Flash快闪记忆体分类介绍
快闪记忆体Flashmemory结构
MSP430 系列混合信號微控器的主要特徵(續)
3.具有現代16 位元RISC 核心處理器
擁有較大的暫存器空間。 核心簡潔的設計來減少功率消耗及降低成本。 具有現代化高效能程式設計編譯的能力。 強大的中斷向量能力。 效能可高達每秒16MIPS (Million Instructions Per Second)。
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2-2 MSP430F44x 硬體架構
MSP430 系列混合信號微控器的主要特徵(續)
5.具有彈性的時脈模組 以電池為電源的應用 低頻輔助時脈(low-frequency auxiliary clock, ACLK)由32kHz 石 英振盪晶體產生，提供自我喚醒功能為背景的即時時鐘(realtime clock, RTC)使用。 高速的數位控制振盪器(digital control oscillator, DCO) 產生主時 脈(master clock, MCLK)，供給CPU 及高速的周邊模組使用。
MSP430 系列混合信號微控器的主要特徵(續)
6. 定址空間 MSP430 採用馮紐曼架構，其定址空間分配給特殊功能暫存器 (special function register, SFR)、硬體周邊(memory mapping I/O) 、隨機存取記憶體(RAM)及Flash/ROM。 MSP430 記憶體儲存資料的格式分bit、byte 及word 三種.記憶 體是以位元組為單位(byte addressable)，所以word 格式的資料 必須符合little endian 方式儲存在記憶體位置
微處理機系統
第二章 MSP430系列微控器軟硬體結構
2-1 2-2 2-3 2-4 2-5 2-6
MSP430 系列混合訊號微控器簡介
flash
（一 ） 闪速存储器F 高、随机读 取速度快的 优势
NAND技术
具有快编程 和快擦除的 功能，芯片 尺寸小，引 脚少
AND技术
AND技术与 NAND一样 采用“大多 数完好的存 储器”概念
由EEPROM 派生的闪 速存储器 具有很高的灵 活性，可以单 字节读写但存 储密度小，单 位成本高
（三 ）
从使用的角度看，半导体存储器可以分为两大类:断电后数据 会丢失的易失性存储器和断电后不会丢失的非易失性存储器。 可以随机读写信息的易失性存储器称 为RAM(Random Access Memory)， 根据工作原理和条件不同，又有 静态读写存储器SRAM和动态读 写存储器DRAM;而非易失性存 储器都是只读ROM (Read Only Memory) 。
（二 ）
图2.1 闪烁存储器Am29LV400B逻辑框图
（二 ） FLASH芯片Am29LV400B介绍
A0一A17:18位地址线，输入，寻址范围为256K字 DQO一DQ14 : 15位，双向输入/输出数据线。 DQ15 /A一1 : DQ15字模式下为双向数据线) A一1(字节模式下为最低地址线) CE#:片选信号，输入，低电平有效。 OE#:输出使能信号，输入，低电平有效。 WE#:写有效信号，输入，低电平有效。 RESET#:复位信号，输入，低电平有效。当此引脚为低电平时， 无论芯片处于何种状态，都将返回读状态。这样，当系统上电 时，处理器可以从闪烁存储器存读取程序和初始化数据。 RY/BY#:准备好/忙信号，输出，高电平为准备好信号，低电平 为忙信号。编程或擦除时可以通过检测此引脚的状态判断操作 是否完成。
（一 ） 现代存储技术的发展
1、磁带存储介质，最古老的存储方式之一。 2、硬盘存储介质，访问速度比软盘和光盘都快，所以它 最适合储存那些需要经常访问和快速访问的程序和文件。 3、半导体存储介质，随着大规模集成电路 和存储技术的长足发展，半导体存储器的 集成度以每三年翻两番的速度在提高。
简述flash中的元件类型及其特点。
Flash中的元件类型及其特点Flash是一款非常流行的矢量动画制作软件，它具有丰富的元件类型，每种类型都有其特点和用途。
本文将就Flash中常见的元件类型及其特点做一个简要的介绍。
一、图形元件1.1、形状元件形状元件是Flash中最基本的元件，它由线条、填充或渐变构成。
