北京理工大学2005年_材料科学基础_真题
北京理工大学(已有10试题)
北京理工大学信息科学技术学院自动控制理论1999——2000，2002——2008自动控制理论（非控类）2004电子技术（含模拟、数字部分）1999——2000，2002——2008模拟电子技术与数字电子技术2000——2002模拟与数字电路1999——2000，2002微机控制与应用技术2002——2008控制工程基础2003——2008物理光学2003——2004，2007——2008应用光学1999——2008，2010（2010为回忆版）波动光学2002大学物理2006——2008精密机械设计2003——2008（其中2003年称“精密机械基础”）激光原理1999——2001，2005——2008电子电路2003——2005，2007——2008电路分析基础1999——2000信号处理导论2003——2008信号与系统1996——2002半导体物理学1999——2008电磁场理论1999——2000，2002——2008微机原理及应用2004——2005电动力学2003——2004理论力学1996——2008（96——98非原版）生物化学1999——2008（注：2007年试卷共11页，缺P5-6页）生物化学（A）2005——2006，2008计算机专业基础（含计算机组织与结构、数据结构）2007计算机技术基础（含计算机组成原理、操作系统和数据结构）2003——2006计算机原理（含操作系统）1999——2002程序设计1999——2000计算机系统结构基础（含计算机组成原理、计算机网络和数据结构）2004——2005 软件理论基础（含离散数学、操作系统、数据结构）1999——2005数据结构与程序设计2004——2008微波技术基础1999——2000晶体管理原理与制造1999——2000机电工程学院电子技术（含模拟、数字部分）1999——2000，2002——2008电子技术基础2007——2008自动控制理论1999——2000，2002——2008自动控制理论（非控类）2004电磁学2005——2008量子力学2005——2008运筹学2001——2008工程力学基础2007——2008流体力学基础2006工程流体力学2005数学物理方程2002——2006数学物理方法2000材料力学1997——1999，2002——2008理论力学1996——2008（96——98非原版）电动力学2003——2004微机控制与应用技术2002——2008控制工程基础2003——2008精密机械设计2003——2008（其中2003年称“精密机械基础”）应用光学1999——2008，2010（2010为回忆版）波动光学2002微机原理及应用2004——2005有机化学1997——2008无机化学（A）2003——2007无机化学（B）2003——2005，2007——2008分析化学2003——2008分析化学(A)2006物理化学2003——2008高分子物理2005——2008高分子化学及高分子物理2003——2004安全系统工程2003——2005，2008工程热力学（不含传热学）2003——2008爆炸与安全技术2005爆炸及其作用2006爆轰理论2003——2005化学2002——2005传感与测试技术2004——2005算法语言1998微波技术基础1999——2000晶体管理原理与制造1999——2000传热学2000应用电子技术2004机械与车辆工程学院电子技术（含模拟、数字部分）1999——2000，2002——2008 