电子跟场
常用电子元件封装及尺寸[2]
![常用电子元件封装及尺寸[2]](https://img.taocdn.com/s3/m/c09dcff77c1cfad6195fa772.png)
常用电子元件封装电阻:RES1,RES2,RES3,RES4;封装属性为axial系列无极性电容:cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4电解电容:electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0电位器:pot1,pot2;封装属性为vr-1到vr-5二极管:封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率)三极管:常见的封装属性为to-18(普通三极管)to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林顿管)电源稳压块有78和79系列;78系列如7805,7812,7820等79系列有7905,7912,7920等常见的封装属性有to126h和to126v整流桥:BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列(D-44,D-37,D-46)电阻:AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.4-0.7指电阻的长度,一般用AXIAL0.4 瓷片电容:RAD0.1-RAD0.3。
其中0.1-0.3指电容大小,一般用RAD0.1 电解电容:RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。
一般<100uF用RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6二极管:DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短,一般用DIODE0.4 发光二极管:RB.1/.2集成块:DIP8-DIP40, 其中8-40指有多少脚,8脚的就是DIP8 贴片电阻0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系,但封装尺寸与功率有关通常来说如下:0201 1/20W0402 1/16W0603 1/10W0805 1/8W1206 1/4W电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是:0402=1.0mmx0.5mm0603=1.6mmx0.8mm0805=2.0mmx1.2mm1206=3.2mmx1.6mm1210=3.2mmx2.5mm1812=4.5mmx3.2mm2225=5.6mmx6.5mm零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。
电子元器件识别与测试实验心得5篇

电子元器件识别与测试实验心得5篇电子元器件识别与测试实验心得11.二极管的识别几乎所有的电子电路中都要用到晶体二极管,它在许多电路中起着重要的作用,是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。
二极管是晶体二极管的简称,也叫半导体二极管,用半导体单晶材料(主要是锗和硅)制成,是半导体器件中最基本的一种器件,是一种具有单方向导电特性的无源半导体器件,二极管有两个电极,分别为阳极和阴极,阳极为正,阴极为负。
二极管在电路中的符号为(),在电路中一般用字母D来表示。
2.二极管的作用二极管的作用有整流,检波,稳压,开关,限幅,等等。
通常这些作用都有相应的管子制造出来。
比如起整流作用的二极管有整流二极管,起检波作用的二极管有检波二极管。
3.二极管的检测?将万用表打到蜂鸣二极管档,红表笔接二极管的正极,黑笔接二极管的负极,此时测量的是二极管的正向导通阻值,也就是二极管的正向压降值。
不同的二极管根据它内部材料不同所测得的正向压降值也不同。
正向压降值读数在300--800为正常,若显示为0说明二极管短路或击穿,若显示为1说明二极管开路。
将表笔调换再测,读数应为1即无穷大,若不是1说明二极管损坏.正向压降值在200左右时,为稳压二极管;快恢复二极管的两读数都在200左右正常。