形状元件具有良好的编辑性，可以进行分组、旋转、缩放等操作。
但是形状元件不支持动画效果，适合静态的图形展示。
1.2、按钮元件按钮元件是一种交互式的图形元件，可以响应鼠标或键盘事件。
按钮元件可以包含正常状态、鼠标经过状态、按下状态和禁用状态，具有丰富的交互效果。
按钮元件在制作网页导航、游戏界面等方面有着广泛的应用。
二、影片剪辑元件2.1、影片剪辑元件影片剪辑元件是Flash中最常用的元件类型，它可以包含动画、音频和交互效果。
影片剪辑元件具有独立的时间轴，可以在同一个场景中多次使用而不需要重复制作。
影片剪辑元件在制作动画、广告和多媒体应用中非常方便。
2.2、按钮影片剪辑元件按钮影片剪辑元件是按钮和影片剪辑的结合体，具有按钮的交互特性和影片剪辑的动画效果。
按钮影片剪辑元件在制作动态按钮和交互式动画中起着重要作用。
三、文字元件3.1、静态文本静态文本是不可编辑的文本元件，它的内容在制作时就确定下来，无法通过程序改变。
静态文本常用于标题、标签等不需要动态更新的文本显示。
3.2、输入文本输入文本是可以接收用户输入的文本元件，它具有编辑功能和特定的文本格式设定。
输入文本常用于表单、输入框等需要用户交互的场景。
四、组合元件4.1、组合元件组合元件是将多个元件合并成一个整体的元件类型。
组合元件可以方便地在场景中移动、复制和修改，减少了制作过程中的重复劳动。
总结：Flash中的元件类型丰富多样，每种类型都有着自己的特点和优势。
通过合理的运用各种元件类型，可以高效地制作出丰富多彩的动画、交互效果和多媒体应用。
希望本文对读者对Flash元件类型有所了解和启发。
FLASH的结构和种类以及主要供应商
FLASH的结构和种类什么是FLASH MEMORY？闪存是一种长寿命的非易失性的存储器，特点是断电后数据不回丢失，数据删除不是以单个字节为单位而是以块为单位。
FLASH的内部架构闪存的存储单元为三端器件，与场效应管具有同样的名字：源极、漏极和栅极，源极与漏极之间的断通是收控于栅极，只不过的是FLASH是采用双栅极结构，增加了一个浮置栅极，如图：浮置栅极中有无电荷决定了晶体管断通状态，如图：A、当有电荷时，源极和漏极导通，此时的数据为OB、当无电荷时，源极和漏极不导通，此时的数据为1可以这样理解：写入数据时，则将1变成O，删除数据时，则将0变为1。
FLASH的种类分NAND和NOR FLASH,其区别在：1、因为FLASH的存储单元类似CMOS，输入与输出的关系正好符合“与非”关系，所以叫NAND型FLASH，NOR型就是符合“或非”关系。
2、NAND型FLASH是将各存储单元串联，而NOR型则为并联结构。
NOR型FLASH的特点：1、有独立的地址线和数据线，可以快速读取数据，在速度上较NAND快。
2、NOR型FLASH的储存单元为BIT（位）导致容量不大。
另外一个特点就是程序可以在FLASH内运行。
以存储程序代码为主，主要市场为手机。
NAND型FLASH的特点：1、地址线和数据线是公用的I/O线，在读取速度上比NOR慢。
2、存储单元是页（PAGE）跟硬盘的扇区一样，每一个页的有效容量是512字节的倍数，所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际还得加上16字节的校验信息，因此在技术资料上看到1PAGE=（512+16）BYTE，大容量的FLASH，校验信息更大，如64字节等。
3、NAND型FLASH是以块（BLOCK）为单位进行擦除操作的，一般每个块有32个521字节的页，容量为16KB，而大容量的采用2KB的页，每个块的有64个页，容量为128KB，还有一些块是128页的呢，容量为256KB如图：4、NAND FLASH的I/O口为8条，每条数据线每次传输（512+16）BIT的信息，8条则为（512+16）*8，也相当于512字节。
闪速存贮器FLASH技术分类剖析
闪速存贮器FLASH技术分类全球闪速存储器的技术主要掌握在AMD、ATMEL、Fujistu、Hitachi、Hyundai、Intel、Micron、Mitsubishi、Samsung、SST、SHARP、TOSHIBA，由于各自技术架构的不同，分为几大阵营。
1.NOR技术NOR技术（亦称为Linear技术）闪速存储器是最早出现的Flash Memory，目前仍是多数供应商支持的技术架构。
