士兰微SVF5N60规格书(最新版)
20120210 士兰分立器件产品介绍
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芯片产能 (pcs) 40K/M 4K/M 50K/M 4K/M 0.1K/M 2K/M 18K/M 5.5K/M 2K/M 8K/M
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S-RinTM 表示采用了比前几代高压HVDMOS更小尺寸的GR环的新一代士兰 VDMOS器件。
• •
S-RinTM 系列高压VDMOS同时采用了优化后的条形元胞结构。 控制和调节J-FET注入的深度和浓度来改善Rdson 参数.
Silan 士兰微电子 分立器件产品封装 • • • • • •
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目前,已在士兰集成芯片厂完成建立了分立器件产品封装净化厂房 (主要针对高压 MOS管/FRD/SBD等产品) 2011年3月开始批量封装FRD/SBD产品; 2011年7月开始批量封装HVMOS产品; 目前批量生产的封装形式有TO-220-3L/TO-220F-3L/TO-3PN这3种; 后续会根据具体需求有计划的增加TO-252-2L/TO-251-3L/ TO-263-2L/TO-262-3L等; 目前封装厂的产能已扩展到15KK/M; 我们正在成都建立功率半导体封装基地用来扩展更大产能和降低成本.
士兰微电子 降压 升压 升降压模式的LED驱动芯片 SD42560 说明书
1. 输入电容选择 输入电容在功率管导通的时候提供脉冲电流，功率管截止的时候电源对电容充电，由此来保
持输入电压的稳定性。在开关频率处，输入电容阻抗要比输入源阻抗小，以避免高频开关电流从 输入源流入。输入电容建议使用大于 10μF 的电容，这样可以更好的减小从输入源抽出的峰值电流 并且减小输入开关噪声。布板时输入电容尽可能离输入脚近一些。
5. PCB 布版注意事项 合理的 PCB 布局 对于最大程度保证系统稳定性以及低噪声来说很重要。使用多层 PCB 板是
避免噪声干扰的一种很有效的办法。SW 端处在快速开关的节点，所以 PCB 走线应当尽可能的 短，另外芯片的 GND 端应保持尽量良好的接地。
布板时需要注意，电感应当距离 SW 管脚尽可能的近一些，否则会影响整个系统的效率。另 外一个需要注意的事项是尽量减小 RS 两端走线引起的寄生电阻，以保证采样电流的准确。
2. 输出电容选择 在 LED 两端并联一个电容可以减小输出电压纹波，从而减小 LED 的纹波电流，同时保证环路
稳定性。当然这个电容并不会影响工作频率和效率，但是通过减小 LED 上电压上升的速率，会增 加启动时间。输出电容越大，LED 上的电流纹波越小。在开关频率处，输出电容阻抗应该是个低 值。SD42560 应用中建议使用 2.2μF 或者更大的电容。
制在 2.5A 左右。
4. 抖频功能 SD42560 内置抖频功能，可以改善系统的 EMI 特性。内部振荡频率在一个很小的范围内进行
抖动，减小在单一频率的对外辐射，从而使得 EMI 设计简单化。
5. 输出过压保护 在升压或升降压模式下，如果LED开路，采样电阻RS上的压降为零，芯片会正常操作，并且
峰值电流接近限流值。此时如果不采取保护措施，SENSE+端电压会不断升高， 导致内部功率管 或外部元器件击穿损坏。芯片内部OVP模块监测SENSE+端电压，当其电压超过 40V，功率管关 断，芯片停止操作，保证了芯片的安全。
4N60F PDF规格书
Fig.1. Normalised power dissipation. PD% = 100⋅PD/PD 25 ˚C = f(Ths)
ID% Normalised Current Derating
with heatsink compound
Fig.4. Transient thermal impedance. Zth j-hs = f(t); parameter D = tp/T
ID, Drain current (Amps) Tj = 25 C 7V PHP3N60 10 V 6V 5.5 V 5V VGS = 4.5 V
120 110 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0
12 10 8 6 4 2 0
0
20
40
60
80 Ths / C
100
120
140
0
5
10 15 20 25 VDS, Drain-Source voltage (Volts)
30
Fig.2. Normalised continuous drain current. ID% = 100⋅ID/ID 25 ˚C = f(Ths); conditions: VGS ≥ 10 V
φ
3.
