(完整版)第二章三极管练习题
第二章 晶体三极管和场效应晶体管
第二章晶体三极管和场效应晶体管一、是非题（1）为使晶体管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压。
（）（2）无论是哪种晶体三极管，当处于放大状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位。
（）（3）晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以e极和c极可以互换使用。
（）（4）晶体三极管的穿透电流I CEO的大小不随温度而变化。
（）（5）晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减少。
（）（6）对于NPN三极管，当V BE>0，V BE>V CE，则该管的工作状态是饱和状态。
（）（7）已知某三极管的射极电流I E=1.36mA，集电极电流I C=1.33mA，则基极电流I B=30微安。
（）（8）某晶体三极管的射极电流I B=10微安时，I C=0.44mA；当I B=20微安时，I C=0.89mA 则它的电流放大系数β=45。
（）（9）可以用两个二极管连接成一个三极管。
（）（10）晶体三极管具有电压放大作用。
（）二、填空题1、晶体三极管的三个电极分别称为、、。
三极管在放大电路中，PNP管电位最高的一极是，NPN管电位最高的一极是。
此时，三极管发射结为偏置，集电结为偏置。
晶体三极管工作在饱和区和截止区时，具有特性，可应用于脉冲数字电路中。
2、测得工作在放大电路中的晶体管的两个电极在无交流信号输入时的电流大小及方向如图2-1所示，则另一电极的电流大小为，该管属于管（PNP NPN）。
0.1mA4mA-++ 10K20K1V图2-13、工作在放大区的某三极管，基极电流从20μA增大到40μA，集电极电流从1mA变为2mA，则该三极管的电流放大倍数为。
4、当晶体三极管工作在饱和状态时，其特点是集电结处于偏置，发射结处于偏置。
当工作在放大状态时,其特点是集电结处于偏置，发射结于偏置。
当工作在截止状态时,其特点是集电结处于偏置，发射结于偏置。
二极管三极管练习题
二极管三极管练习题一、选择题1. 二极管的主要功能是：A. 放大信号B. 开关电路C. 电压稳定D. 电流放大2. 二极管的PN结在正向偏置时，其特性是：A. 电阻增大B. 电阻减小C. 电流增大D. 电流减小A. 半导体器件B. 电子元件C. 电阻元件D. 电容元件4. 三极管中的基极、发射极和集电极分别对应：A. 输入端、输出端、控制端B. 控制端、输出端、输入端C. 输入端、控制端、输出端D. 输出端、输入端、控制端5. 三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是：A. 集电极电流等于基极电流B. 集电极电流小于基极电流C. 集电极电流大于基极电流D. 集电极电流与基极电流无关二、填空题1. 二极管正向导通的条件是______。
2. 三极管放大电路中，基极电压比发射极电压______。
3. 三极管在放大状态时，______电流控制______电流。
4. 二极管的伏安特性曲线在______区域内表示正向导通。
三、判断题1. 二极管在反向偏置时，电流会迅速增大。
（）2. 三极管工作在饱和状态时，基极电压高于发射极电压。
（）3. 二极管具有单向导电性，可以用来实现整流功能。
（）4. 三极管放大电路中，集电极电流与基极电流成反比关系。
（）四、简答题1. 简述二极管的主要特性。
2. 简述三极管的三种工作状态及其特点。
3. 解释什么是三极管的放大作用。
4. 简述二极管整流电路的工作原理。
五、计算题1. 已知二极管正向压降为0.7V，正向电流为10mA，求二极管的正向电阻。
2. 一个三极管放大电路中，基极电流为1mA，集电极电流为10mA，求电流放大倍数。
3. 在一个简单的放大电路中，输入信号电压为1V，输出信号电压为10V，求电压放大倍数。
六、分析题1. 分析二极管在电路中的作用，并举例说明其在实际应用中的几个典型应用。
2. 分析三极管在不同工作状态下的电流和电压关系，并解释为什么三极管能够实现信号放大。
电子技术基础试题
电子技术基础试题库（第四版）第一章:半导体二极管一、填空题1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。
导体、绝缘体、半导体2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。
单向导电特性、导通、截止3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。
0.7、0.34、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。
最大整流电流、最高反向工作电压5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________小、好6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为 _______ 、_________和__________三类。
