三极管练习题
晶体三极管及放大电路练习题
晶体三极管及放大电路练习题一、填空题1、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即______区、______区和______区。
当三极管工作在______区时，关系式IC=βIB才成立；当三极管工作在______区时，IC=0；当三极管工作在______区时，UCE≈0。
2、NPN型三极管处于放大状态时，三个电极中电位最高的是______，______极电位最低。
4、晶体三极管反向饱和电流ICBO随温度升高而________，穿透电流ICEO随温度升高而________，β值随温度升高而________。
6、输入电压为20mV，输出电压为2V，放大电路的电压增益为________。
8当半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。
9、(2-1，低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。
11、(2-1，中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。
12、(2-1，低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。
13、(2-1，中)为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。
对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R B，使其，则I B，这样可克服失真。
15、(2-1，低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。
16、(2-1，低)共射组态既有放大作用，又有放大作用。
18、(2-1，难)某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。
可判定该三极管是工作于区的型的三极管。
19、(2-1，难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断：a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）；b．管型是（NPN，PNP）；c．材料是（硅，锗）。
22、(2-1，低)一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而，发射结的导通压降V BE则随温度的增加而。
二极管三极管练习题
二极管三极管练习题一、选择题1. 二极管的主要功能是：A. 放大信号B. 开关电路C. 电压稳定D. 电流放大2. 二极管的PN结在正向偏置时，其特性是：A. 电阻增大B. 电阻减小C. 电流增大D. 电流减小A. 半导体器件B. 电子元件C. 电阻元件D. 电容元件4. 三极管中的基极、发射极和集电极分别对应：A. 输入端、输出端、控制端B. 控制端、输出端、输入端C. 输入端、控制端、输出端D. 输出端、输入端、控制端5. 三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是：A. 集电极电流等于基极电流B. 集电极电流小于基极电流C. 集电极电流大于基极电流D. 集电极电流与基极电流无关二、填空题1. 二极管正向导通的条件是______。
2. 三极管放大电路中，基极电压比发射极电压______。
3. 三极管在放大状态时，______电流控制______电流。
4. 二极管的伏安特性曲线在______区域内表示正向导通。
三、判断题1. 二极管在反向偏置时，电流会迅速增大。
（）2. 三极管工作在饱和状态时，基极电压高于发射极电压。
（）3. 二极管具有单向导电性，可以用来实现整流功能。
（）4. 三极管放大电路中，集电极电流与基极电流成反比关系。
（）四、简答题1. 简述二极管的主要特性。
2. 简述三极管的三种工作状态及其特点。
3. 解释什么是三极管的放大作用。
4. 简述二极管整流电路的工作原理。
五、计算题1. 已知二极管正向压降为0.7V，正向电流为10mA，求二极管的正向电阻。
2. 一个三极管放大电路中，基极电流为1mA，集电极电流为10mA，求电流放大倍数。
3. 在一个简单的放大电路中，输入信号电压为1V，输出信号电压为10V，求电压放大倍数。
六、分析题1. 分析二极管在电路中的作用，并举例说明其在实际应用中的几个典型应用。
2. 分析三极管在不同工作状态下的电流和电压关系，并解释为什么三极管能够实现信号放大。
13级《计算机电路基础》§2.3双极性晶体三极管习题二-1-参考答案2015-10-7
113级《计算机电路基础》习题二-1答案§2.3 双极性晶体三极管一、 填空题1、晶体三极管是晶体管电子电路的核心器件，具有电流放大和开关作用。
在模拟电子电路中，它起放大作用；在脉3.、PN 结是许多半导体元器件的最重要和最基本的单元。
如果我们把两个PN 结做得相距很近，结合在一起就构成一个新的器件，即半导体三极管，又称为晶体三极管。
双极型晶体管外形如图：4、晶体三极管两个PN 结将整个半导体基片分成三个区域：发射区、基区和集电区，其中基区较薄。
由这三个区各引出一个电极，分别称为发射极、基极和集电极，分别用字母E、B 、C 表示。
将发射极与基极之间的PN 结称为发射结；集电极与基极之间的PN 结称为集电结。
