模拟电子技术基础_知识点总结
模电100个知识点总结
模电100个知识点总结1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为压降约为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻3。
ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时，PN特性。
7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7 伏；其门坎电压Vth约为 0.5 伏。
8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
N型半导体的多子为自由电子、本征半空穴（P）半导体和电子，它的两个主要参数是反映正向特、在常温下，硅二极管的开启电压约为 0.5 V压降约为 0.7 V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。
15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、极管的β增加，则IBQ 增大，ICQ增大，UCEQ减小。
19饱和，放大。
集成运算放大器是一种采用20Va = 1.2V， Vb= 0.5V, Vc= 3.6V, 试问该三极管是硅管管（材料）， NPN 型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的 C 。
21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 80 dB，总的电压放大倍数为 10000 。
22、三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正偏、集电结反偏。
某放大电路中的三极管，测得管脚电压Va = -1V，Vb=-3.2V, Vc=-3.9V, 这是硅管（硅、锗）， NPN 型，集电极管脚是a 。
模拟电路基础知识点总结
模拟电路基础知识点总结模拟电路是电子技术中的重要基础知识点，它在现代电子设备中起着至关重要的作用。
通过模拟电路的设计和分析，我们可以实现信号的放大、滤波、混频等功能，从而实现电子设备的正常工作。
一、模拟电路的基本概念1. 电路：由电子元器件和导线等连接而成的电子系统。
2. 模拟电路：处理模拟信号的电路，模拟信号是连续变化的信号。
3. 数字电路：处理数字信号的电路，数字信号是离散变化的信号。
4. 信号：表示信息的物理量，常见的信号有声音、图像、电压等。
5. 信号源：产生信号的电子元器件，比如函数发生器、麦克风等。
二、模拟电路的基本组成1. 电源：提供电路所需的电能。
2. 元件：电子电路中的基本构成单元，包括电阻、电容、电感等。
3. 连接线：将元器件连接起来，传递电能和信号。
4. 放大器：放大电路中的信号，提高信号的幅度。
5. 滤波器：去除电路中的杂散信号，保留所需信号。
6. 比较器：比较两个信号的大小，判断其关系。
7. 混频器：将两个不同频率的信号混合在一起。
三、模拟电路的基本原理1. 电流：电子在导体中的流动，是电荷的移动。
2. 电压：电荷在电场中的势能差，表示电子的能量。
3. 电阻：阻碍电流通过的元件，使电能转化为其他形式的能量。
4. 电容：存储电荷的元件，具有存储和释放能量的特性。
5. 电感：存储磁场能量的元件，具有阻碍电流变化的特性。
四、常见的模拟电路应用1. 放大器：将微弱信号放大到合适的幅度，如音频放大器。
2. 滤波器：去除电路中的噪声和杂散信号，如音频滤波器。
3. 混频器：将两个不同频率的信号混合在一起，如无线电调频。
4. 示波器：观测电路中的信号波形，如示波器。
5. 电源：提供电路所需的直流或交流电源，如电池、电源适配器。
总结：模拟电路是电子技术中的基础知识点，通过对电路的设计和分析，我们可以实现各种功能，如信号放大、滤波、混频等。
了解模拟电路的基本概念、组成和原理，以及常见的应用，对于理解和应用电子技术都是至关重要的。
陕西省考研电子信息科学与技术复习资料模拟电子技术重点知识点梳理
陕西省考研电子信息科学与技术复习资料模拟电子技术重点知识点梳理一、电路基础知识1. 电路的基本概念电路是由电子元件、导线和电源等组成的，用于流动电子在闭合回路中传输能量或信号的系统。
2. 电流、电压和电阻- 电流：单位时间内通过某一点的电荷量，用安培（A）表示。
- 电压：单位电荷所具有的能量，用伏特（V）表示。
- 电阻：导体对电流的阻碍程度，用欧姆（Ω）表示。
3. 欧姆定律- 欧姆定律表明电压和电流、电阻之间的关系：U = IR，其中U表示电压，I表示电流，R表示电阻。
