半导体材料及其基本能带结构
半导体材料的能带结构分析
半导体材料的能带结构分析半导体材料是当今科技发展中至关重要的一部分，它们在电子、通信、光电等领域发挥着重要作用。
要了解半导体的性质和性能，我们需要深入研究其能带结构。
一、能带结构的基本概念能带结构是指固体材料中原子、分子或离子的能级在近邻原子的干扰下形成的能带分布。
它将所有能级按照能量从低到高分布在一定范围内。
通常将处于费米能级以上的能级称为导带，而处于费米能级以下的能级称为价带。
二、半导体材料的能带结构半导体材料的能带结构与其他几类材料有所不同。
对于导体材料，其能带结构中的价带和导带存在重叠，因此电子可以自由地从价带跃迁至导带，并形成电流；对于绝缘体材料，价带和导带之间的能隙非常大，几乎没有电子可以从价带跃迁至导带，因此电流很小。
而半导体材料则介于导体和绝缘体之间，其能隙较小，但不为零，因此在适当条件下，一些电子会从价带跃迁至导带，形成电流。
三、半导体材料的载流子类型导带中的电子可带负电荷，称为自由电子；而因价带中缺失电子而产生的空位则可带正电荷，称为空穴。
在半导体材料中，载流子既可以是电子也可以是空穴。
其中以硅材料最为常见，其能带结构特征明显。
四、掺杂对能带结构的影响通过掺杂，即在半导体材料中引入少量不纯物质，可以显著改变半导体的导电性能。
通常分为n型和p型两种掺杂方式。
1. n型半导体当半导体材料中掺入杂质原子，如砷或磷等，这些杂质原子与原有材料的原子替代位置形成共价键，形成更多自由电子，并且这些自由电子会处于导带中。
因此，n型半导体材料具有更高的导电性能。
2. p型半导体相反，当半导体材料中掺入杂质原子，如硼或铝等，这些杂质原子与原有材料的原子形成新的化学键，留下空位，构成更多的空穴。
因此，p型半导体材料具有更高的导电性能。
通过n型和p型半导体材料的组合，我们可以制造出各种半导体器件，如二极管、晶体管等，这些器件在电子学和通信领域具有重要应用。
五、调控能带结构的方法除了掺杂外，还可以通过调控半导体材料的结构和组合来改变其能带结构，以进一步优化其性能。
半导体材料的能带结构
半导体材料的能带结构在当今科技发展日新月异的时代，半导体材料作为一种重要的材料在各个领域中发挥着关键作用。
而了解半导体材料的能带结构，对于我们深入理解其特性以及应用具有重要意义。
首先，什么是能带结构呢？简单来说，能带结构是指固体材料中电子能量与其位置之间的关系。
而对于半导体材料而言，其能带结构对于其电导率具有决定性的影响。
半导体材料的能带结构通常由价带和导带组成。
价带是指材料中电子处于最低能量状态的带，其能级较低且电子密度较高。
而导带则是指电子所占据的能级较高，且电子密度较低的带。
对于绝缘体材料而言，价带与导带之间的能隙较大，当外界施加电场时，由于电子无法跃迁至导带中，材料无法导电。
而对于金属材料而言，价带与导带之间的能隙几乎为零，电子可以自由地跃迁至导带中，因此金属具有良好的导电性能。
而半导体材料则处于绝缘体和金属之间的状态。
半导体的能带结构通常具有较小的能隙，当外界施加电场时，可以通过激发电子跃迁至导带中，从而实现导电。
这也是半导体材料在电子器件领域中得以广泛应用的原因之一。
在半导体材料的能带结构中，还有一个值得关注的现象是所谓的“空穴”。
在材料中，电子是带有负电荷的，而当电子从价带跃迁至导带时，原来的位置在价带中留下了一个不带电的缺陷，而这个缺陷被称为空穴。
空穴在半导体器件的工作中起着重要的作用，它们可以在材料中传导电荷，并参与电流的流动。
因此，掌握半导体材料中空穴的行为和运动规律对于理解半导体器件的工作原理具有重要意义。
此外，半导体材料的能带结构还会受到温度的影响。
在常温下，半导体材料的能带结构较为稳定，电子的行为可以由经典的物理学理论来描述。
但在较低的温度下，半导体材料的能带结构会发生变化，电子的行为则需要通过考虑量子力学的理论来解释。
这也解释了为什么有些半导体器件在低温环境下表现出特殊的性能。
综上所述，半导体材料的能带结构是决定其电导率的重要因素之一。
