第二章 晶体三极管和场效晶体管
晶体三极管的结构和类型

晶体三极管的结构和类型双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管PN结。
正向偏置的EB 结有空穴从发射极注入基区,其中大部分空穴能够到达集电结的边界,并在反向偏置的CB 结势垒电场的作用下到达集电区,形成集电极电流I C。
在共发射极晶体管电路中, 发射结在基极电路中正向偏置, 其电压降很小。
绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。
由于V BE很小,所以基极电流约为I=5V/50kΩ=0.1mA。
B如果晶体管的共发射极电流放大系数β=I C / I B=100, 集电极电流I C=β*I B=10mA。
在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V,而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V,如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流i b,在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic,有c/i b=β,实现了双极晶体管的电流放大作用。
金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应,在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。
当栅G 电压V G增大时,p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽,而电子逐渐积累到反型。
当表面达到反型时,电子积累层将在n+ 源区S 和n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。
当V DS≠0时,源漏电极之间有较大的电流I DS流过。
使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压V T。
当V GS>V T并取不同数值时,反型层的导电能力将改变,在相同的V DS下也将产生不同的I DS, 实现栅源电压V GS对源漏电流I DS的控制。
二、晶体管的命名方法晶体管:最常用的有三极管和二极管两种。
三极管以符号BG(旧)或(T)表示,二极管以D表示。
晶体管基础知识

第1章 半导体器件
I / mA
UZ UZ A O IZmin U/V + Ui B IZmax - R
(b)
+ Uz -
(a)
(c)
图10 稳压管的伏安特性曲线、 (a)伏安特性曲线;(b)图形符号;(c)稳压管电路
稳压管工作在击穿区时的稳定电压
5、汽车用整流二极管:P82—图5-21
汽车交流发电机用硅整流二极管,具有 一个引出极,另一个是外壳,参见教材P82 图5-21
汽车用二极管分为正向二极管和反向二 极管两种。正向二极管的引出端为正极,外 壳为负极,通常在正向二极管上涂有红点; 反向二极管的引出端为负极,外壳为正极, 通常在反向二极管上涂有黑点。
路里的开关元件,以及作为小电流的整流管。
N型锗片 阳极 引线 阴极 引线
铝合金小球
阳极引线 PN结
N型硅
金锑合金 底座
金属触丝 (a)
外壳 (b) 阴极引线
a)点接触二极管PN结接触面积小,不能通过很大的正向电
流和承受较高的反向工作电压,工作效率高, 常用来作为检波器件。
图7 半导体二极管的结构及符号 (a)点接触型结构;(b)面接触型结构;
流很小,PN结截止,这就是PN结的单向导电性。
第1章 半导体器件
2. 半导体二极管
把PN结用管壳封装,然后在P区和N区分别向外引出一 个电极,即可构成一个二极管。二极管是电子技术中最基 本的半导体器件之一。根据其用途分有检波管、开关管、 稳压管和整流管等。
硅高频检波管
开关管
稳压管
整流管
发光二极管
电子工程实际中,二极管应用得非常广泛,上图所示即 为各类二极管的部分产品实物图。
图8 二极管的伏安
第二章 晶体三极管和场效应晶体管

第二章晶体三极管和场效应晶体管一、是非题(1)为使晶体管处于放大工作状态,其发射结应加反向电压,集电结应加正向电压。
()(2)无论是哪种晶体三极管,当处于放大状态时,b极电位总是高于e极电位,c极电位也总是高于b极电位。