4. 串联电路与并联电路- 串联电路：所有电子元件依次连接，电流相同，电压分别叠加。
- 并联电路：所有电子元件同时连接，电流分别叠加，电压相同。
二、模拟电子技术知识1. 滤波电路滤波电路用于处理电信号，可以分为低通、高通、带通和带阻滤波电路。
常见的滤波电路有RC滤波电路和LC滤波电路。
2. 放大电路放大电路用于放大电信号的幅度，常见的放大电路有放大器和运算放大器。
其中，运放是一种基本的电路元件，具有高增益和低失真的特点。
3. 模拟与数字转换模拟与数字转换是将连续的模拟信号转换为离散的数字信号的过程。
常见的模拟与数字转换器有ADC和DAC。
4. 振荡器电路振荡器电路用于产生稳定的信号，常见的振荡器电路有RC振荡器、LC振荡器和晶体振荡器。
5. 高频电子技术高频电子技术应用于无线通信、雷达、卫星通信等领域。
其中包括了射频电路设计、混频器、解调器等相关知识。
6. 反馈电路反馈电路是将一部分输出信号再输入到输入端的电路，用于控制电路的转移函数和稳定性。
7. 功率放大器功率放大器用于将电信号的功率提高到较大的数值，常见的功率放大器有A类、B类、C类、AB类和D类等。
8. 激励电路激励电路用于对其他电子元件提供相应的激励信号，以实现特定的功能。
三、电子技术实践1. 电路实验电路实验是理论学习的重要一环，通过实验可以帮助学生更好地理解和掌握电路基础知识。
模拟电子技术重要知识点整理
模拟电⼦技术重要知识点整理模拟电⼦技术重要知识点整理第⼀章绪论1．掌握放⼤电路的主要性能指标都包括哪些。
2．根据增益，放⼤电路有哪些分类。
并且会根据输出输⼊关系判断是哪类放⼤电路，会求增益。
第⼆章运算放⼤器1．集成运放适⽤于放⼤何种信号?2．会判断理想集成运放两个输⼊端的虚短、虚断关系。
如：在运算电路中，集成运放的反相输⼊端是否均为虚地。
3．运放组成的运算电路⼀般均引⼊负反馈。
4．当集成运放⼯作在⾮线性区时，输出电压不是⾼电平，就是低电平。
5．在运算电路中，集成运放的反相输⼊端不是均为虚地。
6．理解同相放⼤电路、反相放⼤电路、求和放⼤电路等，会根据⼀个输出输⼊关系表达式判断何种电路能够实现这⼀功能。
7．会根据虚短、虚断分析含有理想运放的放⼤电路。
第三章⼆极管及其基本电路1．按导电性能的优劣可将物质分为导体、半导体、绝缘体三类，导电性能良好的⼀类物质称为导体，⼏乎不导电的物质称为绝缘体，导电性能介于中间的称为半导体。
2．在纯净的单晶硅或单晶锗中，掺⼊微量的五价或三价元素所得的掺杂半导体是什么，其多数载流⼦和少数载流⼦是是什么，⼜称为什么半导体。
3．半导体⼆极管由⼀个PN结做成，管⼼两侧各接上电极引线，并以管壳封装加固⽽成。
4．半导体⼆极管可分为哪两种类型，其适⽤范围是什么。
5．⼆极管最主要的特性是什么。
6．PN结加电压时，空间电荷区的变化情况。
7．杂质半导体中少数载流⼦浓度只与温度有关。
8．掺杂半导体中多数载流⼦主要来源于掺杂。
9．结构完整完全纯净的半导体晶体称为本征半导体。
10．当掺⼊三价元素的密度⼤于五价元素的密度时，可将N型转型为P型；当掺⼊五价元素的密度⼤于三价元素的密度时，可将P型转型为N型。
11．温度升⾼后，⼆极管的反向电流将增⼤。
12．在常温下，硅⼆极管的开启电压约为0．3V，锗⼆极管的开启电压约为0．1V。
13．硅⼆极管的正向压降和锗管的正向压降分别是多少。
14．PN结的电容效应是哪两种电容的综合反映。
模电笔记知识点总结
模电笔记知识点总结一、模拟信号处理1. 模拟信号与数字信号模拟信号是指信号的数值是连续变化的，可以用连续的数学函数表示。
数字信号是指信号的数值是离散的，需要经过模数转换才能表示成数值输出。
模拟信号处理的目的是将模拟信号转换为数字信号，或者将数字信号转换为模拟信号。
2. 采样与保持采样是指将连续的模拟信号按照一定的时间间隔进行取样，得到一系列的离散数值。
保持是指在采样之后，保持所获得的信号值，直到下一次采样。
3. 模拟信号重构模拟信号重构是指将数字信号重新转换为模拟信号。
通常通过数字到模拟转换器（DAC）来实现。
4. 模拟信号滤波模拟信号滤波是指对模拟信号进行频率特性的调整，滤除不需要的频率成分，以及放大需要的频率成分。
常见的滤波器包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器。
5. 模拟信号调制模拟信号调制是指将模拟信号转换为相应的调制信号，以便在传输和处理中更容易应用。
常见的模拟信号调制方式包括调幅调制（AM）、调频调制（FM）和调相调制（PM）。
二、放大器设计1. 放大器的基本原理放大器是一种电路，它可以放大输入信号的幅度，并输出相应的放大信号。
放大器的核心原理是利用晶体管或运算放大器等电子器件的非线性特性，实现信号的增益。