18
2.54 ±0.20 0.70 ±0.20
15.87 ±0.20
3.30 ±0.20
12.42 ±0.20
6.68 ±0.20
2.76 ±0.20
9.75 ±0.20
1.47max
D
0.50 ±0.20
1
2.54typ 2.54typ
2 3
0.80 ±0.20
G
士兰微电子 SD05M50DBE DBS 说明书
智能功率模块(IPM)，500V/5A 三相全桥驱动描述SD05M50DBE/DBS 是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。
其内置了6个快恢复功率MOS 管和3个半桥高压栅极驱动电路。
SD05M50DBE/DBS 内部集成了欠压保护功能，提供了优异的保护和失效保护操作。
由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。
SD05M50DBE/DBS 采用了高绝缘、易导热和低电磁干扰的设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合内置于电机的应用和要求紧凑安装的场合。
主要特点♦ 内置6个500V/5A 的快恢复功率MOS 管 ♦ 内置高压栅极驱动电路(HVIC) ♦ 内置欠压保护♦ 内置自举二极管完全兼容3.3V 和5V 的MCU 的接口，高电平有效♦ 3个独立的负直流端用于变频器电流检测的应用 ♦优化并采用了低电磁干扰设计 ♦绝缘级别1500V rms /min应用♦ 室内/户外空调 ♦ 冰箱压缩机 ♦ 排气扇 ♦ 风扇 ♦ 空气净化器 ♦洗碗机水泵产品规格分类产品名称封装形式 打印名称 环保等级 包装 SD05M50DBE DIP-23E SD05M50DBE 无铅 料管 SD05M50DBSSOP-23HSD05M50DBS无铅料管内部框图极限参数参 数 符号 参 数 范 围 单位 加在P-N之间的电源电压V PN500 V单个功率MOS的漏极持续电流，I D25 3.0 A T C=25°C单个功率MOS的漏极持续电流，I D80 2.0 A T C=80°C单个功率MOS的漏极峰值电流I DP 5.0 A T C=25°C, 脉冲宽度<100μs最大功率耗散，T C=25°C P D14.7 W 控制电源电压V CC20 V 高侧控制电压V BS20 V 输入信号电压V IN-0.3~V CC+0.3 V 工作结温范围T J-40~150 °C 工作壳温范围, T J≤150°C（备注1）T C-40~125 °C 存储温度范围T STG-40~125 °C 结壳热阻RθJC8.5 °C/W绝缘电压，60Hz，正弦，交流1分钟，V ISO1500 V rms 引脚与散热片之间自举二极管正向电流，T C=25°C I F0.5 A自举二极管正向电流峰值，T C=25°C，I FP 1.5 A 脉宽1ms备注1：壳温测试点，请看图3所示。
SVF2N60M(F)(T)(D)说明书
版本号：1.1 2010.10.21 共10页 第1页
SVF2N60M/F/T/D 说明书
极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)
参数名称
漏源电压 栅源电压 漏极电流 漏极脉冲电流 耗散功率(TC=25°C)
- 大于 25°C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量(注 1) 工作结温 贮存温度
VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHz
VDD=300V，ID=2.0A， RG=25Ω
(注 2，3)
VDS=480V，ID=2.0A，
VGS=10V
(注 2，3)
最小值 600 --2.0 ------------
典型值 ----3.7
250.1 35.7 1.1 9.2 23.4 15.3 20.1 5.67 1.74 1.99
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：1.Βιβλιοθήκη 2010.10.21 共10页 第7页
封装外形图 （续）
TO-220F-3L(1)
SVF2N60M/F/T/D 说明书
单位: mm
TO-220F-3L(2)
单位: mm
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：1.1 2010.10.21 共10页 第8页
封装外形图 （续）
TO-252-2L
SVF2N60M/F/T/D 说明书
单位: mm
声明： • •
•
士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完 整和最新。 任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统 设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情 况的发生！ 产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！
士兰微电子 SVD3205T F S 说明书 - 110A、55V N沟道增强型场效应管
110A、55V N沟道增强型场效应管描述SVD3205T/F/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子新型平面低压VDMOS 工艺技术制造。
先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于电子镇流器，低功率开关电源。