了解半导体材料的能带结构有助于我们理解其特性并应用于各个领域中，如电子器件、光电子学和能源等。
半导体材料中的电子结构与能带论模型
半导体材料中的电子结构与能带论模型半导体材料是现代电子技术的基石，它们在各种设备中广泛应用，包括计算机、手机、电视等。
要理解半导体材料的性质和行为，首先需要了解其电子结构以及能带论模型。
本文将详细介绍半导体材料中的电子结构和能带论模型的基本概念和原理。
1.电子结构的基本概念电子结构是指描述半导体材料中电子位置和能量分布的方式。
在经典物理学中，电子被看作是粒子，其位置和动量可以同时被确定。
然而，在量子力学中，电子实际上表现出波粒二象性。
根据波动性，电子的位置无法被精确确定，只能通过波函数来描述其存在的概率。
在半导体材料中，电子结构可以通过计算电子的能级来描述。
能级是指电子处于不同能量状态的离散状态。
每个能级上只能容纳一定数量的电子。
半导体材料中的电子能级可以分为价带和导带，它们是能程最低的两个能级。
2.能带论模型的基本原理能带论模型是用来描述半导体材料中电子能量分布的重要理论。
根据这个模型，半导体材料的电子结构可以分为禁带和能带。
禁带是指电子不能占据的能量范围。
在禁带中，不存在可用的电子能级。
禁带上方是导带，其能级较高，允许电子在其中具有自由度。
而禁带下方是价带，其能级较低，只能容纳价电子。
在绝缘体中，禁带宽度很大，导带和价带之间不存在能级，电子无法跃迁。
然而，在半导体中，禁带并不是完全闭合的，它宽度相对较小，允许电子以一定概率跃迁到导带中。
这就是半导体材料在温度较高时具有可导电性的原因。
3.载流子的产生和行为在半导体材料中，载流子是指带电粒子，即电子和空穴。
这些载流子是由外部能量提供的，例如热能或光能。
在半导体材料中，载流子的产生方式有两种：热激发和光激发。
热激发是指载流子通过吸收热能从价带跃迁到导带。
光激发是指通过吸收光能从价带跃迁到导带。
光激发是半导体材料中最重要的载流子产生方式之一，也是光电器件工作的基础。
载流子在半导体中的运动行为受到电子结构的限制。
在导带中，载流子可以随意移动，具有自由度。
半导体材料的电子结构和能带理论
半导体材料的电子结构和能带理论半导体材料是一种独特的材料，它在电学特性上介于导体和绝缘体之间。
要理解半导体材料的特性，我们需要研究其电子结构和能带理论。
1. 电子结构的基本概念电子结构指的是材料中电子的分布情况和能级排布。
在半导体材料中，电子受到原子核的吸引力而固定在能级中。
每个原子都有自己的能级，由能量最低的基态电子能级到较高能量的激发态电子能级。
2. 能带理论的基本原理根据能带理论，半导体材料中的电子能级可以分为两个区域：价带和导带。
价带是指最高占据电子能级的区域，而导带是指电子可以自由移动的区域。
两者之间存在一个禁带，即无电子能级存在的区域。
3. 共价键与价带在半导体材料中，原子通过共价键结合在一起形成晶格。
共价键的形成是通过电子在原子间的共享而实现的。
共价键的强度取决于原子之间的距离和原子轨道的匹配程度。
当共价键形成时，原子的电子将占据能量最低的共价键能级，从而形成价带。
4. 杂质和能带当半导体中引入少量的杂质原子时，会对电子结构和能带产生显著的影响。
掺杂分为两类：n型和p型。
n型半导体是指引入能够提供多余电子的杂质原子，使得导带中的电子数量增加。
相反，p型半导体是指引入能够接受电子的杂质原子，使得价带中的电子数量减少。
5. 能带隙与导电性能带隙是指价带和导带之间的能量差。
当容易电子能级的跃迁过程中，电子需要克服足够的能量才能进入导带，这就是能带隙。
能带隙的大小决定了半导体的导电性能。
对于绝缘体，能带隙较大，不容易形成电子跃迁；对于金属，能带隙不存在，导电性很好；而半导体的能带隙适中，介于两者之间。
6. 温度对导电性的影响半导体材料的导电性还受到温度的影响。
根据能带理论，随着温度升高，价带中的电子会获得更多的能量，一部分电子会进入导带中，导致导电性增强。
这就是为什么在室温下，半导体材料的导电性较好。
总结：半导体材料的电子结构和能带理论是研究半导体特性的重要基础。