()(3)晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体(N型或P型)构成的,所以e极和c极可以互换使用。
()(4)晶体三极管的穿透电流I CEO的大小不随温度而变化。
()(5)晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高,β减少。
()(6)对于NPN三极管,当V BE>0,V BE>V CE,则该管的工作状态是饱和状态。
()(7)已知某三极管的射极电流I E=1.36mA,集电极电流I C=1.33mA,则基极电流I B=30微安。
()(8)某晶体三极管的射极电流I B=10微安时,I C=0.44mA;当I B=20微安时,I C=0.89mA 则它的电流放大系数β=45。
()(9)可以用两个二极管连接成一个三极管。
()(10)晶体三极管具有电压放大作用。
()二、填空题1、晶体三极管的三个电极分别称为、、。
三极管在放大电路中,PNP管电位最高的一极是,NPN管电位最高的一极是。
此时,三极管发射结为偏置,集电结为偏置。
晶体三极管工作在饱和区和截止区时,具有特性,可应用于脉冲数字电路中。
2、测得工作在放大电路中的晶体管的两个电极在无交流信号输入时的电流大小及方向如图2-1所示,则另一电极的电流大小为,该管属于管(PNP NPN)。
0.1mA4mA-++ 10K20K1V图2-13、工作在放大区的某三极管,基极电流从20μA增大到40μA,集电极电流从1mA变为2mA,则该三极管的电流放大倍数为。
4、当晶体三极管工作在饱和状态时,其特点是集电结处于偏置,发射结处于偏置。
当工作在放大状态时,其特点是集电结处于偏置,发射结于偏置。
当工作在截止状态时,其特点是集电结处于偏置,发射结于偏置。
场效应管与三极管基础知识讲解

mos管分四种,N沟道增强型和耗尽型,P沟道增强型和耗尽型。
箭头指向g 的且带虚线的为N增强,没有虚线的为N耗尽。
箭头背向g端的且带虚线的为P增强,不带虚线则为P耗尽。
希望说的你能明白,小妹新手,多多关照!有没说清楚的继续,呵呵···场效应管三极管开关电路基础发布时间:2008-12-08 23:08:32三极管简介:三极管的种类很多,并且不同型号各有不同的用途。
三极管大都是塑料封装或金属封装,常见三极管的外观,有一个箭头的电极是发射极,箭头朝外的是NPN型三极管,而箭头朝内的是PNP型。
实际上箭头所指的方向是电流的方向。
图1双极面结型晶体管有两个类型:npn和pnp。
npn类型包含两个n 型区域和一个分隔它们的p型区域;pnp类型则包含两个p型区域和一个分隔它们的n型区域,图2和图3分别是它们的电路符号。
以下的说明将集中在npn BJT。
图2: npn BJT 的电路符号图3: pnp BJT 的电路符号BJT工作于三种不同模式:截止模式、线性放大模式及饱和模式,见图4。
图4 四种工作模式BJT在电子学中是非常重要的元件。
它们被广泛应用在其他展品中,特别是模拟电路里的放大器和数码电路里的电子开关。
开关电路原则a. BJT三极管Transistors只要发射极e 对电源短路就是电子开关用法N管发射极E 对电源负极短路. 低边开关;b-e 正向电流饱和导通P管发射极E 对电源正极短路. 高边开关 ;b-e 反向电流饱和导通b. FET场效应管MOSFET只要源极S 对电源短路就是电子开关用法N管源极S 对电源负极短路. 低边开关;栅-源正向电压导通P管源极S 对电源正极短路. 高边开关;栅-源反向电压导通总结:低边开关用 NPN 管高边开关用 PNP 管三极管b-e 必须有大于C-E 饱和导通的电流场效应管理论上栅-源有大于漏-源导通条件的电压就就OK假如原来用NPN 三极管作ECU 氧传感器加热电源控制低边开关则直接用N-Channel 场效应管代换;或看情况修改下拉或上拉电阻基极--栅极集电极--漏极发射极--源极NPN和PNP 开关三极管(1)我把NPN三极管看成一个三个脚继电器.基极-----就是一个小电流的.继电器的信号吧集电极-----可以说是正极吧发射极------可以说负极吧有一个小电流流入了基极的话那么集电极和发射极就会通.(2)PNP三极管看成一个三个脚继电器.基极-----就是一个小电流的继电器信号集电极-----可以说是正极吧发射极------可以说负极吧有一个小电流流出了基极的话,那么集电极和发射极就会通.三极管VS场效应管三极管BJT--------TRANSISTORS ----------- 电流驱动场效应管----- FET ------------------------- 电压驱动MOS场效应管MOSFET ................ 