光刻工艺总结样本
芯片制造年度个人总结(3篇)
第1篇一、前言时光荏苒，岁月如梭。
转眼间，我在芯片制造领域已经度过了又一个充满挑战与收获的年度。
回顾过去的一年，我深感自己在专业知识、技能水平、团队协作等方面都取得了显著的进步。
在此，我将对过去一年的工作进行全面的总结，以期为自己未来的发展奠定坚实的基础。
二、工作回顾1. 专业技能提升过去的一年，我始终将提升自己的专业技能放在首位。
通过不断学习，我熟练掌握了以下技能：（1）半导体制造工艺：熟悉硅片制备、晶圆加工、光刻、蚀刻、离子注入、化学气相沉积、物理气相沉积等工艺流程。
（2）设备操作与维护：熟练操作各类半导体制造设备，如光刻机、蚀刻机、离子注入机等，并能进行日常维护与故障排查。
（3）数据分析与处理：掌握数据分析软件，如MATLAB、SPSS等，能够对实验数据进行处理与分析，为工艺优化提供依据。
（4）项目管理：学习并运用项目管理知识，提高工作效率，确保项目按时完成。
2. 项目参与与成果（1）参与某型芯片研发项目，负责工艺优化与实验验证，成功降低了产品良率，提高了产能。
（2）参与某型芯片量产项目，负责工艺改进与设备调试，确保了量产顺利进行。
（3）参与某型芯片研发项目，负责工艺研究与创新，成功开发出新型工艺，为后续产品研发奠定了基础。
3. 团队协作与沟通（1）积极参与团队讨论，与同事分享经验，共同解决问题。
（2）主动承担责任，与团队成员协作，确保项目顺利进行。
（3）与上下游部门保持良好沟通，确保信息畅通，提高工作效率。
三、自我反思1. 专业知识深度不足虽然我在专业技能方面取得了一定的进步，但与行业顶尖人才相比，我的专业知识深度仍有待提高。
在今后的工作中，我将更加注重专业知识的学习，努力提升自己的专业素养。
2. 创新意识有待加强在芯片制造领域，创新是推动行业发展的关键。
尽管我在某些项目上取得了一定的成果，但创新意识仍有待加强。
在今后的工作中，我将积极探索，勇于创新，为行业发展贡献自己的力量。
3. 时间管理能力有待提高过去的一年，我在工作中经常出现时间管理不当的情况，导致工作效率不高。
光刻工艺实践报告
光刻工艺实践报告一、实践目的本次实践旨在通过实践操作，深入了解光刻工艺的基本原理、流程和设备，提高自己的动手能力和解决问题的能力，为今后的学习和工作打下坚实的基础。
二、实践岗位认识与见解光刻工艺是微电子制造过程中的一种关键技术，它通过将设计好的图形转移到光敏材料上，形成电路、器件等微结构，是制造集成电路、MEMS、OPOS等器件的重要环节。
在实践过程中，我深刻认识到光刻工艺的复杂性和精细性，它要求操作人员具备高度的责任心和严谨的工作态度，以确保制造出的产品具有高度的可靠性和稳定性。
三、发现问题与解决问题的方法在实践过程中，我发现了一些问题，如光刻胶涂布不均匀、曝光过度或不足等。
针对这些问题，我积极向指导老师请教，并查阅相关资料，总结出了一些解决方法。
例如，对于光刻胶涂布不均匀的问题，可以采用多次涂布或调整涂布头位置的方法解决；对于曝光过度或不足的问题，可以通过调整曝光时间和光源的亮度来解决。
四、实践过程总结与收获通过本次实践，我对光刻工艺有了更加深入的了解，掌握了光刻机的基本操作和维护方法，提高了自己的动手能力和解决问题的能力。
同时，我也认识到了光刻工艺中存在的难点和挑战，如设备精度要求高、工艺参数复杂等。
针对这些问题，我认为可以通过加强设备维护和保养、提高操作人员的技能水平等方式来解决。
五、对实践不足之处的建议在实践过程中，我也发现了一些不足之处，如实践时间较短、实验条件不够完善等。
