电动汽车逆变器功率损耗计算

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单相逆变器损耗分析与计算

单相逆变器损耗分析与计算
收 稿 日期 : 2 0 1 3 — 0 9 — 2 6
损 耗模 型能 够获得逆 变器中各种损耗分布 的情 况 , 为系统
设计、 提高效率和功率密度 、 器件选型 、 散热片选择及进 一 步优化逆变器提供了研究方 向 】 。
以前 由于半 导体 器件技术的限制 , 损耗的分析 主要 针 对功率 器件本身 、 相互之间 的影  ̄ J [ 7 1 ( 如二极管与开关管换
a na ly ic f l f me t h od t he l o s s o f c o mp on e n t ha s a l wa y s be a n a l y z e d wi t h ou t c o ns i d e ing r t e mp e r a t ur e a n d t he pe r f o ma a n c e o f d iv r e —c i r c ui t .H o we ve r ,f or t he l a t e s t po we r e l e c t r o n i c s wi t c hi n g d e v i c e s t h e a pp r o x i ma t i v e a na ly s i s i s u nr e a s o n a b l e .Th us ,m o r e a c c u r a t e a n lyz a e r e s u l t s c a n be g a i ne d i f t h e s e f a c t o r s a r e i n v o l v e d.The c o mp o ne nt s a n d i nf l ue n c i ng f a c t o r s o f i nv e r t e r l o s s e s c a n be o b t a i n e d b y e x pe r i me n t a l r e s u l s t of n e w d e v i c e s .I n a d d i i t on ,t he o ut p u t i f l t e r i nd u c t o r l o s s e s a r e a l s o a na ly e d t ho r o u g h l y .Th i s p a p e r g i v e s t he d i r e c t i on t o t he a p p i f c a t i on o f ne w mo d ul e s . Ke y wo r d s : po we r e l e t r o n i c ; i n v e r t e r ;p o we r l o s s ;