电压驱动2N70022n7002 IC产品型号的一种描述:晶体管极性:N沟道漏极电流, Id 最大值:280mA电压, Vds 最大:60V开态电阻, Rds(on):5ohm电压@ Rds测量:10V电压, Vgs 最高:2.1V功耗:0.2W工作温度范围:-55to 150封装类型:SOT-23针脚数:3SVHC(温度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010) SMD标号:702功率, Pd:0.2W外宽:3.05mm外部深度:2.5mm外部长度/高度:1.12mm封装类型:SOT-23带子宽度:8mm晶体管数:1晶体管类型:MOSFET温度@ 电流测量:25°C满功率温度:25°C电压Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:60V电流, Id 连续:0.115A电流, Idm 脉冲:0.8A表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:5ohm通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:5.3ohm阈值电压, Vgs th 典型值:2.1V阈值电压, Vgs th 最高:2.5VSVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)MOS管的基本知识(转载)2011-05-07 06:39:32| 分类:电路硬件设计| 标签:|字号大中小订阅现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了PFC技术外,在元器件上的开关管均采用性能优异的MOS 管取代过去的大功率晶体三极管,使整机的效率、可靠性、故障率均大幅的下降。
模拟电子技术第二章

电压放大电路可以用有输入口和输出口的四端网络表 示,如图:
ui
Au
uo
放大电路放大的本质是能量的控制和转换。
放大的前提是不失真,即只有在不失真的情况下 放大才有意义。
2021/4/11
3
2.1.2.放大电路的性能指标
放大电路示意图
图2.1.2放大电路示意图
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4
一、放大倍数
表示放大器的放大能力
VCC
U BEQ Rb
(12 0.7 )mA 40 μA 280
做直流负载线,确定 Q 点
根据 UCEQ = VCC – ICQ Rc iC = 0,uCE = 12 V ; uCE = 0,iC = 4 mA .
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T
22
iC /mA
4 3 2 1 0
80 µA
60 µA
静态工作点 40 µA
U i →△uBE →△iB
→△iC(b△iB)
VBB
→△uCE(-△iC×Rc)
UI
→
•
Uo
+VCC ( +12V)
RC
IC +△IC
IB
B Rb 1
+△I B
3C ET2
U CE
U BE +△UBE
+△U CE
+
UO
-
电压放大倍数:
•
•
Au
Uo
•
Ui
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13
+VCC (+12V)
iC / mA
4
交流负载线 80
60
IC
Q
iC 2
第2章 常用半导体器件图

教材:第3章 半导体二极管及其基本应用电路 p.42~p.63 第4章 晶体三极管及其基本放大电路 p.64~p.73
第一章 常用半导体器件
• • • • 1.1半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管
Sec1.1 半导体基础知识
• • • • • • • 1.本征半导体 ⑴什么是本征半导体 ⑵本征半导体的结构 2.本征半导体的电特性 ⑴电子-空穴形成(本征激发) ⑵电子-空穴消失(复合运动) 3.本征半导体载流子的浓度
⑴. Tr.的电流形成过程 ⑵.定量分析 (电流分配关系) (电流放大系数)
N
IE = IEN + IEP =ICN +IBN+IEP
≈ ICN +IBN
P
IC = ICN + ICBO
≈ ICN
IB = IBN + IEP- ICBO
N
IC = βIB +(1+β) ICBO