放大器的设计目标通常包括增益、带宽、输入/输出阻抗、噪声等方面的考虑。
2. 放大器的分类放大器可以根据其工作方式、频率响应等特性进行分类。
比较常见的放大器包括运算放大器、差分放大器、共模抑制放大器、功率放大器等。
3. 放大器的频率特性放大器的频率特性是指放大器对不同频率信号的响应。
常见的频率特性包括通频带、截止频率、增益带宽积等。
4. 放大器的非线性失真非线性失真是指放大器输出信号与输入信号之间存在非线性关系，导致输出信号不完全等于输入信号。
常见的非线性失真包括谐波失真、交调失真等。
5. 放大器的稳定性放大器的稳定性是指当放大器输出端负载发生变化时，放大器是否能够保持稳定的工作状态。
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。
2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。
3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。
三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。
2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。
3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。
4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。
四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。
2.开关---控制大电流的通断。
3.振荡器---产生高频信号。
4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。
模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。
2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。
5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。
6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。
7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。
8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。
二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。
1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。
2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。
3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。
三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。
模拟电路基础知识点总结
模拟电路基础知识点总结一、电路基本概念1. 电路电路是由电子元件（如电源、电阻、电容、电感等）连接在一起形成的电子装置。
通过这些元件可以实现电能的输送、控制和转换，从而完成各种电子设备和系统的功能。
2. 电流、电压和电阻电流是电子在导体中流动的载体，是电荷的移动速度，通常用符号I表示，单位是安培(A)。
电压是电源推动电荷流动的力量，通常用符号U表示，单位是伏特(V)。
电阻是导体对电流的阻碍，通常用符号R表示，单位是欧姆(Ω)。
3. 串联电路、并联电路和混联电路串联电路是将电子元件连接在同一电路中，依次排列，电流只有一条通路可走。
并联电路是将电子元件连接在同一电路中，相互平行排列，电流可有多条通路走。
混联电路是将电子元件混合连接在同一电路中，既有串联又有并联的特点。
二、基本电路元件1. 电源电源为电路提供驱动力，可以是直流电源或交流电源，根据需要分别选择。
2. 电阻电阻是电路中常用的元件，可以用来控制电流大小，限制电流大小，分压和分流等。
3. 电容电容是储存电荷的元件，可以用来实现一些信号处理和滤波的功能，在交流电路中有重要作用。
4. 电感电感是导体绕制的线圈，可以将电能转换为磁能，反之亦然，对交流信号传输有重要作用。
5. 二极管二极管是一种电子元件，可以将电流限制在一个方向上流动，常用于整流、开关和光电转换等应用。
