m22三极管2讲解
长晶二三极管
长晶二三极管：详细解析一、长晶二三极管概述长晶二三极管，也称为晶体二极管或晶体三极管，是一种固态电子器件。
它由半导体材料制成，利用其独特的电学特性实现电子信号的放大、调制、检测等功能。
长晶二三极管在电子电路中扮演着至关重要的角色，广泛应用于通信、消费电子、工业控制等领域。
本文将对长晶二三极管进行详细解析，以期为相关研究和应用提供参考。
二、长晶二极管工作原理长晶二极管是由一个PN结组成的半导体器件。
当正向电压加在二极管两端时，电流可以顺利通过；而当反向电压加在二极管两端时，电流几乎为零。
这一特性使得长晶二极管在电路中能够起到整流、检波等作用。
三、长晶三极管工作原理长晶三极管由三个半导体区域构成，分别是集电极、基极和发射极。
电流通过基极和发射极，控制集电极电流的放大。
通过改变基极电流，可以控制集电极电流的大小，从而实现信号的放大。
这一特性使得长晶三极管在电路中能够起到放大器的作用。
四、长晶二三极管的应用整流器：利用长晶二极管的整流特性，将交流电转换为直流电，广泛应用于电源供应、电机控制等领域。
放大器：利用长晶三极管的放大特性，对微弱信号进行放大，广泛应用于音频放大、通信系统等领域。
开关电路：利用长晶二三极管的开关特性，实现电路的通断控制，广泛应用于逻辑门电路、数字电路等领域。
检波器：利用长晶二极管的检波特性，从调制信号中提取出低频信号，广泛应用于无线电接收等领域。
传感器：利用长晶二三极管的敏感特性，将非电量转换为电量，广泛应用于压力、温度、湿度等传感器的制作。
调制解调：利用长晶二三极管的调制解调特性，实现信号的调制和解调，广泛应用于通信系统等领域。
混频器：利用长晶二三极管的非线性特性，将两个不同频率的信号进行混合，产生新的频率信号，广泛应用于频谱搬移等领域。
电子仪表：利用长晶二三极管的测量特性，实现对电压、电流、电阻等电学量的测量，广泛应用于示波器、万用表等电子仪表的制作。
自动控制：利用长晶二三极管的反馈控制特性，实现电路的自动控制，广泛应用于温度控制、速度控制等领域。
三极管的基本知识讲解复习课程
三极管的基本知识讲解三极管的初步认识三极管是一种很常用的控制和驱动器件，在数字电路和模拟电路中都有大量的应用，常用的三极管根据材料分有硅管和锗管两种，原理相同，压降略有不同，硅管用的较普遍，而锗管应用较少，以下以硅管为例进行讲解。
三极管有2 种类型，分别是PNP 型和NPN 型。
先来认识一下，如下图所示。
三极管一共有3 个极，横向左侧的引脚叫做基极(base)，中间有一个箭头，一头连接基极，另外一头连接的是发射极e(emitter)，剩下的一个引脚就是集电极c(collector)。
三极管的原理三极管有截止、放大、饱和三种工作状态。
放大状态主要应用于模拟电路中，且用法和计算方法也比较复杂，我们暂时用不到。
而数字电路主要使用的是三极管的开关特性，只用到了截止与饱和两种状态，所以我们也只来讲解这两种用法。
三极管的类型和用法有个总结：箭头朝内PNP，箭头朝外NPN，导通电压顺箭头过，电压导通，电流控制。
三极管的用法特点，关键点在于b 极（基极）和e 级（发射极）之间的电压情况，对于PNP 而言，e 极电压只要高于b 级0.7V以上（硅三极管的PN 结道导通电压，如果是锗三极管，这个电压大概为0.3V），这个三极管e 级和c 级之间就可以顺利导通。
也就是说，控制端在b 和e 之间，被控制端是e 和c 之间。
同理，NPN 型三极管的导通电压是b 极比e 极高0.7V，总之是箭头的始端比末端高0.7V就可以导通三极管的e 极和c 极。
这就是关于“导通电压顺箭头过，电压导通”的解释。
三极管的用法以上图为例介绍一下三极管的用法。
三极管基极通过一个10K 的电阻接到了单片机的一个IO口上，假定是P1.0，发射极直接接到5V 的电源上，集电极接了一个LED 小灯，并且串联了一个1K 的限流电阻最终接到了电源负极GND 上。
如果P1.0 由我们的程序给一个高电平1，那么基极b 和发射极e 都是5V，也就是说e到b 不会产生一个0.7V 的压降，这个时候，发射极和集电极也就不会导通，那么竖着看这个电路在三极管处是断开的，没有电流通过，LED2 小灯也就不会亮。