特点♦110A，55V，R DS(on)（典型值）=7.5mΩ@V GS=10V♦低栅极电荷量♦低反向传输电容♦开关速度快♦提升了dv/dt 能力产品规格分类产 品 名 称 封装形式 打印名称 环保等级 包 装 SVD3205T TO-220-3L SVD3205T 无铅料管SVD3205F TO-220F-3L SVD3205F 无铅料管SVD3205S TO-263-2L SVD3205S 无卤料管SVD3205STR TO-263-2L SVD3205S 无卤编带极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)参数名称符号参数范围单位SVD3205T SVD3205F SVD3205S漏源电压V DS55 V 栅源电压V GS±20 V漏极电流T C=25°CI D110A T C=100°C 69.6漏极脉冲电流I DM390 A耗散功率（T C=25°C）- 大于25°C每摄氏度减少P D200 58 190 W1.6 0.46 1.52 W/°C单脉冲雪崩能量（注1）E AS909 mJ 工作结温范围T J-55～+150 °C 贮存温度范围T stg-55～+150 °C热阻特性参数名称符号典型值单位SVD3205T SVD3205F SVD3205S芯片对管壳热阻RθJC0.63 2.16 0.66 °C/W 芯片对环境的热阻RθJA62.5 62.5 62.5 °C/W 关键特性参数(除非特殊说明，TC=25°C)参数符号测试条件最小值典型值最大值单位漏源击穿电压B VDSS V GS=0V，I D=250µA 55 -- -- V 漏源漏电流I DSS V DS=55V，V GS=0V -- -- 1.0 µA 栅源漏电流I GSS V GS=±20V，V DS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压V GS(th)V GS= V DS，I D=250µA 2.0 -- 3.5 V 导通电阻R DS(on)V GS=10V，I D=62A -- 7.5 8.0 mΩ输入电容C issV DS=25V，V GS=0V，f=1.0MHZ -- 2365.4 --pF输出电容C oss-- 740.4 -- 反向传输电容C rss-- 168.6 --开启延迟时间t d(on)V DD=28V，V GS=10V，I D=62A -- 19.96 --ns开启上升时间t r-- 82.96 -- 关断延迟时间t d(off)-- 58.08 -- 关断下降时间t f -- 41.76 --栅极电荷量Q gV DS=44V，V GS=10V，I D=62A -- 67.09 --nC栅极-源极电荷量Q gs-- 13.26 --栅极-漏极电荷量Q gd-- 35.33 --源-漏二极管特性参数参 数 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位源极电流I S MOS管中源极、漏极构成的反偏P-N结-- -- 110A源极脉冲电流I SM-- -- 390源-漏二极管压降V SD I S=110A，V GS=0V -- -- 1.3 V反向恢复时间T rr I S=110A，V GS=0V,di/dt=100A/μS（注2）-- 67.17 -- ns反向恢复电荷Q rr-- 0.17 -- µC 注：1. L=0.30mH，I AS=63A，V DD=28V，R G=25Ω，开始温度T J=25°C；2. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；3. 基本上不受工作温度的影响。
STD5N60DM2 高压N型电源MOSFET说明书
STD5N60DM2DPAKFeatures•Fast-recovery body diode•Extremely low gate charge and input capacitance•Low on-resistance•100% avalanche tested•Extremely high dv/dt ruggedness•Zener-protectedApplications•Switching applicationsDescriptionThis high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Q rr) and time (t rr) combined with low R DS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.N-channel 600 V, 1.38 Ω typ., 3.5 A MDmesh™ DM2Power MOSFET in a DPAK packageSTD5N60DM2DatasheetSTD5N60DM2Electrical ratings 1Electrical ratingsTable 1. Absolute maximum ratings1.Pulse width is limited by safe operating area.2.I SD ≤3.5 A, di/dt=400 A/μs; V DS peak < V(BR)DSS, V DD = 480 V.3.V DS ≤ 480 V.Table 2. Thermal data1.When mounted on a 1-inch² FR-4, 2 Oz copper board.Table 3. Avalanche characteristics1.Pulse width limited by T jmax.2.Starting T j = 25 °C, I D = I AR, V DD = 50 V.STD5N60DM2Electrical characteristics 2Electrical characteristics(T case = 25 °C unless otherwise specified).Table 4. Static1.Defined by design, not subject to production test.Table 5. Dynamic1.C oss