6. 晶体管晶体管是一种半导体元件，可以放大电流信号，控制电流开关等，是集成电路中最基本的元件之一。
三、基本电路分析1. 基尔霍夫定律基尔霍夫定律是用来分析串联电路和并联电路中电压和电流的分布情况的定律，包括基尔霍夫电流定律和基尔霍夫电压定律。
2. 电压分压和电流分流电压分压和电流分流是串联电路和并联电路中常见的分析方法，可以通过这些方法来实现电路中电压和电流的控制。
3. 戴维南定理和戴维南等效电路戴维南定理是用来分析电路中电阻和电压之间的关系，戴维南等效电路是用来替代一些复杂电路，简化分析过程的方法。
模拟电子技术基础-总复习最终版
其中 RP R1 // R2 // R3 // R4
另外，uN
R R Rf
uo，uN
uP
ui1 R1 ui2i1 R2 ui3i2R3
P+ + u
o
R4 i4
uo
RP 1
Rf R
ui1 R1
ui 2 R2
ui3 R3
i3
4、 电路如图所示，各引入那种组态的负反馈？设集成运放 输出电压的最大幅值为±14V，填表。
11
14
5、求解图示电路的运算关系式。
同相求和电路 电压串联负反馈
6、求解图示电路的运算关系式。
R2
R1 ui R3
_
R4
+A1+ uo1
R5
_ +A2+
uo
7、求解图示电路的运算关系式。
电压并联负反馈。 电压放大倍数为：-R2/R1。
（3）交流负反馈是指 。 A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大交流信号时才有的负反馈 C．在交流通路中存在的负反馈
解：（1）D （2）B （3）C
4、选择合适答案填入空内。
A．电压 B．电流 C．串联 D．并联
（1）为了稳定放大电路的输出电压，应引入 负反馈；
（2）为了稳定放大电路的输出电流，应引入 负反馈；
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 各电路的交流通路如解图P2.2所示。
5.在图示电路中，已知晶体管β，rbe，RB，RC=RL，VCC。
（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
（2）当考虑信号源内阻为RS时，Aus的数值。
6. 电路如图所示，晶体管的＝100，=100Ω。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
第一章半导体二极管1.本征半导体❑单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。
❑导电能力介于导体和绝缘体之间。
❑特性：光敏、热敏和掺杂特性。
❑本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。
在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。
◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。
◆在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。
当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。
2．杂质半导体❑在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
◆P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。
◆N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。
❑杂质半导体的特性◆载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。
◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
3.PN结❑在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。
❑PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。
❑PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。
◆正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。
◆反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。