测稳压二极管我们通常所用到的稳压管的稳压值一般都大于 1.5V,而指针表的R×1k以下的电阻档是用表内的1.5V电池供电的,这样,用R×1k 以下的电阻档测量稳压管就如同测二极管一样,具有完全的单向导电性。
但指针表的R×10k档是用9V或15V电池供电的,在用R×10k,测稳压值小于9V或15V的稳压管时,反向阻值就不会是∞,而是有一定阻值,但这个阻值还是要大大高于稳压管的正向阻值的。
如此,我们就可以初步估测出稳压管的好坏。
检测注意事项用数字式万用表支测二极管时,红表笔接二极管的正极黑表笔接二极管的负极,此时测试得阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
电力电子填空题

第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、_双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_〔如何连接〕在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE〔th〕随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
无纸化会议实施方案

无纸化会议实施方案会议前1. 选择合适的会议平台:在无纸化会议中,选择一个稳定、安全、易用的会议平台至关重要。
可以考虑使用Zoom、Teams、Webex 等知名的在线会议工具,确保会议顺利进行。
2. 发送电子邀请函:使用电子邮件或在线会议平台发送邀请函,包括会议时间、地点、议程和相关资料,提醒参会人员提前做好会议准备。
3. 准备电子资料:无纸化会议需要所有资料以电子形式准备,包括会议议程、PPT、报告、表格等,确保参会人员可以在会议中方便地查阅和分享。
会议中1. 电子签到:使用在线会议工具的签到功能,记录参会人员的出席情况,方便后续统计和跟进。
2. 电子投影:在会议现场使用投影仪或大屏幕展示会议资料,确保所有参会人员都可以清晰地看到内容。
3. 电子讨论:利用在线会议工具的讨论功能,方便参会人员就议题展开讨论,并实时记录会议纪要和决议。
会议后1. 电子会议纪要:将会议讨论内容、决议和行动计划整理成电子会议纪要,通过邮件或在线文档分享给所有参会人员。
2. 电子跟进:根据会议决议和行动计划,使用电子邮件或在线项目管理工具进行跟进和协作,确保会议成果得以落实。
3. 反馈和改进:通过在线调查问卷或反馈表,收集参会人员对会议的评价和建议,为下次无纸化会议的改进提供参考。
总结无纸化会议实施方案的制定和执行,可以极大地提高会议的效率和便捷性,减少了大量的纸张浪费,符合环保理念,同时也符合数字化管理的趋势。
通过合理的会前准备、会中执行和会后跟进,可以使无纸化会议成为组织内部常态化的工作方式,为企业节约成本,提高工作效率。
希望本文提出的无纸化会议实施方案,能为各企业和组织在实践中带来一定的参考和帮助。
8.1静电场—高考物理回归课本基础知识填空

静电场—知识点填空1.电荷及起电方式(1)两种电荷①电荷的分类:电荷和电荷用丝绸摩擦过的玻璃棒带电,用毛皮摩擦过的硬橡胶棒带电。
②电荷间的相互作用:同种电荷相互,异种电荷相互。
(2)摩擦起电:当两个物体互相摩擦时,一些束缚得不紧的电子往往从一个物体到另一个物体,于是原来呈电中性的物体由于得到电子而带电,失去电子的物体则带电。
(3)感应起电:当一个带电体靠近导体时,由于电荷间相互吸引或排斥,导体中的自由电荷便会趋向或带电体,使导体靠近带电体的一端带电荷,远离带电体的一端带电荷,这种现象叫做静电感应,利用使金属导体带电的过程叫做感应起电。
2.电荷守恒定律和元电荷(1)电荷守恒定律:电荷既不会,也不会,它只能从一个物体转移到,或者从物体的一部分转移到;在转移过程中,电荷的保持不变。
(2)电荷守恒定律另一表述是:一个与外界没有电荷交换的系统,保持不变;(3)元电荷:叫做元电荷,用e表示,所有带电体的电荷量或者等于e,或者是,元电荷e的数值最早是由美国物理学家测得的,在我们的计算中,可取e C。
3.探究影响电荷间相互作用力的因素(1)实验现象:(如图下图所示)①小球带电荷量一定时,距离带电物体越远,丝线偏离竖直方向的角度;②小球处于同一位置时,小球所带的电荷量越大,丝线偏离竖直方向的角度;(2)实验结论:电荷之间的作用力随着电荷量的增大而,随着距离的增大而;4.库仑定律(1)点电荷:当带电体间的距离比它们自身的大小,以致带电体的、及对它们之间的作用力的影响可以忽略时,带电体可以看做;(2)库仑定律①内容:真空中两个静止点电荷之间的相互作用力,与它们的电荷量的乘积成,与它们的距离的成反比,作用力的方向在;②公式:122q q F kr =,其中k =22N m /C ⋅,叫做静电力常量;③③适用条件:①;②;(3)库仑的实验①库仑扭秤实验是通过悬丝比较静电力F 大小的;实验结果发现静电力F 与距离r 的成反比;②库仑在实验中为研究F 与q 的关系,采用的是用两个的金属小球接触,电荷量的方法,发现F 与1q 和2q 的成正比。