通过对电子结构和能带的研究，可以更好地理解半导体材料的导电性质和行为。
导体、绝缘体、半导体的能带结构
体中，价带电子被紧密的束缚在其原子周围。
▲ 一般来说，绝缘体的禁带宽度比较大
Eg 3 ~ 6eV
满带 绝缘体
空带
3. 导体一般有两种能带结构：
A） 价带（价电子）只填入了部分电子 B） 满带与导带（或空带）重叠
4. 半导体
半导体的能带特点： 最高的满带（价带）与最低的空带（激发
态）间的禁带宽度较小。 在外界作用下，有两个结果：
Si
Si
E
导带
施主能级 — —局域能级
Eg
满带
Ei ~ 102 eV
电子型半导体
五价原子砷掺入四价硅中，多余的
价电子环绕 As 离子运动
Si
Si
e
Si Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
As
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
★ P 型半导体：例如，在硅半导体中掺入少量三价元素
Si
电子
e
导带
Eg
e
禁带 满带
空穴
锗晶体中的正常键
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
电子被激发，晶体中出现空穴
e
e Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
（2） 掺杂半导体： 通过掺入部分杂质，提高半导体的导电性能，改善导电机构。
★ N 型半导体：例如，在硅半导体中掺入少量五价元素
Si
Si
P
理解半导体材料的能带结构与导电性质
理解半导体材料的能带结构与导电性质半导体材料是现代电子技术中不可或缺的重要组成部分。
理解半导体材料的能带结构与导电性质对于我们深入了解其工作原理和应用具有重要意义。
本文将从能带结构和导电性质两个方面进行探讨。
一、能带结构能带结构是描述半导体材料电子能量分布的一种模型。
根据量子力学理论，电子在固体中的运动是受限的，只能存在于特定的能级上。
在半导体中，由于原子间的相互作用，电子能级会发生分裂，形成上下两个能带，即价带和导带。
1. 价带价带是指半导体材料中电子处于最低能级的能带。
在价带中，电子的能量较低，电子云较为密集，电子之间的相互作用较强。
由于电子填满了所有可用的能级，所以价带中的电子无法自由移动，因此价带中的电子不能导电。
2. 导带导带是指半导体材料中电子能量较高的能带。
在导带中，电子的能量较高，电子云较为稀疏，电子之间的相互作用较弱。
导带中的电子可以自由地移动，因此导带中的电子具有导电性。
3. 禁带禁带是指价带和导带之间的能量间隙。
在禁带中，没有能级可供电子占据，因此禁带中没有电子存在。
禁带的宽度决定了半导体材料的导电性质，宽禁带的半导体材料通常是绝缘体，而窄禁带的半导体材料则可以表现出导电性。
二、导电性质半导体材料的导电性质与其能带结构密切相关。
根据半导体材料的导电性质，可以将其分为P型半导体和N型半导体。
1. P型半导体P型半导体是指在纯净半导体基础上通过掺杂杂质原子（如三价元素硼）而形成的半导体材料。
掺杂杂质原子的电子结构与半导体材料的能带结构不匹配，导致在价带中形成了缺电子的空穴。
这些空穴可以看作是正电荷的载流子，因此P型半导体中主要是空穴参与导电。
2. N型半导体N型半导体是指在纯净半导体基础上通过掺杂杂质原子（如五价元素磷）而形成的半导体材料。
掺杂杂质原子的电子结构与半导体材料的能带结构不匹配，导致在导带中形成了额外的自由电子。
这些自由电子可以自由移动，因此N型半导体中主要是自由电子参与导电。
第一章 半导体的物质结构和能带结构
各种半导体的构成元素大多位于元素周期表中居中的位置， 其构成元素的电负性(化合物半导体的平均电负性)属中等水平。
二、共价结合与正四面体结构
• 1、原子排列近程序的3个基本要素
•
配位数、键长和键角
• 2、共价结合的配位数
• 元素型共价键晶体的配位数遵从8－N法则；
• 化合物型共价键晶体的配位数等于其平均价电子数。
