电子技术复习题C
(完整版)电子技术复习题(答案)
电子技术复习题一、填空1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。
2.当电源电压升高时，电抗原件将能量存储起来，而当电源电压降低时，又将能量释放出来，从而使输出电压比较平滑，这就是滤波3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。
4.晶体管是有三个电极的电流放大器，任选其中一个电极为公共电极时，可组成三种不同的四端网络，分别成为共基极、共发射极、共集电极。
5．构成放大电路的条件有两个：一是发射结正偏，集电结反偏；二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。
6、当温度升高时，会引起放大电路的静态工作点向上偏移，造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。
8．半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。
9．硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V10．二极管的反向电压在一定范围时，电流基本上是 恒定（或不变） 的。
11．稳压管工作在 反向击穿 区。
12．NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。
13．PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。
14．非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。
15．为不产生非线性失真，放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的 中点 ，输入信号的幅值不能太大。
16．在外部因素（如温度变化、三极管老化、电源电压波动等）的影响下，会引起放大电路 静态工作点 的偏移。
17．外部因素中，对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。
18．三极管级间耦合的方式主要有：阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。
19．三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。
20．三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。
21．三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。
22．场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。
23．场效应管有两种类型：结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。
电子技术基础复习试题与答案
一、选择题：
1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( )
(A)掺入杂质的浓度、(B)材料、(C)温度
2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( )
(A)放大状态 、(B)饱和状态、(C)截止状态
3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( )
28．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A2A1A0=110时，输出 应为______。
29．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM， 该ROM有______根地址线。
30．能够实现“线与”的TTL门电路叫______。
31．差分放大电路，若两个输入信号uI1=uI2，则输出电压，uO=0； 若 u I1=100V，u I2=80V则差模输入电压uId=20V；共模输入电压uIc=90V。
参考答案
一、选择题：1、C2、C3、C4、B5、C6、C7、C8、B9、B10、A
11、C12、B13、B14、C15、B16、A17、C18、A19、C
20、C21、A22、C23、B24、A25、A
二、填空题：1、自由电子、空穴2、单向导电
3、发射结正偏、集电结反偏4、差动
5、φA +φF=2nπ（n=0、1、2……） 、AF=1
(1)静态工作点IB，IC，UCE；
(2)电压放大倍数Au。
5．已知如图VＣＣ=12V，RB=100KΩ，RW=400KΩ，RC＝4KΩ，β＝37.5，
当滑动变阻器的触点在中间位置时求静态值并画直流负载线 （设UBE= 0 ）。 （10分）
7．写出下图输出与输入的关系表达式：
电子技术复习题及答案
电子技术复习题一一、填空题1、右图中二极管为理想器件，题1-1V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。
2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。
3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置，工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。