电子技术基础2007——2008自动控制理论1999——2000，2002——2008自动控制理论（非控类）2004机械设计2001——2008机械设计原理2001机械制造工程基础2003——2008机械制造工艺学2002理论力学1996——2008（96——98非原版）微机控制与应用技术2002——2008应用光学1999——2008，2010（2010为回忆版）电路分析基础1999——2000模拟电子技术与数字电子技术2000——2002模拟与数字电路1999——2000，2002精密机械设计2003——2008（其中2003年称“精密机械基础”）控制工程基础2003——2008微机原理及应用2004——2005工程热力学（不含传热学）2003——2008物理化学2003——2008工程力学基础2007——2008流体力学基础2006工程流体力学2005交通运输系统工程学2005，2007——2008微波技术基础1999——2000晶体管理原理与制造1999——2000数字电路与数字信号处理2008材料科学与工程学院物理化学（A）2008高分子物理2005——2008高分子化学及高分子物理2003——2004材料科学基础2003——2007材料力学1997——1999，2002——2008普通化学2008综合化学2008有机化学1997——2008无机化学（A）2003——2007无机化学（B）2003——2005，2007——2008分析化学2003——2008分析化学(A)2006理论力学1996——2008（96——98非原版）电化学原理2003——2006微波技术基础1999——2000晶体管理原理与制造1999——2000化工与环境学院自动控制理论1999——2000，2002——2008自动控制理论（非控类）2004过程控制原理2000——2005，2007——2008化工原理2002——2008有机化学1997——2008无机化学（A）2003——2007无机化学（B）2003——2005，2007——2008分析化学2003——2008分析化学(A)2006物理化学2003——2008电化学原理2003——2006环境微生物学2007——2008工程热力学（不含传热学）2003——2008微波技术基础1999——2000晶体管理原理与制造1999——2000生命科学与技术学院生物化学1999——2008（注：2007年试卷共11页，缺P5-6页）生物化学（A）2005——2006，2008分析化学2003——2008分析化学(A)2006细胞生物学2004——2006微生物学2005——2008分子生物学2007——2008有机化学1997——2008无机化学（A）2003——2007无机化学（B）2003——2005，2007——2008药理学2007信号处理导论2003——2008信号与系统1996——2002电子电路2003——2005，2007——2008物理光学2003——2004，2007——2008应用光学1999——2008，2010（2010为回忆版）波动光学2002信号理论基础2007——2008计算机专业基础（含计算机组织与结构、数据结构）2007计算机技术基础（(含计算机组成原理、操作系统和数据结构）2003——2006计算机原理（含操作系统）1999——2002程序设计1999——2000计算机系统结构基础（含计算机组成原理、计算机网络和数据结构）2004——2005 软件理论基础（含离散数学、操作系统、数据结构）1999——2005数据结构与程序设计2004——2008理学院电子技术（含模拟、数字部分）1999——2000，2002——2008大学物理2006——2008数学分析1995，1999——2000，2003——2008高等代数2003——2008电磁学2005——2008量子力学2005——2008电动力学2003——2004普通化学2008综合化学2008无机化学（A）2003——2007无机化学（B）2003——2005，2007——2008分析化学2003——2008分析化学(A)2006物理化学（A）2008物理化学2003——2008有机化学1997——2008理论力学1996——2008（96——98非原版）材料力学1997——1999，2002——2008工程热力学（不含传热学）