二极管的结构及性能特点
PIN二极管结构及工作原理
一、PIN二极管的结构PIN二极管的基本结构有两种，即平面的结构和台面的结构，如图2所示。
对于Si-pin133结二极管，其中I层的载流子浓度很低（约为10cm数量级）电阻率很高、（约为k-cm数量级），厚度W一般较厚（在10～200m 之间）；I层两边的p型和n型半导体的掺杂浓度通常很高。
平面结构和台面结构的I层都可以采用外延技术来制作，高掺杂的p+层可以采用热扩散或者离子注入技术来获得。
平面结构二极管可以方便地采用常规的平面工艺来制作。
而台面结构二极管还需要进行台面制作（通过腐蚀或者挖槽来实现）。
台面结构的优点是：①去掉了平面结的弯曲部分，改善了表面击穿电压；②减小了边缘电容和电感，有利于提高工作频率。
图2 PIN二极管的两种结构二、PIN二极管在不同偏置下的工作状态1、正偏下PIN二极管加正向电压时，P区和N区的多子会注入到I区，并在I区复合。
当注入载流子和复合载流子相等时，电流I达到平衡状态。
而本征层由于积累了大量的载流子而电阻变低，所以当PIN二极管正向偏置时，呈低阻特性。
正向偏压越大，注入I层的电流就越大，I层载流子越多，使得其电阻越小。
图3是正偏下的等效电路图，可以看出其等效为一个很小的电阻，阻值在0.1Ω和10Ω之间。
图3 正向偏压下PIN二极管的等效电路图正向偏压电流与正向阻抗特性曲线图2、零偏下当PIN二极管两端不加电压时，由于实际的I层含有少量的P型杂质，所以在IN交界面处，I区的空穴向N区扩散，N区的电子向I区扩散，然后形成空间电荷区。
由于I区杂质浓度相比N区很低，多以耗尽区几乎全部在I区内。
在PI交界面，由于存在浓度差（P区空穴浓度远远大于I区），也会发生扩散运动，但是其影响相对于IN交界面小的多，可以忽略不计。
所以当零偏时，I区由于存在耗尽区而使得PIN二极管呈现高阻状态。
3、反偏下反偏情况跟零偏时很类似，所不同的是内建电场会得到加强，其效果是使IN结的空间电荷区变宽，且主要是向I区扩展。
LED发光二极管的结构组成
LED发光二极管的结构组成LED（Light Emitting Diode，发光二极管）是一种固态半导体器件，可将电能转化为光能。
它由多个不同材料层的结构组成。
下面将详细介绍LED发光二极管的结构组成。
一、LED结构概述LED主要由一个P型半导体层和一个N型半导体层之间的P-N结组成。
这个结构有助于在LED工作时产生发光。
此外，还有一些必要的附属层和器件用于增强和保护LED的性能。
二、P-N结1. N型半导体层：N型半导体层通常由硒化镓（Gallium Nitride）制成。
它是一种磊晶生长薄膜，具有较高的导电性能。
这一层通常是透明的，以便光能能够在发光时穿过。
2. P型半导体层：P型半导体层通常由掺杂的氮化镓（Gallium Nitride）制成。
它比N型半导体层有更少的自由电子，但具有更多的电子空穴。
这一层与N型半导体层形成P-N结，从而形成发光的基础条件。
三、发光材料层1. 自发光层：LED发光层使其成为发光器件。
它位于P-N结之上。
最常用的材料是砷化镓（Gallium Arsenide），它可以发出可见光。
根据材料的不同，发光可以是不同颜色的。
2.光学层：光学层用于改善光的均匀度和散射效果，以使LED发出更均匀、更明亮的光线。
光学层通常是用透明塑料或玻璃材料制成的。
四、金属电极1.N电极：N电极负责连接N型半导体层，并将电流引入LED结构中。
通常使用金属制成，常见的金属有铝。
2.P电极：P电极负责连接P型半导体层，并将电流引入LED结构中。
同样使用金属制成，常见的金属有银、镍等。
五、辅助层1.胶层：胶层用于固定LED结构中的各个层，并保证它们之间的良好接触。
常用的胶层材料有环氧树脂。
2.焊盘：焊盘是LED发光二极管的引脚。
它们通常用于连接其他电路，以供电和控制LED工作。
六、封装封装是将LED芯片和辅助层进行封装，以保护LED内部结构不受损坏，并提供排热和机械强度。
常见的封装材料有塑料和陶瓷，封装形式有导向型和散热型。
肖特基二极管 防静电
肖特基二极管防静电肖特基二极管是一种常见的半导体器件，其独特的结构和材料使其具有防静电的特性。
本文将从肖特基二极管的原理、结构和应用三个方面，详细介绍肖特基二极管如何实现防静电功能。
一、肖特基二极管的原理肖特基二极管是由P型半导体和N型半导体组成的二极管，其结构与普通二极管类似。
肖特基二极管的关键在于其P-N结的形成方式不同于普通二极管，而是通过P型半导体与N型金属之间的接触来实现。
这种接触形成了一个金属-半导体势垒，也就是肖特基势垒。
