I/O口；16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）_A；1个16位Timer_B（7个捕获/比较寄存器）；2个USART接口；MPY；比较器_A；温度传感器；64PM封装型号MSP430F1491参数说明60kflash,2048BRam；slopeA/D；48个I/O口；16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）_A；1个16位Timer_B（7个捕获/比较寄存器）；2个USART接口；MPY；比较器_A；64PM封装型号MSP430F155参数说明16KBflash,512BRam；8通道12bitA/D；双12bitD/A；DMA；48个I/O口；16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）_A；1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器）；1个USART接口；I2C；比较器_A；温度传感器；64PM封装型号MSP430F156参数说明24KBflash,512BRam；8通道12bitA/D；双12bitD/A；DMA；48个I/O口；16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）_A；1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器）；1个USART接口；I2C；比较器_A；温度传感器；64PM封装型号MSP430F157参数说明32KBflash,1024BRam；8通道12bitA/D；双12bitD/A；DMA；48个I/O口；16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）；1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器）；1个USART接口；I2C；比较器_A；温度传感器；64PM 封装型号MSP430F167参数说明32KBflash,1024BRam；8通道12bitA/D；双12bitD/A；DMA；48个I/O口；16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）；1个16位Timer_B（7个捕获/比较寄存器）；2个USART接口；I2C；MPY；比较器_A；温度传感器；64PM封装型号MSP430F168参数说明48KBflash,2048BRam；8通道12bitA/D；双12bitD/A；DMA；48个I/O口；16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）；1个16位Timer_B（7个捕获/比较寄存器）；2个USART接口；I2C；MPY；比较器_A；温度传感器；64PM封装型号MSP430F169参数说明60KBflash,2048BRam；8通道12bitA/D；双12bitD/A；DMA；48个I/O口；16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）；1个16位Timer_B（7个捕获/比较寄存器）；2个USART接口；I2C；MPY；比较器_A；温度传感器；64PM封装型号MSP430F1610参数说明32KBflash,5120BRam；8通道12bitA/D；双12bitD/A；DMA；48个I/O口；16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）；1个16位Timer_B（7个捕获/比较寄存器）；2个USART接口；I2C；MPY；比较器_A；温度传感器；64PM封装型号MSP430F1611参数说明48KBflash,10240BRam；8通道12bitA/D；双12bitD/A；DMA；48个I/O口；16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）；1个16位Timer_B （7个捕获/比较寄存器）；2个USART接口；I2C；MPY；比较器_A；温度传感器；64PM封装型号MSP430F1612参数说明55kBflash,5120BRam；8通道12bitA/D；双12bitD/A；DMA；48个I/O口；16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）；1个16位Timer_B（7个捕获/比较寄存器）；2个USART接口；I2C；MPY；比较器_A；温度传感器；64PM封装F21X1系列Vcc1.8V-3.6V型号MSP430F2101参数说明1KBflash,128BRam；slopeA/D；16个I/O口；15/16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）；比较器_A；BrownoutProtection；20DW、PW、DGV封装型号MSP430F2111参数说明2KBflash,128BRam；slopeA/D；16个I/O口；15/16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）；比较器_A；BrownoutProtection；20DW、PW、DGV封装型号MSP430F2121参数说明4KBflash,256BRam；slopeA/D；16个I/O口；15/16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）；比较器_A；BrownoutProtection；20DW、PW、DGV封装型号MSP430F2131参数说明8KBflash,256BRam；slopeA/D；16个I/O口；15/16位WDT；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）；比较器_A；BrownoutProtection；20DW、PW、DGV封装F4XX系列Vcc1.8V-3.6VWithLCD驱动型号MSP430F412参数说明4KBflash,256BRam；slopeA/D；48个I/O口；96段LCD；16位WDT；8bit基本定时器；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）；比较器_A；64PM封装型号MSP430F413参数说明8KBflash,256BRam；slopeA/D；48个I/O口；96段LCD；16位WDT；8bit基本定时器；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）；比较器_A；64PM封装型号MSP430F415参数说明16kBflash,512BRam；slopeA/D；48个I/O 