移相全桥参数

合集下载

移相全桥

移相全桥

下文详解。

主电路分析这款软开关电源采用了全桥变换器结构,使用MOSFET作为开关管来使用,参数为1000V/24A.采用移相ZVZCSPWM控制,即超前臂开关管实现ZVS、滞后臂开关管实现ZCS.电路结构简图如图1,VT1~VT4是全桥变换器的四只MOSFET开关管,VD1、VD2分别是超前臂开关管VT1、VT2的反并超快恢复二极管,C1、C2分别是为了实现VTl、VT2的ZVS设置的高频电容,VD3、VD4是反向电流阻断二极管,用来实现滞后臂VT3、VT4的ZCS,Llk为变压器漏感,Cb为阻断电容,T为主变压器,副边由VD5~VD8构成的高频整流电路以及Lf、C3、C4等滤波器件组成。

图1 1.2kw软开关直流电源电路结构简图其基本工作原理如下:当开关管VT1、VT4或VT2、VT3同时导通时,电路工作情况与全桥变换器的硬开关工作模式情况一样,主变压器原边向负载提供能量。

通过移相控制,在关断VT1时并不马上关断VT4,而是根据输出反馈信号决定移相角,经过一定时间后再关断VT4,在关断VT1之前,由于VT1导通,其并联电容C1上电压等于VT1的导通压降,理想状况下其值为零,当关断VT1时刻,C1开始充电,由于电容电压不能突变,因此,VT1即是零电压关断。

由于变压器漏感L1k以及副边整流滤波电感的作用,VT1关断后,原边电流不能突变,继续给Cb充电,同时C2也通过原边放电,当C2电压降到零后,VD2自然导通,这时开通VT2,则VT2即是零电压开通。

当C1充满电、C2放电完毕后,由于VD2是导通的,此时加在变压器原边绕组和漏感上的电压为阻断电容Cb两端电压,原边电流开始减小,但继续给Cb充电,直到原边电流为零,这时由于VD4的阻断作用,电容Cb不能通过VT2、VT4、VD4进行放电,Cb两端电压维持不变,这时流过VT4电流为零,关断VT4即是零电流关断。