2003——2008数学物理方程2002——2006数学物理方法2000电路分析基础1999——2000模拟电子技术与数字电子技术2000——2002模拟与数字电路1999——2000，2002激光原理1999——2001，2005——2008微机控制与应用技术2002——2008爆炸与安全技术2005爆炸及其作用2006电化学原理2003——2006工程力学基础2007——2008流体力学基础2006工程流体力学2005微波技术基础1999——2000晶体管理原理与制造1999——2000管理与经济学院宏微观经济学2008管理学2003——2008（2003，2004名称叫做“管理学基础”。
2004-2005学年度第2学期期末试卷答案
北京科技大学2004-2005学年度第2学期材料科学与工程基础试题材02.1-02.5班, 2005-6参考答案1．①是左螺位错，因t.b=-a，滑移面（100），（001）。
（5分）。
②是刃位错，因t.b=0，滑移面（100）。
（5分）。
①号位错滑移面不唯一，它不能在（010）面上滑移。
（5分）2．可能发生；两平行小角度倾转晶界，刃位错都平行，合并后，位错间间距减小，取向差加大，为θ1+θ2；不存在不同类型位错间的作用或同类位错、但不平行的问题。
这正是回复过程发生的组织变化。
也可用小角度晶界能量与取向差的公式分别进行（加合）计算并比较前后能量差异从而确定反应能否进行。
（10分）3．按结构看，晶界可分为小角晶界和大角晶界；（3分）。
晶界结构的普遍特点是原子排列比晶内混乱的多，特别是大角晶界上原子排列更加混乱。
（3分）λ形变时，晶界阻碍位错运动，造成位错塞积；晶粒越细，晶界越多，强化越明显，有Hall-Petch关系；（3分）λ相变时，晶界是高能地点，是有效的非均匀形核处，晶界越多，新相形核地点越多，可细化晶粒，也越难获得大的过冷度。
（3分）λ再结晶时，晶界的作用与相变时相似，也是加速再结晶过程。
再结晶时只能是非均匀形核。
（3分）4．对一定结构的晶体，作用在滑移面滑移方向上的切应力达一定值时，滑移系才能开动；该值不随外力作用的方向而改变，只与材料本身性质有关。
这个规律称临界分切应力定律。
（5分）。
力轴为[111]时，有6个滑移系的取向因子相同且最大，因而有6个滑移系可同时开动。
力轴为[123]时，开动的滑移系是1个。
（5分，不要求写出具体的滑移系）。
两力轴对应的应力应变曲线有较大差异；[111]力轴下没有易滑移阶段，塑性变形开始就是多系滑移，位错间有强的交互作用，造成强的加工硬化；[123]力轴拉伸时，单系滑移对应易滑移阶段，对应典型的单晶拉伸三阶段（易滑移/线性硬化/抛物线）。
（5分，画出正确的示意图/曲线也可得满分）。
北京理工大学材料科学基础考研初试复试题目
北京理⼯⼤学材料科学基础考研初试复试题⽬初试2010《材料科学基础》真题：⼀．1.名词解释：空间点阵、晶带定理（这两个真题有）。
2.为何布拉⾮点阵⽆底⼼四⽅和⾯⼼四⽅？画图说明3.晶带定理适⽤于什么晶系？⼆．CsCl：（1）晶体类型（2）离⼦数（3）配位数（4）致密度三．肖克来不全位错、弗兰克尔不全位错、共格孪晶界的定义四．凝固形核时，形成球形晶胚、⽴⽅体晶胚的形核功。
哪种晶胚较容易形成？五．超塑性定义。
实现超塑性的条件。
六．纯铜的熔点为1373K，实际凝固温度为1173K，⽤热⼒学定律解释为什么。
七．纯⾦属，在A和B两种条件下结晶，在A条件下⽐B条件下晶粒明显更⼩。
解释可能产⽣这种现象的原因。
⼋．有共析合⾦相图，AmBn为中间相，判断1、2、3 的强度，并说明强化机理。
注：这些题⽬都是原来真题上⾯没有的内容，⾄于其他内容我就不说了，因为真题上都有的，⼀年考过以后难免保证会不会再考，所以真题⼀定要全部做熟悉。