口；96段LCD；16位WDT；8bit基本定时器；1个16位Timer_A （3或5个捕获/比较寄存器）；比较器_A；64PM 封装型号MSP430F417参数说明32kBflash,1024BRam；slopeA/D；48个I/O口；96段LCD；16位WDT；8bit基本定时器；1个16位Timer_A（3或5个捕获/比较寄存器）；比较器_A；64PM 封装型号MSP430FE423参数说明8KBflash,256BRam；SD16A/D；Emeter计量模块；14个I/O口；128段LCD；16位WDT；8bit基本定时器；1个16位Timer_A（3个捕获/比较寄存器）；1个USART 接口；温度传感器；64PM封装型号MSP430FE425参数说明16KBflash,512BRam；SD16A/D；Emeter计量模块；14个I/O口；128段LCD；16位WDT；8bit基本定时器；1个16位Timer_A（3个捕获/比较寄存器）；1个USART 接口；温度传感器；64PM封装型号MSP430FE427参数说明32KBflash,1KBRam；SD16A/D；Emeter计量模块；14个I/O口；128段LCD；16位WDT；8bit基本定时器；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）；1个USART 接口；比较器_A；温度传感器；64PM封装型号MSP430F4250参数说明16KBflash,256BRam；32个I/O 口；56段LCD；SD16位ADC （具有内部参考电压）；12位DAC，1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）；温度传感器模块；电源检测功能；48DL封装型号MSP430F4260参数说明24KBflash,256BRam；32个I/O 口；56段LCD；SD16位ADC （具有内部参考电压）；12位DAC，1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）；温度传感器模块；电源检测功能；48DL封装型号MSP430F4270参数说明32KBflash,256BRam；32个I/O 口；56段LCD；SD16位ADC （具有内部参考电压）；12位DAC，1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）；温度传感器模块；电源检测功能；48DL封装型号MSP430FG437参数说明32KBflash,1024BRam；12通道12bitA/D；双12bitD/A；48个I/O口；DMA；128段LCD；16位WDT；8bit基本定时器；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)；1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器)；1个USART接口；温度传感器；80PN 封装型号MSP430FG438参数说明48KBflash,2048BRam；12通道12bitA/D；双12bitD/A；48个I/O口；DMA；128段LCD；16位WDT；8bit基本定时器；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)；1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器)；1个USART接口；温度传感器；80PN 封装型号MSP430FG439参数说明60KBflash,2048BRam；12通道12bitA/D；双12bitD/A；48个I/O口；DMA；128段LCD；16位WDT；8bit基本定时器；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)；1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器)；1个USART接口；温度传感器；80PN 封装型号MSP430FW423参数说明8KBflash,256BRam；slopeA/D；流量测量ScanIF模块；48个I/O口；96段LCD；16位WDT；8bit 基本定时器；1个16位Timer_A(3或5个捕获/比较寄存器)；比较器_A；64PM封装型号MSP430FW425参数说明16KBflash,512BRam；slopeA/D；流量测量ScanIF模块；48个I/O口；96段LCD；16位WDT；8bit 