电子在半导体中的能带传输

电子在半导体中的能带传输半导体是一种电子导电性介于导体和绝缘体之间的材料,其导电性质主要由电子在能带中的传输决定。
能带是描述电子能量分布的概念,对于理解电子在半导体中的传输行为至关重要。
在半导体中,通常存在两个能带,分别是价带和导带。
价带中填满了价电子,导带中则存在自由电子。
这两个能带之间的能隙则决定了半导体的导电性质。
当能隙较小时,半导体具有较好的导电性,而当能隙较大时,半导体则呈现绝缘性质。
在常温下,半导体中价带的电子处于较稳定的状态,不易被激发到导带。
然而,外部条件的改变如光照、温度变化等,可以引起电子在能带中的能量状态发生变化,并影响半导体的电导率。
光照是一种常见的激发电子的方法。
当光照到达半导体表面时,光子激发了一些价带中的电子跃迁到导带中,形成所谓的光生电子。
这些光生电子具有较高的能量,可以在导带中自由传输。
因此,半导体的导电性能也随之增加。
此外,温度的变化也会引起电子在能带中的传输。
在低温下,电子的热运动较小,不易通过能隙跃迁到导带中。
而在高温下,电子的热能增加,能够克服能隙的阻碍跃迁到导带中,从而提高了电导率。
除了光照和温度变化,掺杂也是调控半导体导电性的方法之一。
通过在半导体中引入少量杂质,可以改变半导体的电子能带结构,从而影响电子在能带中的传输。
掺杂可以使得半导体具有不同的导电类型,如n型半导体和p型半导体。
n型半导体中,掺入的杂质使得导带中的自由电子增多,导电性能较好;p型半导体中,掺入的杂质形成了“空穴”,使得价带中的空穴数量增多,也有较好的导电性。
电子在半导体中的能带传输是半导体器件工作的基础。
如半导体二极管,其利用了n型和p型半导体的性质,形成了pn结,通过外加电压控制电子在能带中的传输,以实现电流的整流功能。
而半导体晶体管则进一步利用了电子在能带中的传输来实现信号的放大和开关功能。
总结来说,电子在半导体中的能带传输是与半导体材料导电性质相关的重要过程。
通过光照、温度变化以及掺杂等方法,可以调控半导体中电子的能量状态,进而影响半导体的导电性。
跟电有关的物理名词解释

跟电有关的物理名词解释电子(Electron)电子是一个基本粒子,是构成原子的组成部分之一。
它带有负电荷,质量很小,约为质子质量的千分之一。
在原子中,电子绕着原子核运动,形成了电子壳层,这些壳层决定了化学元素的性质。
静电(Static Electricity)静电是指在物体表面累积的电荷,它由于电子在物体之间的移动引起。
当两个物体摩擦或者分离时,电子可以从一个物体转移到另一个物体,导致物体带有正负两种电荷。
这种电荷的积累可以导致物体之间的吸引或者排斥作用,例如我们常见的摩擦产生的静电。
电流(Electric Current)电流是指电荷的流动,是电子的流动在导体中引起的现象。
当电场施加在导体上时,自由电子受到推动力,从一个地方移动到另一个地方。
这种电子的移动形成了电流。
电流的大小可以通过单位时间内通过导体横截面的电荷量来衡量,单位是安培(A)。
电压(Voltage)电压是指电场施加在电荷上的力,也称为电势差。
它是描述两个点之间电势差异的物理量,通过单位电荷在两点间所做的功来计算。
单位是伏特(V)。
电压可以理解为电流在电路中的驱动力,它决定了电流的大小和流向。
电阻(Resistance)电阻是指物体对电流流动的阻碍程度,通常用单位欧姆(Ω)来表示。
电阻由导体的物理特性决定,例如材料的导电性、形状和温度等。
电阻通过转化电能为热能,阻碍电流的流动,并减弱电流的强度。
电容(Capacitance)电容是指存储电荷的能力,当电容器两极之间施加电压时,正负电荷会在两极之间积累。
电容器由两个导体板和介质(例如空气或者电介质)组成。
电容的大小取决于电容器的形状、材料和介质的性质等。
磁场(Magnetic Field)磁场是由带电粒子或者电流产生的物理场,它可以引起力量的作用。
磁场可以在磁体、电磁线圈和电流通过的导线周围形成。
磁场可以相互作用,使得磁体之间产生吸引或者排斥的力。
磁场的强度通常用特斯拉(T)来度量。
电子材料物理部分参考答案.