◆PN结的伏安（曲线）方程：4.半导体二极管❑普通的二极管内芯片就是一个PN结，P区引出正电极，N区引出负电极。
◆单向导电性：正向导通，反向截止。
◆正向导通压降：硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
◆死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。
❑分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:◆若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);◆若V阳<V阴(反偏)，二极管截止(开路)。
❑方法1：图解分析法◆该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
❑方法2：等效电路法◆直流等效电路法（低频大信号模型）◆微变等效电路法（低频小信号模型）交流动态电阻：5.稳压二极管❑二极管反偏电压增大到一定值时，反向电流突然增大的现象称为反向击穿。
❑反向击穿的主要原因是有价电子碰撞电离而发生的“雪崩击穿”。
❑稳压二极管的特性：常工作时处在PN结的反向击穿区。
❑稳压管的参数：稳定电压、稳定电流、额定功耗、动态电阻、温度系数。
❑稳压管的应用：限幅电路，稳压电路。
第二章晶体三极管及基本放大电路4.1晶体三极管1.三极管的结构、类型及特点❑类型：分为NPN和PNP两种。
❑形成两个结：发射结和集电结；三个区域：发射区、集电区和基区。
❑结构特点：◆基区很薄，且掺杂浓度最低；◆发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；◆集电区结面积大，掺杂浓度较高。
2.三极管的工作原理❑电流控制性器件，具有电流放大作用❑电流放大的外部条件：◆发射结正向偏置，集电结反向偏置。
❑所谓的放大：实质上是一种能量控制作用，通过晶体管这种有源元件对直流电源的能量进行控制，使负载从电源中获得的输出信号的能量比信号源向放大电路提供的能量大的多。
放大的特征是功率放大。
3.晶体管的三个工作区❑放大区，饱和区，截止区◆判断晶体管处于哪一个工作区的方法。
◆放大区的电流分配关系。
❑温度对晶体管特性及参数的影响：◆温度升高，输入特性曲线向左移动。
◆温度升高I CBO、I CEO、I C以及β均增加。
❑晶体管的主要参数◆电流放大倍数：交流和直流◆极限参数：最大集电极耗散功率、最大集电极电流、极间反向击穿电压4.2 放大电路的组成原则❑晶体管放大电路的原则◆确保合适的工作点（处于放大区）；◆确保被放大的交流输入信号能够作用于晶体管的输入回路；◆确保放大后的交流输出信号能传送到负载上去。
❑理解静态工作点的必要性！❑三极管的三种基本组态4.3 放大电路的基本分析方法❑共射极电路的分析方法◆理解个元件的作用；◆直流通路与静态分析：★直流通路：电容视为开路；★图解法与解析法，，◆电路参数对静态工作点的影响；★直流负载线：由V CC=I C R C+U CE确定的直线。
★改变R b：Q点将沿直流负载线上下移动。
★改变R c：Q点在I BQ所在的那条输出特性曲线上移动。
★改变V CC：直流负载线平移，Q点发生移动。
◆静态工作点与非线性失真★截止失真产生原因---Q点设置过低消除方法---减小R b，提高Q。
★饱和失真产生原因---Q点设置过高消除方法---增大R b、减小R c、增大V CC。
★放大器的动态范围：失真输出电压的峰峰值U opp。
当（U CEQ－U CES）＞（V CC－U CEQ）时，受截止失真限制，U OPP=2U OMAX=2I CQ R L’。
当（U CEQ－U CES）＜（V CC－U CEQ）时，受饱和失真限制，U OPP=2U OMAX=2（U CEQ－U CES）。
当（U CEQ－U CES）＝（V CC－U CEQ），放大器将有最大的不失真输出电压。
◆交流通路和动态分析：（分析信号被放大的过程）★交流通路：电容视为短路,理想直流电压源视为短路。
★图解法★微变等效电路法放大倍数输入电阻输出电阻❑分压式稳定工作点共射电路◆静态分析：◆动态分析无旁路电容：在R e两端并一电解电容C e后：；❑共集电极基本放大电路◆静态分析◆动态分析◆电路特点电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。
输入电阻高，输出电阻低。
应用：多级放大器的输入级、输出级、或作为两个共射极电路的中间级。
❑三种组态放大电路比较第六章负反馈技术放大器的输出电压（或电流）经反馈网络在放大器输入端产生反馈信号，该反馈信号与放大器原来输入信号共同控制放大器的输入，即构成反馈放大器。