肖特基二极管的特殊结构使其具有以下特点：1. 阻挡电流：肖特基二极管在正向偏置时具有与普通二极管相似的导通特性，但在反向偏置时具有更高的阻挡电流能力。
这是因为肖特基二极管的肖特基势垒可以阻挡大部分反向电流，使其只能通过很小的反向电流。
2. 快速开关速度：由于肖特基二极管的结构特殊，其载流子注入和排出速度更快，导致其开关速度更高。
这使得肖特基二极管在高频应用中具有优势，同时也有助于防止静电放电。
二、肖特基二极管的结构肖特基二极管的结构如图所示，它由P型半导体和N型金属组成。
P 型半导体的掺杂浓度较高，形成P区；N型金属则是N区。
P-N结的形成是通过P区与N区之间的接触来实现的，形成了肖特基势垒。
肖特基二极管的结构使其具有防静电的能力。
三、肖特基二极管的应用肖特基二极管由于其特殊的结构和性能，在电子电路中有着广泛的应用。
其中，防静电就是肖特基二极管的一个重要应用之一。
1. 静电保护：由于肖特基二极管具有较高的阻挡电流能力和快速开关速度，它可以用于保护电子设备免受静电损害。
当静电电荷通过肖特基二极管时，其肖特基势垒会迅速阻挡并导向地，从而保护其他电子器件免受静电放电的影响。
2. 静电放电保护：肖特基二极管还可以用于静电放电保护电路的设计。
在这种应用中，肖特基二极管可以作为快速开关来实现对静电放电的响应和保护。
当静电电荷积累到一定程度时，肖特基二极管会迅速导通，将静电放电到地，以保护其他电子器件的安全。
二极管的特性及简介介绍
二极管的特性与参数几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。
二极管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。
当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流，如下图导通区所示。
当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0，如下图截止区所示。
当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象，如下图击穿区所示。
二极管的导电特性二极管最重要的特性就是单方向导电性。
在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。
下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。
1.正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。
必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。
只有当正向电压达到某一数值（硅管约为0.6V）以后，二极管才能真正导通。
导通后二极管两端的电压称为二极管的正向压降。
2、反向特性在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。
二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。
当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。
二极管测试中的主要参数用来测试二极管的性能好坏的技术指标称为二极管的参数。
LED发光二极管
光学性能测试
利用积分球、光谱仪等设备对LED进 行光通量、色温、显色指数等光学性 能测试。
可靠性测试
对LED进行高温、低温、湿热等环境 适应性测试，以及开关寿命、抗静电 能力等可靠性测试。
筛选与分档
根据测试结果对LED进行筛选，将性 能相近的LED分在同一档次，以便后 续应用。
04
LED发光二极管应用电路 设计
基本原理
LED的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为PN 结。在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来 ，从而把电能直接转换为光能。
发展历程及现状
发展历程
自20世纪60年代初期诞生以来，LED经历了从指示灯、数码 管到显示屏、照明等应用领域的发展过程。随着技术的不断 进步，LED的性能不断提高，应用领域也不断拓宽。
04
推动智能化发展，实现 LED照明系统的远程控 制和智能化管理。
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市场前景
随着全球能源短缺和环保意识的提高，LED作为一种节能环保的照明产品，其市场前景非常广阔。未 来，随着技术的不断进步和应用的不断拓展，LED的市场份额将继续扩大，同时LED也将向着更高亮 度、更低能耗、更长寿命的方向发展。