4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联电压负反馈、_并联电压负反馈__、_串联电流负反馈_、并联电流负反馈。
5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。
6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。
7、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。
8、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。
9、数字信号只有 0 和 1 两种取值。
10、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是7B 。
11、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。
12、按移位方向，移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。
13、（101111）(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2)14、时序电路分为组合电路和存储电路两种。
15、.二极管的反向电流IRM越小，说明二极管的____单向导电_____性能越好。
16、交流负反馈有4种组态，若要求输入电阻高，输出电阻高，在放大电路中应引入__串联电流_______负反馈组态。
17、要稳定静态工作点，在放大电路中应引入_____直流____负反馈。
二、选择题1、离散的，不连续的信号，称为（B ）A、模拟信号B、数字信号2、在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。
电子技术复习题
13电子技术复习题一、选择题1、半导体中的空穴和自由电子数相等，这样的半导体称为（ C ）A. P型半导体；B. N型半导体；C. 本征半导体。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。
3、P型半导体中的多数载流子是（ B ）。
A.电子B.空穴C.电子和空穴4、N型半导体中的多数载流子是（ A ）。
A. 电子B.空穴C.电子和空穴5. 整流电路加滤波电路的主要作用是（ B ）A. 提高输出电压；B. 减少输出电压的脉动程度；C. 降低输出电压；D. 限制输出电流。
6. 三端稳压电源输出负电压并可调的是（ B ）A. CW79XX系列；B. CW337系列；C. CW317系列D. CW78XX系列7、基本放大电路中，经过晶体管的信号电流有（C ）。
A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。
8、基本放大电路中的主要放大对象是（B ）。
A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。
9、分压式偏置的NPN型晶体管共发射极放大电路中，U B 点电位过高，晶体管易出现（ A ）。
A、饱和状态B、截止状态C、放大状态10、晶体管放大电路中，基极电流i B 的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（B ）。
A、截止区；B、饱和区；C、死区。
11. NPN型晶体放大电路中，晶体管各级电位最高的是：（C）A. 基极；B. 发射极；C. 集电极12、射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（A ）A、带负载能力强；B、带负载能力差；C、减轻前级或信号源负荷。
13、在三极管的输出特性曲线中，每一条曲线与（ C ）对应。
A、集电极电流B、发射极电流C、基极电流14、为了增大放大电路的动态范围，其静态工作点应选择（ D ）。
A、截止点;B、饱和点;C、交流负载线的中点；D、直流负载线的中点。
15. 在晶体管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体管（ B ）A. 电压U CE增大；B. 电压U CE减小；C. 基极电流减小。
《电力电子技术》C卷
密封线考生答题不得过此线系班级姓名学号潍坊学院成人教育《电力电子技术》试卷(C)卷一、填空题（每小题1分，共15分）1．晶闸管断态不重复电压U DSN与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM____________U BO。
2．为了保证晶闸管可靠与迅速地关断，通常在管子阳极电压下降为零之后，加一段时间的电压。
3．选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大倍，使其有一定的电压裕量。
4．晶闸管元件并联时，要保证每一路元件所分担的电流。
5．单相全控桥式整流大电感负载电路中，晶闸管的导通角θ=___________。
6．在电感性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为______。
7．三相半波可控整流电路，带大电感负载时的移相范围为。
8．在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角时，输出电压波形出现负值，因而常加续流二级管。