它源于传统的EPROM器件，与其它Flash Memory技术相比，具有可靠性高、随机读取速度快的优势，在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用，如PC的BIOS固件、移动电话、硬盘驱动器的控制存储器等。
NOR技术Flash Memory具有以下特点：(1) 程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至RAM中再执行；(2)可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以块为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对块或整片进行预编程和擦除操作。
由于NOR技术Flash Memory的擦除和编程速度较慢，而块尺寸又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间很长，在纯数据存储和文件存储的应用中，NOR技术显得力不从心。
不过，仍有支持者在以写入为主的应用，如CompactFlash卡中继续看好这种技术。
Intel公司的StrataFlash家族中的最新成员——28F128J3，是迄今为止采用NOR技术生产的存储容量最大的闪速存储器件，达到128Mb（位），对于要求程序和数据存储在同一芯片中的主流应用是一种较理想的选择。
该芯片采用0.25μm制造工艺，同时采用了支持高存储容量和低成本的MLC技术。
所谓MLC技术（多级单元技术）是指通过向多晶硅浮栅极充电至不同的电平来对应不同的阈电压，代表不同的数据，在每个存储单元中设有4个阈电压（00/01/10/11），因此可以存储2b信息；而传统技术中，每个存储单元只有2个阈电压（0/1），只能存储1b信息。
flash记忆方法
flash记忆方法在大量学习和记忆的过程中，寻找一种高效的记忆方法对于提升记忆力和学习效果至关重要。
Flash记忆方法是一种以视觉、联想和反复复习为基础的记忆技巧。
通过本文，我们将详细介绍Flash记忆方法的步骤和技巧，帮助读者更加高效地学习和记忆知识。
一、了解Flash记忆方法的概念Flash记忆方法是一种基于卡片式记忆的学习技巧，通过制作一系列的记忆卡片来帮助记忆。
这些卡片包括了要记忆的内容和关键信息，并通过反复的复习和联想来加深记忆效果。
二、步骤一：准备Flash记忆卡片1.选择适合的卡片：可以使用纸质卡片、电子卡片或记忆软件来制作和管理Flash记忆卡片。
2.确定记忆的内容：选择需要记忆的内容，可以是单词、概念、公式等等。
3.编写关键信息：将每个单词或概念的定义、拼写、例句等关键信息写在卡片的前后两面。
三、步骤二：创建记忆联想1.使用图像和颜色：将需要记忆的信息与图像和颜色联系起来，以增强记忆效果。
例如，可以用一个图像或特定颜色来代表每个单词，以便在回想时能够联想到对应的含义。
2.制作记忆链接：将不同的卡片联系在一起，形成一个记忆网络。
例如，通过将相关概念或单词之间的联系写在卡片上，帮助记忆者更好地理解和记忆这些信息。
四、步骤三：使用Flash记忆卡片进行记忆训练1.系统复习：将制作好的Flash记忆卡片按照一定的规律进行复习，例如每天、每周或每个月进行复习。
根据记忆效果逐渐增加或减少复习频率。
2.主动回忆：在复习时，首先查看卡片的一面，努力回忆出另一面的具体信息，然后再翻开卡片核对答案。
反复进行这一过程，以增强记忆效果。
3.重点训练：根据遇到的困难和易忘内容，有针对性地进行重点训练。
可以将这些卡片拆分成一个单独的难记分类，进行更加频繁的复习和回忆。
五、步骤四：定期检验和修复记忆1.定期检验：在复习的过程中，可以通过模拟考试、测试等方式来检验记忆的效果，进一步巩固记忆内容。
2.修复记忆：根据检验结果，发现记忆的不足和错误，及时修复和调整记忆卡片中的内容，强化记忆效果。
Flash快闪记忆体分类介绍
Flash快闪记忆体分类介绍Flash快閃記憶體分類介紹：SLC/MLC/黑片1Flash快閃記憶體是非易失性記憶體，這是相對於SDRAM等記憶體所說的。
即記憶體斷電後，內部的資料仍然可以保存。