(2)少量TiO2溶入ZnFe2O4, 高价的Ti4+取代Fe3+, 生成金 属不足置换固溶体。
(3)向ZnO晶体中固溶少量Al2O3 ,写出可能存在的缺陷 准化学反应方程式。
实际存在的可能性不大
低掺杂量
高掺杂量
第三章 作业题
1. 什么是霍尔效应?为什么可以利用霍尔效应检验材料是否 存在电子电导?并分析制作霍尔元件的材料为什么常采用N 型半导体? 2. ZrO2用做汽车氧传感器时,通常用来测量发动机空燃比。 请你查阅资料,阐述其工作原理并弄清目前发动机空燃比 达到多少时效果最佳。 3. TiO2在缺氧的气氛中易形成阴离子缺位,利用缺陷化学原 理,分析TiO2电导率与氧分压的关系。 P108 3.1 3.3 3.9 3.10
n
N 4 4 22 3 3 4 10 cm 8 3 V a 4.62 10
22 19 2
4 10 2 1.6 10 5 1012 nq 7 1 1 D 8.37 10 cm kT 1.38 1023 1500 273
AlZn VO
Cui
Mg Zr
答:Al3+占据Zn2+的位置,带有一个单位正电荷; 氧空位,带两个单位正电荷; Cu2+填隙,带两个单位正电荷; Mg2+占据Zr4+的位置,带两个单位负电荷。
3.写出下列过程中的缺陷反应方程式: (1)在纯ZrO2中分别固溶CaO、Y2O3,请写出该固溶过程 中产生VO••的缺陷反应方程式;
2.什么是Leabharlann 体的宏观对称性?它包括哪些宏观对称操作及相应的对称 元素?独立的对称操作元素有那些?
答:晶体通过旋转、反映、反演及旋转-反演等操作而使等同部分重合,相应 的对称性称为晶体的宏观对称性。 旋转:晶体绕某一固定轴(旋转轴)旋转角度θ=2π/n之后自身重合, 则此旋转 轴 为n次旋转对称轴。对称元素为对称轴。 反映:对称面的对称操作。对称元素:反映面 反演:对称中心的对称操作。对称元素:对称中心 旋转-反演:晶体绕某一固定轴(旋转轴)旋转角度θ=2π/n之后,再经过中心 反演,晶体能自身重合, 则此旋转轴为n度旋转-反演轴。对称元素:反轴
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电子和场
一、 电子在横向电场作用下的电偏转
【实验目的】
1. 掌握电子在电场中的运动规律;
2. 验证电子在不同加速电压V 2下,电偏移量D 与偏转电压V d 之间的近似线性关系;
3. 利用描点法将D-V d 在X-Y 坐标系中描绘出来,并依据直线斜率确定加速电压V 2与电偏
灵敏度δ电之间的关系。
【实验仪器】
ZKY-DZC 型电子和场实验仪。
图1 电子和场实验仪
图2 配件图
【实验原理】
如图1所示,ZKY-DZC 型电子和场实验仪是为大学物理实验专门设计的教学实验仪器,它主要用于研究和验证电子束在不同的电场和磁场条件下的运动规律。
从电子枪阴极K 发射出来的电子与加束电压V 2之间有如下关系:
2
212
x mv eV (1) 电子通过加有偏转电压(V d )的空间,它将获得一个横向速度v y ,但不改变轴向分量v x 。
此时电子偏离轴心方向将与X 轴成一个夹角θ,如图3所示,而θ由下式决定:
图3 电子在横向电场中的电偏转
y x
v tan =
v θ (2)
电子在横向电场E y =V d /d 作用下受到一个大小为F y =eE y =eV d /d 的横向力。
在电子从偏转板之间通过的时间ΔT 内,F y 使电子得到一个横向动量mv y ,而它等于力的冲量,即
d T eV T F mV d y y /∆=∆⋅= (3)
