半导体材料的基本性质
半导体材料的简介
半导体材料的简介一、引言半导体材料是一类特殊的材料，具有介于导体和绝缘体之间的特性。
它在现代电子技术中扮演着重要的角色。
本文将介绍半导体材料的定义、性质、种类以及在各个领域中的应用。
二、定义和性质2.1 定义半导体材料是一种具有能带间隙的固体材料，其导电性介于导体和绝缘体之间。
半导体的导电性主要由载流子（电子和空穴）的运动决定。
2.2 性质1.导电性：半导体的电导率介于导体和绝缘体之间，它能在外加电场或热激发下传导电流。
2.温度特性：半导体的电导率随温度的变化而变化，通常是随温度的升高而增加。
三、半导体材料的种类3.1 元素半导体元素半导体是由单一元素构成的半导体材料，常见的有硅（Si）和锗（Ge）。
3.2 化合物半导体化合物半导体是由两个或更多的元素组合而成的半导体材料，例如砷化镓（GaAs）和磷化氮（GaN）。
3.3 合金半导体合金半导体是由不同元素的合金构成的半导体材料，合金的成分可以调节材料的性质。
四、半导体材料的应用4.1 电子器件半导体材料是制造各种电子器件的重要材料，如晶体管、二极管和集成电路。
这些器件被广泛应用于电子设备、通信系统等领域。
4.2 光电子学半导体材料在光电子学中有重要应用，例如激光器、光电二极管和太阳能电池。
这些器件利用半导体材料的光电转换特性，将光能转化为电能或反之。
4.3 光通信半导体材料广泛应用于光通信领域，如光纤通信和光学传感器。
半导体激光器和光电探测器在光通信中起到关键作用。
4.4 光储存半导体材料在光存储技术中发挥重要作用，如CD、DVD等光盘的制造。
这些光存储介质利用半导体材料的光电转换和可擦写性能来实现信息存储与读取。
五、总结半导体材料是一类具有重要应用价值的材料，广泛应用于电子器件、光电子学、光通信和光存储等领域。
随着科技的不断发展，对新型半导体材料的研究和应用也在不断推进。
通过不断探索和创新，半导体材料有望在未来的科技发展中发挥更加重要的作用。
参考文献1.Bhuyan M., Sarma S., Duarah B. (2018) [Introduction toSemiconductor Materials]( In: Introduction to Materials Science and Engineering. Springer, Singapore.。
半导体材料的性质和制备
半导体材料的性质和制备半导体材料是一种具有特殊性质的材料，具有电学性质介于导体和绝缘体之间。
它的电学性质具有温度敏感、电阻率渐进式降低、半导带型式可控等特点。
因此，半导体材料在现代电子技术领域的应用非常广泛，例如计算机芯片、太阳能电池板、LED灯等众多高新技术产品都需要半导体材料。
一、半导体材料的性质半导体材料的性质决定了它可以用来制作何种电子器件。
其中最关键的属性是它的电阻率。
半导体材料的电阻率介于导体和绝缘体之间，用Ohm*cm或Ohm*m表示，一般在10^-2 ~10^8之间，通过杂质掺杂可以将半导体材料的电阻率调节到所需要的范围内。
其次，半导体材料的温度敏感性是其独特性质之一。
当半导体材料温度上升时，其电导率会随之增加。
这种性质被广泛用于制造高精度温度测量器和温度控制器。
半导体材料的导带和价带之间的带隙能量也是其重要的性质。
带隙能量越小，材料的电导率越高，反之则越低。
通过控制半导体材料的带隙能量可以改变其电学性质。
半导体材料具有电学性质介于导体和绝缘体之间，与导体不同的是，半导体材料中的电子不能自由传导，但与绝缘体不同的是，半导体材料中的电子可以被激发到导电状态。
