第二章 双极型晶体三极管
第二章 双极型晶体三极管（BJT ）§2.1 知识点归纳一、BJT 原理·双极型晶体管（BJT ）分为NPN 管和PNP 管两类（图2-1，图2-2）。
·当BJT 发射结正偏，集电结反偏时，称为放大偏置。
在放大偏置时，NPN 管满足C B C V V V >>；PNP 管满足C B E V V V <<。
·放大偏置时，作为PN 结的发射结的V A 关系是：/BE T v V E ES i I e =（NPN ），/E B T v VE ES i I e =（PNP ）。
·在BJT 为放大偏置的外部条件和基区很薄、发射区较基区高掺杂的内部条件下，发射极电流E i 将几乎转化为集电流C i ，而基极电流较小。
·在放大偏置时，定义了CNE i i α=（CN i 是由E i 转化而来的C i 分量）极之后，可以导出两个关于电极电流的关系方程：C E CBO i i I α=+(1)C B CBO B CEO i i I i I βββ=++=+其中1αβα=-，CEO I 是集电结反向饱和电流，(1)CEO CBO I I β=+是穿透电流。
·放大偏置时，在一定电流范围内，E i 、C i 、B i 基本是线性关系，而BE v 对三个电流都是指数非线性关系。
·放大偏置时：三电极电流主要受控于BE v ，而反偏CB v 通过基区宽度调制效应，对电流有较小的影响。
影响的规律是；集电极反偏增大时，C I ，E I 增大而B I 减小。
·发射结与集电结均反偏时BJT 为截止状态，发射结与集电结都正偏时，BJT 为饱和状态。
二、BJT 静态伏安特性曲线·三端电子器件的伏安特性曲线一般是画出器件在某一种双口组态时输入口和输出口的伏安特性曲线族。
BJT 常用CE 伏安特性曲线，其画法是：输入特性曲线：()CE B BE V i f v =常数（图2-13）输出特性曲线：()B B CE I i f v =常数（图2-14）·输入特性曲线一般只画放大区，典型形状与二极管正向伏安特性相似。
·输出特性曲线族把伏安平面分为4个区（放大区、饱和区、截止区和击穿区）放大区近似的等间隔平行线，反映β近似为常数，放大区曲线向上倾是基区宽度调制效应所致。
·当温度增加时，会导致β增加，CBO I 增加和输入特性曲线左移。
三、BJT 主要参数·电流放大系数：直流β，直流α；交流0limC EQi i α∆→∆=∆和0limCBQi i β∆→∆=∆，α、β也满足1αβα=-。
·极间反向电流：集电结反向饱和和电流CBO I ；穿透电流CEO I·极限参数：集电极最大允许功耗CM P ；基极开路时的集电结反向击穿电压CEO BV ；集电极最大允许电流CM I·特征频率T fBJT 小信号工作，当频率增大时使信号电流c i 与b i 不同相，也不成比例。
若用相量表示为c I ，B I，则c B I I β= 称为高频β。
T f 是当高频β 的模等于1时的频率。
四、BJT 小信号模型·无论是共射组态或共基组态，其放大电压信号的物理过程都是输入信号使正偏发射结电压变化，经放大偏置BJT 内部的BE v 的正向控制过程产生集电极电流的相应变化（C i 出现信号电流c i ），c i 在集电极电阻上的交流电压就是放大的电压信号。
·当发射结上交流电压5||≤be v mV 时，BJT 的电压放大才是工程意义上的线性放大。
·BJT 混合π小信号模型是在共射组态下推导出的一种物理模型（图2-28），模型中有七个参数：基本参数：基区体电阻b b r '，由厂家提供、高频管的b b r '比低频管小基区复合电阻e b r '：估算式：(1)(1)Tb e e EV r r I ββ'=+=+，e r ——发射结交流电阻跨导m g ：估算300/38.5Km C T C g I V I ====（ms ），[]m e b m e b g r g r ''=β:,关系 基调效应参数 ce r ：估算C A ce I V r /≈，A V ——厄利电压c b r '：估算ce c b r r β≈'以上参数满足：e me b ce c b r g r r r ≈>>>>>>''1高频参数：集电结电容 c b C '：由厂家给出；发射结电容e b C '：估算cb Tm e b C f gC ''-≈π2* ·最常用的BJT 模型是低频简化模型（1）电压控制电流源（c m b e i g v '=）模型（图2-23）（2）电流控制电流源（c b i i β=）模型（图2-24，常用），其中e b b b be r r r ''+=§2.2 习题解答2-1 如果在电路中测得放大偏置的BJT 的三个电极的电位为下面四组数据： （1） 7.1V, 2.16V, 1.4V （2） 6.1V, 5.8V, 1V （3） 8.87V, 8.15V, 2V （4） –9.6V, –9.27V, 0V试判断各电位对应的电极以及三极管的类型（NPN 管或PNP 管）和材料（Si 管或Ge 管）。
