第二章三极管练习题
(完整版)第二章三极管练习题
第二章练习题一、填空题：1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。
2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。
3.三极管是___________控制器件。
4.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=6.5V,U2=7.2V,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。
5．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。
6.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。
7．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和_________。
8．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。
8、某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。
可判定该三极管是工作于区的型的三极管。
9、已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断：a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）；b．管型是（NPN，PNP）；c．材料是（硅，锗）。
二、选择题：1、下列数据中，对NPN型三极管属于放大状态的是。
A、V BE>0,V BE<V CE时B、V BE<0，V BE<V CE时C、V BE>0，V BE>V CE时D、V BE<0，V BE>V CE时2、工作在放大区域的某三极管，当I B从20μA增大到40μA时，I C从1mA变为2mA则它的β值约为。
A、10B、50C、80D、1003、NPN型和PNP型晶体管的区别是。
A、由两种不同的材料硅和锗制成的B、掺入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同D、管脚排列方式不同4、三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是A、B、C、D、5、当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将A、增大B、减少C、反向D、几乎为零6、为了使三极管可靠地截止，电路必须满足A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结和集电结都正偏D、发射结和集电结都反偏7、对放大电路中的三极管进行测量，各极对地电压分别为U B=2.7V，U E=2V，U C=6V，则该管工作在。
三极管试题及答案
三极管试题及答案一、选择题1. 三极管的三个主要极是发射极、基极和______。
A. 集电极B. 栅极C. 门极D. 源极答案：A2. 在NPN型三极管中，基极电流增加时，集电极电流的变化趋势是______。
A. 减少B. 增加C. 不变D. 先增加后减少答案：B3. 三极管的放大作用是通过控制基极电流来实现对______电流的控制。
A. 基极B. 发射极C. 集电极D. 栅极答案：C二、填空题4. 三极管的工作原理是基于______效应。
答案：PN结5. 在三极管放大电路中，基极与发射极之间的电压称为______电压。
答案：正向偏置三、判断题6. 三极管可以工作在截止、饱和和放大三种状态。
（）答案：正确7. 所有的三极管都可以用作开关。
（）答案：错误四、简答题8. 简述三极管放大电路的基本工作原理。
答案：三极管放大电路的基本工作原理是利用三极管的电流放大作用，通过控制基极电流，实现对集电极电流的放大。
当基极电流增加时，由于基极与集电极之间的电流放大倍数（β值），集电极电流也会相应增加，从而达到放大信号的目的。
9. 什么是三极管的饱和状态？答案：三极管的饱和状态是指在三极管的集电极与发射极之间电压达到最大值，使得集电极电流达到最大，此时三极管的放大作用达到极限，无法进一步放大信号。
五、计算题10. 已知NPN型三极管的β值为100，基极电流为20μA，求集电极电流。
答案：根据三极管的电流放大公式IC = β * IB，集电极电流IC = 100 * 20μA = 2mA。
六、分析题11. 某三极管放大电路的基极电流为50μA，若要使集电极电流增加到5mA，需要调整基极电流到多少？答案：首先，根据三极管的电流放大公式IC = β * IB，可以求出基极电流IB = IC / β。