二、半导体材料的制备半导体材料的制备主要通过控制杂质掺入来改变其电学性质。
这种方法被称为半导体掺杂。
半导体材料的制备通常有以下几种方法：1. 气相扩散法这种方法是将一种气体制成相对静止的状态，使其扩散到待制成半导体材料的样品中。
杂质通过热扩散的方式将杂质掺入到半导体材料中。
这种方法制造的材料质量较高，但加工比较复杂。
2. 原位合成法这种方法是通过化学气相沉积、分子束外延等技术将杂质掺入到半导体材料中。
这种方法可以制造出高品质的单晶薄膜。
3. 离子注入法这种方法是利用离子束将杂质注入到半导体材料中。
这种方法精度高、效率高，但可能会造成杂质的残留，对杂质掺入量的控制不够精细。
4. 液相扩散法这种方法是利用化学反应，在液相中将杂质掺入到半导体材料中。
半导体材料的性质及应用
半导体材料的性质及应用半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的材料，具有导电性和绝缘性。
它的导电性介于金属和非金属之间，而它的绝缘性则取决于材料中载流子的浓度。
半导体材料的性质：1. 阻带半导体材料中存在着能级间隔，其中从价带到导带的能隙被称为阻带。
在纯半导体中，电子在价带中，因此材料不能导电。
只有当外界施加功率，激发电子跃迁至导带中才会导电。
电子跃迁时释放的能量通过热传导或辐射传导，使半导体温度升高，这也被称为耗能。
2.载流子半导体的导电性能够体现出载流子的特性。
通常材料中含有非常少的自由电子和空穴，初始不具有导电性。
在加入掺杂物后，形成了n型和p型半导体。
n型半导体由元素（例如磷、氮）掺入，导致一些额外的电子存储在晶格中。
p型半导体由元素（例如铝、硼）掺入，导致一些额外的空穴存储在晶格中。
3. p-n结p-n结是半导体材料中一个非常重要的结构。
它由一个p型区域和一个n型区域组成，中间夹着一个非常薄的界面。
p-n结的导电性能够由正向偏置和反向偏置控制。
在正向偏置时，电子和空穴在结附近重新结合，导致电流的流动。
反向偏置时，由于存在阻挡电场，电流几乎不会流动。
p-n结的应用广泛，如发光二极管（LED）、太阳能电池等。
半导体材料的应用：半导体材料是当今很多电子设备的核心材料，如晶体管、集成电路、光电传感器和太阳能电池等。
这些设备的应用是基于半导体电子与光学性质之间的相互作用。
1. 晶体管晶体管是一种用于放大电信号的半导体器件。
在晶体管中，控制信号的电压可以控制大量电子或空穴的流量，从而可以控制电路的运行。
晶体管经常用于放大器和开关，可广泛应用于电视机、收音机、计算机等各种电子设备中。
2. 集成电路集成电路平均只占从前一堆晶体管和元件的约四分之一的面积，但其中蕴藏着复杂的电子电路。
集成电路可以分为数字集成电路（Digital IC）和模拟集成电路（Analog IC）。
数字集成电路通常用于计算和逻辑电路，在计算机和控制电子设备中用于控制和计算。
半导体材料的基本性质及应用前景
半导体材料的基本性质及应用前景随着人类科技的不断发展，半导体技术得到了广泛的应用。
半导体材料作为半导体技术的基础，其基本性质和应用前景也逐渐引起了人们的注意。
一、半导体材料的基本性质半导体材料具有包括导电性、光电性、热电性、感应光电性、压电性、光致发光性等在内的多种物理特性。
其中最核心的特性是导电性和不导电性。
半导体材料导电性的变化，可以通过控制半导体中杂质或缺陷的数量和类型实现。
杂质或缺陷的引入可以增强或减弱半导体的导电性。
例如，硅与锗纯净材料的导电性很弱，但加入P、N、B、As等DONOR或ACCEPTOR型杂质后，可以制备出p型或n型半导体材料。
半导体材料还具有光电性，它们与化学元素周期表上的光电发射材料相似。