二、三极管两级放大电路识图_电路识图从入门到精通_[共2页]
![二、三极管两级放大电路识图_电路识图从入门到精通_[共2页]](https://img.taocdn.com/s3/m/bd5c925283d049649a665821.png)
电路识图从入门到精通– 136 –提示 由于共集电极放大器具有输入阻抗高、输出阻抗低的优点，所以在多级放大电路中，通常利用共集电极放大器将前级和后级放大器进行隔离，由它对信号进行缓冲放大，以免前、后级放大器互相影响。
又因共集电极放大器具有电流放大功能，所以不仅串联稳压电源采用此类放大器，而且有的多级放大电路的末级放大器也采用此类放大器。
3．共基极放大器共基极放大器的应用较前两种放大器要少得多。
图6-3所示是一种典型的共基极放大器。
在该放大器内，VT 是放大管，C1是输入信号耦合电容，C2是输出信号耦合电容，C3是基极的交流接地电容，R1、R2是VT 基极的直流偏置电阻，R3是VT 的集电极负载电阻，R4是VT 的发射极电阻，V CC 是供电电压，U i 是输入信号，U o 是输出信号。
图6-3 共基极放大器及信号波形（1）直流偏置供电电压V CC 通过R1、R2分压后，加到VT 的基极，为基极提供直流偏置电压，U b ≈V CC R 2/(R 1+R 2)。
流过R1的电流分两路到地：一路是通过R2到地，另一路是通过VT 的发射结、R4到地。
（2）信号放大输入信号U i 经C1耦合到VT 的发射极，使VT 的发射极电流I e 随U i 变化而变化，致使VT 的集电极电流I c 随之变化。
I c 在R3两端产生随之变化的压降U 3，而V CC 减去U 3就是VT 的集电极电压U c 。
因为U c 与U i 同步变化，所以相位相同。
U c 经C2耦合后得到交流输出信号U o 。
提示共基极放大器具有高频特性好的优点，但也存在输入阻抗小和输出阻抗大的缺点。
因此，该放大器主要应用在高频信号放大电路。
二、三极管两级放大电路识图三极管两级放大电路就是由两个三极管构成的放大电路。
此类电路也是最常见的放大电路。
根据前、后级放大器的耦合方式的不同，两级放大器有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合和光电耦合器耦合四种。
二三极管参数解读
SMA/DO-214AC
11
Diode介紹- Bridge Rectifiers（5/6）
橋式整流二極管包含4 個整流二極管，用於AC 轉換成DC電源電路 高可靠性 IF 一般在0.3 A ~ 35 A VR 一般在50 V ~ 1000 V 常見封裝：
IF、IR、VR 、VF、TRR、CJ IF、IR、VR 、VF、TRR、PD、CJ
IR、VR 、VF、CJ IR、VR 、VF、CJ
Bridge Rectifier
IF、IR、VR 、VF、TRR、PD、CJ
IR、VR 、VF、CJ
Schottky Diode
IF、IR、VR 、VF、TRR、CJ
V(BR)CBO測 試電路
V(BR)CEO測 試電路
擊穿電壓越大，三極管的電壓承受能力越強
V(BR)EBO測 試電路
V(BR)CBO測試數據曲綫圖 22
V(BR)CEO測試數據曲綫圖
V(BR)EBO測試數據曲綫圖
Transistor主要參數介紹(2/4)
ICBO：發射極斷開，集電極與基極之間的漏電流
Diode結構及基本原理
1. PN junction：
用专门的制造工艺在同一块半导体单晶上(一般為Si和Ge),形成P型半导体区域和N 型半导体区域,在这两个区域的交界处就形成了一个PN结
2. Metal-semiconductor junction：
由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二极管
Diode and Transistor SPEC解讀
二三极管培训资料(ST)
本厂所生产的产品基本介绍
得名, 铁或钢金属芯的作用增强钢硬性及不容易弯曲, 外包铜层作用是不像铁钢那 样易氧化, 有利于上锡, 另外铜的导电性能良好及成本又较合适. 这样设计的 CCS 线材应该说也是电子元件理想及专用的材料.