为了提高实践效果和质量，我建议延长实践时间，并加强对操作人员的培训和指导，同时完善实验设备和环境。
六、个人体会与收获通过本次实践，我深刻体会到了理论与实践相结合的重要性。
在今后的学习和工作中，我将继续加强自己的实践能力和动手能力，不断探索和创新，为微电子制造领域的发展做出贡献。
光刻工艺总结
光刻工艺总结光刻岗位工艺总结引言：本文仅供大家参考，文章中错误之处请大家指正。
希望后续光刻工艺员能够根据自己的实际工作经验将该总结不断完善。
一、光刻各岗位基本工艺知识及工艺过程控制要点：1、上料上料机原理使用机械手上料，并对每片玻璃的阻值厚度进行检测。
2、清洗：清洗干燥的原理去除ITO玻璃表面残留的灰尘、有机物等,为涂胶提供干净、干燥的ITO玻璃；主要清洗方式洗洁精+超声+高纯水+IRUV洗洁精的去污原理：洗洁精（表面活性剂）能够使不相溶的液体成为乳浊液。
通过此乳化作用将油脂包围在水中而形成乳浊液来达到去污作用，玻璃经过洗洁精去油污后，再依次用大量的自来水，去离子水冲洗就可以达到洁净玻璃表面的目的。
高纯水清洗可去除溶于水的杂质及一些灰尘，同时还能够将上工序的洗洁精去除掉；超声波作用机理：通过超声空化作用，存在于液体中的微气泡（空气核）在声场的作用下振动，当声压达到一定的值时，气泡将迅速增长，然后突然闭合，在气泡闭合时产生冲击波，在其周围产生上千个大气压的压力，破坏不溶性污物而使它们分散在清洗液中。
IR主要是将玻璃表面的水份烘干，经过清洗后的玻璃，表面沾有水或者有机溶剂等清洗液，这将会对后续工序造成不良影响，特别是光刻工艺会产生浮胶，钻刻，图形不清晰等，因此玻璃必须经过干燥处理。
UV主要是将有机物的长分子链打断成小分子链，从而达到去除有机物的目的；清洗效果评价方法测试接触角，接触角小于10度重要管理项目洗洁精浓度（四厂光刻用洗洁精为MG，其浓度最初为2%，后经试验验证，使用5%浓度的洗洁精清洗效果较好，后改用5%浓度的洗洁精进行清洗）洗洁精温度喷淋圧力及流量DIW喷淋流量刷子转速、下压距清洗时间（走速）IR/UV/CP温度曲线3、涂胶，前烘：涂胶基本原理光刻胶膜厚与辊压，印压的变化关系备注:1、此结论为涂胶辊供应商提供的经验曲线，仅供参考。
2、根据实际调胶辊的经验，光刻胶的膜厚与辊压压入量的关系较大，与印压压入量的关系较小，工艺员在调整涂胶辊时可参考。
光刻总结
光刻：1光学曝光：最早用于半导体电路微加工。
70s ：4-6um 80s ：1um90s ：0.5um （X 射线引入） Now ：65/45/32nm 2原理和照相相同：硅片—底片，光刻胶—感光涂层，二维图形，光学掩膜 光学曝光方式原理：掩膜对准式曝光：接触式和临近式 原理图投影式曝光：1:1和4:1/5:1 原理图掩膜对准式曝光：掩膜与光刻胶表面完全接触，包括硬接处（压力大）和软接触（压力小）两种。
图像质量满足方程：w=k(λz)-2式中，w 为模糊区域宽度，w 越小图像质量越好；λ为照明光源波长；z 为平面与掩膜间隙；k 为工艺参数。
可以通过计算机模拟光刻胶的成像质量曲线临近时曝光特点是可以延长掩膜寿命，但影响了曝光分辨率与均匀性。
投影式曝光：3光学成像质量取决于成像系统。