如下图所示：在图中填出三个区域，两个结，画出三极管符号。
5、晶体三极管按导电类型的不同，三极管可分为PNP 型和NPN 型两大类。
由图可见，有箭头的电极是发射极，箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向，箭头方向向外是 NPN 型，箭头方向向内是 PNP 型，两种符号的区别在于发射极的箭头方向不同，实际上发射极箭头方向就是发射极正向电流 的真实方向。
6、三极管种类很多：按功率分有小功率管、中功率管和大功率管 ；按工作频率分有低频管、高频管 ； 按管芯所用半导体制造材料分有硅管与锗管。
7、本标准适用于无线电电子设备所用半导体器件的型号命名。
【了解】 示例要求：查2.2表写出型号硅整流二极管 硅NPN 型高频小功率管8、型号组成部分的符号及意义表7.5.1给出了各种型号的半导体二极管、三极管的符号、构成材料、名称性能以及表达这些意义的符号。
表2.2 型号组成部分的符号及意义8. 三极管各电极上的电流分配NPN 型三极管为例搭成的实验电路如图7.3.2所示，图中V BB 为基极电源，V cc 为集电极电源，V cc 电压应高于V BB 电压。
即发射结正偏，集电结反偏。
电路接通后，在电路中就有三支电流通过三极管，即基极电流I B 、集电极电流I C 和发射极电流I E ，这三路电流方向如图中所示。
三极管基础知识练习(3)
晶体三极管与单级低频小信号放大器 章节练习（2015.6）一、判断题（对的打“√”，错的打“×” ）1、为使三极管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压；（ ）2、无论是哪种三极管，当处于放大工作状态时，b 极电位总是高于e 极电位，c 极电位也总是高于b 极电位；（ ）3、三极管的发射区和集电区是由同一种类半导体（N 型或P 型）构成的，所以e 极和c 极可以互换使用；（ ）4、三极管的穿透电流I CEO 的大小不随温度而变化；（ ）5、三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减小；（ ）6、对于NPN 型三极管，当V BE ﹥0时，V BE ﹥V CE ，则该管的工作状态是饱和状态；（ ）7、已知某三极管的发射极电流I E ＝1.36mA ，集电极电流I C ＝1.33mA ，则基极电流I B ＝30μA ；（ ）8、某三极管的I B ＝10μA 时，I C ＝0.44mA ；当I B ＝20μA 时，I C ＝0.89mA ，则它的电流放大系数β＝45；9、三极管无论工作在何种工作状态，电流I E ＝I B ＋I C ＝（1＋β）I B 总是成立；（ ）10、由于三极管的核心是两个互相联系的PN 结，因此可以用两个背靠背连接的二极管替换；（ ）11、三极管是一种电流控制器件；（ ） 12、同一只三极管的β和β数值上很接近，在应用时可相互代替；（ ）13、共发射极放大器的输出电压信号和输入电压信号反相；（ ） 14、交流放大电路之所以能实现小信号放大，是由于三极管提供了较大的输出信号能量；（ ） 15、放大器的静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响；（ ） 16、在单管放大电路中，若V G 不变，只要改变集电极电阻R C 的值就可改变集电极电流I C 的值；（ ）17、三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量用来表示静态工作点，交流分量用来表示信号的变化情况；（ ）二、选择题1、万用表测得一PNP 型三极管三极电位分别有V C =3.3V ，V E =3V ，V B =3.7V ，则该管工作在（ ）A ．饱和区B ．截止区C ．放大区D ．击穿区 2、测得某三极管三个极在放大电路中的对地电压分别为6V 、4V 、3.3V ， 则该三极管是（ ）A ．硅材料的NPN 管B ．硅材料的PNP 管C ．锗材料的NPN 管D ．锗材料的PNP 管3、三极管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管（ ） A ．发射结为反向偏置 B ．集电结为正向偏置 C ．始终工作在放大区4、在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压可表示为（ ） A ．0c c v i R = B ．0c c v i R =- C ．0c c v I R = D ．0c c v I R =-5.已知工作在放大区的某硅晶体三极管的三个电极电位如题5图所示，则a 、b 、c 三个电极分别为( )A 、集电极、发射极、基极B 、集电极、基极、发射极C 、发射极、集电极、基极D 、基极、集电极、发射极 6、采用分压式偏置电路可以（ ）。
半导体三极管及其放大电路练习及标准答案
半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。
a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。
晶体三极管及放大电路练习题
11、(2-1，中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V一定时，晶体三极管及放大电路练习题CE与之间的关系。
填空题一、12、(2-1，低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,区。