关断VT4以后,经过预先设置的死区时间后开通VT3,由于电压器漏感的存在,原边电流不能突变,因此VT3即是零电流开通。

移相全桥mathcad计算

移相全桥mathcad计算

移相全桥mathcad计算以移相全桥mathcad计算为标题的文章移相全桥是一种常用的电路拓扑结构,用于产生正弦波信号或进行相位控制。

在电力电子、通信等领域中广泛应用。

本文将介绍如何利用Mathcad软件进行移相全桥的计算。

移相全桥电路由四个开关和一个负载组成,如图所示。

其中,开关S1和S2为上半桥,开关S3和S4为下半桥。

负载一侧接地。

通过控制开关的开关状态和占空比,可以实现对输出正弦波的频率和相位进行调控。

在Mathcad软件中,我们可以使用数值计算工具箱来进行移相全桥的计算。

首先,我们需要确定电路的参数,包括电压源的幅值和频率,负载的阻抗,以及开关的导通状态和占空比。

这些参数将直接影响到移相全桥电路的输出。

接下来,我们可以利用Mathcad软件中的数学函数和逻辑运算符来进行计算。

首先,我们可以使用正弦函数来表示电压源的波形。

然后,根据开关的导通状态和占空比,使用逻辑运算符进行判断和计算。

通过对上半桥和下半桥的开关状态进行控制,我们可以得到输出电压的波形和频率。

在计算过程中,我们还需要考虑到开关的导通和关断延迟时间、电感和电容的影响等因素。

这些因素会导致电路的输出波形出现畸变或相位偏移。

通过适当调整电路参数和控制策略,我们可以最小化这些干扰,实现精确的移相控制。

除了基本的计算,Mathcad还提供了绘图工具,可以将计算结果以图形的形式展示出来。

我们可以使用Mathcad的绘图功能,绘制移相全桥输出电压的波形图和相位图。

这样可以更直观地了解电路的工作状态和效果。

通过Mathcad软件进行移相全桥的计算,不仅可以方便快捷地得到计算结果,还可以进行参数优化和仿真分析。

Mathcad软件的强大功能和友好的界面,为电路设计和分析提供了有力的工具支持。

移相全桥是一种重要的电路拓扑结构,广泛应用于电力电子和通信领域。

利用Mathcad软件进行移相全桥的计算,可以帮助工程师快速准确地进行设计和分析。

通过合理选择参数和控制策略,可以实现对输出正弦波的频率和相位的精确控制。

移相全桥参数计算

移相全桥参数计算

1、介绍在大功率服务器件中,为满足高效和绿色标准,一些供电设计师们发现使用移相全桥转换器更容易。

这是因为移相全桥变换器可以在转换器原边获得零切换。

这个应用程序的目的是设计报告审查的600W移相全桥变换器在电力系统中,利用TI的新UCC28950移相全桥控制器,并基于典型值。

在生产设计需要修改的值最坏情况的条件。

希望这些信息将帮助其他电源设计者的努力设计一个有效的移相全桥变换器。

表 1 设计规范计算T1原边均方根电流(IPRMS):T1原边均方根电流(IPRMS1当能量被传递到次边T1原边均方根电流(IPRMS2)当转换器总T1原边均方根电流(IPRMS)此设计一个Vitec变压器被选中,型号75PR8107有一下规范测量漏原边漏感:变压器原边直流电阻:变压器副边直流电阻:估计转换损失(PT1)是铜损的两倍。

(注意:这只是一个估计,基于磁设计总损失可能会有所不同。

)计算剩余功率预算:5、QA, QB, QC, QD FET选择本设计以满足效率和电压要求, 20A 650 V,CoolMOS FETs英飞凌被选择Qa Qb Qc Qd场效应晶体管漏源电阻:场效应晶体管输出电容指定:电压drain-to-source(VdsQA),输出电容测量,数据表参数:计算平均输出电容[2]:QA场效应晶体管栅极电荷:ESR 31mΩ。

输出电容的数量:总的输出电容有效输出电容ESR:计算输出电容器损耗(PCOUT):重新计算剩余功率预算:9、选择QE and QF为设计选择FETs总是尝试和错误。

我们以满足电力需求的设计选择75 v,120A- FETs,从Fairchild,型号FDP032N08。

这些FETs的下面特征。

计算场效应晶体管平均输出电容(COSS_QE_AVG),基于数据表参数输出电容(COSS_SPEC)、从COSS_SPEC上测量的(Vds_spec)和最大的漏源电压在设计(VdsQE)将被应用到应用程序中的场效应晶体管。

移相全桥参数计算

移相全桥参数计算

1、2、介绍在大功率服务器件中,为满足高效和绿色标准,一些供电设计师们发现使用移相全桥转换器更容易。

这是| |因为移相全桥变换器可以在转换器原边获得零切换。

这个应用程序的目的是设计报告审查的600W移相全桥变换器在电力系统中,利用TI的新UCC2895移相全桥控制器,并基于典型值。

在生产设计需要修改的值最坏情况的条件。

希望这些信息将帮助其他电源设计者的努力设计一个有效的移相全桥变换器。

表1设计规范描述最小值典型值最大值输入电压370V390V410V输出电压11.4V12V12.6V 允许输出电压瞬变]600mV 加载步骤90%输出电压600W满负荷效率93%电感器切换频率200kHz3、功能示意图4、功率预算为满足效率的目标,一组功率预算需要设定。

^BUOGET =^OUT X 1 =45,2WV H J5、原边变压器计算T1变压器匝比(al):VREF GNUUPDOUTACQMP QUIT HIWTCUL L AB oyrr&1*DC LCD DUTE瞽QELEF OUTF TTTMiNl S-VNC Mmr GS15RSUV WC1□ cm ADELEF口-jWTF I s srrec估计场效应晶体管电压降(VRDSON ):V RDSON ~ 0*3 V基于最小指定的输入电压时 70%的占空比选择变压器。

基于平均输入电压计算典型工作周期(DTYP )("OUT 彳力整座N 0 66(V|N - 2 兀)输岀电感纹波电流设置为输岀电流的20%需要注意在选择变压器磁化电感的正确数值 (LMAG )。

下列方程计算主变压器器运行在电流型控制。

如果LMA 太小,磁化电流会导致变换器运行在电压模式控制代替 peak-current 模式这是因为磁化电流太大,它将作为PW 坡道淹没RS!的电流传感信号。

^2.76mH图2显示了 T1原边电流(IPRIMARY )和同步整流器Q 罰QF 电流对同步整流栅驱动电流的反应。

移相全桥变换器参数设计

移相全桥变换器参数设计

移相全桥变换器设计一、设计要求输入电压:直流V in= 400V 考虑输入电压波动:385Vdc~415Vdc 输出电压:直流V out= 12V(稳压型)输出最大电流:I max=50 A整机效率:η≥90%输出最大功率:P o=600W开关频率:f=100kHz二、参数计算①输入电流有效值I in=P oη⁄V in=6000.9⁄400=1.67 A考虑安全裕量,选择600V/10A的开关管,型号FQPF10N60C。