混合动力汽车功率模块的功率损耗计算和热仿真要点

混合动力汽车功率模块的功率损耗计算和热仿真要点

混合动力汽车功率模块的功率损耗计算和热仿真通常,混合动力汽车同时具备内燃机引擎和电力马达驱动系统,并利用功率半导体模块来实现电力马达的速度调节。

通常功率半导体模块在车辆上的冷却方式主要为风冷和液态冷却。

不同汽车制造商设计的混合动力系统大相径庭,直接并无可比性。

除冷却系统之外,功率半导体模块封装甚至半导体技术本身都各不相同。

为了使这些系统更具可比性,本项研究采用了一个适用于不同冷却系统的、被称为HybridPACK的通用“基础功率模块”。

在配置中采用了一套基本输入参数集,例如行驶循环、电机类型、甚至半导体的电气特性等。

同时,为简化计算,忽略了不同驾驶策略的影响。

在电力电子系统中,功率半导体模块温度及温度波动对可靠性有较大的影响。

为此,基于功率半导体模块的功率损耗计算和热仿真模型。

开发了一个程序来计算整个行驶循环期间的温度。

通过计算出从功率半导体模块至冷却系统的温度分布,可以评估出模块各部分受到的热应力,诸如焊接点或键合点等。

通过将热应力转换为可靠性试验数据,可以预测出功率半导体模块的使用寿命。

从行驶循环到可靠性试验可靠性试验在使用寿命期内,模块要承受环境(气候)造成的被动温度波动,及因模块运行发热造成的主动温度循环。

温度循环和功率循环试验,可以模拟以上几种情况对模块寿命的影响。

温度循环:在温度循环试验中,在没有电气应力的情况下,改变功率半导体模块的环境温度,包括对(TST:热冲击试验)和(TC:热循环试验)。

这项实验主要用于评估焊接点的可靠性,及评估模块在贮存、运输或使用过程中对可能发生的温度突变的耐受性。

功率循环:功率循环(PC)试验可用于确定功率模块内部半导体芯片和内部连接点焊接,在通过周期性电流时,对热应力和机械应力的耐受性。

周期性施加电流会导致温度快速变化,会导致绑定线机械位置波动。

功率循环试验对高温条件下的工作寿命预期分析具有代表性[1]。

热应力造成的主要故障是IGBT模块的内部焊接疲劳和焊接线脱落。

一种逆变器损耗分析与计算的新方法

一种逆变器损耗分析与计算的新方法
当电感电流连续时,开关管开通即对应二极 管关断,其过程相互关联,因而应将它们放在一 起分析。图 2 为实测的开关管开通和二极管关断 的实验波形,理想化后的开关管开通和二极管关 断曲线如图 3 所示。假定开关过程中电感电流 iL 维持不变,开关管开通及二极管关断的过程可分 为 3 个阶段:
阶段 1:开关管开通后,开关管电流 iS 由零线
when the switch turns on
性增加,二极管电流 iD 由 iL 线性下降,经 tr 后, iS 上升到 iL,而 iD 下降到零。本阶段的持续时间为开 关管上升时间 tr,取决于开关管的特性,可由器件 手册查得其曲线。
阶段 2: 由于二极管需要一定恢复时间,二极 管电流 iD 反向增大,经 ta 后达到反向电流峰值 IRM。 开关管电流 iS 叠加上二极管反向恢复电流[12-14],将 继续增大直至 iL+IRM。本阶段的持续时间 ta,取决 于二极管势垒电容放电,可由器件手册查得反向峰
(11)
式中忽略了开关管开通上升时间对二极管关断损
耗的影响。
图 4 给出了采用参考文献公式(式(11))和本文 方法(式(9))仿真计算得到的二极管关断损耗曲线对 比。可见采用传统方法计算的结果偏小。二极管关
断损耗主体部分由二极管反向恢复引起的,因为开
关管开通上升时间 ta 相对反向恢复时间 trr 要小很 多;同时阶段 1 中二极管电压为正向压降 UF,相对 trr 时段中的 URM 要小很多。
器件,由此得到开关管开通损耗的表达式[1Biblioteka 5]为∑ PS′on=
1 T
NS i =1
1 2 Ud (i)iLon (i)tr (i)
(10)
式中忽略了二极管关断的反向恢复过程对开关管

逆变器的空载损耗

逆变器的空载损耗

逆变器的空载损耗
逆变器的空载损耗是指在逆变器无负载的情况下,仍然存在的一部分功耗。

空载损耗是逆变器的一个重要性能参数,也是衡量逆变器能源利用率的重要指标之一。

逆变器的空载损耗是由逆变器内部的电路元件产生的。

在逆变器没有输出负载时,逆变器内部的电路元件如变压器、电容、电阻等仍然处于工作状态,这些元件会产生一定的功耗。

空载损耗的大小与逆变器的设计、制造工艺、材料选择等因素有关,一般来说,逆变器的空载损耗越小,其能源利用率就越高。

为了降低逆变器的空载损耗,一些厂家采用了多种技术。

例如,在逆变器的电路设计中,采用高效的电路拓扑结构和优质的电子元件,以减小逆变器的内部损耗;在逆变器的制造工艺中,采用高精度的加工工艺和高质量的材料,以提高逆变器的能效;在逆变器的使用过程中,采用合理的控制策略和优化的系统配置,以最大程度地减小逆变器的空载损耗。