Flash根據技術方式分為Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash，而U盤和MP3中最常用的記憶體就是Nand Flash。
NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。
Intel于1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。
緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，並且象磁片一樣可以通過介面輕鬆升級。
但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清NOR 和NAND快閃記憶體。
大多數情況下快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時NOR快閃記憶體更適合一些。
而NAND則是高資料存儲密度的理想解決方案。
Nand Flash也有幾種，根據技術方式，分為SLC、MCL、MirrorBit等三種。
SLC 是Single level cell的縮寫，意為每個存儲單元中只有1bit資料。
而MLC就是Multi-Level-Cell，意為該技術允許2 bit的資料存儲在一個存儲單元當中。
而MirrorBit則是每個存儲單元中只有4bit資料。
SLC的技術存儲比較穩定，SLC的技術也最為成熟。
然而MLC可以在一個單元中有2bit資料，這樣同樣大小的晶圓就可以存放更多的資料，也就是成本相同的情況下，容量可以做的更大，這也是同樣容量，MLC價格比SLC低很多的原因。
通常情況下相同容量的MLC和SLC，MLC的價格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。
區分SLC(停產)和MLC（現在主流，分新老制程，60NM 和56/50NM ）1、看Flash的型號：根據Flash的命名規則，進行區分。
快闪记忆体Flashmemory结构共37页PPT
2、要冒一次险!整个生命就是一场冒险。走得最远的人，常是愿意 去做，并愿意去冒险的人。“稳妥”之船，从未能从岸边走远。-戴尔．卡耐基。
梦 境
3、人生就像一杯没有加糖的咖啡，喝起来是苦涩的，回味起来却有 久久不会退去的余香。
快闪记忆体Flashmemory结构 4、守业的最好办法就是不断的发展。 5、当爱不能完美，我宁愿选择无悔，不管来生多么美丽，我不愿失 去今生对你的记忆，我不求天长地久的美景，我只要生生世世的轮 回里有你。
谢谢你的阅读
❖ 知识就是财富 ❖ 路，那么，任何东西都不应妨碍我沿着这条路走下去。——康德 72、家庭成为快乐的种子在外也不致成为障碍物但在旅行之际却是夜间的伴侣。——西塞罗 73、坚持意志伟大的事业需要始终不渝的精神。——伏尔泰 74、路漫漫其修道远，吾将上下而求索。——屈原 75、内外相应，言行相称。——韩非
快闪记忆体介绍
什麽是快閃記憶體什麽是快閃記憶體？？快閃記憶體(Flash Memory)，是非揮發性記憶體的一種，不需電力來維持數據的儲存。
又可分為NOR Flash 以及NAND Flash 兩種，前者用於儲存程式碼，後者用於儲存數據資料。
快閃記憶體用一個浮動閘(Floating Gate)電晶體來儲存數據，利用每個電晶體所能儲存的資料數量來區分，可以將NAND Flash 區分為兩類：單級儲存(Single Level Cell ，SLC)和多級儲存(Multi Level Cell ，MLC)。
單級儲存具有速度快，耗電量低的優點，但是多級儲存的成本比較低。
【NAND Flash 】NAND Flash 是一種電子式可清除程式化唯讀記憶體的形式，允許在操作中被多次消除或寫入，且NAND Flash 並不需要電力來維持其中的資料，但是每當資料更新時，必須以blocks（= 512 Byte）為單位加以覆寫，而非一個byte、一個byte 寫入。
由於這種記憶體可以非常快速的將資料消除，因此發明者東芝(Toshiba)取其意將它稱為Flash Memory。
而原本NAND Flash 是由EEPROMs 演化而來，但是NAND Flash 價格較便宜且bit 密度較高，加上可以快速更新其中的資料，所以成為EPROMs 的替代品。