已知IC为5mA，β值未知，设β值为X，则有5mA = 50μA * X。
解得X = 100。
因此，基极电流需要增加到50μA * 100 = 5mA。
第二章 晶体三极管单元测试题1
第二章晶体三极管和场效应管单元测试题一（时限45分钟)一、判断题:1、为使三极管处于放大工作状态,其发射结应加反向电压,集电结应加正向电压.（)2、无论生死哪种三极管,当处于放大工作状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位.（）3、三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型)构成的,所以e极和c极可以互换使用。
（)4、三极管的穿透电流I ceo的大小不随温度而变化。
（）5、三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高,β减少.( )6、对于NPN型三极管，当V BE＞0时，V BE＞V CE,则该管的工作状态时饱和状态。
（）7、已知某三极管的射极电流I E=1.36mA,集电极电流I c=1.33mA，则基极电流I B=30μA。
（）8、某三极管的I B=10μA时，I C=0。
44mA;当I B=20μA时，I C=0.89mA，则它的电流放大系数β=45.（）二、选择题：1、三极管的发射结正偏、集电结反偏时，则三极管所处的状态是（)。
A.放大状态B.饱和状态C. 截止状态2、三极管的两个PN结都反偏时，则三极管的晶体集电极电流将( ）。
A.放大状态B.饱和状态C。
截止状态3、当三极管的发射结反偏时,则三极管的集电极电流将（)。
A.增大B。
反向 C.中断4、三极管工作在饱和状态时，它的I C将（）。
A. 随I B增加而增加B。
随I B增加而减小 C.与 I B无关，只决定于R C和V G5、用万用表测得NPN型三极管各电极对地电位是：V B=4。
7V，V C=4。
3V,V E=4V,则该该三极管的工作状态是( ）A。
饱和状态 B. 截止状态 C.放大状态三、填空题1、三极管中有两个PN结，其中一个PN结叫做，另一个叫做。
2、三极管I E、I B、I C之间的关系式是。
I C/I B的比值叫.ΔI C/ΔI B的比值叫。
3、硅三极管的饱和压降约为V，锗三极管的饱和压降约为V。
三极管练习题
（ ），VCE 将（ ），电压放大倍数AV将（
）。
4
a、增大； b、减小； c、不变； d、无法确定 （2）若换一只 β 值较小的管子，而电路其它元件参数不变，则静态 IB 将 （ ），VCE 将（ ），电压放大倍数AV将（ ）。
a、增大； b、减小； c、不变； d、无法确定
3、放大电路如右图所示，由于 Rb1 和 Rb2
（1）场效应管输入电阻远高于三极管的输入电阻，其放大能力也远高于三
极管。（ ）
2
（2）场效应管的内部噪声比三极管大，故它不可用于高灵敏度的接收装置。
（）
（3）有的场效应管的漏极和源极可以互换使用，而不影响其工作性能。
（）
（4）使用 MOS 场效应管应避免栅极悬空及减少外界感应。（ ）
（ 5） 耗 尽 型 场 效 应 管 可 以 采 用 自 给 偏 压 和 混 合 偏 压 两 种 偏 压 方 式 。
交流信号相当于短路，对下面的问题选择
C1
正确的答案填空。
+
（1）在 Vi=0 时，用直流电压表分别 Vi
-
测量管压降 VCE 和输出端电压 Vo，设三
极管工作在线性放大区，则测出的两个数值应该（
+VCC
Rb
Rc
+ C2
RL Vo
-
）。
a、相等； b、不等； c、近似相等。
（2）用示波器观察交流输出波形 vo 和集电极电压波形 vC，则二者应该
（
）。
a、相同； b、不同； c、反相。
（3）输入 f=1KHz 的正弦电压信号，用示波器观察 vo 和 vi，二者的波形应 该（ ）。
a、相同； b、相差 45o； c、相差 90o； d、相差 180o。
13级《计算机电路基础》§2.3双极性晶体三极管习题二-2-参考答案2015-10-7
13级《计算机电路基础》习题二-2答案§2.3.3 双极性晶体三极管1、三极管连接方式三极管有三个电极，在构成放大器时只能提供三个端子，因此必然要有一个电极作为输入和输出的公共端。
据此，根据公共端的不同选择，三极管在构成放大器时，就有三种组态（连接方式）：共发射极电路基极为输入端，集电极为输出端。
发射极作为公共端 共基极电路发射极为输入端，集电极为输出端，基极为公共端。
共集电极电路基极为输入端，发射极为输出端。
集电极为公共端，如图所示。
共发射极连接 共基极连接 共集电极连接2、三极管的特性曲线三极管的特性曲线用来描述三极管的极间电压与相关电流之间的关系，主要有输入特性曲线和输出特性曲线两种。
2.1.1 共发射极连接输入特性曲线输入特性是指在V CE 一定的条件下，加在三极管基极与发射极之间的电压V BE 与它产生的基极电流I B 之间的关系，输入特性曲线入下图所示。