总之,逆变器的空载损耗是逆变器性能的一个重要指标,对于提高逆变器的能源利用率具有重要意义。

厂家应该在设计、制造和使用过程中,采用合理的技术手段来降低逆变器的空载损耗,以提高逆变器的性能和能效。

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sic和si基逆变器的损耗

sic和si基逆变器的损耗

sic和si基逆变器的损耗全文共四篇示例,供读者参考第一篇示例:sic和si基逆变器是现代电力转换系统中常用的元件,其损耗特性直接影响整个系统的性能和效率。

在逆变器中,损耗主要包括开关损耗、导通损耗和驱动损耗等多个方面。

本文将从这几个方面详细解析sic和si基逆变器的损耗特性。

开关损耗是逆变器中一个重要的损耗组成部分。

当逆变器的开关器件(如IGBT、MOSFET等)由于切换状态而导致功率元件的漏电流时,将会产生开关损耗。

在sic基逆变器中,由于其具有更高的开关频率以及更低的导通电阻等特性,其开关损耗一般会比si基逆变器低一些。

而si基逆变器的开关损耗主要取决于器件的导通损耗和开关速度等因素。

导通损耗也是逆变器中不可忽视的一部分。

导通损耗是指逆变器中功率器件在导通状态下的功耗。

在sic基逆变器中,由于其材料的半导体特性以及工艺优势,其导通损耗往往比si基逆变器低,特别是在高频率和高温度下性能表现更加出色。

而si基逆变器受限于硅材料的导通特性,导通损耗相对较高。

驱动损耗也是逆变器中一个重要的损耗来源。

在逆变器工作过程中,为了确保开关器件能够正常切换,需要进行驱动信号的产生和传输。

驱动损耗主要取决于驱动电路的设计和性能。

在sic基逆变器中,由于其具有更高的驱动速度和更低的传输损耗,其相对si基逆变器而言驱动损耗可能会更低一些。

sic和si基逆变器的损耗特性受到多个因素的影响,包括开关损耗、导通损耗和驱动损耗等。

在选择逆变器时,需要综合考虑这些因素,并根据具体的应用需求进行选择。

随着sic技术的不断发展和完善,相信在未来的电力转换系统中,sic基逆变器将会有更广泛的应用和更好的性能表现。

第二篇示例:sic和si基逆变器在电力电子领域中起着至关重要的作用。

逆变器是将直流电转换成交流电的设备,被广泛应用于电力系统、工业控制以及新能源领域。

而sic和si基逆变器则是逆变器的两种主要类型,它们在性能、效率和损耗方面有着不同的特点。

基于矢量控制的光伏逆变器IGBT损耗计算

基于矢量控制的光伏逆变器IGBT损耗计算
ELECTRIC DRIVE 2016 Vol.46 No.8
电气传动 2016 年 第 46 卷 第 8 期
基于矢量控制的光伏逆变器 IGBT 损耗计算
王博 (西安铁路职业技术学院,陕西 西安 710014)
摘要:为精确计算光伏逆变器的 IGBT 损耗,指导系统热设计,提出了一种 IGBT 损耗精确计算的实用方法。
Key words: space v Nhomakorabeactor pulse width modulation;insulated gate bipolar transistor;conduction loss;switching loss
近年来,随着大功率的光伏逆变器、机车牵 引变流器、UPS 及变频器等产业的发展,其功率 容量的不断提高,对 IGBT 的可靠应用提出了较 高的要求。研究表明,IGBT 的散热系统在整个 功率系统,乃至整机中起着至关重要的作用,而 IGBT 的损耗计算是散热系统设计的前提,因此
(Xi’an Railway Vocational & Technical Institute,Xi’an 710014,Shaanxi,China)
Abstract: A practical method of calculating IGBT loss was presented,to accurately calculate the PV inverter IGBT loss,and to guide the system thermal design.Based on the principle of SVPWM vector control and visualization of engineering calculation tool MathCAD,established the dynamic current function of PV inverter IGBT,and took the current function as the core,established an accurate model among IGBT loss,anti-parallel diode loss and the circuit current,voltage and other strongly correlated parameters,edited the function between conduction saturation voltage of IGBT and saturation current;the function among switching losses of IGBT and saturation current and operating voltage;the function between anti-parallel diode conduction voltage and current;the function between anti-parallel diode reverse recovery losses and current;And used the integration and linear interpolation function to calculate the losses of IGBT and anti-parallel diode. The loss was calculated using the method and the traditional empirical formula. The result of inverter IGBT temperature test is consistent with the calculated results,and there are some differences between empirical formula calculation and test result. The results show that the losses of IGBT and anti-parallel diode which calculated based on the actual switching operation,are equivalent to the real conditions,it can accurately reflect the IGBT losses.