基本定时器；1个16位Timer_A(3或5个捕获/比较寄存器)；比较器_A；64PM封装型号MSP430FW427参数说明32KBflash,1024BRam；slopeA/D；流量测量ScanIF模块；48个I/O口；96段LCD；16位WDT；8bit基本定时器；1个16位Timer_A(3或5个捕获/比较寄存器)；比较器_A；64PM封装型号MSP430F435参数说明16KBFlash,512BRam；8通道12bitA/D；48个I/O口；128/160段LCD；16位WDT；8bit基本定时器；16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）_A；16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器）_B；1个USART接口；比较器_A；温度传感器；80PN/100PZ封装型号MSP430F436参数说明24KBFlash,1024KRam；8通道12bitA/D；48个I/O口；128/160段LCD；16位WDT；8bit基本定时器；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）_A；1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器）_B；1个USART接口；比较器_A；温度传感器；80PN/100PZ封装型号MSP430F437参数说明32KBFlash,1024KRam；8通道12bitA/D；48个I/O口；128/160段LCD；16位WDT；8bit基本定时器；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）_A；1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器）_B；1个USART接口；比较器_A；温度传感器；80PN/100PZ封装型号MSP430F447参数说明32KBFlash,1024KRam；8通道12bitA/D；48个I/O口；160段LCD；16位WDT；8bit基本定时器；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）；1个16位Timer_B （7个捕获/比较寄存器）；2个USART接口；MPY；比较器_A；温度传感器；100PZ 封装型号MSP430F448参数说明48KBflash,2048BRam；8通道12bitA/D；48个I/O口；160段LCD；16位WDT；8bit基本定时器；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）；1个16位Timer_B （7个捕获/比较寄存器）；2个USART接口；MPY；比较器_A；温度传感器；100PZ 封装型号MSP430F449参数说明60KBflash,2048BRam；8通道12bitA/D；48个I/O口；160段LCD；16位WDT；8bit基本定时器；1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器）；1个16位Timer_B （7个捕获/比较寄存器）；2个USART接口；MPY；比较器_A；温度传感器；100PZ 封装型号TSS721AD参数说明M-BUS总线型号TRF6901PT参数说明无线射频率收发芯片。
单片机外部晶振的使用
单片机外部晶振的使用
1. 晶振的选取：选择符合单片机频率需求的晶振，一般为1.2MHz 至12MHz之间，对于不同的系统要求，应选用不同频率的晶振。
2. 晶振的接入：将晶振接入单片机的XTAL1和XTAL2引脚，这两个引脚是用于外部时钟输入和输出。
在接入时，需要注意晶振的正负极接入方式，并保证稳定可靠地连接。
3. 外部时钟源的连接：如果使用外部时钟源，可以通过HSE、HSI或LSE、LSI等引脚接入。
根据需要选择合适的引脚连接方式，如使用HSE引脚时，需要将OSCSEL置为1。
4. 时钟频率的配置：根据实际需求，可以通过编程来配置单片机的工作频率。
在C8051F系列单片机中，可以通过设置SCLCR寄存器来配置系统时钟频率。
5. 启动外部晶振：在接入外部晶振后，需要启动晶振才能使单片机正常工作。
启动方法可以通过在单片机程序中设置相应的控制位或通过外部硬件电路控制。
需要注意的是，在使用外部晶振时，应保证晶振的稳定性和可靠性，避免因晶振问题导致系统不稳定或性能下降。
同时，还需要注意外部时钟源的接入方式和频率配置，以确保系统正常工作。
MSP430系列的芯片晶振选型报告
1、晶振的基本原理石英晶体，有天然的也有人造的，是一种重要的压电晶体材料。
石英晶体本身并非振荡器，它只有借助于有源激励和无源电抗网络方可产生振荡。
什么是晶振？晶振作用，晶振原理？晶振一般叫做晶体谐振器，是一种机电器件，是用电损耗很小的石英晶体经精密切割磨削并镀上电极焊上引线做成。
这种晶体有一个很重要的特性，如果给他通电，他就会产生机械振荡，反之，如果给他机械力，他又会产生电，这种特性叫机电效应。
他们有一个很重要的特点，其振荡频率与他们的形状，材料，切割方向等密切相关。
由于石英晶体化学性能非常稳定，热膨胀系数非常小，其振荡频率也非常稳定，由于控制几何尺寸可以做到很精密，因此，其谐振频率也很准确。
根据石英晶体的机电效应，我们可以把它等效为一个电磁振荡回路，即谐振回路。
他们的机电效应是机-电-机-电....的不断转换，由电感和电容组成的谐振回路是电场-磁场的不断转换。
在电路中的应用实际上是把它当作一个高Q值的电磁谐振回路。
由于石英晶体的损耗非常小，即Q 值非常高，做振荡器用时，可以产生非常稳定的振荡，作滤波器用，可以获得非常稳定和陡削的带通或带阻曲线。
晶振模块一般需要电源电流为10mA ~60mA。
硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频（固定）器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。
一种低功率的硅振荡器，如MAX7375，工作在4MHz时只需不到2mA的电流。
在特定的应用场合优化时钟源需要综合考虑以下一些因素：精度、成本、功耗以及环境需求。
2、单片机晶振的两个电容的作用这两个电容叫晶振的负载电容，分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般在几十皮发。
它会影响到晶振的谐振频率和输出幅度，一般订购晶振时候供货方会问你负载电容是多少。