He 3.58 Ne 4.44 Ar 3.46 Kr 3.24 Xe 3.02 Rn 3.0
Na 0.72 Cu 0.79 Ag 0.57 Au 0.64
(Phillips尺度考虑了价电子的屏蔽) Mg 0.95 Al 1.18 Si 1.41 P 1.64 S 1.87 Zn 0.91 Ga 1.13 Ge 1.35 As 1.57 Se 1.79 Cd 0.83 In 0.99 Sn 1.15 Sb 1.31 Te 1.47 Hg 0.79 Tl 0.94 Pb 1.09 Bi 1.24
一些元素的电负性 （Pauling尺度）
B 2.0 Al 1.5 Ga 1.6 In 1.7 Tl 1.8
C 2.5 Si 1.8 Ge 1.8 Sn 1.8 Pb 1.8
N 3.0 P 2.1 As 2.0 Sb 1.9 Bi 1.9
O 3.5 S 2.5 Se 2.4 Te 2.1
F 4.0 Cl 3.0 Br 2.8 I 2.3
第一章 半导体的物质结构和能带结 构
§1.1 半导体的晶格结构和结合性质
• 固态晶体具有多种结晶形态，分属7大晶系14种类型。结 晶半导体大多数属于立方(cubic)晶系和六方(Hexagon)晶 系，且都是四面体(tetradron)结构。只有少数半导体具有 其他结构。
半导体材料中的能带结构和载流子输运机制
半导体材料中的能带结构和载流子输运机制半导体材料在现代科技中扮演着至关重要的角色，广泛应用于电子器件、光电子器件等领域。
要理解半导体材料的性质和性能，我们需要研究半导体材料中的能带结构和载流子输运机制。
一、能带结构能带结构是描述物质中电子能级分布的一种模型。
对于半导体材料来说，能带结构由价带和导带组成。
1. 价带：价带是能量较低的带，其中填满了电子。
在固体中，原子间的电子交互作用使得原子能级分裂成离散的能带，在固体中表现为连续的能量带。
价带中的电子处于较稳定的状态，不易被激发到导带。
2. 导带：导带是能量较高的带，其中没有电子。
当外界能量作用于原子或者晶格时，电子可获得足够的能量从价带跃迁到导带。
导带中的电子具有较高的能量，容易参与导电过程。
半导体的能带结构与金属和绝缘体有所不同。
金属中，价带与导带重叠，使得电子能够自由移动，导电性能好；而绝缘体中，价带与导带之间存在较大的能隙，电子能量不足以跃迁到导带，因此其导电性能很差。
半导体的能带结构介于金属和绝缘体之间，存在较小的能隙，能够通过适当的能量激发将电子从价带跃迁到导带，从而实现电子的导电。
二、载流子输运机制载流子是指电子和空穴，它们是半导体材料中的导电粒子。
载流子的输运过程影响着半导体材料的导电性能。
1. 电子输运：电子由外界电场驱动，从一个位置向另一个位置移动。
在半导体中，电子的输运通常分为漂移和扩散两种情况。
漂移是指电场作用下，电子沿着电场方向移动，与杂质或晶格碰撞，导致速度减小；扩散是指电子在浓度梯度作用下，从高浓度区域向低浓度区域扩散。
电子输运的基本原理可以用经典电动力学和半导体物理学中的牛顿第二定律和欧姆定律描述。
2. 空穴输运：空穴是电子跃迁到导带中留下的一个“空位”，在半导体材料中的移动过程也被称为空穴的输运。
空穴的运动类似于正电荷的运动。
当外界电场作用于半导体材料时，空穴会受到电场力的驱动，从一个位置移动到另一个位置。
空穴的输运过程中，同样存在漂移和扩散两种情况。
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半导体的基本能带结构
一. 半导体材料
5. 半导体材料的应用
信息处理与存储
信息感测
通信、雷达
显示
半导体照明
半导体的基本能带结构
太阳能电池、热电转换
一. 半导体材料
半导体的 性质与用途
电子运动 的多样化
半导体的 能带结构
能带工程
能带裁剪 杂质工程 应变工程 缺陷工程
……
半导体基本能带结构
为浮力不同。换个方向思考，将球落底
所受的力只想成重力，不去计算浮力问
题，可想成两个容器中球的质量不同，
才造成落地时间不同。
水
油