于是:
T d
V m e V d
y ∆⋅⋅=
(4) 在时间间隔ΔT 内,电子以轴向速度V x 通过距离l (l 等于偏转板长度),因此l =V x
ΔT ,将ΔT 代入冲量一动量关系(4)可得,
y v d x
V e l
m d v =
⋅⋅ (5) 这样,偏转角可下式给出
y 2x
v tan =
v d x
V e l
d m v θ=
⋅⋅ (6) 把能量关系式(1)代入上式,最后得到
d 2V tan =
V 2l d
θ⋅ (7) 上式表明偏转角与偏转电压V d 及偏转板长度成正比,与加速电压2V 及偏转板间距d 成反比,由图1知,D=tan L θ,(L 为偏转板中心到荧光屏的距离)于是有
22d d V l
D L
V V d
δ=⋅=⋅电 (δ电为电偏灵敏度) (8) 2
12Ll d V δ=
⋅电
【实验内容与步骤】
1. 接插线:A 2接⊥,Vd.x ±接X 2,Vd.Y ±接Y 2。
2. 灯丝钮子开关拨向“示波管”一端,接通电源,示波管亮。
3. 调焦:调节栅压V G 旋钮,将辉度控制在适当位置;调节聚焦电压旋钮,使荧光屏上光点聚成一细点,光点不要太亮,以免烧坏荧光物质。
4. 光点调零:用万用表监测偏转电压V d (X 2,Y 2对地电压),同时调节Vd.x ±Vd.Y ±旋钮将V d 调零。
这时光点应在中心原点,若不在,可调整X 调零(Y 调零)旋钮,使光点处于中心原点。
5. 测加速电压V 2:用万用表直流2500V 档“+”接V 2,“-” 接K ,调整面板右上方加速电压旋钮,选择一定的加速电压V 2。
6.测偏转电压V d:直流200V档,“+”接Y2,“-”接⊥。
保持加速电压V2及聚焦电压V1不变,调节旋钮Vd.Y±,记录偏转电压V d的数值及对应的电偏量D(屏前坐标系中光点位置),填入表1。
7.利用所测加速电压V2,偏转电压V d及电偏移D,在X-Y坐标纸上描出不同V2下D-V d的关系,并据直线斜率确认V2与电偏灵敏度δ电的反比关系。
【数据记录及处理】
【注意事项】
1.接通电源前,先检查接线是否正确,以免损坏仪器。
2.决不能能让栅极G在零偏压下工作,因为过亮的光点会因为电子作强轰击而使荧光屏过热,导致荧光粉局部损坏。
3.应将仪器预热几分钟后再开始实验。
二、电子在横向磁场作用下的运动(磁偏转)
【实验目的】
1.掌握电子在磁场中的运动规律;
2.横向磁场中,加不同的加速电压V2,描出磁偏量S与磁转线圈电流Ia的关系图线,验证S与Ia的正比关系;
3.确定磁偏灵敏度δ磁与加速电压V2之间的定量关系。
【实验仪器】
ZKY-DZC型电子和场实验仪
【实验原理】
电子束的磁偏转,是指电子束通过磁场时,在洛仑磁力的作用下发生偏转,如图4所示。
图4 磁偏转
据理论分析可知,磁偏量S 与磁感应强度B 之间的关系由下式决定:
S = (9)
上式中,S 为磁偏量,e 是电子电量绝对值,m 为电子质量。
设磁偏线圈是螺管式的,其单位长度上的线图匝数为n ,磁偏电流为Ia ,K 是与磁介质及螺管几何因素有关的常数,则有
a S I δ==⋅磁 (10)
a
S
I δ==
磁 (11)
由式(10)和式(11)可知,光点的偏转位移S 与偏转磁感应强度B 成正式线性关系,或者说与磁偏电流成正比关系,而与加速电压平方根成反比线性关系。
【实验内容与步骤】
1. 接插线:A2接⊥,测加速电压V 2:用万用表直流2500V 档“+” 接V 2,“-” 接K ,调整面板右上方加速电压旋钮,选择一定的加速电压V 2。
机外直流稳压电源串接毫安表,再接“外供磁场电源”接线柱,二只偏转线圈分别插入示波器两测。