半导体材料可以吸收光，电荷在导带和价带之间跃迁，从而导致光电效应。
常见的应用包括太阳能电池、光电探测器和紫外线灯等。
半导体材料的热电性可以用来制备热电材料，这种材料能够将热转换成电。
它的应用主要涉及节能和环境保护，例如，通过热电材料可以将热能转化为电能，应用于废气排放泄露的能量回收。
二、半导体材料的应用前景半导体技术以其稳定的性能、小型化的尺寸、易制备的成本、低功耗的特点等，日益成为信息技术、光电技术、新材料技术、环境保护技术等领域的重要基础材料。
以下几个方向是半导体材料未来的主要应用领域：1、新型显示屏随着信息技术的不断发展，显示屏在我们的生产和生活中发挥着越来越重要的作用。
半导体材料的光电性和导电性使其成为新一代显示技术的必需品。
例如，OLED技术已经得到了广泛的应用，其特点是超薄、超亮、超清、超省电，非常适合移动设备、电视以及广告牌等领域。
2、光电器件光电探测器、半导体激光器、光电开关、光电晶体管、光电倍增管等光电器件的应用正迅速扩展。
半导体材料的光电性使其非常适合用于制造光电器件，以便高效地转换光和电。
3、太阳能电池半导体材料的光电性是太阳能电池得以进行光电转换的重要基础材料。
第二章半导体材料的基本性质
第二章半导体材料的基本性质半导体材料是一类介于导体和绝缘体之间的材料，具有独特的电学性质和光学性质，广泛应用于电子器件和光电器件中。
本文将从电学性质和光学性质两个方面介绍半导体材料的基本性质。
一、电学性质1.带隙：半导体材料具有带隙，即价带和导带之间的能隙。
在绝缘体中，带隙较大，电子不易通过；在导体中，带隙为零，电子容易通过。
而在半导体中，带隙较小，介于绝缘体和导体之间，可以通过掺杂和加电场的方式改变其电导性能。
2.载流子：在半导体中，电子和空穴是载流子。
在纯净的半导体中，电子和空穴的数量相等，即n型和p型半导体中电子和空穴的浓度相等。
而在掺杂半导体中，通过掺杂可以使电子或空穴的浓度增加，从而改变其电导性质。
3.本征导电性：半导体材料在纯净状态下呈现本征导电性，即电导率较低。
本征导电性是由于半导体中的有限数量的载流子引起的。
n型半导体中主要是电子导电，p型半导体中主要是空穴导电。
本征导电性可以通过掺杂来改变。
4.外加电场下的导电性：在外加电场的作用下，半导体材料的导电性能发生变化。
当正电荷提供给半导体，将推动电子向正极移动，此时半导体变为n型半导体；当负电荷提供给半导体，将推动空穴向负极移动，此时半导体变为p型半导体。
这种现象被称为电场效应，也是半导体中众多器件如二极管和晶体管的基础。
二、光学性质1.吸收：半导体材料具有宽带隙能够吸收光的性质。
当光射入半导体中，部分光能会被电子吸收，使电子从价带跃迁到导带，此时光的能量将转化为电子的动能。
不同的半导体材料对不同波长的光吸收能力不同，这种特性使半导体材料成为光电器件的重要组成部分。
2.发光：除了吸收光能，有些半导体材料还可以发光。
当电子从导带跃迁到价带时，会释放出能量，部分能量以光的形式散发出来，形成发光现象。
不同的半导体材料对应不同的发光颜色，从红光到紫光等都可以通过不同材料的跃迁产生。
3.光电效应：半导体材料的光电效应是指当光照射到半导体表面时，会产生电流。
半导体材料的性质及在电子行业的应用
半导体材料的性质及在电子行业的应用半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的材料，具有一些独特的性质和特点，因而在电子行业中有着广泛的应用。
本文将简要介绍半导体材料的性质和应用。
一、半导体材料的性质1.导电性能。