[解] 将三电压按从高到低排列，列出如下表：2-2 如果将BJT 的集电极与发射极对调使用，在放大偏置时，I C ≈I E 的关系是否仍然成立？为什么？[解] 不成立。
集电区较基区不是高掺杂，E i 中有较大的成分是基区多子向集电区注入形成。
这部分电流不能转化为C i ，∴C i 会比E i 明显减小。
2-3 图示电路可以用来测量晶体管的直流参数。
改变电阻R B 的值，由两支电流表测得两组I B 和I C 的数值如下表所示。
（1） 由数据表计算β﹑I CBO ﹑I CEO 和α （2 ）图中晶体管是S i 管还是G e 管？[解] （1）由(1)C B CBO B CEO I I I I I βββ=++=+ 图P2-3联立 400611208C E O C E O I I ββ⎧=+⎪⎨=+⎪⎩求得60β=，400640CEO I βμ=-= A 0.6561CEO CBO II μβ==+ A600.984161βαβ===+（2）是Ge 管。
CBO I 为μA 量级，硅管不可有如此大的集电结反向饱和电流。
2-4* 由两支锗PNP 管T 1和T 2可以组合成的一支等效PNP 管（称为复合管）。
已知T 1的1001=β，I CBO1=1μA 。
T 2的502=β，I CBO2=10μA 。
如果复合管的I B =10μA ，试求I C 。
（提示：两管均为放大偏置，电流分配关系成立。
）[解] 1111(1)1mA 0.101mA 1.101mA C B CBO I I I ββ=++=+=图P2-4∴11 1.111E C B I I I =+=mA222222122(1)(1)55.550.5156.06C B CBO E CBO I I I I I ββββ=++=++=+=mA ∴12 1.10156.0657.16C C C I I I =+++=mA 。
2-5 如果在电路中一支晶体管的V B ﹑V C ﹑V E 为： （1）0.7V ，6V ，0V ； （2）6V ，5.8V ，1.0V ； （3）1.7V ，6V ，1.0V （4）4.8V ，2.3V ，5.0V 试判断BJT 的偏置状态。
[解]（1） C B E V V V >>（2） C B E V V V(6V) (0.7V) (0V)5.8V 6V 1V ∴为放大偏置（NPN ）B C V V >，B E V V > ∴为PNP 管的截止状态（3） C B E V V V >> （4） C B E V V V << (6V) (1.7V) (1V) (2.3V) (4.8V) (5V) ∴为放大偏置（NPN ）。
∴为PNP 管的放大偏置 2-6 若一支NPN 管的基区自由电子浓度曲线分别如图（a ）﹑（b ）和（c ）所示，试判断晶体管的偏置状态，并说明理由。
图P2-6（a ）放大区x W =处因集电结反偏少子被抽完，0x =处因发射结正偏的在基区累积大量少子（b ）截止区在0x =和x W =处基区少子为0，说明CB 结与EB 结均反偏。
（c ）饱和区在0x =和x W =处都有非平衡少子在基区累积说明CB 结和EB 结均正偏。
2-7 图为一支3DG6A 的静态输出特性曲线。
试求在工作点I C =6mA ，V CE=5V 处该管的β﹑β和α﹑α的值。
（设I CBO =10nA ）图P2-7[解] 在Q[5V ，6mA]点处40B I μ= A∴61500.04C CBO C B CBO B I I I I I I β-===+取20B I μ∆=+A ，则 2.667C I ∆=mA 则1133C BII β∆==∆ 再取20B I μ∆=-A ，则 3.133C I ∆=-mA则2157C BII β∆==∆ 取1β、2β平均值作Q 点的交流β，∴1331571452β+==0.9931βαβ==+，0.9931βαβ==+。
该例说明在工作点处BJT 的ββ ，αα 。
2-8 图示电路中，硅BJT 的，100β=，I CBO ≈0。
试通过计算判断当R B 分别等于200k Ω和50k Ω时，晶体管工作在什么状态。