一、单环负反馈理想模型1．基本定义：❑开环放大倍数－－－A❑闭环放大倍数－－－A f❑反馈系数－－－F❑反馈深度－－－1+AF◆1．当AF＞0时，A f下降，这种反馈称为负反馈。
◆2．当AF＝0时，表明反馈效果为零。
◆3．当AF＜0时，A f升高，这种反馈称为正反馈。
◆4．当AF＝-1时，A f →∞ 。
放大器处于“ 自激振荡”状态。
2．深度负反馈❑当AF＞＞1时称深负反馈❑深负反馈的特征是：反馈信号X f接近原输入信号X i，使净输入X id很小；此时，闭环增益A f只由反馈网络决定。
二．反馈的形式和判断1. 反馈的范围----本级或级间。
2. 反馈的性质----交流、直流或交直流。
直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈则为交、直流反馈。
3.反馈的取样----电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。
（输出短路时反馈消失）电流反馈：反馈量取样于输出电流。
具有稳定输出电流的作用。
（输出短路时反馈不消失）4.反馈的方式-----并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电流形式相叠加。
R s越大反馈效果越好。
反馈信号反馈到输入端）串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。
R s越小反馈效果越好。
反馈信号反馈到非输入端）5.反馈极性-----瞬时极性法：（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号的频率在中频段。
（2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升高用+ 表示，降低用－表示）。
（3）确定反馈信号的极性。
（4）根据X i与X f的极性，确定净输入信号的大小。
X id 减小为负反馈；X id增大为正反馈。
6．反馈类型及用双口网路表示的理想模型·由于基本放大器与反馈网络在输出口的接法不同，取样信号可能是输出电压或输出电流；由于基本放大器与反馈网络在输入口的接法不同，求和信号也可能为电压或电流。
因此有四种不同的反馈类型，表7-1给出了这四种类型的总结。
表7-1 四种反馈类型各物理量的含义物理量类型X、X f、X id X o A A f Fi电压取样电压求和反馈电压电压电压比电压比电压比（电压串联反馈）电压取样电流求和反馈电流电压互阻互阻互导（电压并联反馈）电流取样电压求和反馈电压电流互导互导互阻（电流串联反馈）电流取样电流求和反馈电流电流电流比电流比电流比（电流并联反馈）*表中的互阻又称为传输阻抗，互导又称为传输导纳。
反馈网络可以看成是一个受控源。
实现各类反馈的规律是：A、F两网络与负载在输出口并联实现电压取样；串联则实现电流取样。
A、F两网络与源电流is在输入口并联形成电流求和；A、F两网络与源电压Vs在输入口串联形成电压求和。
三、负反馈对放大器性能的影响1．负反馈环具有自动调节功能任何因素使输出端取样信号X o发生变化，负反馈可以减小这种变化，使X o稳定。
利用负反馈的稳定X o的功能可以解释为什么负反馈能使A f稳定，展宽通频带和减小非线性失真。
2．可以提高闭环增益的稳定性。
3．可以扩展闭环增益的通频带4．可以减小非线性失真及抑制环内干扰和噪声。
5．直流负反馈可以稳定放大器工作点。
6．改变输出电阻与取样方式有关。
电压取样负反馈使输出电阻减小；电流取样负反馈使输出电阻增大。
7．改变输入电阻与求和方式有关。
电流求和负反馈使输入电阻减小；电压求和负反馈使输入电阻增大。
四、深负反馈条件下电压增益的估算两种出发点:基于反馈网络的放大;基于理想运放的方法.第七章集成运放及其应用❑放大电路模型❑集成运放的电压传输特性⏹当u I在+U im与-U im之间，运放工作在线性区域：❑理想集成运放的参数⏹开环电压放大倍数Aod→∞；⏹差模输入电阻Rid→∞；⏹输出电阻Ro→0；⏹共模抑制比KCMR→∞；❑理想集成运放的分析方法⏹运放工作在线性区:★电路特征——引入负反馈★电路特点——“虚短”和“虚断”:⏹运放工作在非线性区★电路特征——开环或引入正反馈★电路特点——输出电压的两种饱和状态:当u+>u-时，u o=+U om ，当u+<u-时，u o=-U om ❑基本运算电路⏹反相比例运算电路R2 =R1//R f⏹同相比例运算电路R2=R1//R f⏹反相求和运算电路R4=R1//R2//R3//R f⏹同相求和运算电路R1//R2//R3//R4=R f//R5⏹加减运算电路R1//R2//R f=R3//R4//R5⏹积分运算⏹微分运算。