半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。
与导体相比，半导体的导电性能较弱，但比绝缘体要强。
通常情况下，半导体的导电性能受温度、掺杂浓度等因素的影响，可以通过控制这些因素来改变半导体材料的导电性能。
2.禁带宽度。
半导体材料中能带的能量范围称为禁带，禁带中间的能量范围称为禁带宽度。
半导体材料的禁带宽度通常较窄，约为1eV左右，这使得半导体材料在连通和断开电路方面比绝缘体更加灵活。
3.热电性能。
半导体材料还具有一些特殊的热电性能。
例如，热电效应使得半导体材料可以将温度变化转化为电压输出。
这种特性在温度传感器方面有着广泛的应用。
二、半导体材料应用于电子行业1.半导体芯片。
半导体芯片是半导体材料最重要的应用之一。
半导体材料可以制成各种芯片，如处理器芯片、内存芯片、传感器芯片等。
这些芯片是电子设备的核心，它们的性能直接影响到设备的整体性能。
2.光电设备。
半导体具有较好的光电特性，如光电转换和发光等。
在光电设备方面，半导体材料可以用于制造光电二极管、太阳能电池板、LED灯等。
这些设备在通信、光学、能源等领域有着广泛的应用。
3.传感器。
半导体材料的热电、光电等特性使得其可以用于制造各种传感器。
例如，压力传感器、温度传感器、光传感器等。
这些传感器在工业生产、汽车行业、医疗行业等多个领域都有广泛的应用。
4.功率器件。
功率器件是电子行业中必不可少的元器件，半导体材料可以制成各种功率器件，如三极管、场效应管、晶闸管等。
这些器件在电力、电动车、电子制造等领域有着广泛的应用。
总体而言，半导体材料具有独特的性质和特点，可以制成各种电子器件，应用于多个领域。
随着半导体技术的不断发展和进步，半导体材料在电子行业中的应用也会越来越广泛，为我们的生活带来更多的便利和高科技体验。
半导体指的是什么东西
半导体指的是什么东西半导体是一种电子材料，具有介于导体和绝缘体之间的电导率。
它的电导率介于导体和绝缘体之间，当半导体处于不同的电场中或受到光照时，其电导率会发生变化。
半导体在电子学和光电子学领域有着广泛的应用，是现代电子行业中至关重要的材料之一。
半导体的基本特性1.导电性质半导体的导电性介于导体和绝缘体之间，当外加电压或光照作用于半导体材料时，会产生载流子，从而改变其电导率。
这种特性使得半导体可以被用于制造各种电子器件，如晶体管、二极管等。
2.能带结构半导体的导电性取决于其能带结构，包括价带和导带。
在基本结构中，价带中填充了电子，当电子受到激发或加热时，会跃迁到导带中，从而形成电子与空穴对，使半导体具有导电性。
3.半导体材料常见的半导体材料包括硅、锗、砷化镓等。
其中，硅是最为广泛应用的半导体材料，其稳定性和可控性较高，适用于各种电子器件的制造。
半导体的应用领域1.微电子器件半导体器件的制造和发展推动了微电子技术的进步，例如集成电路、晶体管等，广泛应用于计算机、通信设备等领域。
2.光电子器件某些半导体材料还具有光电转换特性，可以用于制造激光器、太阳能电池等光电子器件，将光能转化为电能。
3.传感器半导体传感器利用半导体材料的导电性变化来感知温度、压力、光照等物理量，广泛应用于工业控制、汽车电子等领域。
未来发展趋势随着技术的不断创新和发展，半导体材料和器件的研究也在不断向着更高性能、更小尺寸的方向发展。
纳米技术、量子技术等将为半导体领域带来全新的突破，推动电子学、光电子学等领域的进步。
总的来说，半导体作为一种介于导体和绝缘体之间的电子材料，在现代电子领域中发挥着不可替代的作用。
通过不断的研究和应用，将为人类带来更多更好的科技产品和服务。
半导体材料有哪些特性及应用