用于 DO 系列产品的部件-铜针, 它是由杜美丝线与铜包铁线两者焊接而成, 根据线 材直径的不同, 可制做出不同规格及类别的铜针. 用于 LL 系列产品的部件-铜钉, 它只是由杜美丝线一种材料经过挤压而成的, 根据线 材直径的不同, 可制做出不同规格及类别的铜钉.
汽车走的路叫公路，火车走的路叫铁路。大家都知道要让电流做功，必须叫它 按照指定的路线流动，我们把电流所走的路线就叫做电路。电路和铁路、公路不同， 铁路、公路可以任意延长和缩短，有头也有尾，而电路却是一个闭合的回路。这样， 电流才能在闭合的回路中流动. 导体、半导体和绝缘体
当电流通过各种物体时，不同的物体对电流的通过有着不同的阻止能力，有的 物体可使电流顺利通过，也有的物体不让其通过，或者在一定的阻力下让它通过。 这种不同的物体通过电流的能力，叫做这种物体的导电性能。各种物体均有着不同 的导电性能，凡是导电性能很好的物体叫做导体(Conductor)。如银、铜、铝、铅、 锡、铁、水银、碳和电解液等都是良好导体。反之，导电能力很差的物体叫做绝缘 体(Insulator)。还有，有的物体的导电能力比导体差，但比绝缘体强，(导电性能介于 导电体和绝缘体之间的物体)这种导体叫做半导体(Semiconductor)。如常用的晶体管 原材料硅、锗等。
2.2-三极管(基本共射)
单电源供电电路
符号规定 UA uA ua
交直流量
大写字母、大写下标，表示直流量。 小写字母、大写下标，表示交直流量。 小写字母、小写下标，表示交流分量。 ua
交流分量
uA
UA直流分量
t
基本放大电路的习惯画法
Cb1
+
Cb2 T
+
Rb Cb1
+
Rc T
+VCC Cb2
+
+
ui +
Rb VBB
Rc RL VCC
耦合电容：
电解电容，有极性， 大小为10F~50F
作用：隔直通交隔离 输入输出与电路直流 的联系，同时能使信 号顺利输入输出。
Cb1
+
Cb2 +
+
+
Rb V BB
T
+
Rc RL V CC
ui +
uo -
电路改进：采用单电源供电 +EC RC C1 T
可以省去
C2
RB EB
RB需要 相应地 提高阻 值。
2
1.5 1
静态工作点
40 µ A 20 µ A M IB = 0 µ A
Q
UCE /V 求得静态值为 : IB = 40 A ，IC = 1.5 mA , UCE = 6V
O
2
4
6
8
10
12
放大电路的动态态分析
交流通路——分析动态工作情况
交流通路的画法：
将直流电压源短路，将电容短路。
对交流信号(输入信号ui)
RB
+
UBE
UCE UCC RC IC
二三极管讲义
• 2SC3356 2SC4226 2SK508 2SK2158 2SC5508 2SK1590… • NE4210 NE3210 NE3512…
常用替代
二三极管类产品讲义
二三级管常用品牌
二极管又称晶体二极管，它是一种具有单向传导电 流的电子器件。 可分为:整流二极管，开关二极管， 稳压二极管等。
整流二极管（DO-214):1N4001 1N4002 1N4004 整流二极管 1N4007 开关二极管（SOD-123 SOD-323 SOT-23）： 开关二极管 1N4148 1N5819 1N5817 BAS16 BAV99 BAV70 稳压二极管(LL-34 0805 0603 1206):ZMM5V6 稳压二极管 ZMM6V8 ZMM6V2
晶体三极管，是最常用的基本元器件之一，晶体三极管的作用主要是电 流放大，他是电子电路的核心元件，现在大规模集成电路的基本组成部 门也就是晶体三极管. 按工作频率分有低频三极管、高频三极管和超高频三极管
SOT-23 SOT-323 SOT-89 SOT-223 SOT-143 SOT-343
• 低频三极管 PMBT3906 PMBT3904 S9013 S9014 S8050 S8550 • 高频三极管 2SC3356 2SC4226 PBR951 BFG425W • 超高频三极管 BFG135 BFG591 BFG67
宏佳润经验品牌与封装
SOT-23 SOT-323 SOT-89 SOD-123
1. PMBT3906 PMBT3904 BAV99 BAV70 BAT54C BAT54S BC847C BC84FG591 ON4832 ON4973 ON5030
(完整版)三极管的基本知识讲解
三极管的基本知识讲解三极管的初步认识三极管是一种很常用的控制和驱动器件，在数字电路和模拟电路中都有大量的应用，常用的三极管根据材料分有硅管和锗管两种，原理相同，压降略有不同，硅管用的较普遍，而锗管应用较少，以下以硅管为例进行讲解。