eq. is defined as a constant equivalent capacitance giving the same charging time as C oss when V DS increases from 0to 80% V DSS.Table 6. Switching timesSTD5N60DM2Electrical characteristicsTable 7. Source-drain diode1.Pulse width is limited by safe operating area.2.Pulse test: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5%.STD5N60DM2Electrical characteristics (curves) 2.1Electrical characteristics (curves)STD5N60DM2 Electrical characteristics (curves)STD5N60DM2 Electrical characteristics (curves)STD5N60DM2Test circuits 3Test circuitsSTD5N60DM2Package information 4Package informationIn order to meet environmental requirements, ST offers these devices in different grades of ECOPACK®packages, depending on their level of environmental compliance. ECOPACK® specifications, grade definitionsand product status are available at: . ECOPACK® is an ST trademark.4.1DPAK (TO-252) type A package informationFigure 19. DPAK (TO-252) type A package outline0068772_A_25Table 8. DPAK (TO-252) type A mechanical data4.2DPAK (TO-252) type E package informationFigure 20. DPAK (TO-252) type E package outline0068772_type-E_rev.25Table 9. DPAK (TO-252) type E mechanical dataFigure 21. DPAK (TO-252) type E recommended footprint (dimensions are in mm)FP_0068772_254.3DPAK (TO-252) packing informationFigure 22. DPAK (TO-252) tape outlineP0K 0U ser direction of feed10 pitches cumulativetolerance on tape +/- 0.2 mmU ser direction of feedRBending radiusB 1including draft andradii concentric around B0AM08852v1Figure 23. DPAK (TO-252) reel outlineAM06038v1 Table 10. DPAK (TO-252) tape and reel mechanical dataRevision historyTable 11. Document revision historyContentsContents1Electrical ratings (2)2Electrical characteristics (3)2.1Electrical characteristics (curves) (5)3Test circuits (8)4Package information (9)4.1DPAK (TO-252) type A package information (9)4.2DPAK (TO-252) type E package information (11)4.3DPAK (TO-252) packing information (13)Revision history (16)IMPORTANT NOTICE – PLEASE READ CAREFULLYSTMicroelectronics NV and its subsidiaries (“ST”) reserve the right to make changes, corrections, enhancements, modifications, and improvements to ST products and/or to this document at any time without notice. Purchasers should obtain the latest relevant information on ST products before placing orders. ST products are sold pursuant to ST’s terms and conditions of sale in place at the time of order acknowledgement.Purchasers are solely responsible for the choice, selection, and use of ST products and ST assumes no liability for application assistance or the design of