导体，绝缘体，半导体7、PN结具有 _____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结_________。
单向导电性，导通，截止二，判断题１、半导体随温度的升高，电阻会增大。
（）N２、二极管是线性元件。
（）N３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。
（）N４、二极管具有单向导电性。
（）Y５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。
（）N６、二极管加正向压时一定导通（）N7、晶体二极管是线性元件。
（）N8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。
（）Y三、选择题１、ＰＮ结的最大特点是具有（）CＡ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）CＡ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）AＡ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小4、半导体中传导电流的载流子是（）。
三极管试题及答案
三极管试题及答案一、选择题1. 三极管的三个主要极是发射极、基极和______。
A. 集电极B. 栅极C. 门极D. 源极答案：A2. 在NPN型三极管中，基极电流增加时，集电极电流的变化趋势是______。
A. 减少B. 增加C. 不变D. 先增加后减少答案：B3. 三极管的放大作用是通过控制基极电流来实现对______电流的控制。
A. 基极B. 发射极C. 集电极D. 栅极答案：C二、填空题4. 三极管的工作原理是基于______效应。
答案：PN结5. 在三极管放大电路中，基极与发射极之间的电压称为______电压。
答案：正向偏置三、判断题6. 三极管可以工作在截止、饱和和放大三种状态。
（）答案：正确7. 所有的三极管都可以用作开关。
（）答案：错误四、简答题8. 简述三极管放大电路的基本工作原理。
答案：三极管放大电路的基本工作原理是利用三极管的电流放大作用，通过控制基极电流，实现对集电极电流的放大。
当基极电流增加时，由于基极与集电极之间的电流放大倍数（β值），集电极电流也会相应增加，从而达到放大信号的目的。
9. 什么是三极管的饱和状态？答案：三极管的饱和状态是指在三极管的集电极与发射极之间电压达到最大值，使得集电极电流达到最大，此时三极管的放大作用达到极限，无法进一步放大信号。
五、计算题10. 已知NPN型三极管的β值为100，基极电流为20μA，求集电极电流。
答案：根据三极管的电流放大公式IC = β * IB，集电极电流IC = 100 * 20μA = 2mA。
六、分析题11. 某三极管放大电路的基极电流为50μA，若要使集电极电流增加到5mA，需要调整基极电流到多少？答案：首先，根据三极管的电流放大公式IC = β * IB，可以求出基极电流IB = IC / β。
已知IC为5mA，β值未知，设β值为X，则有5mA = 50μA * X。
解得X = 100。
因此，基极电流需要增加到50μA * 100 = 5mA。
三极管练习题
三极管练习题职业高中《电子技术基础》关于三极管的练习题晶体三极管一、填空题（40分后）1、半导体三极管按结构分为型和型，前者的图形符号是，后者的图形符号就是。
2、三极管放大作用的实质是是电流对电流的控制作用。
3、三极管的三个管脚电流关系就是，直流电流放大系数β的定义式就是。
4、三极管处于正常放大状态，硅管的vbe约为v,锗管的vbe约为。
5、三极管的输出特性曲线可以分成、和三个区域。
6、三极管的微小变化，将会引起的较大变化，这说明三极管具备压缩促进作用。
7、当uce不变时，和之间的关系曲线称为三极管的输入特性曲线；当ib一定时，和之间的关系曲线称作三极管的输出特性曲线。
8、硅三极管发射结的死区电压约v，锗三极管死区电压约v。
晶体三极管处在正常压缩状态时，硅管的导通电压约为v，锗管及约为v。
9、当三极管的发射结、集电结时，工作在放大区；发射结、集电结或时工作在饱和状态区；发射结或、erf时，工作在截至区。
10、三极管的穿透电流iceo随温度的升高而，硅三极管的穿透电流比锗三极管。
11、三极管的音速参数分别就是、和。
12、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
二、判断题（5分）1、三极管存有两个pn结，因此它具备单向导电性。
（）2、为使晶体三极管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压。
（）3、无论是哪种晶体三极管，当处在压缩工作状态时，b极电位总是低于e极电位，c 极电位也总是高于b极电位。
（）4、对于某晶体三极管的ib=10μa时，ic=0.44ma;当ib=20μa时，ic=0.89ma，则它的电流摆大系数为45。
（）5、未知某三极管的射极电流ie=1.36ma，集电极电流ic=1.33ma，则基极电流ib=30μa。
（）三、选择题（30分）1、三极管就是一种（）的半导体器件。