杨氏干涉：sin (1,2,3)mm aλϕ==λ为波长，a 为缝宽，m 为条纹级数数值孔径：sin NA n θ=⋅ n 为传播空间折射率，θ为透镜会聚焦角 投影式曝光分辨率为：1R k NAλ= （k 1因子独立于光学成像因子，与曝光工艺有关）焦深（depth of focus ）：22DOF ()k NA λ=4光学曝光工艺过程：1硅片表面处理：150-200℃烘烤15-30min ，表面涂覆HMDS （化学增附剂），用于保持光刻胶不脱落 2涂胶（甩胶）：光刻胶滴在中间，旋涂 3前烘（pre-bake ）：蒸掉胶中有机成分，硅片表面胶固化（热板/烘箱） 4曝光：曝光机（目前自己搭建光路手动操作曝光） 5后烘（post explosure bake ）：消除表面反射与入射波作用效应（驻波效应），也可靠添加抗反剂消除（效果好） 6显影（development ）：浸没式，喷淋式，搅拌式7去残胶：氧气等离子体轰击30s （防止转移过程出现问题） 8坚膜（hard bake ）：不是必要过程，会增加去胶难度 9图形转移10去胶：常用试剂是丙酮5光刻胶（又名抗蚀剂，resist ）的特性：有光敏作用的高分子聚合物材料 正胶：长链分子，曝光中分解为短链分子，短链分子可以被显影液洗掉负胶：短链分子，曝光中结合成长链分子成分：1树脂聚合物：具有抗刻蚀性；2溶剂：保持液态；3光活性物质（PAC）：对特定波长敏感；4添加剂：控制光吸收率和溶解度特性：1灵敏度：衡量曝光速度（灵敏度高，曝光剂量（=光强*时间，单位是mJ/cm2）就小）。
光刻工艺知识点总结
光刻工艺知识点总结光刻工艺是半导体制造工艺中的重要环节，通过光刻技术可以实现微米级甚至纳米级的精密图案转移至半导体芯片上，是芯片制造中最关键的工艺之一。
光刻工艺的基本原理是利用光学原理将图案投射到光刻胶上，然后通过化学蚀刻将图案转移到芯片表面。
下面将对光刻工艺的知识点进行详细总结。
一、光刻工艺的基本原理1. 光刻胶光刻胶是光刻工艺的核心材料，主要由树脂和溶剂组成。
树脂的种类和分子结构直接影响着光刻胶的分辨率和对光的敏感度，而溶剂的选择和比例则会影响着光刻胶的黏度、流动性和干燥速度。
光刻胶的选择要根据不同的工艺要求，如分辨率、坚固度、湿膜厚度等。
2. 掩模掩模是用来投射光刻图案的模板，通常是通过电子束刻蚀或光刻工艺制备的。
掩模上有所需的图形样式，光在通过掩模时会形成所需的图案。
3. 曝光曝光是将掩模上的图案投射到光刻胶表面的过程。
曝光机通过紫外线光源产生紫外线，通过透镜将掩模上的图案投射到光刻胶表面，形成图案的暗部和亮部。
4. 显影显影是通过化学溶液将光刻胶上的图案显现出来的过程。
曝光后，光刻胶在图案暗部和亮部会有不同的化学反应，显影溶液可以去除未暴露的光刻胶，留下所需的图案。
5. 蚀刻蚀刻是将图案转移到硅片上的过程，通过化学腐蚀的方式去除光刻胶未遮盖的部分，使得图案转移到硅片表面。
二、光刻工艺中的关键技术1. 分辨率分辨率是指光刻工艺能够实现的最小图案尺寸，通常用实际图案中两个相邻细线或空隙的宽度之和来表示。
分辨率受到光刻机、光刻胶和曝光技术等多个因素的影响，是衡量光刻工艺性能的重要指标。
2. 等效焦距等效焦距是光刻机的重要参数，指的是曝光光学系统的有效焦距，影响光刻图案在光刻胶表面的清晰度和分辨率。
3. 曝光剂量曝光剂量是指单位面积上接收的光能量，通常用mJ/cm^2或μC/cm^2来表示。
曝光剂量的选择对分辨率和光刻胶的副反应有重要影响。
4. 曝光对位精度曝光对位精度是指光刻胶上已存在的图案和新的曝光对位的精度，是保证多层曝光图案对位一致的重要因素。
光刻工艺认识实验报告
光刻工艺认识实验报告一、光刻工艺操作1.硅片清洗和表面处理这个步骤由助教老师完成。
所用硅片尺寸：2英寸，厚度为400μm，单面抛光。
掺杂类型：p型。
2.涂胶匀胶机第一、二级转速和各转速的运转时间由助教提前设置好。