②确定原副边匝比n:为了提高高频变压器的利用率,减小开关管电流,降低输出整流二极管承受的反向电压,从而减小损耗降低成本,高频变压器原副边匝比n要尽可能的取大一些;为了在规定的输入电压范围内能够得到输出所要求的电压,变压器的变比一般按最低输入电压V in(min)来进行计算。

考虑到移相控制方案存在变压器副边占空比丢失的现象,以及为防止共同导通,一般我们取变压器副边最大占空比是0.85,则可计算出副边电压V s:V s=V o+V D+V LfD sec (max)=12+1.5+0.50.85=16.47V其中V o=12V为输出电压,V D为整流二极管压降,取 1.5V,V Lf为输出滤波电感上的直流压降,取0.5V。

匝比n:n=N pN s=38516.47=23.27设计中取匝比n=23。

③确定匝数N p、N s变压器次级绕组匝数可由以下公式得出:N s=U s4f s B m A e=16.474×105×0.13×190×10−6=1.66取N s=2,本设计中,最大磁通密度B m=0.13T,磁芯选择PQ3535,A e= 190mm2。

变压器初级绕组匝数N p为:N p=nN s=23×2=46变压器副边带中心抽头,故匝数关系为:46 : 2 : 2。

④变压器原边绕组导线线径和股数由于导线存在肌肤效应,在选用绕组的导线线径是,一般要求导线线径小于两倍的穿透深度,穿透深度与温度频率有关,在常温下计算公式为∆=√2kωμγ(其中:μ为导线材料的磁导率,γ=1ρ)为材料的电导率,k为材料的电导率温度系数。

移相全桥隔直电容的计算公式

移相全桥隔直电容的计算公式

移相全桥隔直电容的计算公式移相全桥隔直电容在电力电子领域中可是个相当重要的角色,它的计算公式对于工程师和相关专业的学生来说,是必须要掌握的知识点。

咱们先来说说移相全桥电路,这玩意儿在电源转换领域那可是应用广泛。

比如说,电脑电源、通信电源,都能看到它的身影。

那为啥要用到隔直电容呢?这就好比在一条路上设置个关卡,防止一些不该过去的东西跑过去,保证电路的稳定和安全运行。

移相全桥隔直电容的计算公式,涉及到很多电路参数,像开关频率、变压器的漏感、最大占空比等等。

具体的公式是:C = (1 - D_max) ×(T_s / 2L_leak) 。

这里面,C 就是隔直电容的容值,D_max 是最大占空比,T_s 是开关周期,L_leak 是变压器的漏感。

我记得有一次,我在实验室里和几个学生一起做一个电源转换的项目。

当时我们就遇到了隔直电容取值的问题。

按照理论计算,我们选了一个电容值,结果电路运行起来不太稳定。

那可把我们急坏了,大家都抓耳挠腮的。

后来,我们一点点排查,发现是我们在计算变压器漏感的时候出现了误差。

经过重新测量和计算,调整了隔直电容的容值,电路终于正常工作了。

那一瞬间,大家都欢呼起来,那种成就感真是没得说。

通过这个小经历,我想跟大家说,公式虽然重要,但实际应用中的各种细节也不能忽略。

比如说,元件的实际参数可能和标称值有偏差,电路中的寄生参数也会影响结果。

所以,在使用移相全桥隔直电容的计算公式时,一定要结合实际情况,多做实验,多调试,才能得到理想的结果。

总之,掌握移相全桥隔直电容的计算公式是基础,但更关键的是要把理论和实践结合起来,这样才能在电力电子的世界里游刃有余。

希望大家在学习和工作中,都能顺利搞定这个小小的电容,让电路乖乖听话,为我们的生活带来更多的便利和惊喜!。

移相全桥全参数计算

移相全桥全参数计算

1、介绍在大功率服务器件中,为满足高效和绿色标准,一些供电设计师们发现使用移相全桥转换器更容易。

这是因为移相全桥变换器可以在转换器原边获得零切换。

这个应用程序的目的是设计报告审查的600W移相全桥变换器在电力系统中,利用TI的新UCC28950移相全桥控制器,并基于典型值。

在生产设计需要修改的值最坏情况的条件。

希望这些信息将帮助其他电源设计者的努力设计一个有效的移相全桥变换器。

表 1 设计规描述最小值典型值最大值输入电压370V 390V 410V输出电压11.4V 12V 12.6V允许输出电压瞬变600mV加载步骤90%输出电压600W满负荷效率93%电感器切换频率200kHz2、功能示意图3、功率预算为满足效率的目标,一组功率预算需要设定。