（提示：先按放大状态估算偏置电流电压，如果结果不合理，则晶体管一定工作在饱和状态，为什么？）[解] （1）200B R k =Ω，设BJT 工作在放大区，取0.7BE V =V ，则4.3200BB BE B B V V I R k -==， 100 4.32.15200C B I I kβ⨯===mA图P2-8103 2.15 3.55CE CC C C V V I R =-=-⨯=V 。
CE BE V V >，集电结反偏，∴假设成立，BJT 工作在放大区。
（2）50B R k =Ω，若假设BJT 工作在放大区，0.7BE V =V ，则 4.350B I k =，100 4.38.650C I ⨯==mA 1038.615.8CEV =-⨯=-VCE V 不可能为负值，故假设不成立。
第二章 双极型晶体管及其放大电路
uBE
0 UCE(sat)
uCE b c iB e UCE(sat)
输入特性近似
输出特性近似
b
c
b
c iB e
放大状态模型
UBE(on) e
截止状态模型
βi B
UBE(on)
饱和状态模型
a.截止： UBE<UBE(ON) , iB≈0 , iC≈0 b.放大：UBE>UBE(ON) c.饱合：.UBE>UBE(ON)
∆i ∆iC =0 uCE一定 ∆ib
5
10
15
截止区
饱和压降: uces (or uce(sat))=0.3V 饱和: Saturation 4.击穿区：
三、温度对晶体管特性曲线的影响 温度对晶体管特性曲线的影响 uBE -(2~2.5)mv/℃ 2(T2-T1)/10 T iC 曲线上移 间隔加大(输出) 曲线左移 (输入)
双极型晶体管是由三层杂质半导体构成的器件。它有三个电极， 双极型晶体管是由三层杂质半导体构成的器件。它有三个电极， 又称半导体三极管、晶体三极管等，以后我们统称为晶体管。 又称半导体三极管、晶体三极管等，以后我们统称为晶体管。
小功率管
大功率管
大功率达林顿晶体管
2907A PNP 双极性晶体管
100 GHz 铟磷 钐铟砷异质 铟磷/钐铟砷异质 结双极性晶体管的电子扫 描显微图片
条件：三极管特点（e区重掺杂；b区薄；c区面积大）＋e结正偏＋c结反偏 利用两个特殊结构的PN结，将e结扩散电流“转化”为c 结漂移电流，使c 极出现受be结电压控制的较大电流。 对比：与变压器（杠杆、放大镜）的区别 IC ≈
β ΙΒ
电流控制型器件
双极型晶体三极管的开关特性
NPN硅三极管截止的条件为vBE≤0.5V，可靠截止的条件为vBE≤0V。
2．2 双极型晶体三极管的开关特性
（2）三极管的放大状态
当输入电压vI≥0.7V时 ： A. vBE大于开启电压，B－E 间导通 B. vBE被钳在约0.7V，
C.三极管工作在Q2点附近,于Q1和Q3之间,三极管的 这种工作
区
Q1 iB=0
0 0.5 uBE(V)
0 UCES
VCC uCE(V)
工作原理电路
输入特性曲线
输出特性曲线 截止区
截止状态
+VCC
＋
Rb b c Rc
＋
ui=UIL<0.5V
uo=+VCC
－
e
－
饱和状态
+VCC
＋
Rb b c Rc ＋＋
＋
ui=UIHiB≥I0B.7SV －
－ e
uo=0.3V －0.3V －
IBS 0.094 mA
因为iB>IBS，三极管工作 在饱和状态。输出电压：
uo＝UCES＝0.3V
2．2 双极型晶体三极管的开关特性
NPN型硅三极管开关等效电路
三极管的截止状态 三极管的饱和状态 三极管作为开关使用时只需要：饱和状态和截止状态
输入信号为高电压时，应使三极管可靠地饱和； 输入信号为低电压时，应使三极管可靠地截止。
三极管具有饱和、放大和截止三种工作状态，在 数字电路中，静态主要工作于饱和和截止状态 。
NPN型硅三极三极管的截止状态和可靠截止的条件
当vI很小，如vI<0.5V时 ：A.vBE小于开启电压，B－E 间，C－E间都截
止 B. C.三极管工作在Q1点或Q1点以下位置，三极管的
13级《计算机电路基础》§2.3双极性晶体三极管习题二-1-参考答案2015-10-7
113级《计算机电路基础》习题二-1答案§2.3 双极性晶体三极管一、 填空题1、晶体三极管是晶体管电子电路的核心器件，具有电流放大和开关作用。
在模拟电子电路中，它起放大作用；在脉3.、PN 结是许多半导体元器件的最重要和最基本的单元。
如果我们把两个PN 结做得相距很近，结合在一起就构成一个新的器件，即半导体三极管，又称为晶体三极管。
双极型晶体管外形如图：4、晶体三极管两个PN 结将整个半导体基片分成三个区域：发射区、基区和集电区，其中基区较薄。