分别为：第一级转速500n/min，时间为3秒；第二级转速为4000n/min，时间为60秒。
把处理好的硅片放在承片台正中，按下吸片按钮，硅片被吸住。
检查确定被吸住后，开始滴加光刻胶，确保光刻胶覆盖整个硅片表面后停止。
之后，按下开始按钮，开始匀胶。
等匀胶结束后，按下吸片按钮。
取出硅片，检查匀胶效果。
光刻胶：KMP C5315（北京科华微电子材料有限公司）；匀胶机：SC-1B匀胶机，（北京金盛微纳科技有限公司）。
3.前烘检查确定匀胶效果符合要求后，将硅片放在热板上烘干2分钟，温度为100℃。
烘干结束后，取下硅片。
4.曝光将硅片放在曝光机内，设置好曝光时间9秒，开始曝光。
曝光结束后，取下硅片。
5.显影曝光结束后，将硅片浸没在显影剂中，左右晃动，时间为8秒。
8秒后，取出硅片放入去离子水中清洗。
之后，用氮气吹干表面残留的水。
6.镜检将显影结束后的硅片放在显微镜下，调节显微镜，知道看到清晰的光刻图案。
检查光刻质量。
二、光刻工艺中所用到的试剂及其作用1.光刻胶光刻胶：KMP C5315（北京科华微电子材料有限公司）又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。
经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像。
作用主要有两个：一是将掩膜板上的图形转移到硅片表面的氧化层中；二是在后续工序中，保护下面的材料。
2.显影液正胶显影液（北京科华微电子材料有限公司），作用是使经曝光后产生的潜影显现成可见影像。
三、光刻工艺中的安全问题1.匀胶过程光刻胶有刺激性气味，对皮肤也有腐蚀，操作必须在通风橱中进行，并戴好手套。
光刻技术光刻胶的发展总结_概述及解释说明
光刻技术光刻胶的发展总结概述及解释说明1. 引言1.1 概述光刻技术是一种高精度微纳加工技术，广泛应用于半导体制造、平板显示、集成电路等领域。
在光刻过程中，光刻胶作为一种重要的材料，起着关键性的作用。
它能够将图案准确地转移到基片上，并保证器件的高精度和高质量。
1.2 文章结构本文将从以下几个方面对光刻胶的发展进行概述和说明。
首先介绍光刻技术的基本原理和应用领域，包括其在半导体制造、平板显示和集成电路等行业的重要地位。
接着探讨光刻胶在光刻技术中的作用，解释其对图案转移过程的影响。
然后回顾了光刻胶的发展历程，包括初期阶段以及近年来新型材料在该领域中的应用。
此外，还探究了当前光刻胶研究的方向和趋势，以及与其相关的性能与工艺参数之间的关系分析。
最后得出结论，并对发展前景进行展望。
1.3 目的本文的目的是全面了解光刻胶的发展历程和性能特点，探讨其在光刻技术中的重要作用，并分析与之相关的关键因素。
通过深入研究光刻胶的发展和应用，可以为光刻技术领域的科研工作者提供参考和借鉴，促进该领域更加快速、高效地发展。
此外，对于从事相关产业或学术研究的人士而言，本文也可作为一份辅助资料和知识补充，为实际应用提供指导和支持。
2. 光刻技术的基本原理和应用光刻技术是一种微影技术，广泛应用于半导体制造、集成电路制造和微纳加工领域。
其基本原理是利用特定波长的紫外光通过掩膜将图案投射到光刻胶层上，并通过显影过程在光刻胶上形成所需的图案。
2.1 光刻技术的基本原理光刻技术基于光学衍射原理，利用紫外光与物质之间的相互作用实现微细图案的转移。
首先，将需要制造的图形模式转移至透明玻璃或石英板做成的掩膜上。
然后，将掩膜与待加工物（通常是硅片）放置在附近并对齐。
接下来，使用紫外光源照射掩膜，在掩膜上投射出所需的图案。