02
LED发光二极管结构与特 性
基本结构组成
01
02
芯片
LED发光的核心部分，由半导 体材料制成。
LED发光二极管
目录
• LED发光二极管概述 • LED发光二极管结构与特性 • LED发光二极管制造技术 • LED发光二极管应用电路设计 • LED发光二极管性能评价与选型指南 • LED发光二极管市场前景与行业趋势分析
二极管 mos管 肖特基二极管
肖特基二极管又称肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），是一种特殊的二极管，其结构和特性与普通的二极管有所不同。
它利用了肖特基效应（Schottky effect）的原理，具有低漏电流、快速开关速度和低压降等优点，因此在各种电子电路中得到广泛应用。
一、肖特基二极管的结构肖特基二极管由金属和半导体材料组成，其结构如下：1. 金属-半导体接触面：用金属和半导体材料制成金属-半导体接触面，形成势垒；2. P型半导体材料：通常采用P型硅（p-Si）材料制成。
二、肖特基二极管的特性肖特基二极管相比普通二极管具有以下特点：1. 低漏电流：由于金属-半导体接触面的势垒形成，使得肖特基二极管的漏电流比普通二极管小很多；2. 快速开关速度：肖特基二极管的导通和截止速度较快，因此在高频电路中得到广泛应用；3. 低压降：肖特基二极管在导通时的压降比普通二极管小，对电路的功耗影响较小。
三、肖特基二极管的应用肖特基二极管在电子电路中有广泛的应用，主要体现在以下几个方面：1. 短波无线电接收机：肖特基二极管可以作为高频检波二极管，实现无线电信号的检波和解调；2. 低功耗电路：由于肖特基二极管的低漏电流和低压降特性，适合用于设计低功耗的电路；3. 微波频率倍频器：肖特基二极管在微波频率电路中具有较高的性能，常被用作频率倍增器；4. 太阳能电池：肖特基二极管作为太阳能电池的组成部分，可以将光能转化为电能。
四、肖特基二极管与MOS管的比较肖特基二极管与MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是两种不同类型的半导体器件，它们在结构和特性上有所不同。
1. 结构：肖特基二极管由金属和P型半导体材料组成，而MOS管由金属氧化物和半导体材料组成。
2. 功能：肖特基二极管主要用于整流和高频开关电路中，而MOS管主要用于放大和开关电路中。
3. 特性：肖特基二极管的优点在于低漏电流和快速开关速度，但其直流特性和温度特性较差；MOS管的特点在于良好的输入输出特性和高集成度，但功耗较大。
二极管的分类与特性参数(精)
二极管的分类与特性参数(精)二极管的分类与参数一、半导体二极管1.1二极管的结构半导体二极管简称二极管，由一个PN 结加上相应的电极引线和管壳构成，其基本结构和符号如图1所示。
图1 二极管的结构及符号1.2 二极管的分类1、根据所用的半导体材料不同，可分为锗二极管和硅二极管。
2、按照管芯结构不同，可分为： （1）点接触型二极管由于它的触丝与半导体接触面很小，只允许通过较小的电流（几十毫安以下），但在高频下工作性能很好，适用于收音机中对高频信号的检波和微弱交流电的整流，如国产的锗二极管2AP 系列、2AK 系列等。
（2）面接触型二极管面接触型二极管PN 结面积较大，并做成平面状，它可以通过较大了电流，适用于对电网的交流电进行整流。
如国产的2CP 系列、2CZ 系列的二极管都是面接触型的。
（3）平面型二极管它的特点是在PN 结表面被覆一层二氧化硅薄膜，避免PN 结表面被水分子、气体分子以及其他离子等沾污。
这种二极管的特性比较稳定可靠，多用于开关、脉冲及超高频电路中。
国产2CK 系列二极管就属于这种类型。
3、根据管子用途不同，可分为整流二极管、稳压二极管、开关二极管、光电二极管及发光二极管等。
1.3 二极管的特性引外壳触丝基PN二极管的电路P N阳阴极点接面接1、正向特性二极管正向连接时的电路如图所示。
二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就处于导通状态（灯泡亮），如同一只接通的开关。
实际上，二极管导通后有一定的管压降（硅管0.6～0.7V，锗管0.2～0.3V）。
我们认为它是恒定的，且不随电流的变化而变化。
但是，当加在二极管两端的正向电压很小的时候，正向电流微弱，二极管呈现很大的电阻，这个区域成为二极管正向特性的“死区”，只有当正向电压达到一定数值（这个数值称为“门槛电压”，锗二极管约为0.2V，硅二极管约为0.6V）以后，二极管才真正导通。