同理，自由电子与晶体中电子所受的力场不同，所以能量不 同，但晶体中的力场不易得知，故换个想法，将晶体中质量 修正为有效质量，则可不直接处理力场的问题，因此自由电 子的相关公式皆可使用。
超高速、低功耗、低噪音器件和电路，光电子器件和光电集成 增大晶体直径(4~6 inch) 、提高材料的电学和光学微区均匀性 超晶格、量子阱材料
❖ 第三代半导体，宽禁带半导体(以GaN，SiC，ZnO，金
刚石等为代表)
高频大功率、耐高温、抗辐照半导体微电子器件和电路
❖ 新型半导体，以稀磁半导体，低维半导体等为代表
迁的概率要小得多
半导体的基本能带结构
二. 半导体的带隙
3. 半导体的带隙
电子-空穴对复合发光
半导体的基本能带结构
二. 半导体的带隙
Tips
带隙是半导体重要的物理参数
导电性 器件耐压 工作温度 发光 光吸收
带隙的确定、直接带隙与间接带隙
5.1 半导体及其基本能带结构
一. 引言——半导体 二. 半导体的带隙 三. 带边有效质量
半导体的基本能带结构
一. 半导体材料
4. 半导体材料的发展趋势
材料体系的发展 ❖ 第一代半导体，元素半导体(以Si和Ge为代表):
晶圆尺寸越来越大(8~12inch) 、特征线宽越来越小(32nm) SOI、GeSi、Strain Silicon，high K栅介质
❖ 第二代半导体，化合物半导体(以GaAs，InP等为代表)
带边有效质量
2. 带边有效质量
一般半导体中的载流子，往往就是处在能带底（电子）或 能带顶（空穴）附近，故都可以采用有效质量概念。
E P2 2k2 2mn* 2mn*
mn *(2p E22)1( 122kE22)1
可由能带图（E-P图或E-k图）的曲率倒数求得。
曲线越”胖”，曲率越小，有效质量越大。 曲线越”瘦”，曲率越大，有效质量越小。
F mn*a eE
a
eE mn*
eE mn*
eE m*p
半导体的基本能带结构
由左式分析，可知价带的电子 （具有负的有效质量）运动行 为可视为带正电的粒子（具有 正的有效质量），此带正电的 粒子即为空穴，其有效质量以
mp*表示。-mn*=mp*
三. 带边有效质量
3. 有效质量的测量——回旋共振
+4
+4
+4
导带 禁带Eg
+4
+4
+4
价带
自由电子定向移动
形成外电子电流场E
束缚电子填补空穴的 定向移动形成空穴流
半导体的基本能带结构
对硅(sp3)：成键态——价带 反键态——导带
二. 半导体的带隙
空穴
价带上的电子由于本征激发跃迁到导带上，留下一个空 着的状态。这个在几乎充满的能带中未被电子占据的空量 子态称为空穴。
间接带隙
二. 半导体的带隙
3. 半导体的带隙
直接带隙与间接带隙
直接带隙
间接带隙
❖ 价带的极大值和导带的极 ❖ 价带的极大值或导带的极 小值都位于k空间的原点上 小值不位于k空间的原点上
❖价带的电子跃迁到导带 时，只要求能量的改变， 而电子的准动量不发生变 化——直接跃迁
❖价带的电子跃迁到导带 时，不仅要求电子的能量 要改变，电子的准动量也 要改变——间接跃迁
3. 半导体的带隙
导带
禁带
h
价带
被束缚的电子要成为自
由电子，就必须获得足
Ec Eg
够能量从而跃迁到导带 ，这个能量的最小值就 是带隙（禁带宽度）。
Ev
禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，其大小主要决定于半 导体的能带结构，即与晶体结构和原子的结合性质等有关。
禁带宽度对于半导体器件性能的影响是不言而喻的，它直接决 定着器件的耐压和最高工作温度。 （金刚石、BJT）
回旋共振法用途
推测或验证材料的能带结构，确定能谷在布里渊区的哪 些对称轴上 。
测定电子和空穴和有效质量(各向同性，各向异性)
❖ 等能面为球面(m*为各向同性)时情况
在恒定外磁场中，晶体中的电子(或空穴)将作螺旋运动
，回转频率：0 = qB/mn*。
若在垂直于磁场方向加上频率为ω 的交变电场，当ω=ω0 时，交变电场的能量将被电子共振吸收，这个现象称为回旋 共振。
固体理论
第五章 半导体电子论 Electron theory of semiconductor