.2.12输入特性曲线特点：当U CE =0时，输入特性曲线与二极管的正向伏安特性相似，这是因为V BE 加在基极与发射极之间的PN 结(发射结)上，该PN 结相当于一只二极管，只有当V BE 大于开启电压时，三极管才出现基极电流。
这个开启电压的大小与三极管的材料有关。
硅管约0.5 V ，锗管约0.2 V.从三极管的输入特性曲线可以看出，当三极管处于放大状态时，加在发射结上的正偏电压V BE 只有零点几伏，其中硅管约0.7 V ，锗管在0.3 V 左右，这是检查三极管是否正常工作的重要依据。
随着U CE 的增大输入特性曲线右移，但当U CE 超过一定数值（U CE >1）后，曲线不再明显右移而基本重合。
2.2．共发射极连接输出特性曲线 输出特性是指在I B 一定的条件下，集电极与发射极的电压V CE 与集电极电流I C 之间的关系，三极管的输出特性曲线是一组曲线族，如图所示，在图中，每条曲线都可分为线性上升、弯曲、平坦三个部分，从该图中还可以看出，输出特性曲线族可分为三个区。
电子技术第二章习题及答案
第二章晶体三极管及其放大电路一、填空题1.三极管有二个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏，结必须反偏。
2.三极管有型和型，前者的图形符号是后者的图形符号是。
3.三极管各电极电流的分配关系是。
4.三极管输出特性，曲线可分为三个区域，即区、区和区。
当三极管工作在区时，关系式IC =βIB才成立；当三极管工作在区时，IC =0；当三极管工作在区时，UCE=05.有两只三极管，A管的β=200，ICEO =100μA；B管的β=60，ICEO=15μA；管比管性能好。
6.三极管的反向饱和电流ICBO 随温度升高而，穿透电流ICEO随温度升高而，β值随温度的升高而。
7.某三极管的管压降UCE 保持不变，基极电流IB=30uA时，IC=1.2mA,则发射极电流IE=如果基极电流IB 增大到50uA时，IC增加到2mA，则三极管的电流放大系数β= 。
8.工作在放大状态的三极管可作为器件，工作在截止状态和饱和状态的三极管可作为器件。
9.处于放大状态的三极管，IC 与IB的关系是，处于饱和状态的三极管IC不受I B 控制，了放大作用，处在截止状态的三极管IC。
10.PNP型三极管处于放大状态时，三个电极中极电位最高，极电位最低。
11.放大电路的功率放大倍数为100，功率增益为。
12.输入电压为400mV，输出电压为4V，放大电路的电压增益为。
13.晶体三极管放大电路中，当输入信号达到一定时，静态工作点设置太低将使信号产生失真。
14.在共射极放大电路中，当RC减小，而其它条件不变，则晶体三极管负载线变。
共射极放大电路的输出信号是取自于三极管的极。
15.用NPN管的分压式偏置放大电路中，如果把上偏置电阻减小而其它不变，则三极管的集电极电流将。
16.在NPN管放大电路中，当集电极电流减少时，它的UCE电压是。
17.两级放大电路第一级电压放大倍数为100，第二极电压放大倍数为60，则总的电压放大倍数为。
18、多级放大电路常用的耦和方式有、和三种形式。
三极管试题及答案
三极管试题及答案一、填空题1. 三极管是一种______控制型半导体器件，它由两个PN结组成，分为______极、______极和______极。
答案：电流；发射；基；集2. 三极管的放大作用是通过改变______极电流的大小来控制______极电流的大小。
答案：基；集3. 三极管的三种工作状态分别是______、______和______。
答案：放大区；饱和区；截止区4. 三极管的静态工作点设置在放大区的目的是为了保证三极管的______和______。
答案：稳定性；线性5. 三极管的截止频率是指三极管的放大倍数下降到1倍时的频率，它反映了三极管的______特性。
答案：高频二、选择题1. 三极管的电流放大系数β的物理意义是（）。
A. 集电极电流与基极电流之比B. 发射极电流与基极电流之比C. 集电极电流与发射极电流之比D. 基极电流与集电极电流之比2. 在三极管放大电路中，若要使三极管工作在放大区，应满足的条件是（）。
A. U_B > U_BEB. U_B < U_BEC. U_B = U_BED. U_B ≈ U_BE答案：A3. 三极管的饱和区是指（）。
A. I_C = βI_BB. I_C = I_BC. I_C ≈ βI_BD. I_C ≈ I_B4. 三极管的截止区是指（）。
A. I_C = βI_BB. I_C = I_BC. I_C ≈ βI_BD. I_C ≈ 0答案：D5. 三极管的截止频率是指（）。
A. 三极管的放大倍数下降到1倍时的频率B. 三极管的放大倍数下降到0.707倍时的频率C. 三极管的放大倍数下降到0.5倍时的频率D. 三极管的放大倍数下降到0.1倍时的频率三、判断题1. 三极管的放大作用是通过改变集电极电流的大小来控制基极电流的大小。