9．三相全控桥式有源逆变电路，每个晶闸管导通角1200，每隔产生一次换相。
10．三相桥式全控整流电路，电阻性负载，当控制角时，电流连续。
11．考虑变压器漏抗的可控整流电路中，在换相过程期间，两个相邻的晶闸管同时导通，对应的电角度称为。
12.确定最小逆变角βmin要考虑的三个因素是晶闸管关断时间t off所对应的电角度δ，安全裕量角θ0和。
13．SPWM 有两种调制方式：单极性和______调制。
14. 电流源型逆变器的输出电流波形为。
15．改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_______________的幅值。
二、单项选择题(每小题2分，共30分)在每小题烈出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号内。
1小阳极电流，称为（ ）。
①维持电流 ②擎住电流 ③浪涌电流 ④额定电流2．晶闸管过电压保护的元器件是（ ）①快速熔断器 ②RC 电路 ③快速开关 ④电抗器3．下列器件中为全控型器件的是（ ）。
①双向晶闸管 ②快速晶闸管 ③光控晶闸管 4．在型号为KP10-12G 中，数字10表示（ ）。
《电子技术》期末复习试题及答案
《电子技术》期末复习试题及答案1.根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为、和一空1答案：导体空2答案：半导体空3答案：绝缘体2.导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为o空1答案：半导体3.二极管P区引出端叫极，N区引出端叫极空1答案：正空2答案：负4.二极管的最主要特性为 o空1答案：单向导电性5.按二极管所用的材料不同，可分为二极管和二极管两类。
空1答案：硅空2答案：错6. PN结正向偏置时，P区接电源极，N区接电源极空1答案：正空2答案：负7.半导体三极管有两个PN结，分别是结和结。
空1答案：集电空2答案：发射8.硅二极管的正向管压降为 V,错二极管的正向管压降为 Vo9.硅二极管的死区电压为 Vo空1答案：0.510.半导体三极管有三个电极，分别为极、极和极。
空1答案：集电空2答案：基空3答案：发射11.三极管的三种工作状态分别是状态、和状态。
空1答案：截止空2答案：放大状态空3答案：饱和12.三极管工作在放大状态，结正偏，结反偏。
空1答案：发射空2答案：集电13.半导体三极管放大的实质是,即空1答案：控制空2答案：用较小的电流控制较大的电流14.影响放大电路的静态工作点稳定的最主要因素是的变化空1答案：温度15.分压式射极偏置电路中电容的作用是。
空1答案：隔直通交16.温度升高时，放大电路的静态工作点会上升，引起失真，温度降低时，静态工作点会下降，引起失真。
17. NPN型三极管工作在截止状态时，发射结空1答案：反偏18.工作在放大状态的三极管可作为器件，工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
空1答案：放大空2答案：开关19.各级放大器之间的连接方式，叫做空1答案：耦合LPN结的最大特点是（）oA.导电性B.绝缘性C.单向导电性（正确答案）D.负阻性2.半导体受光照，导电能力（）oA.增强（正确答案）B.减弱C.不变I）.不一定3.当加在硅二极管两端的正向电压从0逐渐增加时，硅二极管（）oA.立即导通B.到0. 3V才开始导通C.超过死区电压时才导通（正确答案）D.不导通4.当硅二极管加上0.4V正向电压，该二极管相当于（）。
电子技术考前复习题
《电子技术》考前复习题一、选择题1. 在杂质半导体中，少子的浓度主要取决于( )。
(14.1 P. 5~7)A. 掺入杂质的浓度B. 材料C. 温度2. 测得某PNP型三极管各极电位为：UB=-3V ，UE=-4V ，UC=-6V，则该管工作于( )。
(14.5 P. 22~23)A. 放大状态B. 饱和状态C. 截止状态3. 固定偏置共发射极放大电路中，三极管工作在放大区，如果将Rc增大，此时三极管为放大状态，则集电极电流Ic将：( )。
(15.2 P. 39)A. 显著减小B. 不变C. 显著增加D. 无法确定4. 放大器若要提高输入电阻，降低输出电阻，应引入的反馈类型是：( )。
(17.2 P. 141)A. 电压并联负反馈B. 电压串联负反馈C. 电流并联负反馈D. 电流串联负反馈5. 已知某差分放大电路的差模放大倍数为100，共模放大倍数为2，则共模抑制比KCMRR 为( )。
(15.7 P. 71)A. 100B. 50C. 1/50D. 1/1006. 正弦波振荡器的振荡频率f取决于( )。
(17.3 P. 146)A. 放大电路的放大倍数B. 反馈网络元件的参数C. 正反馈的强弱D. 电源电压的高低7. 图示TTL电路中1端输入数字信号A，2、3端悬空，则Y=( )。
(20.2)A. 0B. 1C. AD.8. 要表示十进制数的十个数码需二进制数码的位数至少为( )。
(20.8)A .2位B .3位 C. 4 位 D. 5位9. 将JK 触发器的J、K两端短接，就可以接成( )。
(21.1 P. 305)A. RS触发器B. D触发器C. T触发器D. T’触发器10. 已知某逻辑门的真值表如图所示，则对应的门的逻辑符号是( )。
(20.2)11. 通用型集成运放的输入级采用差分放大电路，这是因为它的( )。
(15.7 P. 7016.1 P. 95)A. 输入电阻高B. 输出电阻低C. 共模抑制比大D. 电压放大倍数大。
电子技术复习题及参考答案.