微电子与固体电子学院 朱俊
5.1 半导体及其基本能带结构
一. 半导体材料 二. 半导体的带隙 三. 带边有效质量
1. 半导体的定义
半导体是电阻率介于导体和绝缘体之间，并且具有
负的电阻温度系数(NTC)的材料。
P2 2k2
E
2m0 2m0
将其中的自由电子质量修正成 mn*（电子在晶体中的有效 质量），则以上公式 变为 E P2 2k2 2mn* 2mn*
即可以简单关系式表示晶体中，受到原子核周期性势场影
响的电子能量。
半导体的基本能带结构
三. 带边有效质量
一模一样
模拟说明
的球
两 ＜10-4 ·cm 【例如： 铜 10-6 ·cm】； 半导体：10-3 ·cm＜＜108 ·cm 【锗 0.2 ·cm】； 绝缘体： ＞108 ·cm【玻璃1010~ 1014 ·cm 】。
半导体材料的电阻率对其杂质含量、环境温度、以及光照、 电场、磁场、压力等外界条件有非常高的灵敏性——可控。
半导体的基本能带结构
一. 半导体材料
2. 半导体独特的物理性质
整流效应
光电导 效应
I 电流 正向
反向 0 V 电压
负的电阻温度 光生伏特
(NTC)效应
效应
R
T
霍尔效应
半导体的基本能带结构
一. 半导体材料
3. 半导体的分类
(1). 化学组分1和.3结半构导的不体同材，料可的分分为类：
元素半导体： Si，Ge，Diamond, Carbon nanotube,
电子浓度ni = 空穴浓度pi 在外电场的作用下，产生电流
—— 电子流和空穴流
电子流 自由电子作定向运动形成的
与外电场方向相反 自由电子始终在导带内运动
空穴流 价电子递补空穴形成的
与外电场方向相同
始终在价带内运动
用空穴移动产生的 电流代表束缚电子移 动产生的电流
半导体的基本能带结构
二. 半导体的带隙
半导体的基本能带结构
三. 带边有效质量
4. 常用半导体的有效质量
(1) Si和Ge的导带底附近有效质量
半导体的基本能带结构
一. 半导体材料
4. 半导体材料的发展趋势
材料维度的发展
❖ 由三维体材料向薄膜、两维超晶格量子阱、一维量 子线和零维量子点材料方向发展。
三维体材料：电子在其中可以自由运动而不受限制的材料。
二维超晶格、量子阱材料、二维原子晶体：电子在X、Y平面 里可以自由运动，在Z方向电子运动受到了限制。
价电子是我们要研究的对象
二. 半导体的带隙
2. 半导体能带的形成
E
空带
空带
导带
禁带
Eg
满带
价带
Ec——导带底 Ev——价带顶
满带
T=0时，能量最低的空带——导带 能量最高的满带——价带
导带底与价带顶能量之差——带隙（禁带宽度）
半导体的基本能带结构
二. 半导体的带隙
2. 半导体能带的形成
共价键内的电子 称为束缚电子 挣脱原子核束缚的电子 +4 价带中+留4 下的空称位为+4自由电子 称为空穴
通过在晶体中引入应变来改变能带结构， 可降低有效质量和减小散射几率，以达到提高
载流子迁移率的目的——应变工程
半导体的基本能带结构
三. 带边有效质量
2. 带边有效质量
空穴有效质量
mn *(2p E22)1( 122kE22)1
价电带电子的E-k图曲率为负，所 以此区电子的有效质量为负。
考虑牛顿运动定律
半导体的基本能带结构
二. 半导体的带隙
带隙Eg的测量
3. 半导体的带隙
本征光吸收：光照将价带中的电子激发到导带中，形成电 子—空穴对，这一过程称为本征光吸收。光子的能量满足：
h =hc/≥Eg
电导率随温度变化
半导体的基本能带结构
二. 半导体的带隙
3. 半导体的带隙
直接带隙与间接带隙
直接带隙
半导体的基本能带结构
❖ 直 接 禁 带 半 导 体 —— ❖ 间 接 禁 带 半 导 体 ——
GaAs，GaN，ZnO
Si，Ge, SiC
半导体的基本能带结构
二. 半导体的带隙
GaAs的能带结构 ——直接带隙
3. 半导体的带隙
Si的能带结构 ——间接带隙
本征光吸收确定 直接带隙与间接
带隙
❖ 直接跃迁，效率高——适合做发光器件和其他光电子器件 ❖ 间接跃迁为了能量守恒，必须有声子参加，因而发生间接跃