投射过程中，由于掩膜上图案只有部分区域可以透过或阻挡光线传播到底片表面，因此会在底片表面形成一个复制了掩模图案的强度分布。
最后，在显影过程中，选择合适的化学物质将未曝光区域的光刻胶溶解掉，留下所需图案的结构。
光刻工艺技术年终总结
光刻工艺技术年终总结1.引言1.1 概述光刻工艺技术是半导体制造中非常关键的一环，它通过使用光刻胶和光刻机将图案转移到半导体材料表面，从而实现微电子元件的制造。
本文将对光刻工艺技术的发展情况、在半导体制造中的应用以及其面临的关键问题与挑战进行总结和分析。
同时，在结论部分将对该技术的优势与局限性进行总结，并展望未来光刻工艺技术的发展方向，提出改进和创新建议。
通过本文的年终总结，希望能够为光刻技术的未来发展提供一定的参考和启发。
1.2 文章结构文章结构部分的内容如下:本文将分为引言、正文和结论三个部分。
在引言部分，将对光刻工艺技术进行概述，介绍文章的结构，并阐明本文的目的。
在正文部分，将首先介绍光刻工艺技术的发展情况，然后探讨光刻技术在半导体制造中的应用以及光刻工艺技术所面临的关键问题与挑战。
最后，在结论部分，将总结工艺技术的优势和局限性，并展望未来光刻工艺技术的发展方向，同时提出改进和创新建议。
通过对光刻工艺技术的年终总结，希望能够全面深入地了解该技术的现状和未来发展趋势，为相关领域的研究和实践提供参考和借鉴。
1.3 目的目的部分的内容:本文的目的是对光刻工艺技术在半导体制造领域中的发展现状进行总结和分析，深入探讨光刻技术在半导体制造中的应用及其关键问题与挑战。
同时，旨在对光刻工艺技术的优势和局限性进行总结，展望未来光刻工艺技术的发展方向，并提出改进和创新建议，以期为该领域的从业人员和研究者提供有益的参考和启发。
2.正文2.1 工艺技术发展情况光刻工艺技术是半导体制造过程中的重要环节，随着半导体行业的发展，光刻工艺技术也在不断进行创新和发展。
在过去的一年中，我们可以看到一些主要的发展趋势。
首先，随着半导体器件的尺寸不断减小，对光刻工艺技术的精度和分辨率要求也越来越高。
因此，光刻工艺技术向着更加精细化的方向发展，如多层次光刻工艺、双重曝光技术等的出现，以应对尺寸越来越小的芯片需求。
其次，光刻工艺技术在材料和技术方面也有了较大突破。
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光刻岗位工艺总结
引言: 本文仅供大家参考, 文章中错误之处请大家指正。
希望后续光刻工艺员能够根据自己的实际工作经验将该总结不断完善。
一、光刻各岗位基本工艺知识及工艺过程控制要点:
1、上料
上料机原理
使用机械手上料, 并对每片玻璃的阻值厚度进行检测。
2、清洗:
清洗干燥的原理
去除ITO玻璃表面残留的灰尘、有机物等,为涂胶提供干净、干燥的ITO玻璃;
主要清洗方式
洗洁精+超声+高纯水+IRUV
洗洁精的去污原理: 洗洁精( 表面活性剂) 能够使不相溶的液体成为乳浊液。
经过此乳化作用将油脂包围在水中而形成乳浊液来达到去污作用, 玻璃经过洗洁精去油污后, 再依次用大量的自来水, 去离子水冲洗就能够达到洁净玻璃表面的目的。
高纯水清洗可去除溶于水的杂质及一些灰尘, 同时还能够将上工序的洗洁精去除掉;
超声波作用机理: 经过超声空化作用, 存在于液体中的微气泡( 空气核) 在声场的作用下振动, 当声压达到一定的值时, 气泡将迅速增长, 然后突然闭合, 在气泡闭合时产生冲击波, 在其周围产生上千个大气压的压力, 破坏不溶性污物而使它们分散在清洗液中。