⑶.基本共射放大电路的放大作用 (电路符号表示)
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图1.2.14 光电二极管的伏安特性
Sec.2.6 晶体三极管(双极型晶体管)特性 及主要参数
教材:第4章 晶体三极管及其基本放大电路 p.64~p.73
Sec.2.6
双极型晶体管特性及主要参数
• • • • • • •
1.晶体管的结构和符号 2.晶体管内部载流子运动与外部电流 3.基本共射放大电路 4.晶体管的输入特性曲线 5.晶体管的输出特性曲线 6.晶体管的极限参数 7.温度对晶体管输出特性的影响
Sec.1.4 半导体二极管 • • • • • • 1. 二极管的结构 2.二极管的伏安特性 3.二极管的主要参数 4.二极管的应用举例 5.稳压管的伏安特性和等效电路 6.稳压管稳压电路
三极管知识简介

3)极间反向饱和电流
ICBO:发射极开路时,集电极—基极间的反向饱和电流。一般锗管的 ICBO 在 µA 数量级,硅管的 ICBO 在 nA 数量级。 ICEO:基极开路时,集电极—发射极间的穿透电流。
IEBO:集电极开路时,发射极—基极间的反向饱和电流。
由于直流参数 、 、ICBO 和 ICEO 等受温度影响较大,所以出于稳定性考虑, 也不要过大。
1.载流子的传输过程
在放大状态下,晶体三极管内部载流子的传输过程可归纳为发射结的注入、 基区中的输运与复合和集电区的收集。对此,我们以 NPN 管为例,参照图 2—37 作如下讨论:
1)发射结的注入 由于发射结正偏,使发射结变窄,扩散运动占优势,高掺杂发射区的大量电子注 入到基区,形成电子电流 IEn。与此同时,基区中的空穴也向发射区注入,形成 空穴电流 IEp。IEn 和 IEp 电流方向一致,由基区指向发射区,构成发射极电流 IE。 即 (2—42) 2)基区中的扩散与复合 注入到基区的电子,成为基区的非平衡少子,将继续向集电结方向扩散,在 扩散的过程中,除有少部分的电子会与基区中的多子空穴复合、形成基极复合电 流 IBn 外,大部分电子到达集电结边界,并在集电结电场作用下,漂移到集电区 形成集电极电子电流 ICn。 3)集电区的收集 由于集电结处于反偏状态,集电结势垒区中电场很强,其方向是由集电区指 向基区,因此,到达集电结边界的电子在此强电场的作用下,几乎全部收集到集 电区,形成集电极电子电流 ICn。此外,在该强电场的作用下,集电区内的少子 —空穴将漂移到基区;基区内的少子—电子也将漂移到集电区,它们形成集电结 的反向漂移电流 ICBO,ICBO 的方向与 ICn 方向是一致的。所以,总的集电极电流 IC 为 (2—43) 由图 2—37 可知,晶体管基极电流 IB 为 (2—44)
场效应管与晶体三极管的比较

场效应管与晶体三极管的比较原理区别:1、三极管是双极型晶体管,场效应管是单极型晶体管;2、三极管是电流控件,场效应管是电压控件;3、三极管输入阻抗低,场效应管输入阻抗高;4、三极管分NPN和PNP两种类型,有硅管和锗管之分。
场效应管分结型和绝缘栅型两大类,每类又可分为N沟道和P沟道两种,都是硅管;5、三极管的集电极和发射机不可互换,场效应管的源极和漏极可以互换;场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.晶体三极管与场效应管工作原理完全不同,但是各极可以近似对应以便于理解和设计:晶体管:基极发射极集电极场效应管:栅极源极漏极要注意的是,晶体管(NPN型)设计发射极电位比基极电位低(约0.6V),场效应管源极电位比栅极电位高(约0.4V)。
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.在主板中的区别:第一种方法最有效果,就是查资料。
第二种是看看芯片脚下的铜片,场管一般只有G极是信号线,是细线,其余的都为粗线。
如果是复合管的话就有两根细线,并有一脚接地。
三端稳压器没有接地的脚而且都为粗线,一般电脑上不用三极管走电压线,只走信号线。
场效应管用万用表测第3脚和第2脚单向导通,其他脚不通。
三极管是第1脚和第2脚第3脚两组正向导通的。
在板上测不看图纸,很难区分三极管和场管的,CPU供电都是N沟道的场管。
拿下来测才准。
用万用表的三极管档,测三极管的B极和E极,有0.6V的压降,因为这是一个PN结而MOS管则测不到此压降。