由这三个区各引出一个电极，分别称为发射极、基极和集电极，分别用字母E、B 、C 表示。
将发射极与基极之间的PN 结称为发射结；集电极与基极之间的PN 结称为集电结。
如下图所示：在图中填出三个区域，两个结，画出三极管符号。
5、晶体三极管按导电类型的不同，三极管可分为PNP 型和NPN 型两大类。
由图可见，有箭头的电极是发射极，箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向，箭头方向向外是 NPN 型，箭头方向向内是 PNP 型，两种符号的区别在于发射极的箭头方向不同，实际上发射极箭头方向就是发射极正向电流 的真实方向。
6、三极管种类很多：按功率分有小功率管、中功率管和大功率管 ；按工作频率分有低频管、高频管 ； 按管芯所用半导体制造材料分有硅管与锗管。
7、本标准适用于无线电电子设备所用半导体器件的型号命名。
【了解】 示例要求：查2.2表写出型号硅整流二极管 硅NPN 型高频小功率管8、型号组成部分的符号及意义表7.5.1给出了各种型号的半导体二极管、三极管的符号、构成材料、名称性能以及表达这些意义的符号。
表2.2 型号组成部分的符号及意义8. 三极管各电极上的电流分配NPN 型三极管为例搭成的实验电路如图7.3.2所示，图中V BB 为基极电源，V cc 为集电极电源，V cc 电压应高于V BB 电压。
即发射结正偏，集电结反偏。
电路接通后，在电路中就有三支电流通过三极管，即基极电流I B 、集电极电流I C 和发射极电流I E ，这三路电流方向如图中所示。
§2.3 双极性晶体三极管综合习题1与参考答案-2018-6-10
§2.3 双极性晶体三极管综合习题1与答案考核内容1．掌握三极管的图形符号、文字符号、输入和输出特性。
2．掌握三极管的电流分配关系及放大原理。
双极性晶体三极管综合习题1一、填空题1、晶体三极管（Transistor）是晶体管电子电路的核心器件，具有电流放大和开关作用。
在模拟电子电路中，它起放大作用；在脉冲和数字电路中，它起开关作用，逻辑门电路中的三极管则工作在截止状态和饱和状态。
2、晶体三极管是一个三端器件，根据其构造的不同，大体上可分双极型晶体管BJT（Bipolar Junction Transistor）和场效应管FET（Field Effect Transistor）。
3、双极晶体管（BJT）是一种电流控制器件，“双极”的含义是指其工作时电子和空穴这两种载流子都同时参与导电。
双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管。
4、场效应管（FET）是电压控制型元件，利用场效应原理工作的晶体管，具有输入阻抗高，热稳定性好，抗辐射能力较强，集成度较高特点。
5、场效应晶体管又包含两种主要类型：结型场效应管（Junction FET，缩写为JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide Semiconductor FET，缩写为MOS-FET）。
其中，MOS管还分为增强型和耗尽型两种。
与BJT不同的是，FET只由一种载流子（多数载流子）参与导电，因此场效应管也称为单极型晶体管。
*6、场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。
7、双极晶体管（BJT）是由两个相距很近的PN结，通过一定的工艺制作成的一种半导体器件，即半导体三极管，又称为晶体三极管。
8、晶体三极管两个PN结两个PN结，一个PN结为发射结，另一个PN结为集电结。
将发射极与基极之间的PN 结称为发射结；集电极与基极之间的PN结称为集电结。
晶体三极管及其基本放大电路
22
2.4、三极管的主要参数
• 1、电流放大系数 • i)共射极电流放大系数
直流电流放大系数 IC
IB
交流电流放大系 数 Vic
Vib
h（ fe 高频）
一般工作电流不十分大的情况下,可认为
Ma Liming
Electronic Technique
23
ii)共基极电流放大系数
共基极直流电流放大系数
3
6
9
IB=0 12 vCE(V)
区时, 有:VB>VC Rb
+
－
UBB
Ma Liming
+ 对于PNP型三极管,工作在饱和区 UCC 时, 有:VB<VC<VE
－
Electronic Technique
13
例:如图，已知三极管工作在放大状态, 求:1).是NPN结构还是PNP结构?