半导体材料特性及应用半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的材料，具有特殊的电子结构和导电性质。
半导体材料具有多种独特的特性，使其在电子、光电子、光伏和光通信等领域有广泛的应用。
半导体材料的主要特性1. 能带结构：半导体材料的电子能隙较窄，介于导体和绝缘体之间，使其在一定条件下可导电。
2. 斯特克斯位：半导体材料中的离子实栅靠近导带边缘，使电子在能带中具有很大的有效质量，有利于电子迁移。
3. 自由载流子浓度调控：通过施加外电场或调控杂质，可以有效调控半导体中的自由载流子浓度，实现半导体材料的导电性能调节。
4. 温度特性：半导体材料的电导率和载流子浓度都会随温度的变化而变化，通常表现为负温度系数。
5. 光电效应：半导体材料对光具有敏感性，可以通过光照射产生电子空穴对，实现光电转换及光电控制。
半导体材料的应用电子领域应用•集成电路（IC）：半导体材料在微电子领域中广泛应用，作为IC芯片的基础材料，实现电子元器件、逻辑电路等功能。
•太阳能电池：半导体材料通过光电效应转化光能为电能，广泛应用于太阳能电池板制造。
光电子领域应用•激光器：利用半导体材料的光电效应和电子受激辐射特性，制作激光器用于光通信、医疗等领域。
•LED：利用半导体材料的电子激发辐射特性制造发光二极管，广泛应用于照明、显示等领域。
光伏领域应用•光伏电池：利用半导体材料的光电转换特性，制造光伏电池转化光能为电能，应用于太阳能发电系统。
光通信领域应用•光纤通信：利用半导体激光器和探测器构成的光通信系统，提供高速、远距离的光通信服务。
综上所述，半导体材料由于其特殊的电子结构和性质，在电子、光电子、光伏和光通信领域有着重要而广泛的应用。
随着科学技术的不断发展，半导体材料的应用前景将更为广阔。
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N型半导体的概念
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，即构成 N 型半导体(或称电子型半导体)。
常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。
V族杂质在硅中电离时，能够释放电子而产生导电电 子并形成正电中心，称为施主杂质。
施主电离能和施主能级
2.3 半导体中的杂质和缺陷
2.3.1 本征半导体 2.3.2 n型半导体 2.3.3 p型半导体
2.3.1 本征半导体
完全纯净、结构完整的 半导体晶体称为本征半 导体。
本征半导体也存在电子 和空穴两种载流子
但电子数目n和空穴数目 p一一对应，数量相等， n＝p。
•传导电子
•导带
•空穴
电流密度
•V •E
•L
电流密度是指通过垂直于电流方向的单位 面积的电流
均匀导体，电流密度 电场强度 欧姆定律的微分形式
迁移率
假设电子平均速度为vd，电子浓度为n，电流密度为
平均速度和电场强度成正比 电流密度 电导率
称为电子迁移率，表示单位场强下电子的平均漂移 速度
2.4.2 电导率
晶体中的某一个电子是在周期性排列且固定不动的原 子核势场以及其它大量电子的平均势场中运动
大量电子的平均势场也是周期性变化的，而且它的周 期与晶格的周期相同。
两者的共同点在于都有一个恒定的势场。 因而可以先分析自由电子的状态，接着再考虑加上一
个平均场后的电子状态
（1）自由电子的薛定谔方程
自由电子与时间因素无关，因而波函数可以表 示为：
•E1＝－13.6 eV
多电子原子能级