（ ×）2. 三极管的三种工作状态分别是放大区、饱和区和截止区。
（√ ）3. 三极管的截止频率是指三极管的放大倍数下降到0.707倍时的频率。
第2章 习题及答案
第2章习题及答案2.1试画出用PNP型三极管组成的单管共发射极基本放大电路，标出电源和隔直电容的极性、静态电流I B和I C的实际流向以及静态电压U BE和U CE的实际极性。
解：2.2试分析图P2.2所示的各电路是否能够正常放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有的电容对交流信号均可视为短路。
图P2.2解：解：（a）不能。
因为输入信号被VBB短路。
（b ）可能。
（c ）不能。
因为交流通路输入信号不能与直流叠加。
（d ）不能。
晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（e ）不能。
因为输入信号被C2短路。
（f ）不能。
因为输出信号被VCC 短路，恒为零。
2.3 放大电路如图P2.3所示。
已知：V CC =12V ，R c =3k Ω，β =40，U BE =0.7V 。
求：当I C =2mA 时I B 、U CE 以及R b 的值。
图 P 2.3 图 P2.4解：；V 6 K 226μA 507.012μA 50μA 5040mA2c CQ CC CEQ b b b BE CC CQBQ =-=Ω=⇒=-⇒=-===R I V U R R VV R U V I I β2.4 放大电路如图P2.3所示，其三极管的输出特性曲线如图P2.4所示。
已知:V CC =12V ，R c =3k Ω，R b =300k Ω，U BE 可以忽略不计。
要求：（1）画直流负载线，求静态工作点；（2）当R c 由3kΩ变为4kΩ时，工作点将移向何处？（3）当R b 由300kΩ减小到200kΩ时，工作点将移向何处？（4）当V CC 由12V 减小到6V 时，工作点将移向何处？（5）当R b 变为开路时，工作点将移向何处？解：（1）估算μA 40bBECC BQ =-=R U V I画直流负载线CQ c CQ CC CEQ 3000V 12 I R I V U -=-=，横轴交点（12V,0），纵轴交点（0,4mA ）如图所示，与I B Q 的交点即为Q1点：I C Q =2mA ，U C E Q =6V（2）当R c由3kΩ变为4kΩ时，工作点将移到Q2处，I C Q=2mA，U C E Q=4V（3）当R b由300kΩ减小到200kΩ时，工作点将移向Q3处，I C Q=3mA，U C E Q=3V （4）当V CC由12V减小到6V时，工作点将移向何Q4处，I C Q=2mA，U C E Q=0V （5）当R b变为开路时，工作点将移向Q5处：I C Q=0mA，U C E Q=12V2.5共发射极基本放大电路如图P2.3所示。
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第二章练习题
一、填空题：
1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。
2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。
3.三极管是___________控制器件。
4.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=6.5V,U2=7.2V,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。
5．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。
6.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。
7．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和_________。
8．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。
8、某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。
可判定该三极管是工作于区的
型的三极管。
9、已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断：
a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）；
b．管型是（NPN，PNP）；
c．材料是（硅，锗）。
二、选择题：
1、下列数据中，对NPN型三极管属于放大状态的是。
A、V BE>0,V BE<V CE时
B、V BE<0，V BE<V CE时
C、V BE>0，V BE>V CE时