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课题第二章晶体三极管和场效晶体管2.1.1~2.1.3 三极管的基本特性课型新课授课班级17机电授课时数2课时教学目标1.掌握三极管的结构、分类和符号2.理解三极管的工作电压和基本连接方式3.理解三极管电流的分配和放大作用、掌握电流的放大作用教学重点三极管结构、分类、电流分配和放大作用教学难点电流分配和放大作用学情分析学生已经了解了PN结及特性学生已熟练掌握晶体二极管的基本特性教学方法讲授法、引导法、图示法、对比法、多媒体演示法教后记通过对本次课的学习,学生了解了三极管的基本特性,了解三极管中的PN结与二极管中PN结的区别,同时掌握了三极管的基本连接方式和放大倍数的计算方法,并能进行实际应用,利用查表法说出三极管的型号A.引入在电子线路中,经常用的基本器件除二极管外,还有三引脚的三极管。
B.新授课2.1.1三极管的结构、分类和符号一、晶体三极管的基本结构1.观察外形2.三极管的结构图三极:发射极、基极、集电极两结:发射结、集电结三区:发射区、基区、集电区3.特点(1)发射区掺杂浓度较大,以利于发射区向基区发射载流子。
(2)基区很薄,掺杂少,载流子易于通过。
(3)集电区比发射区体积大且掺杂少,收集载流子。
注意:三极管并不是两个PN结的简单组合,不能用两个二极管代替。
二、图形符号a.NPN型b.PNP型三、分类1.内部三个区的半导体分类:NPN型、PNP型2.工作频率分类:低频管和高频管3.以半导体材料分:锗、硅2.1.2三极管的工作电压和基本连接方式一、三极管的工作电压1.三极管工作时,发射结加正向电压,集电结加反向电压。
2.偏置电压:基极与发射极之间的电压。
二、三极管在电路中的基本连接方式1.共发射极接法(讲解)(引导:比较两种符号,箭头说明发射结导通的方向)共用发射极2.共基极接法共用基极3.共集电极接法共用集电极2.1.3三极管内电流的分配和放大作用一、电流分配关系三极管的特殊构造,使三极管具有特殊作用。
1.实验电路2.三极管中电流分配关系(1)I E = I C+I B。
(2)基极电流I B很小,所以I E = I C。
3.I CEO ——基极开路时c、e的电流(观察)I CEO 越小,说明温度稳定性越好。
4.I CBO ——发射极开路时c 、b 间的电流集电极、基极反向饱和电流二、电流放大作用1.当I B 有较小变化时,I C 就有较大变化2.交流电流放大系数:BC I I∆∆=β注意:工作电流不同,β不同,在I C 较大范围内,β变化很小。
3.直流电流放大系数BCI I =β ββ=4.I C =βI BI C = β I B +I CEO练习练习册相关习题小结三极管结构→分类→电流分配关系布置作业 习题二 2-1,2-2,2-3,2-4课 题2.1.4 三极管的输入和输出特性课型新课授课班级17机电授课时数2课时教学目标1.熟悉三极管的输入和输出特性曲线2.能正确指出输出特性曲线的三个区域,明确三极管的三个状态3.能正确判别三极管的三个状态教学重点三极管的输出特性曲线、工作状态教学难点工作状态的判别学情分析学生已了解三极管的基本特性及基本工作方式教学方法曲线图法、对比练习法、讲授法、指导法、多媒体演示法教后记学生通过本次课的学习,明确了三极管的三种工作状态,并能较为熟练地利用外加电压大小判断三极管的工作区域A.复习1.三极管的类型、分类、结构。
2.三极管的电流分配关系。
3.三极管的电流放大作用。
B.引入三极管的基本作用已经明了,还需进一步了解三极管的特性,包括输入特性和输出特性的特性曲线,三极管在不同电压条件下的工作状态等。
C.新授课一、三极管共发射极输入特性1.定义:V BE与I B的数量关系。
2.输入特性曲线——对每一个固定的V CE值,I B随V BE的变化关系。
(1)当V CE增大时,曲线应右移。
(2)当V BE> 0.3 V时,曲线非常靠近。
(3)当V BE大于发射结死区电压时,I B开始导通。
导通后V BE的电压称为发射结正向电压或导通电压值,硅管为0.7 V,锗管约为0.3 V。
二、晶体三极管的输出特性曲线1.定义每一个固定的I B值,测出I C和V CE对应值的关系。
2.三个区域(1)截止区:①I B = 0,三极管截止,I B = 0以下的区域。
②I B = 0,I C≠0,即为I CEO。
③三极管发射结反偏或两端电压为零时,为截止。
(2)饱和区:①V CE较小的区域。
②I C不随I B的增大而变化。
③饱和时的V CE值为饱和压降。
④V CES:硅管为0.3 V,锗管为0.1 V。