三极管有2 种类型，分别是PNP 型和NPN 型。
先来认识一下，如下图所示。
三极管一共有3 个极，横向左侧的引脚叫做基极(base)，中间有一个箭头，一头连接基极，另外一头连接的是发射极e(emitter)，剩下的一个引脚就是集电极c(collector)。
三极管的原理三极管有截止、放大、饱和三种工作状态。
放大状态主要应用于模拟电路中，且用法和计算方法也比较复杂，我们暂时用不到。
而数字电路主要使用的是三极管的开关特性，只用到了截止与饱和两种状态，所以我们也只来讲解这两种用法。
三极管的类型和用法有个总结：箭头朝内PNP，箭头朝外NPN，导通电压顺箭头过，电压导通，电流控制。
三极管的用法特点，关键点在于b 极（基极）和e 级（发射极）之间的电压情况，对于PNP 而言，e 极电压只要高于b 级0.7V以上（硅三极管的PN 结道导通电压，如果是锗三极管，这个电压大概为0.3V），这个三极管e 级和c 级之间就可以顺利导通。
也就是说，控制端在b 和e 之间，被控制端是e 和c 之间。
同理，NPN 型三极管的导通电压是b 极比e 极高0.7V，总之是箭头的始端比末端高0.7V就可以导通三极管的e 极和c 极。
这就是关于“导通电压顺箭头过，电压导通”的解释。
三极管的用法以上图为例介绍一下三极管的用法。
三极管基极通过一个10K 的电阻接到了单片机的一个IO口上，假定是P1.0，发射极直接接到5V 的电源上，集电极接了一个LED 小灯，并且串联了一个1K 的限流电阻最终接到了电源负极GND 上。
如果P1.0 由我们的程序给一个高电平1，那么基极b 和发射极e 都是5V，也就是说e到b 不会产生一个0.7V 的压降，这个时候，发射极和集电极也就不会导通，那么竖着看这个电路在三极管处是断开的，没有电流通过，LED2 小灯也就不会亮。
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静态(直流)电流放大系数:
动态(交流)电流放大系数:
I C 2.30 1.50 40 I B 0.06 0.04
3) 当IB=0(基极开路)时, IC=ICEO,很小接近于０。 4) 要使晶体管起电流放大作用，发射极必须正向偏置， 集电极必须反偏。 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变 化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的 变化，是CCCS器件。
2.2.3 特性曲线
即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子 内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能， 是分析放大电路的依据。
为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的 电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线
测量晶体管特性的实验线路
IC +
mA
IB
A
+
RB
V UCE 输出回路 –
+ –
V UBE 输入回路 – + – EB
EC
共发射极电路
发射极是输入回路、输出回路பைடு நூலகம்公共端
1. 输入特性
特点:非线性 IB(A) 80 60 40
I B f (U BE ) U
CE 常数
UCE1V
20
0.4 0.8
正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE 0.6~0.7V PNP型锗管 UBE 0.2 ~ 0.3V
ICEO受温度的影响大。 温度ICEO，所以IC 也相应增加。三极管的 温度特性较差。
2.2.4 主要参数
表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体 管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。 1. 电流放大系数 当晶体管接成发射极电路时，
直流电流放大系数 ___ IC IB 注意：
交流电流放大系数
Δ IC ΔI B
和 的含义不同，但在特性曲线近于平行等 距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。 常用晶体管的 值在20 ~ 200之间。