a电压控制b电流控制c既是电压又是电流控制2、三极管的（）促进作用就是三极管最基本和最重要的特性。
三极管——精选推荐
第二章一、填空题1．根据下图各三极管电极的实测对地电压数据填空：为NPN型的三极管是：，为饱和状态的三极管是：，为放大状态的三极管是：，为截止状态的三极管是：，已损坏的三极管是：。
2．某三极管的发射极电流 IE =1mA，基极电流 IB=20uA，则集电极电流IC= ，电流放大系数β= 。
3．晶体三极管是通过的变化去控制较大的变化。
4．有两个NPN三极管，甲管各极电位分别为VC =6V，VB=2.7V，VE=2V，则处于工作状态；乙管各极电位分别为VC =6V，VB=2V，VE=2V，则乙管处于工作状态。
（A.放大 B.饱和 C.截止）5．上题中甲管为管。
（A.锗 B.硅）6．设某晶体管处在放大状态，三个电极的电位分别是VE =12V，VB=11.7V，VC=6V则该管的导电类型为型，用半导体材料制成。
7．工作在线性放大区的某晶体管，当IB 从20uA增大至40uA时，Ic从1mA变成2mA，它的β约为。
8．温度升高时，三极管的β将（A.增加 B.减小 C.不变）9．某放大电路由三个单级放大电路组成，已知每级电压放大倍数为15ｄＢ，则总的电压放大倍数为ｄＢ，相当于倍。
10．在三级放大电路中，已知Au1=50，Au2=80，Au3=25，则总电压增益Au= ，折合为 dB。
11场效应管属于控制器件，而晶体管是控制器件。
12某放大电路的电压增益为120dB，相当于倍。
13多级放大器常用的耦合方式有__ _ ____、___ _ ___、___ ____和。
二、选择题1．晶体三极管的参数如下，正确的应选用（）(A)β=150 ICEO =20μV (B) β=50 ICEO=10μV(C)β= 50 ICEO=1μV2．如图所示电路，如果Ce虚焊，以下说法正确的是（）(A)Q点发生变化(B)Ri 减小，∣Au∣减小(C)Ri 增大，∣Au∣减小(D)Ri 增大，∣Au∣增大3．某两级放大器构成的多级放大电路中，第一级电压增益为40dB，第二级电压放大倍数为40倍，则放大器总的增益为（）A：80dB B：1600dB C：4000倍 D：80倍4．某NPN型三极管构成电路中，测得各极对地电压分别为U C=2.3V、U B=2.7V、U E=2V，则此三极管（）（A）处于放大状态（B）处于截止状态（C）处于饱和状态（D）已损坏5．在共射电路中，当直流电压表测得UCE ≈VCC，可能原因是（），测得UCE=0，则有可能是（）（A）Rb开路（B）Rb过小（C）Rc开路6．晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体三极管所处的状态是（）（A）放大状态（B）饱和状态（C）截止状态7．当晶体三极管工作在饱和状态时它的IC将（）（A）随IB 增加而增加（B）随IB增加而减小（C）与IB无关8．在放大电路中测得某管的三个极电位分别是-2.5V，-3.2V，-9V这个三极管的类型是（）（A）NPN锗管（B）NPN硅管（C）PNP锗管（D）PNP锗管9．某放大器的电压放大倍数为AV=100用分贝表示为（）（A）20dB （B）40dB （C）30dB10．由NPN型管组成共射放大器，输出电压波形如图所示，则该管是(A)截止失真(B)饱和失真(C)截顶失真 (D) 频率失真11．某晶体管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20uA，正常工作时，它的集电极电流等于（）A：0.98 mA B: 1.02 m A C：0.8 mA D：1.2 mA12． NPN型三极管的放大电路中，已知三极管b极电压Ub =3.3V,发射极电压Ue=2.6V,要使该管能正常放大，集电极电压Uc=(A) 2V (B) 5V (C) -2V (D) -5V13．关于场效应管以下结论正确的是（）(A)场效应管多数载流子与少数载流子均参与导电(B)N沟道场效应管的漏极电流是由电子在电场作用下形成的(C)N沟道场效应管的漏极电流是由空穴在电场作用下形成的14．PNP型三极管工作于放大区时，三个电极的电位关系是（）(A)UE 〉UB〉UC(B) UC〉UB〉UA(C)UE〉UB〈UC15．如图所示电路，若输出电压Uo出现饱和失真，为使电路正常工作，应作（）调整。
电子技术试题及答案
电子技术试题及答案-(《电子技术基础》题库适用班级：2012级电钳3、4、5、6班备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。
一、填空题：第一章半导体二极管○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。
Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。
○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。
Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。
○5、PN结具有单向导电特性。
○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。
Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类；○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。
★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。
○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。
Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。
★12、发光二极管将电信号转换为光信号。
★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。
第二章半导体三极管及其放大电路○15、三极管是电流控制元件。
○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。
★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。
Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。
★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。
Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小.Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。
电子技术教考分离试题库.
<< 电子技术>>教考分离试题库第一部分：选择题部分第一章晶体二极管及其应用1．为使PN结正向偏置，就使P区接电源（），N区接电源（）A．正极、负极 B。
负极、正极C．正极、正极 D。
负极、负极2．在下图所示电路中，稳压管Dw1和Dw2的稳压值分别为6V和7V，且工作在稳压状态，由此可知输出电压UO为（）。
A．6V B。
7V C。
0V D。
1V第二章晶体三极管及放大电路3．若分别测得放大电路中的NPN型硅管各极电位如下图所示，则管脚①②③分别为电极（）A．c、b、e B.e、c、b C.b、c、e D.b、e、c4．如下图所示各电路中，处于放大状态的三极管是（）5．为了消除基本共射放大电路的饱和失真，应（）A．减小基极偏置电阻 B。
增大基极偏置电阻C．减小集电极偏置电阻 D。
增大集电极偏置电阻6．温度升高时，三极管的部分参数的变化规律是（）A．β↑、ICEO ↑、UBE↑ B。
β↑、ICEO↑、UBE↓C．β↓、ICEO ↑、UBE↑ D。
β↑、ICEO↓、UBE↓18. 以下哪些不属于引入负反馈后对电路的影响（）A．使放大电路的放大倍数减小B．使放大电路通频带展宽C．改变放大电路的输入输出电阻D．使放大电路放大倍数增大19. 由NP管组成的基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真这种失真是（）A．饱和失真 B。
频率失真 C。
截止失真 D。
以上均不定第三章场效应管放大电路7．表征场效应管放大能力的重要参数是（）A．夹断电压Up B。
低频互导（跨导）gmC．饱和漏极电流IDSS D。
最大栅源电压BUGS8．源极输出器类似于（）A．共发射极放大电路 B。
共基极放大电路 C．共集电极放大电路 D。
共漏极放大电路9．N沟道结型场效应管处于放大状态要求（）A．UGS >0 B。
UGS=0 C。
UGS<0 D。
UDS=0第四章正弦波振荡电路10．LC正弦波振荡电路起振的振幅条件是（）A．︱AF︱=0 B.︱AF︱=1 C.︱AF︱<1 D. ︱AF︱>111．采用石英晶体振荡电路的主要目的是（）A．提高输出信号幅度 B。
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第二章练习题
一、填空题：
1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。
2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。
3.三极管是___________控制器件。
4.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=6.5V,U2=7.2V,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。
5．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。
6.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。
7．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和_________。
8．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。
8、某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。