IR主要是将玻璃表面的水份烘干, 经过清洗后的玻璃, 表面沾有水或者有机溶剂等清洗液, 这将会对后续工序造成不良影响, 特别是光刻工艺会产生浮胶, 钻刻, 图形不清晰等, 因此玻璃必须经过干燥处理。
UV主要是将有机物的长分子链打断成小分子链, 从而达到去除有机物的目的;
清洗效果评价方法
测试接触角, 接触角小于10度
重要管理项目
洗洁精浓度
( 四厂光刻用洗洁精为MG, 其浓度最初为2%, 后经试验验证, 使用5%浓度的洗洁精清洗效果较好, 后改用5%浓度的洗洁精进行清洗) 洗洁精温度 喷淋圧力及流量 DIW 喷淋流量 刷子转速、 下压距 清洗时间( 走速) IR/UV/CP 温度曲线
3、 涂胶, 前烘: 涂胶基本原理
光刻胶膜厚与辊压, 印压的变化关系
备注:1、 此结论为涂胶辊供应商提供的经验曲线, 仅供参考。
2、 根据实际调胶辊的经验, 光刻胶的膜厚与辊压压入量的关系较大, 与印压压入量的关系
较小, 工艺员在调整涂胶辊时可参考。
Coating-roll
辊压压入量
印压压
膜
光刻胶膜厚与光刻胶粘度的变化关系
结论: 1.光刻胶粘度在20CP——40CP之间时, 涂胶膜厚随光刻胶粘度增加而增加;
2.光刻胶粘度在40CP——60C之间时, 涂胶膜厚不随光刻胶粘度变化而变化;
备注:
1.光刻胶粘度为20CP时, 出现较多条纹, 采用其它粘度, 涂胶效果良好;
2.此数据只是由一个涂胶辊测试得出, 对于其它不同的涂胶辊可能有所不同, 仅供参考; 光刻胶特性
光刻胶膜厚薄, 曝光图像的分辨率高, 对光刻胶的保护性弱;
光刻胶膜厚厚, 曝光图像的分辨率低, 对光刻胶的保护性强;
现行工艺条件, 光刻胶粘度选择1.5～1.8um较为合适, 既能够满足图像的解析度需要, 又能够有效地保护ITO, 降低断线的发生。
前烘的原理:
目的是促使胶膜内溶剂充分挥发, 使胶膜干燥以增加胶膜与ITO 表面的粘附性和胶膜的耐磨性。
烘炉温度设置的原则
烘炉的温度设置以0.7t玻璃的温度曲线为基准, 对于不同厚度的玻璃采用相同的温度设置, 这样做的目的是减少生产过程中烘炉升温, 降温的过程, 从而提升生产效率。
由于不同厚度的玻璃选择相同的烘烤温度, 因此不同厚度玻璃表面的光刻胶的固化程度不同, 我们经过选择不同的曝光量得到相同的图形效果。
重要管理项目
光刻胶粘度
辊压和印压
胶辊转速
前烘烘炉温度曲线要求
4、 曝光岗位 曝光基本原理
光化学反应原理: 光刻胶
+UV+H 2O 一种有机酸
重要管理项目 平台温度 铬版温度
间隙设定 UV 光强 曝光量
温湿度: 因为光化学反应需要有水的参与, 故曝光机中的湿度不可太低。
后烘烘炉温度曲线要求 5、 显影、 后烘岗位 显影的原理
在室温下, 利用KOH 溶液与曝过光的光刻胶层发生化学反应, 以获得酸刻时所需要的抗蚀保护膜的图形。
后烘的原理
因显影时胶膜会发生软化, 膨胀影响胶膜的抗蚀能力, 在显影后必须用适当的温度烘焙玻璃以除去水分, 增强胶膜与玻璃的粘附性。
后烘温度略高于前烘条件。
重要管理项目 显影液浓度
ＵＶ光
曝光脱
显影液温度
喷淋圧力
显影时间及槽液更换频率
后烘温度曲线要求
6、酸刻岗位
酸刻的原理
用一定比例的酸液把玻璃上未受光刻胶保护的ITO 膜腐蚀掉, 而将有光刻胶保护的ITO 保存下来, 最终形成ITO 图形。
提高酸刻产能
我们当前使用的酸刻液是HCl+HNO
3+H
2
O按照30: 1: 24的配比配置而成的混合溶液。
对于7欧姆阻值
和铝膜产品其酸刻节拍不能够满足15秒/片, 对于当前的产能需要( 85P/天) , 使用该酸刻混合溶
液能够满足生产的需要。