Purchasers’ products.No license, express or implied, to any intellectual property right is granted by ST herein.Resale of ST products with provisions different from the information set forth herein shall void any warranty granted by ST for such product.ST and the ST logo are trademarks of ST. All other product or service names are the property of their respective owners.Information in this document supersedes and replaces information previously supplied in any prior versions of this document.© 2018 STMicroelectronics – All rights reservedSTD5N60DM2。
SVF12N60T F S K 600V N沟道增强型场效应管说明书
版本号：2.2 共 10 页 第 6 页
封装外形图
TO-263-2L
10.15±0.30
SVF12N60T/F/S/K 说明书
1.27±0.10
4.57±0.10
单位：毫米
15.25±0.25 8.70±0.20
TO-262-3L
5.28±0.20
1.27±0.10
1.5±0.20
2.54TYP 4.98～5.18
3. 基本上不受工作温度的影响。
典型值 ----
530 4.8
最大值 12 48 1.3 ---
单位
A V ns µC
典型特性曲线
杭州士兰微电子股份有限公司
http: //
版本号：2.2 共 10 页 第 3 页
典型特性曲线（续）
SVF12N60T/F/S/K 说明书
版本号：2.2 共 10 页 第 5 页
典型测试电路
SVF12N60T/F/S/K 说明书
栅极电荷量测试电路及波形图
与待测器件
VGS
参数一致
Qg
50KΩ
10V
VDS
12V
200nF
300nF
Qgs
Qgd
VGS
3mA
待测器件
电荷量
VDS VGS RG
10V
开关时间测试电路及波形图
RL VDD
待测器件
工作结温范围
贮存温度范围
符号 VDS VGS
ID IDM PD EAS TJ Tstg
SVF12N60T
225 1.8
参数范围
SVF12N60F SVF12N60S
600
±30
12
7.6
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EAS测试电路及波形图
L
EAS =
1 2
LIAS2
BVDSS BVDSS - VDD
BVDSS
IAS
待测器件
VDD
VDD
ID(t) tp
VDS(t) Time
版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第6页
封装外形图
TO-220F-3L(1)
SVF5N60T/F/D/MJ 说明书
单位: mm
栅极电荷量测试电路及波形图
与待测器件
VGS
参数一致
Qg
50KΩ
10V VDS
12V
200nF
300nF
Qgs
Qgd
VGS
3mA
待测器件
电荷量
VDS VGS RG
10V
开关时间测试电路及波形图
RL
VDD
待测器件
VDS
90%
10%
VGS
td(on)
tr
ton
td(off)
tf
toff
RG 10V
tp
VDS ID
1. VGS=0V 2. f=1MHz
1
10
100
漏源电压 – VDS(V)
栅源电压 – VGS(V)
反向漏极电流 – IDR(A)
漏极电流 – ID(A)
图2. 传输特性 100
-55°C 25°C 150°C
10
1
注： 1.250µS脉冲测试 2.VDS=50V 0.1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
TO-220F-3L(2)
单位: mm
版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第7页
封装外形图（续）
TO-252-2L
6.60±0.3 5.10～5.46
SVF5N60T/F/D/MJ 说明书
2.30±0.20 0.45～0.65
Eject pin（note1）
单位：mm
10.10±0.50
SVF5N60T/F/D/MJ 说明书
5A、600V N沟道增强型场效应管
描述
SVF5N60T/F/D/MJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体 管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电 阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
符号 BVB DSS IDSS IGSS VGS(th) RDS(on) Ciss Coss Crss td(on)
tr td(off)
tf Qg Qgs Qgd
测试条件 VGS=0V， ID=250µA VDS=600V，VGS=0V VGS=±30V，VDS=0V VGS= VDS，ID=250µA VGS=10V，ID=2.5A
VGS=6VVGΒιβλιοθήκη =7VVGS=8V1
VGS=10V
VGS=15V
漏极电流 – ID(A)
漏源导通电阻 – RDS(ON)(Ω)
0.1 0.1
注： 1.250µS 脉冲测试 2.TC=25°C
1
10
100
漏源电压 – VDS(V)
图3. 导通电阻vs.漏极电流 3.2
3.0
VGS=10V
2.8
VGS=20V