电动汽车高压逆变器电路介绍

电动汽车高压逆变器电路介绍

电动汽车高压逆变器电路介绍
电动汽车的发展一直以来都备受关注,随着环保意识的逐渐增强,越
来越多的消费者选择购买电动汽车作为代步工具。

而电动汽车的关键部件之一就是高压逆变器电路,它扮演着转换电能和控制电机运行的重要角色。

高压逆变器电路是电动汽车动力系统中不可或缺的部分,它主要用于
将电池提供的直流电源转换为交流电源,以驱动电动汽车的电机运转。

高压逆变器电路不仅要能够高效地完成电能转换,还需要能够实现对电流、电压和频率等参数的精确控制,以确保电动汽车的稳定运行和高效能。

在电动汽车高压逆变器电路中,主要包括功率电子器件、控制电路以
及散热系统。

功率电子器件是实现电能转换的核心组件,通常包括功率MOSFET、继电器、电容器等。

这些器件需要能够高效地承受高压、高温和高频率的工作环境,以确保电能转换的高效率和稳定性。

控制电路则负责监测和调节功率电子器件的工作状态,以实现对电动汽车动力系统的控制。

散热系统则是为了保证功率器件在高温条件下能够正常工作,防止过热损坏。

为了提高电动汽车高压逆变器电路的性能,目前的研究方向主要集中
在以下几个方面:一是提高功率器件的工作效率和稳定性,包括降低开关损耗、提高电流承受能力等;二是优化控制算法,提高对电机运行状态的监测和控制精度;三是改进散热系统,提高散热效率,保证功率器件的正常工作。

让我们总结一下本文的重点,我们可以发现,电动汽车高压逆变器电
路的设计和研究是电动汽车技术发展的重要方向之一,只有不断提升其性能和稳定性,才能满足消费者对于电动汽车安全、环保、高效的需求。

希望未来能够有更多的研究者投入到这一领域,推动电动汽车技术的不断进步。

两种控制策略下电动汽车逆变器功率损耗的近似计算

两种控制策略下电动汽车逆变器功率损耗的近似计算

两种控制策略下电动汽车逆变器功率损耗的近似计算朱元;李根生;吴志红;田光宇【摘要】为了选择电动汽车永磁同步电机功率模块,设计散热装置,并提高其驱动系统的效率,提出了一种计算逆变器功率损耗的近似方法.针对驱动系统中常用的对空间矢量脉冲调制(SVPWM),根据绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的特性及参数,积分计算了SVPWM中不同扇区的功率损耗.比较了在d轴电枢电流为零时和最大转矩电流比的两种控制策略下的逆变器功率损耗.结果表明:两者相比之下,在最大转矩电流比控制策略下,逆变器的功率损耗较小,从而逆变器散热器温升也较低.【期刊名称】《汽车安全与节能学报》【年(卷),期】2013(004)001【总页数】6页(P87-92)【关键词】电动汽车;永磁同步电机;逆变器;近似计算;空间矢量脉冲调制(SVPWM);功率损耗;驱动系统效率【作者】朱元;李根生;吴志红;田光宇【作者单位】同济大学中德学院,上海200092;河南科技大学车辆与动力工程学院,洛阳471003;同济大学中德学院,上海200092;清华大学汽车安全与节能国家重点实验室,北京100084【正文语种】中文【中图分类】U469.72;TM341电动汽车对环境影响相对传统汽车较小,其前景被广泛看好。

由于电动汽车采用动力电池作为车载能源,其容量受到限制,所以提高驱动系统的效率对电动汽车来说至关重要。

电驱动系统中逆变器功率损耗不但会影响到系统的效率,且因功率损耗产生的热量也会影响散热系统的设计和体积。

对于在功率器件中广泛使用的绝缘栅双极型晶体管(isolatedgate bipolar transistor, IGBT),功率器件效率问题是学者研究的热点[1-5]。

研究逆变器中的功率损耗的计算方法通常分为两大类:基于物理结构的功率损耗模型和基于数学方法的功率损耗模型。

其中基于物理结构的功率损耗模型需要深入了解IGBT的内部构造和每个阶段的工作过程,很难进行实际应用;基于数学方法的功率损耗模型以实验为基础,得出功率损耗与电流、电压和IGBT自身参数等之间的关系,计算速度快且通用性好[6],因此更具有实用价值。

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电动汽车逆变器功率损耗计算
【摘要】针对目前电动汽车电机驱动系统中广泛使用的逆变器,提出一种在不同功率因数角范围内的逆变器中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和续流二级管的导通功率损耗的计算方法。