此时，正向电流将随着正向电压的增加而急速增大，如不采取限流措施，过大的电流会使PN结发热，超过最高允许温度（锗管为90℃～100℃，硅管为125℃～200℃）时，二极管就会被烧坏。
雪崩二极管和齐纳二极管的差别
雪崩二极管和齐纳二极管的差别雪崩二极管和齐纳二极管是常见的二极管类型，它们在电子领域中有着不同的用途和特点。
本文将从结构、工作原理和应用领域等方面详细介绍这两种二极管的差异。
一、结构差异1. 雪崩二极管：雪崩二极管是由P型和N型半导体材料组成的。
它的结构中有一个特殊的掺杂区域，称为雪崩区。
这个区域的掺杂浓度较高，使得电子和空穴在这里发生大量的雪崩击穿现象。
2. 齐纳二极管：齐纳二极管是由P型和N型半导体材料组成的。
它的结构中没有雪崩区，但有一个P-N结，这是电流只能单向通过的关键部分。
二、工作原理差异1. 雪崩二极管：雪崩二极管的工作原理是基于雪崩击穿效应。
当反向电压超过一定值时，电子和空穴会在雪崩区域发生碰撞，导致电流迅速增大。
它主要用于电压调节和过电压保护等应用。
2. 齐纳二极管：齐纳二极管的工作原理是基于P-N结的整流效应。
当正向电压施加在P端，反向电压施加在N端时，电流可以流过P-N结；而当反向电压施加在P端，正向电压施加在N端时，电流几乎无法通过P-N结。
它主要用于整流电路和信号检测等应用。
三、特性差异1. 雪崩二极管：雪崩二极管具有较高的击穿电压。
当电压超过击穿电压时，电流会迅速增大，因此它可以用作电压稳定器。
此外，雪崩二极管的响应速度较快，适用于高频电路。
2. 齐纳二极管：齐纳二极管具有较低的正向电压降。
它在正向偏置状态下具有较小的电阻，所以可以用作信号检测器。
齐纳二极管的响应速度较快，适用于高频电路。
四、应用领域差异1. 雪崩二极管：由于其电压稳定性好，雪崩二极管常用于电源电路中的过压保护和电压调节电路。
此外，它还可以用于高频电路的幅度调节和波形修整等应用。
2. 齐纳二极管：由于其低电压降和快速响应特性，齐纳二极管常用于整流电路、信号检测和高频信号调节等应用。
例如，它可以用于收音机、电视机和通信设备中的调谐电路。
雪崩二极管和齐纳二极管在结构、工作原理、特性和应用领域等方面存在一些差异。
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PN结主要的特性就是其具有单方向导电性，即在PN加上适当的正向电压（P 区接电源正极，N区接电源负极），PN结就会导通，产生正向电流。
若在PN结上加反向电压，则PN结将截止（不导通），正向电流消失，仅有极微弱的反向电流。
当反向电压增大至某一数值时，PN结将击穿（变为导体）损坏，使反向电流急剧增大。
（二）普通二极管1．二极管的基本结构二极管是由一个PN结构成的半导体器件，即将一个PN结加上两条电极引线做成管芯，并用管壳封装而成。
P型区的引出线称为正极或阳极，N型区的引出线称为负极或阴极，如图所示。
普通二极管有硅管和锗管两种，它们的正向导通电压（PN结电压）差别较大，锗管为0.2~0.3V，硅管为0.6~0.7V。
2．点接触型二极管如图所示，点接触型二极管是由一根根细的金属丝热压在半导体薄片上制成的。
在热压处理过程中，半导体薄片与金属丝接触面上形成了一个PN结，金属丝为正极，半导体薄片为负极。
点接触型二极管的金属丝和半导体的金属面很小，虽难以通过较大的电流，但因其结电容较小，可以在较高的频率下工作。
点接触型二极管可用于检波、变频、开关等电路及小电流的整流电路中。
3．面接触型二极管如图所示，面接触型二极管是利用扩散、多用合金及外延等掺杂质方法，实现P型半导体和N型半导体直接接触而形成PN结的。
面接触型二极管PN结的接触面积大，可以通过较大的电流，适用于大电流整流电路或在脉冲数字电路中作开关管。
因其结电容相对较大，故只能在较低的频率下工作。
二极管的分类及其主要参数一.半导体二极管的分类半导体二极管按其用途可分为：普通二极管和特殊二极管。
普通二极管包括整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、快速二极管等；特殊二极管包括变容二极管、发光二极管、隧道二极管、触发二极管等。
二.半导体二极管的主要参数1．反向饱和漏电流I R指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。
在常温下，硅管的IR 为纳安（10-9A）级，锗管的IR为微安（10-6A）级。
2．额定整流电流I F指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。