晶体是由大量的原子组成，由于原子间距离很小，原 来孤立原子的各个能级将发生不同程度的交叠：
1. 电子也不再完全局限于某一个原子，形成“共有化” 电子。
2. 原来孤立的能级便分裂成彼此相距很近的N个能级 ，准连续的，可看作一个能带
原子能级分裂为能带
•原子能级
•立方 Cubic
•四方 Tetragonal
•正交 Rhombic
•三方 Rhombohedral•六方 Hexagonal •单斜 Monoclinic •三斜 Triclinic
2.1.3 晶体结构
一般表达一个晶体结构，需要给出： 1. 晶系； 2. 晶胞参数； 3. 晶胞中所包含的原子或分子数Z； 4. 特征原子的坐标。
•k
的能量是连续能谱，从零到 无限大的所有能量值都是允
许的。
（2）晶体中的电子状态
在自由电子的薛定谔方程上再考虑一个周期性 势场
晶体中电子所遵守的薛定谔方程为：
晶体中电子的E(k)与K的关系
•E
•Resulted from r-
•E
g
•k
-2p/a -p/a
•0
p/a 2p/a
•Resulted from r+
多余的空穴束缚在负电中
•EC
心B－的周围，但这种束
缚作用比共价键的弱得多 •Eg
，只要很少的能量就可以
使它摆脱束缚，形成导电
•ED
空穴。
•EV
使空穴摆脱束缚所需要的 能量称为பைடு நூலகம்主杂质电离能
•EV－－ 价带能级 •EC－－ 导带能级 •ED－－ 施主能级 •Eg－－ 带隙宽度
自补偿效应
有些半导体中，既有n型杂质又有p型杂质 N型杂质和P型杂质先相互补偿，称为自补偿效应。
2半导体材料的基本性质
第二章 半导体材料的基本性质
2.1 半导体的晶体结构 2.2 半导体的能带结构 2.3 半导体的杂质和缺陷 2.4 半导体的电学性质 2.5 半导体的光学性质
2.1 半导体的晶体结构
2.1.1 晶体 2.1.2 晶体结构 2.1.3 晶体类型
2.1.1 晶体
多余的价电子束缚在正电
中心P＋的周围，但这种
•EC
束缚作用比共价键的弱得
•ED
多，只要很少的能量就可 以使它摆脱束缚，形成导 •Eg
电电子。
•EV
使价电子摆脱束缚所需要 的能量称为杂质电离能
•EV－－ 价带能级 •EC－－ 导带能级 •ED－－ 施主能级 •Eg－－ 带隙宽度
多子和少子
N型半导体中，自由电子浓度远大于空穴的浓 度，即 n >> p 。
•禁带
•价带
实际晶体不是理想情况
1. 原子并不是静止在具有严格周期性的晶格格点位置 上，而是在平衡位置附近振动；
2. 半导体材料并不是纯净的，而是含有若干杂质；
3. 实际的半导体晶格结构并不是完整无缺的，而是存 在着各种缺陷：点缺陷、线缺陷和面缺陷
2.3.2 杂质半导体
为了控制半导体的性质而人为的掺入杂质，这些半导 体称为杂质半导体，可以分为：
简单立方堆积
体心立方堆积
面心立方堆积
密排六方堆积
金刚石型堆积
•109º28´
半导体的晶体结构
结构类型 金刚石型 闪锌矿型 纤锌矿型 NaCl型
半导体材料 Si，金刚石，Ge GaAs，ZnO，GaN，SiC InN，GaN，ZnO，SiC
PbS，CdO
2.1.3 晶体类型
金属晶体 通过金属键而形成的晶体
电子的电导率 n是电子浓度， 是电子的迁移率
空穴的电导率 p是电子浓度， 是电子的迁移率
本征半导体的电导率
本征半导体，n＝p N型半导体，n>>p P型半导体，n<<p
直接跃迁对应的半导体材料 称为直接禁带半导体
例子：GaAs，GaN，ZnO
间接跃迁对应的半导体材料 称为间接禁带半导体
例子：Si，Ge
直接跃迁和间接跃迁
考虑到光子的动量较小，可以忽略
因而电子吸收或放出一个光子，发生跃迁时电子的动 量基本不变
