模拟电子(第四版华成英主编)习题答案第八章
模拟电子技术基础第四版课后标准答案-童诗白

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V。
习题1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价B.四价C.三价(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B从12 uA 增大到22 uA 时,I C从l mA变为2mA,那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将( A ) 。
模拟电子技术 清华华成英第四版 第八章

Xf Xi
+
Xf Xi
XO Xi
•
Xf XO
AF 1
AF AF 1 幅值平衡条件
Arg AF Arg A Arg F A F 相位平衡条件 2n (n 0、1、 2)
二、起振和稳幅
起振的条件: Xf 稍大于 Xi 即
Xf Xi
..
AF
1
稳幅的条件: Xf Xi 即
Xf Xi
..
AF 1
2M 2 Ri2 2 L22
•
L2
优点: 容易振荡
缺点: 能量损耗大,变压器 器件笨重
例:分别标出图所 示各电路中变压器 的同名端,使之满 足正弦波振荡的相 位条件。
三、电感反馈式振荡电路(电感三点式)
判定原则:
中间交流接地,首尾反向, 首或尾端交流接地,另两端 同向
振荡频率: f0
2
1 LC
(本题10分)一电压比较器电路及参数如图所示。请求出 该电路的阈值电压,画出电压传输特性曲线,并说明是何 种类型的电压比较器
2解:所示电路为反相输入的滞回比较器 (3分)
uO=±UZ=±6V。令
uP
R1 R1 R2
uO
R2 R1 R2
U REF
uN
uI
(2分)
求出阈值电压:UT1=0 V UT2=4 V (2分)
U = T
R
R 1
+R
•U Z
1
2
uo从+UZ跃变到-UZ的 阈值电压为+UT
uo从-UZ跃变到+UZ的 阈值电压为-UT
uI在-UT与+UT之间增加或减 小, uO不发生变uO化
+UZ
模电(第四版)习题解答

实用文档模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保R大的特点。
( √ )证其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
山东大学-清华大学-模拟电子技术基础-模电(第四版)习题库及解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术基础(第四版)习题解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。
模拟电子技术基础第四版习题解答完整版

模拟电子技术基础第四版习题解答Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R大的特点。
( √)GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。
图解:U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V。
五、电路如图所示,V CC =15V ,=100,U BE =。
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第八章精编资料