以后如果需要继续提高酸刻产能需考虑更换酸刻液为HCl+FeCl
3
按照1: 2
配比的混合溶液。
之前已经做过试验, 使用HCl+FeCl
3
的混合溶液其刻蚀速度会有明显提高, 能够
满足所有产品的15s/片的酸刻生产节拍, 具体内容请参阅黄显甫写的《四厂FeCl
3
和HCl混合酸液工艺定型报告》。
重要管理项目
Etching液温度
Etching液浓度
酸刻机走速
酸刻液流量及喷淋压力
7、脱膜岗位
脱膜的原理
把刻蚀后的玻璃上余下的光刻胶去掉, 冲洗干净玻璃的表面的残胶和杂质, 去膜液是用NaOH配制而成, 它的碱浓度要高于显影液浓度。
重要管理项目
脱膜液温度
脱膜液浓度
脱膜机走速
脱膜液流量及喷淋压力
脱膜超声强度
8、短检岗位
短路检查的质量控制要点( 针对老式检查机)
1、及时对下料的玻璃进行抽检, 防止中途出现大量短路现象;
2、在生产过程中定期使用标短玻璃对短路检查机进行校准, 保证短检机在正常状态下工作;
3、尽量使用正反倒角结合的方法进行短路测试, 因为测试时短检机针组由启动到速度稳定, 有
一个加速的过程, 在这个阶段测试短路的结果不很准确;
4、对于不同线宽/缝宽的产品, 短检机需要使用不同的走速。
5、短检划伤的检查一定要重视, 因为如果划伤轻微, 可能造成黑白线废品, 如果划伤严重, 则
为光刻缺划废品。
9、 Al膜工艺的控制要点
Al是一种化学性质活泼的金属, 因其既容易与酸发生反应, 又容易与碱发生反应, 控制不当极易发生大比例断线, 生产中需要对其进行特别的工艺控制。
1、后烘时需要降温生产;
2、酸刻需要降低酸刻液温度, 减慢酸刻走速生产;
3、脱膜需要降低脱膜液温度生产;
4、必须关闭超声生产;
二、光刻常见异常处理方法:
1.上料机械手死机
机械手死机, 需要手动操作遥控器, 将机械手复归至原点位置, 具体参考维修组《机械手第一、第二原点复归手册》;
2.涂不上胶
涂不上胶应从以下几方面查找原因: 1、确认印压及印压原点是否调整正确; 2、确认玻璃有没有冷却下来( CP冷却不够) ; 3、玻璃有没有问题( 如: ITO朝下) ;
3.涂胶气泡
出现涂胶气泡的原因如下; 1、印压偏大; 2、玻璃在涂胶过程中有停顿也会出现涂胶气泡; 3、
涂胶辊和支持辊速度不一致;
4.玻璃背面粘胶
一般是由于静电造成的; 胶辊在运行过程中、涂胶过程中都会产生静电; 如果出现背面粘胶, 检查涂胶辊两测的托盘上的锡纸是否脱落或不完整; 一般更换锡纸就OK了;
5.胶辊条纹
胶辊凹槽内未清洗干净, 被残留光刻胶( 已经变干) 堵塞, 造成凹槽内没有光刻胶浸润; 如果一直消不掉, 须重新清洗胶辊;
6.正面粘胶造成大面积短路
如果下料发现有粘胶, 造成大面积短路, 将酸刻机按”终了停止”, 将酸刻机前的玻璃全部取出返工, 然后清洗铬版;
7.曝光时CF/ITO分流错误
分流机有一个传感器, 经过感应BM来判定是否为CF, 目的是将CF和ITO分流。
调整时1、将光发射装置调整到一个单粒的中间, 使光照射在BM上; 2、将感应器的光发射装置和光接受装置调整于同一位置; 由于各个CF排版方式不一样, 因此做CF之前必须确认感应器的位置;
8.曝光图形模糊
检查送版时是否铬版药面放反;
9.CF过期
CF放置时间过久会吸潮, 故CF过期需要在高温烘烤30分钟后方可使用;
10.彩膜曝光偏位
彩膜曝光偏位有如下四种情况
A.玻璃基板四周的RGB相对于ITO向内侧偏移, 玻璃中间的RGB相对于ITO不偏位;
原因:
基板平台的温度低, 玻璃收缩
掩模版温度高, 掩模版外扩。