3. 最大平均整流电流I O在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。
这是设计时非常重要的值。
4. 最大浪涌电流I FSM允许流过的过量的正向电流。
它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
5．最大反向峰值电压V RM即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。
这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。
因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。
最大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。
目前最高的VRM值可达几千伏。
6. 最大直流反向电压V R上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。
用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的. 7．最高工作频率f M由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。
点接触式二极管的fM 值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，一般不高于几千赫。
8．反向恢复时间T rr当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。
实际上，一般要延迟一点点时间。
决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。
虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。
也即当二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。
大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。
9. 最大功率P二极管中有电流流过，就会吸热，而使自身温度升高。
最大功率P为功率的最大值。
具体讲就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。
这个极限参数对稳压二极管，可变电阻二极管显得特别重要。
三.几种常用二极管的特点1．整流二极管整流二极管结构主要是平面接触型，其特点是允许通过的电流比较大，反向击穿电压比较高，但PN结电容比较大，一般广泛应用于处理频率不高的电路中。
例如整流电路、嵌位电路、保护电路等。
整流二极管在使用中主要考虑的问题是最大整流电流和最高反向工作电压应大于实际工作中的值。
2．快速二极管快速二极管的工作原理与普通二极管是相同的，但由于普通二极管工作在开关状态下的反向恢复时间较长，约4～5µs，不能适应高频开关电路的要求。
快速二极管主要应用于高频整流电路、高频开关电源、高频阻容吸收电路、逆变电路等，其反向恢复时间可达10ns。
快速二极管主要包括快恢复二极管和肖特基二极管。
快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。
快恢复二极管在制造上采用掺金、单纯的扩散等工艺，可获得较高的开关速度，同时也能得到较高的耐压。
快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。
因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。
目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中作整流元件，高频电路中的限幅、嵌位等。
肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），是由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二极管，其主要特点是正向导通压降小（约0.45V），反向恢复时间短和开关损耗小，是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成，如图所示。
在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。
当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