D、V BE<0，V BE>V CE时
2、工作在放大区域的某三极管，当I B从20μA增大到40μA时，I C从1mA变为2mA则它的β值约为。
A、10
B、50
C、80
D、100
3、NPN型和PNP型晶体管的区别是。
A、由两种不同的材料硅和锗制成的
B、掺入的杂质元素不同
C、P区和N区的位置不同
D、管脚排列方式不同
4、三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是
A、 B、
C、 D、
5、当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将
A、增大
B、减少
C、反向
D、几乎为零
6、为了使三极管可靠地截止，电路必须满足
A、发射结正偏，集电结反偏
B、发射结反偏，集电结正偏
C、发射结和集电结都正偏
D、发射结和集电结都反偏
7、对放大电路中的三极管进行测量，各极对地电压分别为U B=2.7V，U E=2V，U C=6V，则该管工作在。
A、放大区
B、饱和区
C、截止区
D、无法确定
8、某单管共射放大电路在处于放大状态时，三个电极A、B、C对地的电位分别是U A=2.3V，U B=3V，U C=0V，则此三极管一定是
A、PNP硅管
B、NPN硅管
C、PNP锗管
D、NPN锗管
9、电路如图所示，该管工作在。
A、放大区
B、饱和区
C、截止区
D、无法确定
10、测得三极管I B=30μA时，I C = 2.4mA ；I B=40μA时，I C = 1mA，则该管的交流电流放大系数为。
A、80
B、60
C、75
D、100
11、用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则。
A、1为e 2为b 3为c
B、1为e 3为b 2为c
C、2为e 1为b 3为c
D、3为e 1为b 2为c
12、某晶体管的发射极电流等于1mA ，基极电流等于20μA ，则它的集电极电流等于 A 、0.98 mA B 、1.02 mA C 、0.8 mA D 、1.2 Ma
13、三极管各个极的电位如下，处于放大状态的三极管是 。
A 、V B = 0.7 V ，V E = 0 V ，V C = 0.3 V B 、V B = - 6.7 V ，V E = - 7.4 V ，V C = - 4 V C 、V B = -3 V ，V E = 0 V ，V C = 6 V D 、V B = 2.7 V ，V E = 2 V ，V C = 2 V
14.有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =0.7V ，V E =1V 则晶体管工作在（ ）状态。
A 、 放大 B 、截止 C 、饱和 D 、损坏 15、三级管开作在放大区，要求（ ）
A 、发射结正偏，集电结正偏
B 、发射结正偏，集电结反偏
C 、发射结反偏，集电结正偏
D 、发射结反偏，集电结反偏
16.一NPN 型三极管三极电位分别有V C =3.3V ，V E =3V ，V B =3.7V ，则该管工作在（ ）
A ．饱和区
B ．截止区
C ．放大区
D ．击穿区
17.下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（ ）
A V C =0.3V ，V E =0V ， V
B =0.7V B V
C =-4V ， V E =-7.4V ，V B =-6.7V C V C =6V ， V E =0V ， V B =-3V
D V C =2V ， V
E =2V ， V B =2.7V 18.如果三极管工作在截止区，两个PN 结状态（ ）
A ．均为正偏
B ．均为反偏
C ．发射结正偏，集电结反偏
D ．发射结反偏，集电结正偏
19、工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12μA 增大到22μA 时，IC 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为( ) 。
A. 83
B. 91
C. 100 三、判断题 1、
判断图示三极管的工作状态。
2、如图示，试判断工作在饱和状态的管子（ ）。
2V
(c)
(a) (b)
+7.5V
-8V
+7.1V
+5V
+3.2V
(a) +3.5V -3V
-2.3V (b) +6.9V
+4V (c) +5V
0V (d)
3、如图示，试判断工作在放大状态的管子（ ）。
四、识别题
用万用表测的放大电路中某个三极管两个电极的电流值如图. （1）求另一个电极的电流大小，在图上标出实际方向 （2）判断是PNP 还是NPN 管? （3）图上标出管子的E.B.C.极 （4）估算管子的ß值.
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