复试笔试题⽬：总共分五⼤题，总分100，⼀为名词解释（12选6，每个5分，共30分）；⼆为简答题（就⼀道，必做，10分）；三为相图题（必做题，⼀道20分）；四为简答题（2选1，⼀道10分）；六为专业英语翻译（必做题，⼀道20分）题⽬：⼀1.熵2.热⼒学第⼆定律3、测不准原则4泡利原理5等离⼦体6⽣物医⽤材料7能带8肖克来缺陷9弗兰克尔缺陷10低应⼒脆性断裂（还有两个忘了，再补上吧）⼆．纳⽶材料的概念，有何种特殊性质？讲出⼏个特殊性质及其⽤途三．凝聚态⼆元组分A-B（1）在图中标出各相区组织（2）EF,MN线有何组织共存，相转变是怎样的？（3）DE,NQ线的意义是什么？（4）a处的步冷却曲线四．1（a）淬⽕后的钢为何要回⽕？（b）⾦属强韧化有哪些⼿段，机理是什么？2.忘了五．1⾦属、⽆机⾮⾦属、⾼分⼦三种材料在结构、性质、⽤途上的共同点、不同点。
2.XRD和SEM的原理和⽤途六．翻译：关于元素周期表上元素的电阻性，如原⼦外层电⼦的约束⼒控制、原⼦价，铜、锗等的电阻性与电⼦约束的关系，以及正、负电荷的位置关系等。
北京理工大学2005年考研试题及参考答案
北京理工大学2005年考研试题及参考答案一、判断题：1、在现代操作系统中，作业拥有的最大编址空间受CPU的地址结构和外存容量的限制。
2、在批处理系统中，提交的批处理作业必须具有作业的控制信息。
3、并发执行的进程间必定具有相互制约关系。
4、处理机处于核心态时，只能执行特权指令。
5、采用虚拟存储技术后，内存就可以无限制地进行扩充。
6、共享设备是指在同一时间内，允许多进程同时访问的设备。
7、存储型设备通常是直接存取设备，而I/O型设备属于顺序存取的设备。
8、文件的存取方法依赖于文件的物理结构和存放文件的存储设备的特性。
二、填空1、现代操作系统两个最基本的特性是（）和（）2、在操作系统中，一种用空间换时间的资源转换技术是（）3、地址转换机构的最基本任务是将程序在（）中的（）转换为（）中的（）4、在分页管理系统中，为实现地址转换设置了控制寄存器，其中存放的是（）和（）5、磁盘属于块设备，信息的存取单位是以（）为单位进行的；磁盘的I/O控制主要采用（）控制方式三、选择题1、为了使并发进程有效地进行输入输出，应该采用（）结构的缓冲技术A多缓冲B环行缓冲C缓冲池D多队列轮转2、在可变式分区管理中，采用拼接技术的目的是A合并空闲区B合并分配区C增加主存容量D便于地址转换3、实施虚拟存储器管理的依据是程序的（）A局部性原理B动态性原理C并发性原理D一致性4、火车站的售票系统属于（）系统A单道批处理B多道批处理C分时D实时5、一个作业8：00到达系统，其估计运行时间为1小时。
若10：00开始运行该作业，其响应时间是（）小时。
A1 B2 C3 D46、采用可重入程序是通过使用（）方法来改善系统性能的A改便时间片长短B改变用户数C加速对换速度D减少对换信息量7、若为每个作业只建立一个进程，为了照顾短作业用户。
应采用（）；为照顾紧急作业用户，应采用（）；为能实现人机交互，应采用（）；而能使短作业，长作业和交互作业用户都满意，应采用（）A FCFS调度算法B短作业优先调度算法C时间片轮转法D多级反馈队列调度算法E基于优先权的剥夺调度算法8、在设计分时操作系统时，首先考虑的是（）；在设计实时操作系统时，首先要考虑的是（）；在设计批处理系统时，首先要考虑的是（）A灵活性和适应性B交互性和响应时间C周转时间和系统吞吐量D实时性和可靠性四简答题1、虚拟设备的概念及实现虚拟设备的主要条件和实现技术是什么？2、死锁与饿死有什么区别3、什么是交换？交换的目的是什么？4、引入线程的目的是什么？线程与其所在进程之间的关系是什么？五、请用信号量解决以下的独木桥问题：同一方向的行人可连续过桥，当某一方向有人过桥时，另一方向的行人必须等待，直到某方向无人过桥或连续过了100个人时，另一方向行人才可以过桥.模拟试题一一、填空题（每空1分，共10分）１、如果系统中有n个进程，则在等待队列中进程的个数最多可为＿＿个。
05B研无机材料科学基础答案