4、原边变压器计算T1变压器匝比(a1):估计场效应晶体管电压降(VRDSON):基于最小指定的输入电压时70%的占空比选择变压器。

基于平均输入电压计算典型工作周期(DTYP)输出电感纹波电流设置为输出电流的20%。

需要注意在选择变压器磁化电感的正确数值(LMAG)。

下列方程计算主变压器(T1)的最低磁化电感,确保变频器运行在电流型控制。

如果LMAG太小,磁化电流会导致变换器运行在电压模式控制代替peak-current模式。

这是因为磁化电流太大,它将作为PWM坡道淹没RS上的电流传感信号。

图2显示了T1原边电流(IPRIMARY)和同步整流器QE和QF电流对同步整流栅驱动电流的反应。

注意I(QE) I(QF)也是T1的次级绕组电流。

变量D是转换器占空比。

计算T1次级均方根电流(ISRMS):副边均方根电流(ISRMS1)当能量被传递到副边:副边均方根电流(ISRMS2),当电流通过变压器,QE QF开通副边均方根电流(ISRMS3)引起的负电流在对方绕组随心所欲的时期,请参阅图2。

副边总均方根电流(ISRMS):计算T1原边均方根电流(IPRMS):T1原边均方根电流(IPRMS1当能量被传递到次边T1原边均方根电流(IPRMS2)当转换器总T1原边均方根电流(IPRMS)此设计一个Vitec变压器被选中,型号75PR8107有一下规测量漏原边漏感:变压器原边直流电阻:变压器副边直流电阻:估计转换损失(PT1)是铜损的两倍。

移相全桥参数计算

移相全桥参数计算

移相全桥参数计算 Prepared on 22 November 20201、介绍在大功率服务器件中,为满足高效和绿色标准,一些供电设计师们发现使用移相全桥转换器更容易。

这是因为移相全桥变换器可以在转换器原边获得零切换。

这个应用程序的目的是设计报告审查的600W移相全桥变换器在电力系统中,利用TI的新UCC28950移相全桥控制器,并基于典型值。

在生产设计需要修改的值最坏情况的条件。

希望这些信息将帮助其他电源设计者的努力设计一个有效的移相全桥变换器。

表1设计规范2、功能示意图3、功率预算为满足效率的目标,一组功率预算需要设定。

4、原边变压器计算T1变压器匝比(a1):估计场效应晶体管电压降(VRDSON):基于最小指定的输入电压时70%的占空比选择变压器。

基于平均输入电压计算典型工作周期(DTYP)输出电感纹波电流设置为输出电流的20%。

需要注意在选择变压器磁化电感的正确数值(LMAG)。

下列方程计算主变压器(T1)的最低磁化电感,确保变频器运行在电流型控制。

如果LMAG太小,磁化电流会导致变换器运行在电压模式控制代替peak-current模式。

这是因为磁化电流太大,它将作为PWM坡道淹没RS上的电流传感信号。

图2显示了T1原边电流(IPRIMARY)和同步整流器QE和QF电流对同步整流栅驱动电流的反应。

注意I(QE)I(QF)也是T1的次级绕组电流。

变量D是转换器占空比。

计算T1次级均方根电流(ISRMS):副边均方根电流(ISRMS1)当能量被传递到副边:副边均方根电流(ISRMS2),当电流通过变压器,QEQF开通副边均方根电流(ISRMS3)引起的负电流在对方绕组随心所欲的时期,请参阅图2。

副边总均方根电流(ISRMS):计算T1原边均方根电流(IPRMS):T1原边均方根电流(IPRMS1当能量被传递到次边T1原边均方根电流(IPRMS2)当转换器总T1原边均方根电流(IPRMS)此设计一个Vitec变压器被选中,型号75PR8107有一下规范测量漏原边漏感:变压器原边直流电阻:变压器副边直流电阻:估计转换损失(PT1)是铜损的两倍。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

● 输入电压mod in V -:270VDC ±20%● 输出电压o V :60V● 输出电流mod o I -:25A4.1.2 变压器的设计1)原副边匝比为了降低输出整流二极管的反向电压,降低原边开关管的电流应力,提高高频变压器的利用率,高频变压器原副边匝比应尽可能大一些。