Ma Liming
Electronic Technique
20
方法二：用万用表的 hFE档检测 值
1. 拨到 hFE挡。
2.将被测晶体管的三个引脚分别插入相应的插孔 中（TO-3封装的大功率管，可将其3个电极接 出3根引线，再插入插孔），三个引脚反过来 再插一次，读数大的为正确的引脚。
3.从表头或显示屏读出该管的电流放大系数。
N
b
c PV
Rb
eN
+
－
UBB
Ma Liming
+
UCC 对于PNP型三极管,工作在放大区 － 时, 有:VC<VB<VE
Electronic Technique
10
iC(mA ) 4 3
2 1
双极型晶体三极管及其基本放大电路
4、多级放大电路的耦合方式有阻容耦合、变压器耦合、直接耦 合等类型。前级输出即为后级的输入，前级的输出电阻是后 级的信号源内阻，后级的输入电阻是前级的负载电阻。放大 电路的总增益为各级放大倍数的乘积；输入电阻是第一级电 路的输入电阻，输出电阻是最后一级电路的输出电阻。
5、复合管放大电路的分析可以等效成单管放大电路的分析。
模拟电子技术
ห้องสมุดไป่ตู้
双极型晶体三极管及其基本放大电路
晶体管的结构、原理及特性曲线→放大电路的分析方法→由 晶体管构成的三种基本放大电路→多级放大电路和复合管的 分析→放大电路的频率响应。 1、晶体管按照结构分成和两种，按材料分成硅管和锗管，由 于硅管的温度特性较好，所以硅管应用广泛。 晶体管有三种工作状态：
多级放大电路的级数越多，通频带越窄。
模拟电子技术
由于电路中的电抗元件对不同频率的输入信号呈现的电抗值 不同，电路的电压放大倍数是信号频率的函数，即频率响应。 频率响应分为幅频特性和相频特性，可以用波特图表示。
6、单级放大电路的频率响应：在中频段基本与频率无关；在低 频段，电压放大倍数随频率的降低而减小，输出电压与输入 电压之间的相移也发生变化；在高频段，电压放大倍数随频 率的升高而减小，相移也发生变化。
2、放大电路的分析方法有图解法和微变等效模型法两种。图解 法主要用来分析失真和静态工作点，工程计算中主要使用微 变等效模型法。 晶体管的模型有两种，低频为h参数等效模型，高频为混合π 模型。 分析放大电路的步骤为先直流，后交流。即先用直流通路计 算静态工作点，后画出交流通路，用低频小信号模型计算电 压放大倍数、输入电阻和输出电阻等交流参数。 由于静态工作点影响电路的性能，故实用放大电路都要有静 态工作点稳定的措施。
双极性晶体三极管(精)
5、晶体三极管的特性曲线
晶体管的特性曲线是用来表示各极电压和电流之间相互 关系，反映的是晶体管的性能。 因为晶体管有一对输入端和一对输出端，因此，要完整地 描述晶体管的伏安特性，就必须用两组表示不同端电压、电流 之间关系的特性曲线来表示。以共发射极为例来具体分析。 输入特性曲线： 输入特性曲线是指当集—射极之间的电压UCE为某一常数时， 输入回路中的基极电流IB与加在基—射极间的电压UBE之间的关系 曲线。 IB(A) 工作压降： 硅管 80 UBE0.6~0.7V,锗管 死区电压， UCE1V UBE0.2~0.3V。 60 硅管0.5V， 40 锗管0.2V。 20 UBE(V) 0.4 0.8
注意：这个放大作用是指一个小电流控制一个大 电流的作用。而不是能量的放大。能量是不能放 大的。
从这个意义上看：三极管是个电流放大元件
PNP管的分析同NPN管相同。使用时注意各极 极性和电流方向：
iC + UEB
C
iC
-
C
B
iB
UEC
iB B
UBE
-
+
+ iE
E
UCE
+
+
-
+
E
iE
PNP三极管
NPN三极管
N P N IE
发射结正 偏，发射 区电子不 断向基区 扩散，形 成发射极 电流IE。
Ec
E
IC=ICE+ICBOICE
集电结反偏， 有少子形成的 反向电流ICBO。 B
C
ICBO
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
RB EB
ICE N P IBE N IE
E
从基区扩 散来的电 子作为集 电结的少 子，漂移 Ec 进入集电 结而被收 集，形成 ICE。
第二章_双极型晶体三极管(BJT)
传输到集电极的电流 发射区注入的电流
ICn
Rb
IE
IC ICBO IC
EB
IE
IE
一般要求 ICn 在 IE 中占的比例尽量大
ICBO IB
b IBn
c
IC
ICn
IEn e IE 一般可达 0.95 ~ 0.99