Q2
Q1
I I 1.5 37.5 0.04
C
CE
在以后的计算中，一般作近似处理： = 。
2.集-基极反向截止电流 ICBO ICBO –
A
+
EC
ICBO是由少数载流子的 漂移运动所形成的电流， 受温度的影响大。 温度ICBO
3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO – A + IB=0 ICEO
例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 A, IC=2.3mA。
IC(mA ) 4 3 2 1 0 3 6 9 100A
在 Q1 点，有
B 80A 由 Q1 和Q2点，得 60A 40A Δ IC 20A 2.3 1.5 40 Δ I B 0.06 0.04 IB=0 12 U (V)
（2）截止区 IB =0 以下区域为截止区，有 IC 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反 向偏置，晶体管工作于截止状态。 （3）饱和区 IC(mA ) 当UCE UBE时，晶体 100 A 饱 4 管工作于饱和状态。 和 80A 3 在饱和区，IB IC， 区 60A 发射结处于正向偏置， 2 40A 集电结也处于正偏。 20A 1 深度饱和时， IB=0 硅管 U 0.3V ， CES 0 3 6 9 12 U (V) CE 锗管UCES 0.1V。 截止区 ICEO
2.2 三极管
本章要求：
一、理解三极管的电流分配和电流放大作用；
二、了解三极管的基本构造、工作原理和特性曲线，
理解主要参数的意义；
2.2 半导体三极管
2.2.1 基本结构
集电极 C
NPN型
发射极 N P N E
集电极
基极 B 符号： NPN型三极管
C B IB E IE IC
发射极 P N P E C 基极 B PNP型三极管
扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极 电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。
IC IB
A mA
+
mA IE
RB + – EB
–
EC
3. 各电极电流关系及电流放大作用 IB(mA) IE(mA) 结论: 0 0.02 0.04 1.50 1.54 0.06
IC(mA) <0.001 0.70
<0.001 0.72
2.30
2.36
0.08 3.10 3.18
0.10 3.95 4.05
1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC IB ， IC IE
I C 1.50 I C 2.30 37.5， 38.5 I B 0.04 I B 0.06
C IC
PNP型
B IB E IE
结构特点：
集电区： 面积最大 集电结 集电极 C N P N
基区：最薄， 掺杂浓度最低
基极 B
发射结
E 发射极
发射区：掺 杂浓度最高
2. 2. 2 电流分配和放大原理
1. 三极管放大的外部条件 发射结正偏、集电结反偏 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VB>VE 集电结反偏 VC>VB
UBE(V)
死区电压： 硅管0.5V， 锗管0.1V。
2. 输出特性
IC(mA )
4
IC f (UCE ) I
B 常数
输出特性曲线通常分三个工作区：
(1) 放大区
100A
3
2
1
0
在放大区有 IC= IB ， 也称为线性区，具有恒 80A 流特性。 60A 放大区 在放大区，发射结处 40A 于正向偏置、集电结处 20A 于反向偏置，晶体管工 IB=0 3 6 9 12 U (V) 作于放大状态。 CE
C N B RB EB E P RC
发射结正偏 集电结反偏
PNP VB<VE VC<VB
N EC
2. 2. 2 电流分配和放大原理
2、内部载流子传输过程
（发射结正偏） uBE U on 放大的条件 （集电结反偏） uCB 0，即 uCE uBE
少数载流 子的运动 因集电区面积大，在外电场作用下大 部分扩散到基区的电子漂移到集电区 因基区薄且多子浓度低，使极少 数扩散到基区的电子与空穴复合 因发射区多子浓度高使大量 电子从发射区扩散到基区 基区空穴 的扩散