(学生根据电路图写公式)(教师画曲线图,学生比较二极管与三极管的正向曲线特性有何区别?)(教师讲解)(学生读书理解各工作区域三极管的工作电压条件及发射结、集电结的要求)⑤发射结、集电结都正偏,处于饱和。
(3)放大区:①I C受I B控制,ΔI C=βΔI B,具有电流放大作用。
②恒流特性:I B一定,I C不随V CB变化,I C恒定。
③发射结正偏,集电结反偏,处于放大状态。
总结:三极管工作状态由偏置情况决定。
放大截止饱和发射结正偏集电结反偏发射结反偏或零偏发射结正偏集电结正偏NPN V C>V B>V E V B≤V E V B>V E,V C>V EPNP V C<V B<V E V B≥V E V B<V E,V C<V E 例题:1.判别三极管的工作状态2.将上题改为PNP型硅管再作判别。
3.判断三极管的放大状态,各极名称、管型。
4.根据输出特性曲线计算直流放大系数、交流放大系数、I CEO、I CBO等(本组题为已知管型。
)指导:先看V BE再看V BC,NPN多为硅管,PNP多为锗管,饱和区V CE≈0.3V)(本组题为未知管型仅知管脚电位)指导:1.中间电位值的为基极。
2.电位值接近基极的为发射极。
电位值与基极相差较大的是集电极。
3.V BE=0.7 V或接近,为NPNV BE=-0.3V 或接近,为PNP)练习习题二2-6,2-8,2-9小结1.三极管特性曲线2.三个区域、三个状态3.三个状态判别的方法布置作业课后2-7课题2.1.5~2.1.6 三极管的主要参数及测量课型新课授课班级17机电授课时数 2教学目标1.了解三极管的主要参数。
2.会简单测试三极管硅管、锗管。
教学重点三极管的参数和测试教学难点三极管的测试(使用万用表)学情分析学生掌握了三极管的特性,并且可以通过查表的方式熟练地说出三极管的类型教学方法讲授法、实验法、讲练结合法、多媒体演示法教后记通过本次课的学习,学生逼近了解了三极管的主要特性,同时还掌握了一项技能:利用万用表测量三极管的好坏,这项技能可以应用在实际生活中,检修电路等A.复习1.三极管的输入、输出特性曲线。
2.三极管的三个区域、三个状态。
3.各个状态的特性。
B.引入学习了三极管的基本特性,要正确使用三极管必须了解三极管的参数,并会测试三极管。
C.新授课(学生回答问题)(学生读书了解三2.1.5三极管的主要参数一、共发射极电流放大系数1.共发射极直流放大系数β2.共发射极交流放大系数β在同等工作条件下,β=β二、极间反向饱和电流1.集电极-基极反向饱和电流I CBO2.集电极-发射极反向电流(穿透电流)I CEO关系:I CEO =(1+β)I CBO三、极限参数三极管正常工作时,允许的最大电流、电压和功率等极限数值。
1.集电极电大允许电流I CM若I C过大,β将下降;当I C>I CM,β将下降很多。
2.集电极最大允许耗散功率P CMP CM最大允许平均功率是I C和V CB乘积允许最大值。
3.集电极—发射极反向击穿电压V CEO基极开路时,加在集电极和发射极之间的最大允许电压,电压超过此值后,会电击穿导致热击穿,损坏管子。
2.1.6三极管或锗管的简易测试一、硅管或锗管的判别原理:1.硅管发射结正向压降为0.6 ~ 0.8V2.锗管发射结正向压降为0.1 ~ 0.3V测试:二、估计比较β的大小1.万用表R×1k2.方法3.比较β的大小极管的主要参数)(教师讲解三极管参数的主要注意事项)(边测边学,讲练结合)当开关S断开和接通时的电阻值,前后两个读数相关越大,表示三极管的 越高。
三、估测I CEO1.万用表R×1k2.方法3.结论:阻值越大,I CEO越小4.阻值无穷大,三极管内部开路;阻值为零,则内部短路。
四、NPN型管和PNP型管的判别1.万用表R×1k 或R×1002.方法(1)黑表笔搭接三极管某一管脚,红表笔搭接另管脚,如果阻值都很小,黑表笔所接为NPN型管的基极。
(2)红表笔搭接三极管一脚,黑笔搭另两脚,如果阻值都很大,红表笔所接为是PNP型管的基极。
五、三个管脚的判别NPN型按电路连接阻值小的一次,黑笔接c,红笔接e。
(学生分组利用万用表进行测量,各小组之间相互检查)教师指导:(1)搞清各电极在放大时的电位关系。
(2)NPN 截止,V CE 间阻值大;放大,V CE 间阻值小。
练习分发给学生不同型号的三极管,让学生进行测量小结1.参数2.三极管的测定方法布置作业习题二,2-10补充:三极管9011的参数为P CM = 400 mW,I CM = 30 mA,V(BR)CEO = 30 V,问该型号管子在以下情况下能否正常工作。
1.V CE = 20 V,I C = 25 mA2.V CE = 3 V,I C = 50 mA。