可判定该三极管是工作于区的
型的三极管。
9、已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断：
a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）；
b．管型是（NPN，PNP）；
c．材料是（硅，锗）。
二、选择题：
1、下列数据中，对NPN型三极管属于放大状态的是。
A、V BE>0,V BE<V CE时
B、V BE<0，V BE<V CE时
C、V BE>0，V BE>V CE时
D、V BE<0，V BE>V CE时
2、工作在放大区域的某三极管，当I B从20μA增大到40μA时，I C从1mA变为2mA则它的β值约为。
A、10
B、50
C、80
D、100
3、NPN型和PNP型晶体管的区别是。
A、由两种不同的材料硅和锗制成的
B、掺入的杂质元素不同
C、P区和N区的位置不同
D、管脚排列方式不同
4、三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是
A、B、
C、D、
5、当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将
A、增大
B、减少
C、反向
D、几乎为零
6、为了使三极管可靠地截止，电路必须满足
A、发射结正偏，集电结反偏
B、发射结反偏，集电结正偏
C、发射结和集电结都正偏
D、发射结和集电结都反偏
7、对放大电路中的三极管进行测量，各极对地电压分别为U B=2.7V，U E=2V，U C=6V，则该管工作在。
A、放大区
B、饱和区
C、截止区
D、无法确定
8、某单管共射放大电路在处于放大状态时，三个电极A、B、C对地的电位分别是U A=2.3V，U B=3V，U C=0V，则此三极管一定是
A、PNP硅管
B、NPN硅管
C、PNP锗管
D、NPN锗管
9、电路如图所示，该管工作在。
A、放大区
B、饱和区
C、截止区
D、无法确定
10、测得三极管I B=30μA时，I C = 2.4mA ；I B=40μA时，I C = 1mA，则该管的交流电流放大系数为。
A、80
B、60
C、75
D、100
11、用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则。
A、1为e 2为b 3为c
B、1为e 3为b 2为c
C、2为e 1为b 3为c
D、3为e 1为b 2为c
12、某晶体管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20μA，则它的集电极电流等于
A、0.98 mA
B、1.02 mA
C、0.8 mA
D、1.2 Ma
13、三极管各个极的电位如下，处于放大状态的三极管是。
A、V B = 0.7 V，V E = 0 V，V C = 0.3 V
B、V B = - 6.7 V，V E = - 7.4 V，V C = - 4 V
C、V B = -3 V，V E = 0 V，V C = 6 V
D、V B = 2.7 V，V E = 2 V，V C = 2 V
14.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=0.7V，V E=1V则晶体管工作在（）状态。
A、放大
B、截止
C、饱和
D、损坏
15、三级管开作在放大区，要求（）
A、发射结正偏，集电结正偏
B、发射结正偏，集电结反偏
C、发射结反偏，集电结正偏
D、发射结反偏，集电结反偏
16.一NPN型三极管三极电位分别有V
C =3.3V，V
E
=3V，V
B
=3.7V，则该管工作在（）
A．饱和区B．截止区
C．放大区D．击穿区
17.下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（）
A V C=0.3V，V E=0V，V B=0.7V
B V C=-4V，V E=-7.4V，V B=-6.7V
C V C=6V，V E=0V，V B=-3V
D V C=2V，V E=2V，V B=2.7V
18.如果三极管工作在截止区，两个PN结状态（）
A．均为正偏B．均为反偏C．发射结正偏，集电结反偏D．发射结反偏，集电结正偏
19、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μ
A增大到22μA时，IC从1mA
变为2mA，那么它的β约为( ) 。
A. 83
B. 91
C. 100
三、判断题
1、判断图示三极管的工作状态。
2V
(c)
(a) (b)
+7.5V-8V+7.1V+5V
+3.2V
(a)
+3.5V-3V
-2.3V
(b)
+6.9V
+4V
(c)
+5V
0V
(d)
2、如图示，试判断工作在饱和状态的管子（）。
3、如图示，试判断工作在放大状态的管子（）。
四、识别题
用万用表测的放大电路中某个三极管两个电极的电流值如图.
（1）求另一个电极的电流大小，在图上标出实际方向
（2）判断是PNP还是NPN管?
（3）图上标出管子的E.B.C.极
（4）估算管子的ß值.
+7.5V-8V+7.1V+5V
+3.2V
(a)
+3.5V-3V
-2.3V
(b)
+6.9V
+4V
(c)
+4V
0V
(d)。