当三1、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即______区、______区和______还需输入信号。
13、(2-1，中)为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。
对NPN管组成的；______区时，关系式IC=IC=0______区时，βIB才成立；当三极管工作在极管工作在基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R，使B0。
______当三极管工作在区时，UCE≈其，则I ，这样可克服失真。
B14、(2-1，低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。
极电位最______、2NPN型三极管处于放大状态时，三个电极中电位最高的是，______15、(2-1，低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的低。
较大变化。
必须正________________PN3、晶体三极管有两个结，即________和，在放大电路中16、(2-1，低)共射组态既有放大作用，又有放大作用。
17、(2-1，中)共基组态中，三极管的基极为公共端，极为输入端，极偏，________反偏。
为输出端。
随温度升4、晶体三极管反向饱和电流，穿透电流ICEO________ICBO随温度升高而18、(2-1，难)某三极管3个电极电位分别为V=1V,V=1.7V,V=1.2V。
可判定该三极管CEB是工作于区的型的三极管。
高而________。
，β值随温度升高而________19、(2-1，难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，，锗三极管发射结的死区电压约为________V5、硅三极管发射结的死区电压约为试判断：a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）；，晶体三极管处在正常放大状态时，硅三极管发射结的导通电压约为________Vb．管型是（NPN，PNP）；。
二极管三极管练习题(学生用)
一、填空题1．纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。
2．本征半导体的主要特性有、、。
3．杂质半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。
4．N型半导体是在本征半导体中掺入__ _价元素，其多数载流子是_ ___，少数载流子是__ _。
5．P型半导体是在本征半导体中掺入___价元素，其多数载流子是____ _，少数载流子是__ __ _。
6．已知杂质半导体中的载流子和离子如图0001所示，请指出各为何种类型的杂质半导体：(a)为；(b为。
图0001 杂质半导体中的载流子和离子7．PN结正向偏置时，内、外电场方向；PN结反向偏置时，内、外电场方向。
8．PN结具有性，______偏置时导通，______偏置时截止。
9．PN结的电击穿包括和两类。
10．按材料不同，二极管可分为和两类。
11．按制造工艺及结构不同，二极管可分为、两类。
12．二极管P区接（高，低）电位端，N区接（高，低）电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。
13．U T为温度的电压当量，当温度为室温时，U T≈mV。
14．三极管属控制型器件。
15．在构建放大电路时，双极型三极管应工作于区，即发射结应为偏置，集电结应为偏置。
16．根据器件的符号填上器件的名称：7．某三极管，当测得A I B μ30=时，mA I C 2.1=，则发射极电流=E I mA18．根据图0014填空（设晶体管处于放大状态）。
图001419．某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U 1=-9V ，U 2=-6V ，U 3=-6.2V ，则三极管为 型管。
单项选择题1．杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷2．当环境温度降低时，二极管的反向电流（ ）A. 不变B. 增大C. 减小D. 无法判断3．用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1k Ω，说明该二极管（ ）。
三极管和场效应管练习题2
三极管和场效应管练习题2一、单项选择题〔每题1分〕1.场效应管本质上是一个〔〕。
A、电流控制电流源器件B、电流控制电压源器件C、电压控制电流源器件D、电压控制电压源器件2.放大电路如下图，硅三极管的P =50 ,那么该电路中三极管的工作状态为〔〕。
3.放大电路如下图，三极管的P =50,那么该电路中三极管的工作状态为〔A.截止B.饱和C.放大D.无法确定I ---------------- [------------------ 〔10V〕J,能加% 〞O--------------------------------- ---------- ■~Or -A.截止B.饱和C.放大D.无法确定4.某三极管的P CM =100mW,I cM =20mA,U〔BR〕cEo =15V ,那么以下状态下三极管能正常工作的是〔〕。