Rc EC
13
（2） i与C 的i关B 系
输入
b
+
cUCE 输出
e
V 回路UCE
回路
V
UBE
电流，UCE是输出电压；
VCC
25
1、共射输入特性曲线
I B f (U BE ) UCE 常数
(1) UCE = 0 时的输入特性曲线
Rb IB b c
VBB
+e
UBE _
IB/A
UCE 0
类似为PN结正偏时的伏安特性曲线。
O
U BE / V
IE = IC + IB IC IE ICBO
IB＝IBn－ICBO
当IE=0时，IC=ICBO
IC ( IC IB ) ICBO
1
IC 1 IB 1 ICBO
IC IB (1 )ICBO
= IB ICEO
穿透电流。
其中：
1
共射直流电流放大 系数。
14
IC IB ICEO
• 直流参数
– 直流电流放大系数 和
– 极间反向电流 和ICBO ICEO
• 交流参数
– 交流电流放大系数 和
– 频率参数 和 f
fT
• 极限参数
集电极最大允许电流ICmax 集电极最大允许功耗PCmax 反向击穿电压
第二章-晶体管
（1）共基直流放大系数 IC
IE
（2）共基交流放大系数
IC
I E
由于ICBO、ICEO 很小，因此 在以后的计算中，不必区分。
二、极间反向电流
1 ICBO
发射极开路时，集电极—基极间的反向电流，称为集 电极反向饱和电流。
2 ICEO
基极开路时，集电极—发射极间的反向电流，称为集 电极穿透电流。
T
( 0.5 ~ 1) / C
2.3.2 晶体管的主要参数 一、电流放大系数
1.共射电流放大系数
（1） 共射直流放大系数 反映静态时集电极电流与基极电流之比。
（2） 共射交流放大系数 反映动态时的电流放大特性。
由于ICBO、ICEO 很小，因此 在以后的计算中，不必区分。
2. 共基电流放大系数
a. 受控特性：iC 受iB的控制
uCE＝uBE 4
放
IB＝40μ A
iC iB
饱 和3
30μ A
区
大 20μ A
iC iB
2
区
10μ A
1
b. 恒流特性:当 iB 恒定时，
0
uCE 变化对 iC 的影响很小
0μ A iB＝－ICBO
5
10
15
uCE/V
截止区
即iC主要由iB决定，与输出环路的外电路无关。
iC主要由uCE决定 uCE ↑→ iC ↑
iC /mA
=80μA =60μA =40μA
=20μA
25℃
uCE /V
（3）当uCE增加到使集电结反偏电压较大时，运动 到集电结的电子基本上都可以被集电区收集，
此后uCE再增加，电流也没有明显得增加，特 性曲线几乎平行于与uCE轴
第2章双极型晶体管及其特性
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(3)当uCE在0~1V之间时，随着uCE的增加，曲线右 移。特别在0< uCE ≤UCE(sat)的范围内，即工作在饱和区 时，移动量会更大些。
确定了 值之后，由式(2–1)、(2–2)可得
ICIB(1)ICBO IBICEO
(2–3a)
IE(1)IB(1)ICBO (1)IBICEO(2–3b)
IBIEIC
(2–3c)
式中：
ICEO(1)ICBO
(2–4)
称为穿透电流。因ICBO很小，在忽略其影响时，则有
IC IB IE (1 )IB 式(2–5)是今后电路分析中常用的关系式。
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2–1–2 由以上分析可知，晶体管三个电极上的电流与内部
载流子传输形成的电流之间有如下关系：
IE IEN IBN ICN IB ICN ICBO IC ICN ICBO
(2–1a) (2–1b)
(2–1c)
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IC
IE
uB常数
(2–11)
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由于ICBO、ICEO都很小，在数值上β≈ ,α≈
应当指出，β值与测量条件有关。一般来说，在iC 很大或很小时，β值较小。只有在iC不大、不小的中间 值范围内，β值才比较大，且基本不随iC而变化。因此， 在查手册时应ห้องสมุดไป่ตู้意β值的测试条件。尤其是大功率管更
。
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