为了在输入电压围能够输出所要求的电压,变压器的匝比应按输入电压最低时来选择。

设副边最大占空比为0.425,此时副边电压为sec min V :sec min max 73.1762o D Lfe V V V V D ++==(V) (4.1)其中,o V 为变换器的输出电压, 1.2D V V =为副边整流二极管的导通压降,1Lf V V =为输出滤波电感寄生电阻在变换器额定输出时的直流压降,max e D 为变压器副边的最大占空比。

变压器的原副边匝比为:mod min secmin 270(120%) 2.95273.176in V K V -⨯-=== 2)选磁芯初选新康达锰锌软磁铁氧体铁芯EE42A ,其2235e A mm =。

3)确定原副边匝数匝数的确定可以先确定原边,也可先确定副边,但由于原边的电压是变化的,可根据输出是固定的来先确定副边匝数N s ,由电磁感应定律有: 4o s s m e V N f B A = (4.2)将60o V V =,310010s f Hz =⨯,0.15m B T =,2235e A mm =代入上式有:3660 4.25534100100.1523510s N -==⨯⨯⨯⨯⨯ 取4s N =匝,又由11.75p s N K N =⨯=,取12p N =匝,N p 为变压器原边匝数。

4)导线的选取导线应根据导线的集肤效应的影响来选取导线的线径,即根据穿透深度的大小来选取线径,导线线径应小于两倍的穿透深度∆,穿透深度根据下面的公式计算:∆=(4.3)式中ω为交变角频率,0r μμμ=为导线的磁导率,γ为导线的电导率(此处2s f ωπ=,1r μ=,70410/H m μπ-=⨯,65810/m γ=⨯Ω⋅),经过计算,可得0.1975∆=mm ,导线直径d 应小于2∆,所以应选厚度小于0.375mm 的铜皮,选取电流密度为23.5/J A mm =,变压器原边的导电面积:32modmin 1.510 2.3343.5270(120%)85%op in P S mm JV η-⨯===⨯⨯-⨯ 所以原边选用一层20.1520mm ⨯的铜皮绕制。

此处mod min in V -为模块输入电压的最小值。

同理,变压器副边绕组的导电面积为25.05s S mm ===,实际选用20.2520mm ⨯的铜皮一层绕制。

5)窗口面积核算变压器的原副边都采用铜皮绕制,所以只需核算一下磁芯的窗口宽度即可。

窗口中铜皮的厚度为原副边的铜皮厚度之和:120.150.2542 3.8⨯+⨯⨯=mm ,小于42EE A 的窗口长度8.75mm ,所选磁芯完全适合。

4.1.3 输出滤波电感的设计1. 电感值的选取滤波电感的经验设计是使电感电流的脉动为额定输出电流的20%,也就是说要使电感电流为额定输出的10%时电感电流是临界连续的,因为每个模块的额定输出为25A ,所以应设定电感电流输出2.5A 时电感电流是临界连续的,那么有:modmax 11/2s f in o o T L I V K V V -⎛⎫⨯∆+= ⎪-⎝⎭ (4.4) modmax 12/o o f s in V V L f I V K -⎛⎫=- ⎪⨯∆⎝⎭ (4.5)若考虑整流管压降D V 和输出滤波电感寄生电阻而引起的直流压降Lf V ,则:mod max (1)2/o o f s in D Lf V V L f I V K V V -=-⨯∆-- (4.6)其中V in -mod max 是模块输入电压的最大值。

将60o V V =、310010s f Hz =⨯、3K =、mod max 270(10.2)in V V -=⨯+、 1.2D V V =、1Lf V V =、5I A ∆=代入上式,可计算得f L 26uH =。

2. 滤波电感的设计滤波电感的设计步骤:1) 根据功率容量和工作状态,选用EE42磁芯,磁芯的有效导磁面积为A e =182mm 2。

2) 初选气隙d =1.7mm ,根据公式:20eN A L d μ= (4.7)可得绕组匝数N =13.9,取N =14,则实际气隙d =1.72mm 。

3) 核算磁芯最高工作磁密B m 。

根据公式:0m NIB d μ= (4.8)其中mod /227.5o Lf I I i A -=+∆=,可得B m =0.28T 。

EE42的饱和磁密B s =0.39T ,B m <B s 设计符合要求。

4)导线的选取。

滤波电感电流有效值的最大值max -mod /227.5Lf o Lf I I i A =+∆=,取电流密度为4A /mm 2,则需要的导线截面积为2max / 6.875Lf S I J mm ==。