该文是对论文[1]中提出的计算公式的补充,能更精确的计算IGBT以及续流二极管上功率的损失。

该方法是基于目前电机控制中普遍运用的空间电压矢量调制(SVPWM)7段式的方法计算得出的,最终推导出了在不同的功率因数角范围内逆变器中IGBT和续流二级管上的导通功率损耗的计算表达式。

本文给出的计算表达式可以为设计合适的散热装置提供一定的数学理论基础。

【关键词】逆变器;IGBT;续流二级管;空间电压矢量调制;功率因数角
1.前言
在逆变器中,其功率损耗主要出现在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和续流二级管上。

IGBT具有驱动功率低,工作频率高,通态电流大和通态电阻小等优点,已成为当前电力电子装置中的主导器件,因此也成为学者研究的热点。

当前,对IGBT/DIODE功率损耗研究的方法主要分为基于物理结构的损耗模型和基于数学方法的损耗模型。

通过物理结构计算IGBT功率损耗时,需要通过分析IGBT/DIODE的物理结构和内部载流子的工作情况,采用电容,电阻,电感,电流源,电压源等一些相对简单的元件模拟出IGBT/DIODE的特性。

这种损耗模型的准确程度取决于器件物理模型的准确程度,因此实现起来非常困难。

相反,通过数学模型的IGBT/DIODE功率损耗模型则是利用相关实验数据,推导出电流,电压与IGBT自身参数之间的数学关系,该方法易于实现且通用较强。

在已有的论文中,也有类似的功率损耗计算,但表达式不够精准,且没有在常见的功率因数角范围内分段推导得出。

本文推导了SVPWM 7段调制情况下,在不同的功率因数角范围内,逆变器中IGBT和续流二级管的导通功率损耗公式。

2.逆变器的功率损耗模型
逆变器的功率损耗主要集中在IGBT和续流二极管上。

而这二者的大小主要取决IGBT的开关次数和导通电流的大小,逆变器与永磁同步电机的拓扑结构如图1所示:
图1 逆变器与永磁同步电机拓扑结构
在如图1的结构中,每个周期内6个IGBT开关按照SVPWM 7段式调制顺序依次开关,在一个PWM周期内,每个IGBT和每个续流二级管导通时间相等,因此在一个PWM周期内,每个IGBT/DIODE的导通功率是相等的,在计算中仅需计算一个IGBT/DIODE导通功率,总功率损耗等于6个IGBT的导通功率损耗加上6个续流二极管的导通功率损耗。

2.1 IGBT的导通功率损耗
计算IGBT的导通损耗的时候,通常设导通电压是电流的函数,根据IGBT 的基本知识可得到下面的等式:
(1)
式中为IGBT的恒定管压降,为IGBT导通时的等效电阻。

以图1中的开关S1为例,在IGBT的导通的一个周期内,仅有半个周期有电流流过IGBT,在另半个周期内无电流流过,因此,可以得到IGBT的功耗如下式:
(2)
式中T为PWM的周期,则为PWM的占空比,N为半个周期内IGBT的开关次数。

当IGBT的开关频率足够高的时候,可以认为一个周期内流经IGBT电流是不变的,因此,式(2)可以写成如下形式:
(3)
由上式可以看出,IGBT的导通损耗分为两部分,一部分是由导通压降产生的,而另一部分是由IGBT导通时,等效电阻产生的。

当开关频率足够高时,式(3)可以转化为以下形式:
(4)
(5)
在式(4),(5)中,为相电流的周期,为相电流,可以用下式表示:
(6)
根据空间矢量调制(SVPWM)的基本原理,若以直流环节的中点作为参考点,可以求出PWM的占空比如下式所示:
(7)
该式中,为A相电压的绝对值,对于SVPWM7段式调制方法,由于有效电压矢量在各段的作用时间不相同,所以占空比在各段也不相同,共分为以下6段进行计算:
(8)
式中,为电流的角度,由于电流与电压之间存在一定的相位差,所以表征的才是此时电压矢量的空间角度。