单纯的光跃迁过程是直接跃迁，效率高
间接跃迁为了能量守恒，必须有声子参加，因而发生 间接跃迁的概率要小得多
β、γ称为晶胞参数。 它们决定了晶胞的大小和形状。
七大晶系
晶系 立方 四方 正交 三方 六方 单斜 三斜
晶轴 a=b=c a=b≠c a≠b≠c a=b=c a=b≠c a≠b≠c a≠b≠c
夹角 α=β=γ= 900 α=β=γ= 900 α=β=γ= 900 α=β=γ≠ 900 α=β= 900， γ =1200 α= γ= 900 ，β≠ 900 α≠ β≠ γ≠ 900
离子晶体 通过离子键而形成的晶体
分子晶体 通过分子间作用力而形成的晶体
原子晶体 通过共价键形成的晶体
2.2 半导体的能带结构
2.2.1 原子结构和原子能级 2.2.2 半导体的电子状态 2.2.3 半导体的能带结构 2.2.4 半导体的载流子
2.2.1 单原子结构
•电子
•原子核
波尔理论
•EC •ED •Eg
•EV
热平衡条件
•温度一定时，两种载流子浓度乘积等于本征浓度 的平方。
•ni为本征载流子浓度 •本征半导体 •n型半导体 •p型半导体
电中性条件
整块半导体的正电荷量与负电荷量恒等。
例子：
本征硅中掺入0.0000002%的磷杂质（原子比），已 知硅的原子密度为5×1022/cm3，ni＝1.5×1010/cm3
N型半导体和P型半导体
后面以硅掺杂为例子进行说明
硅是化学周期表中的第IV族元素，每一个硅原子具有 四个价电子，硅原子间以共价键的方式结合成晶体。
2.3.3 N型半导体
•额外的电子
P是第V族元素，每一个 P原子具有5个价电子
P替位式掺入Si中，其中 四个价电子和周围的硅 原子形成了共价键，还 剩余一个价电子
2.2.4 半导体的载流子
电子 空穴
（1）电子
价带顶部的电子被激发 到导带后，形成了传导 电子
传导电子参与导电
电子带有负电荷－q，还 具有负的有效质量
•传导电子
•导带 •禁带
•价带
（2）空穴
价带顶部的电子被激发到导 带后，价带中就留下了一些 空状态
激发一个电子到导带，价带 中就出现一个空状态
①核外电子只能在有确定半径和能 量的轨道上运动,且不辐射能量
②基态：能量最低；
能级：轨道的不同能量状态；
激发态：电子被激发到高能量轨 道上
③激发态的电子不稳定，跃迁到低 能级，以光的形式释放能量。
原子能级结构图
•激发态 •基态
•E4＝－0.85 eV •E3＝－1.51 eV •E2＝－3.4 eV
（1）晶胞中质点的占有率
体心
面心
棱边
顶角
•晶胞中各质点的占有率
•立方晶 胞
•体心： •1
•面心： •1/2
•棱边 •1/4 ： •顶点 •1/8 ：
（2）密排堆积方式
密堆积方式因充分利用了空间，而使体系的势能尽可 能降低，而结构稳定。
常见的密排堆积方式的种类有： 简单立方堆积 体心立方堆积 面心立方堆积 密排六方堆积 金刚石型堆积
•禁带 •禁带
•能带
•允带 •允带
•允带
2.2.2 半导体的电子状态
孤立原子的电子状态 孤立原子的电子只在该原子核的势场中运动
金属的电子状态 金属元素的价电子为所有原子（或离子）所共有，可 以在整个金属晶格的范围内自由运动，称为自由电子 。自由电子是在一恒定为零的势场中运动
半导体的电子状态
半导体中的电子状态
•价带
•绝缘体
•E
g
•半导体
•导体
直接带隙和间接带隙
直接带隙半导体和间接带隙半导体
价带的极大值和导带的极小 值都位于k空间的原点上
价带的极大值和导带的极小 值不位于k空间的原点上
价带的电子跃迁到导带时， 只要求能量的改变，而电子 的准动量不发生变化，称为 直接跃迁