而NAND Flash 可分為2種，單層式晶片(Sigle Level Cell)和多層式晶片MLC(Multi-Level Cell)，前者是1個陣列儲存1個2進位數位(bit)，具有速度快、耗電量低的優點，然多層存晶片的成本比較低。
【NOR Flash 】NOR Flash 是由科技大廠英特爾(Intel)所發展出來的架構，讀取速度較NAND Flash 快很多，且可在單位區塊(Block)上進行讀寫的工作，特性為高電壓、需要較長的抹除時間和可大量的抹除區塊，主要是應用在程式指令的儲存與讀寫上，因此又稱為Code Flash。
Flashcs6动画制作扫盲教程：[14]三大元件
Flashcs6 Actionscript3.0 一、图形元件简介 图形元件的作用 1.图形元件是三种元件中的最基本的一种 元件，不能对它进行编程，但可以在它里面存放 的影片剪辑里添加代码，但这样做不方便从根本
上进行控制，所以一般不用。
芳罔喜欢在奔走的痋虓里向外面看着黑夜,瞬间的微光而过,视觉还停留了片刻
2.图形元件有一个特点，在时间轴上有多少 帧，它里面的内容就有可以播放多少帧，比如我 们制作一个有 20 帧动画的图形元件，把这个图 形元件从库里拖放到时间轴上的时候在时间轴 上只有 10 帧，那么这个图形元件里的动画最终 就只能播放 10 帧。
3.图形元件从哪一帧开始播放，也是可以进 行设置的，对此我们将单独进行讲解。
图形元件有一个特点在时间轴上有多少帧它里面的内容就有可以播放多少帧比如我们制作一个有20帧动画的图形元件把这个图形元件从库里拖放到时间轴上的时候在时间轴上只有10帧那么这个图形元件里的动画最终就只能播放103
Flash 的有几大利器，一是三种补间，二是 三个工具（直线、圆形、方形），还有三种元件， 对于补间和工具，在前几节穿插补间动画的制作 做了一些分析学习，本节再来介绍一下三种元 件，Flash 的三种元件包括图形、按钮、影片剪 辑。对此我在前面写过一篇 Flash 的元件功能详 解，有兴趣的朋友可以搜索下。
4.图形元件通常用来制作不需要循环显示 动画或都背景。
5、用在传统动作补间中。
图形元件的制作
芳罔喜欢在奔走的痋虓里向外面看着黑夜,瞬间的微光而过,视觉还停留了片刻
制作方法比较简单，一般通过三种途径可以 得到。
一是选择图形按 F8 转换为图形元件。 二是 ctrl+F8 直接新建图形元件。
三是使用直接复制工具复制一个新的图形 元件。二、按钮元件简介
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Flash快閃記憶體分類介紹：SLC/MLC/黑片
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Flash快閃記憶體是非易失性記憶體，這是相對於SDRAM等記憶體所說的。
即記憶體斷電後，內部的資料仍然可以保存。
Flash根據技術方式分為Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash，而U盤和MP3中最常用的記憶體就是Nand Flash。
NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。
Intel于1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。
緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，並且象磁片一樣可以通過介面輕鬆升級。
但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清NOR 和NAND快閃記憶體。
大多數情況下快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時NOR快閃記憶體更適合一些。
而NAND則是高資料存儲密度的理想解決方案。
Nand Flash也有幾種，根據技術方式，分為SLC、MCL、MirrorBit等三種。
SLC 是Single level cell的縮寫，意為每個存儲單元中只有1bit資料。