式中为功率因数角。

功率因数角表征的是定子电
流与定子电压之间的相位差,在电机控制中是一个很重要的参数。

永磁同步电机空间向量图如图2所示:
图2 永磁同步电机空间向量图
从图中可以看出,电子电流向量与q轴之间的夹角为,定子电压与向量与q 轴之间的夹角为,定子电流与定子电压之间的夹角为功率因数角。

由空间向量图2可知,定子电流向量与q轴之间的夹角为定子电压向量
与q轴之间的夹角。

则其功率因数角
由电流电压可表示为:
(9)
在永磁同步电机控制中,的常见范围是,而对于电流来讲,仅当电流在PWM 的正
半周期,即电角度时,有电流从S1端
的IGBT 和S2端的DIODE流过,现基于此,对不同功率因数角范围内流经A+端的IGBT和A-端的DIODE的功率损耗进行计算。

当功率因数角,利用(4),(8)式,将t转化成后,在分段积分可得
下式:
(10)
同理IGBT导通时的等效电阻造成的平均功率损耗表达式可利用式(5),(8)得:
(11)
同理可以推导出当功率因数角
时,导通压降和等效电阻产生的平均功率损耗表达式。

这里就不再一一赘述。

由上面计算得出的式子可以得出,在功率因素角的时候,IGBT的导通压降产生的功率
损耗表达式在不同的功率因数角范围内是不相同的。

相反,IGBT导通时等效电阻产生的功率损耗表达式是相同的。

2.2 续流二级管的导通功率损耗
同样的,当续流二级管导通的时候,其前向导通电压与导通压降和输出电流之间的关系也是线性的,其表达式如下式:
(12)
式中,是流经续流二级管电流的函数。

由逆变器基本电路理论以及SVPWM 7段调制的基本原理可知,当电压在SVPWM 7段调制的一个调制区间内时,电流若不从S1的IGBT流过,则必将从S2的续流二级管中流过,因此,在一个PWM周期中,电流作用在续流二级管上的有效时间为为PWM的周期。

根据之前列出的计算公式,只需将式前面所有积分式中的占空比即可求出相应功率因数角范围内续流二级管上的功率损耗,结果如下:
当功率因数角时:
(13)
(14)
同理可以推导出当功率因数角
时,续流二级管的平均功率损耗。

通过计算出来的式子可以看到,在范围的时候,续流二级管导通压降产生
的功耗表达式在不同的功率因数角范围内是不相同的,相反,续流二级管导通时等效电阻产生的功耗表达式是相同的。

3.结论与展望
逆变器在当今的车用永磁同步电机中运用相当普遍,而对逆变器功耗的研究也成为当今的热门研究课题。

但在之前的各论文研究中,均没有给出在不同功率因数角范围内,IGBT和续流二级管上导通功率损耗的准确表达式,本文经过大量计算,给出了在SVPWM 7段式调制方式下,在不同功率因素角范围内,IGBT 与续流二极管上导通功率损耗的准确的分段表达式,为日后的研究提供了有力的数学基础。

在今后的研究中,只需带入实际的IGBT/DIODE和电机参数(即IGBT 的导通压降和导通等效电阻,续流二极管的导通压降和导通等效电阻,逆变器相电流幅值和电压调制比M)就可很简便的求出在不同功率因数角范围内IGBT以及续流二极管上的导通总功耗。

再查表得出IGBT的开关功耗,即可求出电动汽车逆变器上的总功率损耗。

参考文献
[1]朱元,李根生,吴志红,田光宇.两种控制策略下电动汽车逆变器功率损耗的近似计算[J].汽车安全与节能学报,2013,4(1):87-92.
[2]熊妍,沈燕群,江剑,何湘宁.IGBT损耗计算和损耗模型研究[J].电源技术应用,2006,9(5):55-60.
[3]杜毅,廖美英.逆变器中IGBT模块的损耗计算及其散热系统设计[J].电气传动自动化,2011,33(1):42-46.
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[5]Hefner A R.An Investigation of the Drive Circuit Requirements for the Power Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT)[A].Proceedings PESC Record-IEEE Power Electronics Special Conference[C].1900,126-137.
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[7]吴红奎(编著).IGBT基础与应用实务[M].北京:科学出版社,.2010.09
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