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
注：TJ=25°C
1.6
0
2
4
6
8
10
漏极电流 – ID(A)
电容(pF)
1200 1000
图5. 电容特性
Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd
800
600 400 200
0 0.1
Ciss Coss Crss
注：
600
±30
5
3.1
20
120
40
0.96
0.32
242 -55～+150 -55～+150
单位
V V
A
A W W/°C mJ °C °C
热阻特性
参数名称
芯片对管壳热阻 芯片对环境的热阻
符号
RθJC RθJA
SVF5N60T 1.04 62.5
参数范围
SVF5N60D SVF5N60MJ
1.04
1.00
栅源电压 – VGS(V)
图4. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度 100
-55°C 25°C 150°C 10
注： 1.250µS脉冲测试 1 2.VGS=0V
0.1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
源漏电压 – VSD(V)
图6. 电荷量特性
12
VDS=480V
10
VDS=300V
TO-251J-3L
12 3 TO-220F-3L
123 TO-220-3L
命名规则
产品规格分类
产品名称 SVF5N60T SVF5N60F SVF5N60D SVF5N60DTR SVF5N60MJ
封装形式 TO-220-3L TO-220F-3L TO-252-2L TO-252-2L TO-251J-3L
VDS=120V
8
6
4
2 注：ID=5A
0
0
2
4
6
8
10
总栅极电荷 – Qg(nC)
版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第4页
典型特性曲线（续）
SVF5N60T/F/D/MJ 说明书
版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第5页
SVF5N60T/F/D/MJ 说明书
典型测试电路
110
110
SVF5N60F 3.13 120
单位
°C/W °C/W
关键特性参数(除非特殊说明，TC=25°C)
参数名称 漏源击穿电压 漏源漏电流 栅源漏电流 栅极开启电压 导通电阻 输入电容 输出电容 反向传输电容 开启延迟时间 开启上升时间 关断延迟时间 关断下降时间 栅极电荷量 栅极-源极电荷量 栅极-漏极电荷量
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。
2
1
3 1.栅极 2.漏极 3.源极
TO-252-2L
特点
∗ 5A，600V，RDS(on)= 1.88Ω@VGS=10V ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了 dv/dt 能力
IS
MOS 管中源极、漏极构成的反偏
ISM
P-N 结
VSD IS=5.0A，VGS=0V
Trr
IS=5.0A，VGS=0V，
Qrr dIF/dt=100A/µs
1. L=30mH，IAS=3.78A，VDD=70V，RG=25Ω，开始温度 TJ=25°C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；
3. 基本上不受工作温度的影响。
最小值 ------
典型值 ----
190 0.53
最大值 5 20 1.4 ---
单位
A
V ns µC
版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第3页
SVF5N60T/F/D/MJ 说明书
典型特性曲线
图1. 输出特性
10
变量
VGS=4.5V
VGS=5V
VGS=5.5V
VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHZ
VDD=300V，ID=5.0A， RG=25Ω
(注 2，3)
VDS=480V，ID=5.0A，
VGS=10V
(注 2，3)
最小值 600 --2.0 ------------
典型值 -----
1.88 479.8 62.7
2.1 14.93 28.40 28.27 21.73 9.27 2.79 3.37
单位：mm
声明： • •
•
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参数名称
漏源电压 栅源电压
漏极电流 漏极浪涌电流
TC=25°C TC=100°C
耗散功率（TC=25°C） - 大于 25°C 每摄氏度减少
单脉冲雪崩能量（注 1）
工作结温范围
贮存温度范围
符号
VDS VGS ID IDM PD EAS TJ Tstg
参数范围
SVF5N60T/D/MJ
SVF5N60F
打印名称 SVF5N60T SVF5N60F SVF5N60D SVF5N60D SVF5N60MJ
材料 无铅 无铅 无铅 无铅 无铅
包装形式 料管 料管 料管 编带 料管
版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第1页
SVF5N60T/F/D/MJ 说明书
极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)
最大值 -10
±100 4.0 2.15 -----------
单位 V µA nA V Ω pF
ns
nC
版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第2页
SVF5N60T/F/D/MJ 说明书
源-漏二极管特性参数
参数名称
符号
测试条件