而MLC就是Multi-Level-Cell，意為該技術允許2 bit的資料存儲在一個存儲單元當中。
而MirrorBit則是每個存儲單元中只有4bit資料。
SLC的技術存儲比較穩定，SLC的技術也最為成熟。
然而MLC可以在一個單元中有2bit資料，這樣同樣大小的晶圓就可以存放更多的資料，也就是成本相同的情況下，容量可以做的更大，這也是同樣容量，MLC價格比SLC低很多的原因。
通常情況下相同容量的MLC和SLC，MLC的價格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。
區分SLC(停產)和MLC（現在主流，分新老制程，60NM 和56/50NM ）
1、看Flash的型號：根據Flash的命名規則，進行區分。
2、測試讀寫速度：SLC的非常快，MLC的很慢。
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目前市場上還流行黑片、白片的說法，這些都是Downgrade Flash的類型，由於Flash制程和容量的提升，內部的構成越來越複雜。
而新的制程推出時，產品良率並不一定理想，那些不良的Flash有些是容量不足，有些是壽命不能達到要求，有些是測試不能通過，這些不能達到出廠要求的Flash都被稱為Downgrade Flash。
Downgrade Flash有些由廠家推向市場，比如Spectech等就是鎂光(Micron)的Downgrade Flash。
而另外一部分作為廢品淘汰掉，但是利潤驅使，這些廢品也會低價被收購流入市場。
一些廠家以各種方案的掃描工具(Soting Board)來檢驗出來哪些能夠使用。
這些廠家收購Flash按斤回收，通過少則數十台Soting
Board，所則上千台Soting Board一同掃描，每天有上百K的產能。
大部分Downgrade Flash被做成SD卡，U盤，極少數廠家用於生產MP3。
Downgrade Flash 的處理方式多數是降低容量出售。
可是不論怎樣處理，都還是存在問題隱患。
但由於價格低廉，Downgrade Flash的市場正在進一步成長。
大家購買產品時可要注意了！現在還有很多的主控商進行對黑片針對性的相容。
市場上問題U盤的來路：
1，快閃記憶體顆粒採用白板晶片，也就是一些工廠不合格的快閃記憶體顆粒，通過非正規管道進入市場，將顆粒打磨好編號後使用，一般很難查詢到上面的顆粒編號出處，而採用了這樣顆粒的U盤，使用起來極為不穩定，在同一台電腦上拷貝東西可能不會出現問題，但是在另外一台電腦上可能會出現打不開的情況。
2，“升級”U盤，所謂“升級”，並非更換速度更快的控制晶片，也非更換更大容量的快閃記憶體顆粒，而是利用專門的軟體對U盤資訊進行修改，USB1.1的介面可以修改顯示成USB2.0，128M容量也可以修改顯示成1G，不過這些都只是表面上看到的資訊，而實際上其性能和容量是壓根不會發生變法的。
3，採用黑晶片，當一些快閃記憶體顆粒損壞後，只有部分容量可以使用，奸商們便打起這些理應銷毀顆粒的主意，採用遮罩損壞區域，或者焊上數顆損壞的顆粒的手段，來達到一定的容量，採用了這種黑晶片的U盤不但傳輸速度會非常慢，而且出問題的幾率相當之大。
4、用硬體方式來改變。
硬體就是利用電路將小容量的U盤人為地讓電腦識別成大容量的U盤，因為U盤是必須要用到存儲晶片，也就是通常說的快閃記憶體，快閃記憶體有幾個腳是專門用來檢測容量的，通過更改這幾個腳的電路是可以造成電腦識別故障。
不過這種方式需要的技術相對軟體來得高，也不太易於適用。
三星、東芝、現代、瑞薩等晶片廠商在生產NAND FLASH時，良品率沒有可能是100%的，晶圓生產下來都分等級的，比如瑞薩，分99%容量、97%容量、93%容量等等。
事實上，良品率並不是非常高，不良晶圓的量還是比較大，主要問題出在壞塊數量、容量等方面。
過去，NAND FLASH晶片產能緊張，全球需求吃緊，生產工藝也比較差，次級品的量很大，這些次級品都被全球前幾大存儲模組生產廠商包下來，利用他們的技術把壞塊遮罩了，並防止壞塊擴散，把這些晶片大量用在存儲卡上。
由於這些都是全球頂尖的模組大廠，因此即使用上次級品，
但是品質依然過硬，而且這種晶片成本很低，不過一般的品牌、工廠都買不到，也就成為這些大廠得到“大者恒大”的保證。