2. 将外供磁偏电流Ia 调零,同时调整聚焦旋钮、栅压旋钮,使光点辉度、聚焦良好;
3. 调整X 、Y 调零旋钮,使光点移至中心原点。
4. 调节加速电压旋钮,选择一定的加速电压2V 。
5. 逐步增大磁偏电流Ia ,记录不同2V 下磁偏量S 及对应Ia 的数值(至少三组)。
6. 拨动“换向开关”。
同第5步测量X 、Y 轴反方向数据,并做记录。
7. 在X-Y 坐标系中,描出不同2V 下S-Ia 关系图线,并分析直线斜率与加速电压之间的关系。
注:S 可从屏外刻度板读出,Ia 可从串接毫安表上读出。
Ia 可通过仪器换向开关换向。
【数据记录及处理】
【注意事项】
1. 接通电源前,先检查接线是否正确,以免损坏仪器。
2. 决不能能让栅极G 在零偏压下工作,因为过亮的光点会因为电子作强轰击而使荧光屏过热,导致荧光粉局部损坏。
3. 应将仪器预热几分钟后再开始实验。
三、真空二级管中电子的运动规律
【实验目的】
验证空间电荷限制电流满足二分之三次方定律,并确定此种状态下阳极电压a V 的范围。
【实验仪器】
ZKY-DZC 型电子和场实验仪
【实验原理】
真空二极管基本结构及电路图连接如图5所示,给阴极灯丝通电,则被加热的灯丝向外发射电子。
电子一旦脱离阴极成为自由电子,将在阴极和阳极间的电场中加速,并经过阳极及外电路返回阴极。
如果阴极和阳极间的电位差比较小,那么发射出来的电子会堆积在阴极附近形成空间电荷。
这些负的空间电荷改变了阴极附近的电场,结果倾向于把发射电子退回阴极,随着电位差的增大,处于空间电荷边缘的电子向阳极运动的更快。
因此,增进电位差能使空间电荷减少而电流增大,此时电流由空间电荷限制,对于图5所示的简单平面电极结构可以证明电流I 实际上正比于电位差V 的二分之三次方。
这就是说,对于受空间电荷限制的电流来说:
3
2
V I =⋅常数 (12)
这个重要的关系式称为朗缪尔-蔡尔德定律。
随着V 的增加,空间电荷逐渐减少,最后不再有空间电荷存在,这时电流完全取决于阴极的发射率,在达到这种状态后,进一步加强V ,I 也不在增大。
真空二极管的伏安特性(V -I )如图6所示。
图5 线路图
图6 电流电压关系图
【实验内容与步骤】
1. 接插线:灯丝中点接⊥;+200V 接2A 。
2. 将灯丝转换开关拨向二极管一边,接通电源,二极管被电量。
3. 测灯丝电压F V :测量标有F 的两个红色接线柱之间交流灯丝电压F V ,用交流50V 档。
4. 串接毫安表测量阳极电流a I ,“-”接1A ,“+”接2A ,选择20mA 档。
5. 测量阳极电压a V ,“-”接⊥,“+”接2A ,用直流1000V 档。
6. 改变a V ,重复4、5步,将数据填入表6。
7. 以a I 为纵坐标,a V 为横坐标,作不同F V 下的伏安特性曲线。
【数据记录及处理】
【思考题】
1.为什么偏转板末端是向外张开的,而不是完全平行的? 2.如果在偏转板上加一交流电压,会出现什么现象?
3.假如除了加横向磁场以外,还在其中某一对偏转板上加上电压,使得两种因素引起的电子束的偏转相互抵消,应该利用哪对偏转板?电压的极性如何?若在使净偏转为零
后,增加加速电压,这时会发生什么情况?
4.电偏转和磁偏转各有什么特点,各自适宜运用于什么场合?
5. 在电子束的电偏转时若偏转电压Vd同时加在X、Y偏转电极上,预期光点会随Vd 作何变化?
6. 在磁偏转实验时,若外加横向磁场后光点向上移动,这时通过改变Y方向的电偏转电压Vd 使光点的净偏转为零后,再增加V2的加速电压,这时会发生什么情况?。