考虑集肤效应,选用0.35⨯0.2mm 2的铜皮单层绕制。

5) 窗口面积核算滤波电感用铜皮绕制,因此只要核算窗口宽度即可。

需要的窗口宽度为0.35⨯14mm=4.9mm ,小于EE42的窗口宽度8.75mm ,该磁芯符合设计需要。

4.1.4 功率器件的选择1) 开关管的选择FB-ISOP 组合变换器的开关管的电压应力ds V 为每个模块的输入电压,是总的输入电压的一半,可得max mod max 270 1.2324ds in V V V -==⨯=,电流应力s I 为每个模块输出电流折射到原边的电流值,可得max mod /8.33s o I I K A -==,考虑裕量,可选用IXYS 公司的IRFP460(500V /20A )。

2) 输出整流二极管的选择变压器副边采用全波整流,因此输出整流二极管承受的电压为两倍的变压器副边电压,二极管的最大电压应力mod max 22270(1+20%)===2163in max d V V V K -⨯⨯。

二极管最大电流应力max d I 19.445A ==,mod max o I -是每个模块输出电流的最大值。

考虑一定的电压电流裕量,选用IXYS 公司的共阴极二极管DSEC60-04AC (400V /2⨯30A )。

4.1.5 谐振电感的设计1 电感值的选取考虑到谐振电感的选用必须满足由于:max max 21loss e D D +< (4.9)max mod min 60 1.2120.864/2700.8/3o D Lfe in V V V D V K -++++===⨯,因此max max 1loss e D D <-=0.136,选择选择最大占空比丢失为0.1loss D =,可以得到谐振电感量为:()mod min mod 6.484in loss r o s V KD L H I f μ--== (4.10)实际选取选择谐振电感为6.5H μ。

根据原理样机的性能要求,选IRF460作为主开关管,在V dc =25V 时,其结电容'870oC pF =。

MOSFET 输出电容是非线性的,等效电容值与V ds有'oss o C C =[29],因此:870265()oss C pF ==(4.11) 滞后管开关时,变压器副边是短路的,实现软开关的能量只有L r 的能量。

因此为了实现软开关,必须满足下式:22mod 1423lag r oss in I L C V -≥ (4.12)由此,可以得到:min 2.815()lag I A == (4.13)此时对应的负载电流为2.81538.445⨯=(A),是满载电流的33.8%,也就是说,当负载电流大于满载电流的33.8%时,滞后管可以实现软开关。

超前管的驱动信号之间的死区时间设置为t d (lead )=200ns ,在死区时间,将即将开通的超前管的结电容电荷全部抽光所需要的电流为:mod min ()0.358()oss in lead d lead C V i A t -== (4.14)该电流对应于负载电流为0.3583 1.073()A ⨯=,是负载电流的4.3%,也就是说,当负载电流大于满载电流的4.3%,超前管可以实现软开关。

2 谐振电感的设计1) 根据功率容量和工作状态,选用EE33磁芯,磁芯的有效导磁面积为A e =111mm 2。

2) 初选气隙d =0.5mm ,根据公式:20eN A L d μ= (4.15)可得绕组匝数N =4.828,取N =5,则实际气隙d =0.54mm 。

3) 核算磁芯最高工作磁密B m 。

根据公式:0m NIB d μ= (4.16)其中()mod /2/9.167o Lf I I i K A -=+∆=,可得B m =0.1T 。

EE33的饱和磁密B s =0.39T ,B m <B s 设计符合要求。

4) 导线的选取。

谐振电感电流有效值的最大值max 9.167r I I A ==,取电流密度为4A /mm 2,则需要导线的面积为max /r S I J ==2.291mm 2。

这里选用励磁线(每股为φ0.1的漆包线100根绞制)绕制,其导电面积为210.11000.7854S π⨯⨯==mm 2,因此需要的股数为1/S S =3。

5) 窗口面积核算取填充系数K u =0.3,则需要磁芯的窗口面积为5⨯3⨯S 1/K u =39.25mm 2,小于EE33的窗口面积为63.8mm 2,所选磁芯满足要求。

4.1.6 输出滤波电容和输入电容和选择 根据()o 2128o s D U Q U C LCf -∆∆==,ΔU o =0.1mV 代入,2D =0.85,f s =100kHz ,并将前面所求得的滤波电感值L 代入,可求得C 。

相关文档
最新文档