江西理工大学 第 1 页二 OO五年硕士研究生入学考试试题答案（B卷）考试科目： 无机材料科学基础 报考专业：材料学一名词解释（25分，每题5分）1、固相反应：凡是有固相参与的化学反应都可称为固相反应2、均匀成核：晶核从均匀的单相熔体中产生的几率处处相同的成核过程非均匀成核：借助于表面、界面、微粒裂纹、器壁以及各种催化位置等而形成晶核的过程3、正尖晶石：二价阳离子分布在1/8四面体空隙中，三价阳离子分布在1/2八面体空隙的尖晶石，称为正型尖晶石；反尖晶石：如果二价阳离子分布在八面体空隙中，而三价阳离子一半在四面体空隙中，另一半在八面体空隙的尖晶石，称为反型尖晶石4、硼反常现象：当数量不多的碱金属氧化物同一起熔融时，碱金属所提供的氧不象熔融玻璃中作为非桥氧出现在结构中，而是使硼氧三角体转变为桥氧组成的硼氧四面体，致使玻璃从原来两度空间的层状结构转变为三度空间的架状结构，从而加强了网络结构，并使玻璃的各种物理性能变好。
这与相同条件下的硅酸盐玻璃相比，其性能随碱金属或碱土金属加入量的变化规律相反，所以称之为硼反常现象；5、胶体的ξ电位：因为吸附层与扩散层各带有相反的电荷，所以相对移动进两者之间就存在着电位差，这个电位差称为胶体的ξ电位二1、晶体结构的描述通常有几种方法？举例说明。
（14分）答（1）用坐标法描述。
如NaCl晶胞的4个Cl离子和4个Na离子坐标分别为：Cl离子：（000）（1/2 1/2 0）（1/2 0 1/2）（0 1/2 1/2）Na离子：（0 0 1/2）（1/2 0 0）（0 1/2 0）（1/2 1/2 1/2）（2）用球体紧密堆积方法描述。
如NaCl晶体Cl离子按立方紧密堆积和Na离子全部处于八面体空隙中（3）以配位多面体及其连接方式描述。
如NaCl晶体中，Na离子的配位数是6，构成Na—Cl八面体。
2、 MgO具有NaCl型结构，其中O2-半径为0.140nm，Mg2+为0.072nm，计算球状粒子的堆积系数和MgO的密度（其中a=0.424nm,Mg的原子量为24.13,O原子量为16，阿佛加德罗常数为6.023×1023）(10分)江西理工大学 第 2 页二 OO五年硕士研究生入学考试试题答案（B卷）解: NaCl型结构中z=4且有为立方紧密堆积则有其球状粒子的堆积系数。
2005年硕士研究生入学考试及答案
目录1.05年北师大物理类各方向2.05年长光所3.05年东南大学4.05年中科大5.05年南京大学6.05年华中科大7.05年吉林大学（原子所）8.05年四川大学（原子与分子）9.05年北京理工10.05年河北理工11.05年长春理工北京师范大学2005年招收硕士研究生入学考试试题专业:物理类各专业科目代号:459研究方向:各方向考试科目:量子力学[注意]答案写在答题纸上，写在试题上无效。
1.(20分)一个电子被限制在一维谐振子势场中，活动范围求激发电子到第一激发态所需要的能量（用ev表示）（，，）提示：谐振子能量本征函数可以写成2.（30分）一个电子被限制在二维各向同性谐振子势场中（特征频率为）。
（1）写出其哈密顿量，利用一维谐振子能级公式找到此电子的能级公式和简并度。
（2）请推导电子的径向运动方程。
并讨论其在时的渐近解。
提示：极坐标下3．（50分）两个质量为的粒子，被禁闭在特征频率为的一维谐振子势场中，彼此无相互作用（此题中波函数无须写出具体形式）：（1）如果两个粒子无自旋可分辨，写出系统的基态（两个都在自己的基态）和第一激发能级（即一个在基态，另一个在第一激发态）的波函数和能量（注意简并情形）。
（10分）（2）如果两个粒子是不可分辨的无自旋波色子，写出系统的基态和第一激发态的能量和波函数。
如果粒子间互作用势为，计算基态能级到一级微扰项。
（15分）（3分）如果两个粒子是不可分辨的自旋1/2粒子，写出基态能级和波函数（考虑自旋）。
如果粒子间互作用能为，计算基态能量。
（15分）（4）同（3），解除势阱，两个粒子以左一右飞出。
有两个探测器分别（同时）测量它们的y方向自旋角动量。
请问测量结果为两电子自旋反向的几率是多少？（10分）4．（30分）中心力场中电子自旋与轨道角动量存在耦合能。
总角动量，是的共同本征态。