晶振的负载电容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C式中Cd,Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,Cic（集成电路内部电容）+△C（PCB上电容）经验值为3至5pf。
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MSP430单片机外围晶振设计选型及参考方案MSP430系列单片机是美国德州仪器（TI）1996年开始推向市场的一种16位超低MSP430单片机。
它的功耗小、具有精简指令集（RISC）的混合信号处理器（Mixed Signal Processor）。
称之为混合信号处理器，是由于其针对实际应用需求，将多个不同功能的模拟电路、数字电路模块和微处理器集成在一个芯片上，以提供“单片机”解决方案。
该系列单片机多应用于需要电池供电的便携式仪器仪表中。
本文主要讲解MSP430系列芯片外围晶振设计选型及注意事项等。
---MSP430F149
MSP430系列芯片一般外搭两颗晶振：一颗主频晶振，通常在4~16Mhz中选择；另外一颗时钟晶振，即32.768Khz晶振，早期选用直插封装的，现在大部分采用贴片封装的产品，其一便于贴装，其二追求产品的稳定性和品质的可靠性等。
---应用电路
---MSP430开发板
一、主频晶振的选择
通常MSP430芯片的主频晶振一般选择4Mhz的整数倍，即
4Mhz、8Mhz、16Mhz、32Mhz等。
早期电路设计的时候一般选择成本较低的49S封装产品，现阶段越来越倾向于稳定性更好、体积更小、便于贴装的贴片3225封装产品，上海唐辉电子代理的日本KDS大真空公司推出的DSX321G和DSX320G\DSX320GE产品。
1、工业级、消费类产品用DSX321G8Mhz，如下图：
该型号产品封装为3.2mm*2.5mm，体积不到传统直插型49S封装的1/5，精度可达到20PPM，工作温度达到-40—+85°C的工业级，完全能够满足客户的要求。
2、汽车电子、工控类产品用DSX320G/DSX320GE，如下图：
该型号产品封装同意为3.2*2.5mm，精度可做到100ppm和50ppm，除了温度能满足客户要求的-40-+125°C、-40-+150°C外，还符合AEC-Q200标准。
二、32.768Khz时钟晶振的选择
32.768Khz这一家族的型号很多，各种直插和贴片的，各种负载电容的、各种精度的。
根据MSP430不同的系列做一下针对性的推荐：IC name Quartz crystal CL(pF)
MSP430F16932.768kHz12.5
MSP430F213132.768kHz12.5
MSP430F213132.768kHz6
MSP430F41332.768kHz12.5
MSP430F41332.768kHz6
MSP430FG461932.768kHz12.5
MSP430FG461932.768kHz6
MSP430F1232IPW32.768kHz12.5
MSP430F1XX32.768kHz12.5
MSP430F2XX32.768kHz12.5
MSP430F4XX32.768kHz12.5
MSP430F4XX32.768kHz12.5
MSP430F5XX32.768kHz12.5
MSP430FE42732.768kHz6
MSP430P32532.768kHz6
1、低负载、低ESR值产品：
直插封装DT-2632.768Khz20PPM6PF
贴片封装DMX-26S32.768Khz20PPM6PF
贴片封装NX3215SA32.768Khz20PPM6PF
2、常规负载产品：
直插封装DT-2632.768Khz20PPM12.5PF
贴片封装DMX-26S32.768Khz20PPM12.5PF
贴片封装NX3215SA32.768Khz20PPM12.5PF
32.768Khz晶振，请找上海唐辉电子，天天现货，原装正品。
上海唐辉电子，深耕晶振行业15年，非常专业，行业公认！KDS、NDK、EPSON、SEIKO、SITIME。
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下面的文章非常重要，很多研发工程师就困扰在这里。
搭配MSP430单片机的32.768Khz晶振（以圆柱形晶振为例）
的原理、基本应用、使用注意事项
音叉型水晶振动子标准品（32.768Khz圆柱体型晶振）使用上的注意事项
1、耐冲击性
施加了过大的冲击后，会引起特性的恶化或不发振。
充分注意不要发生落下。
另外，尽可能在无冲击的条件下使用。
自动焊接或条件变更时，在使用前应充分确认一下。
2、耐热性、耐湿性
在高温或低温或高湿度条件下长时间的使用及保管，会引起振动子的恶化。
尽可能在常温、常湿条件下使用、保管。
3、焊锡耐热性
标准型的振动子使用178℃熔点的焊锡。
振动子内部的温度超过150℃，会引起制品特性的恶化或不发振。
要在超过上面温度的条件进行组装时，是否改用耐热制品或SMD振动子。
使用流动焊锡焊接时，请贵公司充分确认或与我公司联络。
焊接条件，引线部，280℃以下5秒以内或260℃以下10秒以内。
且，请不要在引线根部直接焊接。
是造成特性恶化的原因。
4、印刷电路板的组装方法
音叉型振动子横向倒放时，请充分固定到电路板上。
特别是振动的部位，如图所示在电路板与振动子间放入缓冲材料，或用弹力较好的接着剂（硅胶等）进行固定。
另外，请避免在底座玻璃部涂布接着剂。
振动子直立使用时，振动子与电路板间隔开DT-38型3mm以上，DT-26型2mm以上。
5、引线加工
要进行引线切断时，应对切断刀进行充分整备。
引线加工时，或引线弯曲修正时，对引线根部施加过大的力，会引起底座玻璃裂等，或对压入部施加过大的力，注意会引起漏气不良。
另外，引线根部应留0.5mm以上的直线引线部分。
6、超音波洗净及超音波焊着
由于是内部的水晶片谐振，造成不发振的原因，因此不能保证能否进行超音波焊着。
关于超音波洗净，请贵公司确认。
7、激振标准
振动子在过大的激振标准上使用后，会引起特性恶化或不发振。
对于此种振动子，我公司建议在1.0μW以下使用。
尚，不能保证在2.0μW以上使用。
（未完，待续）。