肖特基二极管存在的问题是耐压比较低，反向漏电流比较大。
目前应用在功率变换电路中的肖特基二极管的大体水平是耐压在150V以下，平均电流在100A 以下，反向恢复时间在10～40ns。
肖特基二极管应用在高频低压电路中，是比较理想的。
3．稳压二极管稳压二极管是利用PN结反向击穿特性所表现出的稳压性能制成的器件。
稳压二极管也称齐纳二极管或反向击穿二极管，在电路中起稳定电压作用。
它是利用二极管被反向击穿后，在一定反向电流范围内反向电压不随反向电流变化这一特点进行稳压的。
稳压二极管通常由硅半导体材料采用合金法或扩散法制成。
它既具有普通二极管的单向导电特性，又可工作于反向击穿状态。
在反向电压较低时，稳压二极管截止；当反向电压达到一定数值时，反向电流突然增大，稳压二极管进入击穿区，此时即使反向电流在很大范围内变化时，稳压二极管两端的反向电压也能保持基本不变。
但若反向电流增大到一定数值后，稳压二极管则会被彻底击穿而损坏。
稳压二极管根据其封装形式、电流容量、内部结构的不同可以分为多种类型。
稳压二极管根据其封装形式可分为金属外壳封装稳压二极管、玻璃封装（简称玻封）稳压二极管和塑料封装（简称塑封）稳压二极管。
塑封稳压二极管又分为有引线型和表面封装两种类型。
稳压管的主要参数有：①稳压值VZ。
指当流过稳压管的电流为某一规定值时，稳压管两端的压降。
②电压温度系数。
稳压管的稳压值VZ 的温度系数在VZ低于4V时为负温度系数值；当VZ 的值大于7V时，其温度系数为正值；而VZ的值在6V左右时，其温度系数近似为零。
目前低温度系数的稳压管是由两只稳压管反向串联而成，利用两只稳压管处于正反向工作状态时具有正、负不同的温度系数，可得到很好的温度补偿。
③动态电阻rZ。
表示稳压管稳压性能的优劣，一般工作电流越大，rZ 越小。
④允许功耗PZ。
由稳压管允许达到的温升决定，小功率稳压管的PZ 值为100～1000mW,大功率的可达50W。
⑤稳定电流IZ。
测试稳压管参数时所加的电流。
实际流过稳压管的电流低于IZ 时仍能稳压，但rZ较大。
稳压管的最主要的用途是稳定电压。
在要求精度不高、电流变化范围不大的情况下，可选与需要的稳压值最为接近的稳压管直接同负载并联。
在稳压、稳流电源系统中一般作基准电源，也有在集成运放中作为直流电平平移。
其存在的缺点是噪声系数较高，稳定性较差。
不同种类的二极管的选用及代换1．检波二极管的选用检波二极管一般可选用点接触型锗二极管，例如2AP系列等。
选用时，应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管。
虽然检波和整流的原理是一样的，而整流的目的只是为了得到直流电，而检波则是从被调制波中取出信号成分（包络线）。
检波电路和半波整流线路完全相同。
因检波是对高频波整流，二极管的结电容一定要小，所以选用点接触二极管。
能用于高频检波的二极管大多能用于限幅、箝位、开关和调制电路。
检波二极管的代换检波二极管损坏后，若无同型号二极管更换时，也可以选用半导体材料相同，主要参数相近的二极管来代换。
在业余条件下，也可用损坏了一个PN结的锗材料高频晶体管来代用。
2．整流二极管的选用整流二极管一般为平面型硅二极管，用政协委员种电源整流电路中。
选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。
普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。
开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管，应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管或选择快恢复二极管。
整流二极管的代换整流二极管损坏后，可以用同型号的整流二极管或参数相贩其它型号整流二极管代换。
通常，高耐压值（反向电压）的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管，而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。
整流电流值高的二极管可以代换整流电流值低的二极管，而整流电流值低的二极管则不能代换整流电流值高的二极管。
3．稳压二极管的选用稳压二极管一般用在稳压电源中作为基准电压源或用在过电压保护电路中作为保护二极管。
选用的稳压二极管，应满足应用电路中主要参数的要求。
稳压二极管的稳定电压值应与应用电路的基准电压值相同，稳压二极管的最大稳定电流应高于应用电路的最大负载电流50%左右。