现有一电子处于态，且。
（1）在一基近似下，可用代替，请问电子的能量与态差多少？（2）请计算该电子产生的平均磁矩，并由此计算在z方向均匀磁场B中电子的能量改变多少？（），当，，当，5．（20分）一个定域（空间位置不动）的电子（自旋1/2）处于z方向强磁场中。
北京理工大学05年研究生入学考试量子力学试题及答案(4)
3. a = b时，写出第一激发态波函数，并求系统处于第一激 发态的量子涨落 ∆x。 2 nxπx nyπy a = b时 ψn (x, y) = sin sin
a a a
设沿x方向处于第一激发态，沿y方向处于基态， 2 2πx πy ψ1 (x, y) = sin sin a a a a a a a 4 2πx πy 1 4πx 2 2 )dx = x = 2 ∫ xsin dx∫sin dy = ∫ x(1− cos
久期方程 得到
cosθ − λ sin θ cosϕ + i sin θ sin ϕ
sin θ cosϕ − i sin θ sin ϕ − cosθ − λ
=0
λ = ±1
(cosθ −1)a + (sin θ cosϕ −i sin θ sin ϕ)b = 0 (sin θ cosϕ +i sin θ sin ϕ)a −(cosθ +1)b = 0
2
同理
sin 2 θ W(σn = −1) = 2(1+ cosθ)
3.在 σz 本征值为-1的态下，计算 σn 的平均值
σn = −1σn −1
cosθ sin θ cosϕ − i sin θ sin ϕ0 = (0 1) 1 − cosθ sin θ cosϕ + i sin θ sin ϕ
λ = +1
λ = +1
(cosθ −1)a + (sin θ cosϕ −i sin θ sin ϕ)b = 0 (sin θ cosϕ +i sin θ sin ϕ)a −(cosθ +1)b = 0
1 1− cosθ ψ+1 = a sin θ cosϕ − i sin θ sin ϕ
北工大材料科学基础2002-2012真题及部分答案
五、下面题目偏重考察金属材料方面的基础知识：
6、渗碳是将零件置于渗碳介质中试碳原子进出工件表面，然后以下坡扩散的方式使碳原子 从表面相内部扩散的热处理方法。分析说明： （1）钢中空位密度、位错密度和晶粒大小对渗碳速度有何影响？ （2）温度对于扩散速度有何影响？将碳在 γ-Fe 中的扩散温度由 927oC 提高到 1027oC，扩 散系数将增加几倍（已知碳在 γ-Fe 中的扩散常数 D0=2.0*10-5m2/s，扩散激活能 Q=140*103J/mol）（10 分）
北工大材料科学基础 2002-2012 真题及部分答案
50 北工大专业课课本和真题双重重点
北工大材料科学基础 2002-2012 真题及部分答案
51 北工大专业课课本和真题双重重点
北工大材料科学基础 2002-2012 真题及部分答案
52 北工大专业课课本和真题双重重点
北工大材料科学基础 2002-2012 真题及部分答案
25 北工大专业课课本和真题双重重点
北工大材料科学基础 2002-2012 真题及部分答案
26 北工大专业课课本和真题双重重点
北工大材料科学基础 2002-2012 真题及部分答案
27 北工大专业课课本和真题双重重点
北工大材料科学基础 2002-2012 真题及部分答案
28 北工大专业课课本和真题双重重点
力。( ) 5、一个位错环上必定同时存在刃位错和螺型位错。( ) 6、由一个固相同时析出成分和晶体结构均不相同的两个新固相的过程称为共析转变。( ) 7、非平衡凝固的终结温度高于平衡凝固的终结温度。( ) 8、相图表示的是体系的热力学平衡状态。( ) 9、固溶体合金结晶时，只要液相中存在足够的能量起伏和结构起伏，就可以形核。( ) 10、玻璃在常温下能长期稳定存在，因而它是热力学稳定态。( ) 四、论述及计算题（1-5 题必做，偏金属方向选做 6-9 题，偏无机材料方向选做 10-13 题） （共 100 分）。