A. U CE =3V, I C =10mAB. U CE =2V,Ic=40mAC. U CE =6V,I C = 20mAD. U CE = 20V , I C = 2mA5.场效应管的转移特性曲线如下图，那么此场效应管的类型是〔〕。
I 2 3 * VA.增强型PMOSB.增强型NMOSC.耗尽型PMOSD.耗尽型NMOS6.( )情况下，可以用H参数小信号模型分析放大电路。
A.正弦小信号B.低频大信号C.低频小信号D.高频小信号7.在三极管放大电路中，以下等式不正确的选项是( )。
A. I E=I B I CB. I C c I I BC. I CBO = (1 1- ) I CEOD.:-:-8.硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压U CE=0.3V,那么此时三极管工作于( )状态。
A.饱和B.截止C. 放大D.无法确定9.三极管当发射结和集电结都正偏时工作于( )状态。
A.放大B.截止C.饱和D.无法确定10.下面的电路符号代表( )管。
A. 耗尽型PMOSB.耗尽型NMOSC.增强型PMOSD.增强型NMOS11.关于三极管反向击穿电压的关系，以下正确的选项是( )。
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1 1三极管练习题
一、填空题：
1．晶体管工作在饱和区时发射结 偏；集电结 偏。
2．三极管按结构分为_ 和 两种类型，均具有两个PN 结，即______和______。
3.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U 1=6.5V ,U 2=7.2V ,U 3=15V ，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。
4．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。
5.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。
6．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。
二、选择题：
1.有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =0.7V ，V E =1V 则晶体管工作在（ ）状态。
A 、 放大
B 、截止
C 、饱和
D 、损坏
2、三级管工作在截止区，要求（ ）
A 、发射结正偏，集电结正偏
B 、发射结正偏，集电结反偏
C 、发射结反偏，集电结正偏
D 、发射结反偏，集电结反偏
3. NPN 型三极管三个极电位分别有V C =3.3V ，V E =3V ，V B =3.7V ，则该管工作在（ ）
A ．饱和区
B ．截止区
C ．放大区
D ．击穿区
4.下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（ ）
A V C =0.3V ，V E =0V ， V
B =0.7V B V
C =-4V ， V E =-7.4V ，V B =-6.7V
C V C =6V ， V E =0V ， V B =-3V
D V C =2V ， V
E =2V ， V B =2.7V
5.如果三极管工作在饱和区，两个PN 结状态（ ）
A ．均为正偏
B ．均为反偏
C ．发射结正偏，集电结反偏
D ．发射结反偏，集电结正偏
6. 有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =0.7V ，V E =1V 则晶体管工作在（ ）状态。
A 、 放大 B 、截止 C 、饱和 D 、损坏
7、工作在放大区的某三极管，如果当Ib
从12μA 增大到22μA 时，Ic
从1mA 变为2mA ，那么它的β约为
( ) 。
A. 83
B. 91
C. 100
8、工作于放大状态的PNP 管，各电极必须满足（ ）
A
．Ｕc > Ub > Ue B 。
Ｕc< Ub < Ue C 。
Ub >Ｕc > Ue D 。
Ｕc > Ue > Ub
三、判断题
1、
判断图示三极管的工作状态。
2V (c) (a) (b)
2 +7.5V -8V +7.1V +5V +3.2V (a) +3.5V -3V -2.3V (b) +6.9V +4V (c) +5V 0V (d)
2、如图示，试判断工作在饱和状态的管子（ ）。
3.工作在放大区的三极管，集电结正偏。
（ ）
4.晶体三极管的C 、E 可以交换使用。
（ ）
5．三极管是电压放大元件。
（ ）
6．处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成。
（ ）
7、三极管按结构分为硅型和锗型三极管。
（ ）
8、如图示，试判断工作在放大状态的管子（ ）。
四、识别题
用万用表测的放大电路中某个三极管两个电极的电流值如图.
（1）判断是PNP 还是NPN 管?
（2）求另一个电极的电流大小，在图上标出实际方向
（3）图上标出管子的E.B.C.极
（4）估算管子的ß值.
① ② ③
NPN>> 放大区Uc >Ub Ub>Ue 截止区Uc>Ub Ue>Ub 饱和区Uc<Ub Ub>Ue PNP>> 放大区Uc<Ub Ub<Ue 截止区Uc<Ub Ue<Ub 饱和区Uc>Ub Ub<Ue +7.5V -8V +7.1V +5V +3.2V (a) +3.5V -3V -2.3V (b) +6.9V +4V (c) +5V 0V
(d)。