中南大学网络教育课程考试复习题及参考答案电子技术一、填空题：1.在本征半导体中掺入微量三价元素形成型半导体，掺入微量五价元素形成型半导体。
2.晶体管工作在截止区时，发射结向偏置，集电结向偏置。
3.硅稳压管的工作为 _ 区。
4.为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
5.已知输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
6.为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。
7.为了稳定静态工作点，应引入负反馈。
8.为了稳定放大倍数，应引入负反馈。
9.为了使放大电路的输出电阻增大应引入负反馈；深度负反馈的条件是。
10.为了减小放大电路的输入电阻，应引入负反馈。
11.为了减小放大电路的输出电阻，应引入负反馈。
12.当集成运放组成运算电路时中，运放一般工作在状态。
13.在运放组成的电压比较器中，运放一般工作在或状态。
14.在图1所示电路中，调整管为，采样电路由组成，基准电压电路由组成，比较放大电路由组成。
图115.在整流电路的输入电压相等的情况下，半波与桥式两种整流电路中，输出电压平均值最低的是整流电路。
16.直流电源由、、和四部分组成。
17.串联型稳压电路由、、和四部分组成。
18.欲将方波电压转换成三角波电压，应选用运算电路。
19.NPN型共集电极放大电路中的输出电压顶部被削平时，电路产生的是失真；乙类功放电路的主要缺点是输出有失真。
20. 比例运算电路的比例系数大于1，而比例运算电路的比例系数小于零。
21.正弦波自激振荡的幅值平衡条件为，相位平衡条件为。
22.存储器按功能不同可分为存储器和存储器；23.RAM按存储单元结构特点又可分为和。
24.半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是、、。
25.某存储器容量为8K×8位，则它的地址代码应取位。
26.将Intel2114(1K*4位)RAM扩展成为8K*4位的存储器，需要Intel2114芯片数是，需要增加的地址线是条。
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一、单项选择题（29小题，每小题2分，共64分）
1、图1~图3的三幅波形图中，()正确表达
了脉冲信号的宽度。
()
c
2、模拟电路中的工作信号为()。
A 、随时间连续变化的电信号 B 、随时间不连续变化的电信号 C 、持续时间短暂的脉冲信号
3、逻辑图和输入A ，B 的波形如图所示，分析当输出F 为“0”的时刻应是()。
A 、t 1
B 、t 2
C 、t 3
t 1
t 2
t 3
≥1
A
F
B
A
B
4、数字电路中晶体管大多工作于()。
A 、放大状态
B 、开关状态
C 、击穿状态 5、逻辑图和输入A ，B 的波形如图所示，分析在t 1瞬间输出F 为()。
A 、“1”
B 、“0”
C 、任意
t 1
A
B
图1
图2
6、逻辑符号如图所示，表示“与”门的是
()。
&
A
F
B
≥1
A
F
B
&
A F
B
=1
A F
B
()
a ()
b ()
c ()
d
7、逻辑电路如图所示，由其逻辑功能判断应为()。
A 、二进制编码器
B 、二进制译码器
C 、十进制编码器
8、由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关接通为“1”，断开为“0”，电灯亮为“1”，电灯暗为“0”，则该电路的逻辑式为()。
A 、F =0
B 、F =1
C 、F =
A
9、逻辑图和输入A ，B 的波形如图所示，分析在t 1瞬间输出F 为()。
A 、“1”
B 、“0”
C 、不定
t 1
≥1
A
F
B
A
B
10、逻辑图和输入A 的波形如图所示，输出
F 的波形为()。
"1"
1
A
F
()
a ()
b (c)A
F
F
11、图示逻辑符号的逻辑状态表为()。
≥1
A
F
B
12、逻辑符号如图所示，能实现F ＝A ＋B 逻辑功能的是()。
&
A
F
B
≥1
A F
B
=1
A
F
B
()
a
()