(中南大学)材料科学基础真题2005年
(中南大学)材料科学基础真题2005年(总分：150.00，做题时间：90分钟)一、论述题(总题数：10，分数：150.00)1.说明材料中的结合键与材料性能的关系。
（分数：15.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：(材料结合键的类型及结合能的大小对材料的性能有重要的影响，特别是对物理性能和力学性能。
结合键越强，熔点越高，热膨胀系数就越小，密度也大。
金属具有光泽、高的导电性和导热性、较好的机械强度和塑性，具有正的电阻温度系数就与金属的金属键有关。
陶瓷、聚合物一般在固态下不导电与其非金属键结合有关。
工程材料的腐蚀实质是结合键的形成和破坏。
晶体材料的硬度与晶体的结合键有关。
一般共价键、离子键、金属键结合的晶体比分子键结合的晶体的硬度高。
结合键之间的结合键能越大，则弹性模量越大。
工程材料的强度与结合键能也有一定的联系。
一般结合键能高，强度也高一些。
材料的塑性也与结合键类型有关，金属键结合的材料具有良好的塑性，而离子键、共价键结合的材料的塑性变形困难，所以陶瓷材料的塑性很差。
)解析：2.任意选择一种材料，说明其可能的用途和加工过程。
（分数：15.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：(略)解析：3.针对下图所示Mg-Y相图，回答下列问题：1．已知Mg为HCP结构，计算Mg晶胞的致密度。
2．写出相图上等温反应，及图中Y=5%wt的K合金在室温下的平衡组织。
3．指出提高K合金强度的方法。
4．计算Y=18%wt的合金在刚凝固完毕时的组织组成百分含量。
（分数：15.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：(1．0.74。
北京理工大学829材料科学基础真题
某年北京理工大学招收硕士学位研究生入学考试材料科学基础试题一名词解释（共30分每小题2分）1空间点阵2 位置3 离异共品4 置换固溶体5 晶内偏析6 相律7 不全位错8 固溶强化9 热加工10 交滑移11 铁素体12 上坡扩散13 加工硬化14 成分过冷15 异质形核二问答题（共90 分）1 低碳钢的渗碳一般选择在奥氏体区而不是在铁素体区进行，为什么？（本题6分）2 画图表示成分过冷的形成，并说明成分过冷对液固体界面生长形态的影响。
（本题12分）3 细化晶粒的措施有哪些？为什么晶粒越细，材料的强度越高，塑韧性也越好？（本题8分）8 如右图所示，滑移面ABCD上有一正方形位错环A’B’C’D‘，位错环的各段分别与滑移面各边平行，且其柏氏矢量b//AB。
指出位错环上各段位错线的类型，并画出位错运动出晶体后的滑移量和滑移方向。
（本题8分）5 多晶体的塑性变形与单晶体有何不同？（本题4分）6 共晶系中二元合金在不平衡结晶条件下将产生什么组织，分析其形成的条件、形成过程和组织特征。
（本题10分）7 一块纯锡板与一块钨板被子弹穿击，试分别画出弹孔周围的晶粒形态分布示意图，并作简要说明。
（本题10分）8计算含碳量为4%的铁碳合金按亚稳态冷却到室温后，组织中珠光体、二次渗碳体和莱氏体中二次渗碳体、共晶渗碳体和共析渗碳体的相对含量。
（本题12分）9 比较滑移变形和孪生变形的异同点。
（本题4分）10 画图说明金属熔液过冷度和形核率之间的关系，并解释其原因。
（本题6分）11 画图表示冷变形金属在加热时的组织和性能变化。
（本题6分）12 在一个简单立方晶胞内画出（111）、（110）晶面和[110]、[112]晶向。
（本题4分）三论述题（共30分每小题15分）1 材料中的位错密度与强度有何关系？材料强化常用的方法有哪些？其机制分别是什么？2 试述固态相变的特点。
2010年北京理工大学招收硕士学位研究生入学考试材料科学基础试卷答案要点一名词解释1 几何点在三维空间有规律地重复规则排列。