b ()
c
13、编码器的逻辑功能是()。
A 、把某种二进制代码转换成某种输出状态
B 、将某种状态转换成相应的二进制代码
C 、把二进制数转换成十进制数
14、与十进制数127相应的二进制数是()。
A 、00111111
B 、01111111
C 、00011111
15、与十进制数64相应的二进制数是()。
A 、10000000
B 、00100000
C 、01000000
16、采用共阴极数码管的译码显示电路如图所示，若显示码数是6，译码器输出端应为()。
A 、a =b =c =d =e=f=“1”，g=“0”
B 、a =c =d=e =f=g=“0”，b=“0”
C 、a =c =d =e =f=g=“1”，b=“0”
A
B
C D
17、逻辑电路如图所示，满足F ＝“1”的条件是()。
A 、ABCD ＝0100
B 、ABCD ＝1011
C 、ABC
D ＝1100
D
18、图示逻辑电路的逻辑式为()。
A 、F =A
B +B
C CA +
B 、F
= C 、F =
A
B
C
19、逻辑图和输入A ，B 的波形如图所示，分析当输出F 为“1”的时刻应是()。
A 、t 1
B 、t 2
C 、t
3
t 1
t 2
t 3
&
F
1
A 1
B
B
A
20、逻辑式
F =AB +++，化简后
为()。
A 、F =AB BC + B 、F =AB C D + C 、F =AB BC + 21、半加器的逻辑图如下，指出它的逻辑式
为()。
A 、S =A ⊕B C =AB
B 、S =A B+A B
C =A B
C 、S =A ⊕B
C =AB
A
B
C
22、逻辑电路如图所法，当A =“0”时，RS 触发器（）。
A 、具有计数功能 B 、置“0” C 、置“1”
A
23、逻辑电路如图所示，A=“0”时，C脉冲来到后JK触发器（）。
A、具有计数功能
B、置“0”
C、置“1”
A
24、逻辑电路如图所示，A=“0”时，C脉冲来到后JK触发器（）。
A、具有计数功能
B、置“0”
C、置“1”
D、保持原状态
A
25、逻辑电路如图所示，A=B=“1”，C脉冲来到后D触发器（）。
A、具有计数功能
B、保持原状态
C、置“0”
D、置“1
”
B Q
26、某计数器最大输入脉冲数为15，组成该计数器所需最少的触发器个数为（）。
A、2
B、3
C、4
27、逻辑电路如图所示，当A=""1时，C脉冲来到后RS触发器（）。
A、具有计数功能
B、置“0”
C、置“1”
D、保持原状态
28、某时序逻辑电路的波形如图所示，由此判定该电路是（）。
A、二进制计数器B、十进制计数器C、移位寄存器
C
Q
1
Q
2
Q
3
29、某时序逻辑电路的波形如图所示，由此判定该电路是（）。
A、二进制计数器
B、十进制计数器
C、移位寄存器
C
Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
1---5BACBA6----10AAAAB 11---15B B BBC 16---20CBCCC 21---25A BBDD 26---29C DC B
二、非客观题（4小题，每小题9分，共36分）
1、已知逻辑图和输入A，B，C，D的波形如图所示，试写出输出F的逻辑式，并画出其波形。
A
B
C
D
F
1、答案：F AB CD
=+
A
B
C
D
F
2、已知逻辑图及输入A的波形，试画出F1，F2，F3的波形。
A
F
1
F
2
F
3
2、答案：
A
F 1
F 2F 3
"1"
3、试用“与非”门实现“异或”逻辑，画出逻辑图，写出化简后的逻辑式。
3
、
答
案
：
F A B AB A A A B AB B B A B A B =+=+++=++()()
=+=+=+=AB A B AB A AB B AB A AB B AB A AB B ()
4、逻辑电路如图所示，试证明该图为一半加器。
B
4
、
答
案
：
S A B AB A A B =+=+=
由
图
S A AB B AB A AB B AB A B B A ==++=++()()()()()()
=++===()()A B B A A B B A
C AB AB
上式S 、C 与半加器的表达式相同，故该电
路为半加器。