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第八章第8章波形的发生和信号的转换自测题一、改错:改正图T8.1所示各电路中的错误,使电路可能产生正弦波振荡。
要求不能改变放大电路的基本接法(共射、共基、共集)。
(a) (b)图T8.1解:(a)加集电极电阻R c及放大电路输入端的耦合电容。
(b)变压器副边与放大电路之间加耦合电容,改同名端。
二、试将图T8.2所示电路合理连线,组成RC桥式正弦波振荡电路。
图T8.2解:④、⑤与⑨相连,③与⑧相连,①与⑥相连,②与⑦相连。
如解图T8.2所示。
解图T8.2三、已知图T8.3(a)所示方框图各点的波形如图(b)所示,填写各电路的名称。
电路1为正弦波振荡电路,电路2为同相输入过零比较器,电路3为反相输入积分运算电路,电路4 为同相输入滞回比较器。
(a)(b)图T8.3四、试分别求出图T8.4所示各电路的电压传输特性。
(a) (b)图T8.4解:图(a)所示电路为同相输入的过零比较器;图(b)所示电路为同相输入的滞回比较器,两个阈值电压为±U T =±U Z。
两个电路的电压传输特性如解图T8.5所示。
解图T8.4五、电路如图T8.5所示。
图T8.5(1)分别说明A1和A2各构成哪种基本电路;(2)求出u O1与u O的关系曲线u O1=f(u O);(3)求出u O 与u O1的运算关系式u O =f (u O1);(4)定性画出u O1与u O 的波形;(5)说明若要提高振荡频率,则可以改变哪些电路参数,如何改变?解:(1)A 1:滞回比较器;A 2:积分运算电路。
(2)根据12111112121()02P O O O O N R R u u u u u u R R R R =⋅+⋅=+==++ 可得:8T U V ±=±u O1与u O 的关系曲线如解图T8.5 (a)所示。
(3) u O 与u O1的运算关系式1211121141()()2000()()O O O O O u u t t u t u t t u t R C=--+=--+ (4) u O1与u O 的波形如解图T8.5(b)所示。
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&F & > 1, 故 可 能 产 生 正 弦 波 振 荡 。 f= f0 时 有 可 能 满 足 起 振 条 件 A
图 ( b) 所 示 电 路 有 可 能 产 生 正 弦 波 振 荡 。 因 为 共 射 放 大 电 路 输 出 电 压 和 输 入 电 压 反 相 ( φ A = - 180 ˚ ) ,且图中三级移相电路为滞后网络,在信号 频 率 为 0 到 无 穷 大 时 相 移 为 0 ˚ ~ - 270 ˚ , 因 此 存 在 使 相 移 为 - 180 ˚ ( φ F = - 180 ˚ ) 的 频 率 , 即 存 在 满 足 正 弦 波 振 荡 相 位 条 件 的 频 率 f 0 ( 此 时 φ A + φ F
f 0 max = f 0 min =
1 ≈ 1.6kHz 2π R1C 1 ≈ 145Hz 2π ( R1 + R2 )C
第八章 波形的发生和信号的转换
自测题
一 、 判 断 下 列 说 法 是 否 正 确 , 用 “ √ ” 或 “ ×” 表 示 判 断 结 果 。 ( 1 ) 在 图 T8.1 所 示 方 框 图 中 , 若 φ F = 1 80 °, 则 只 有 当 φ A = ± 180 ° 时,电路才能产生正弦波振荡。 ( )
( 5) 负 反 馈 放 大 电 路 不 可 能 产 生 自 激 振 荡 。 ( )
( 6 )在 LC 正 弦 波 振 荡 电 路 中 ,不 用 通 用 型 集 成 运 放 作 放 大 电 路 的 原 因 是其上限截止频率太低。 ( 解: ( 1) √ ( 2) × ) ( 3) × ( 4) × ( 5) × ( 6) √
uO = −
1 uO1 (t2 − t1 ) + uO (t1 ) R4C
= −2000uO1 (t2 − t1 ) + uO (t1 )
解 图 T8.6
第八章题解-5
( 4 ) u O 1 与 u O 的 波 形 如 解 图 T8 .6 ( b ) 所 示 。 ( 5) 要 提 高 振 荡 频 率 , 可 以 减 小 R4、 C、 R1 或 增 大 R2。
解 图 T8.5
第八章题解-4
六 、 电 路 如 图 T8.6 所 示 。
图 T8.6
( 1) 分 别 说 明 A1 和 A2 各 构 成 哪 种 基 本 电 路 ; ; ( 2) 求 出 uO1 与 uO 的 关 系 曲 线 uO1= f( uO) ; ( 3) 求 出 uO 与 uO1 的 运 算 关 系 式 uO= f( uO1) ( 4) 定 性 画 出 uO1 与 uO 的 波 形 ; ( 5) 说 明 若 要 提 高 振 荡 频 率 , 则 可 以 改 变 哪 些 电 路 参 数 , 如 何 改 变 。 解: ( 1) A1: 滞 回 比 较 器 ; A2: 积 分 运 算 电 路 。 ( 2 ) 根 据 u P1 =
图 P8.5
第八章题解-7
解 : 图 ( a) 所 示 电 路 有 可 能 产 生 正 弦 波 振 荡 。 因 为 共 射 放 大 电 路 输 出 电 压 和 输 入 电 压 反 相 ( φ A = - 180 ˚ ) ,且图中三级移相电路为超前网络,在 信 号 频 率 为 0 到 无 穷 大 时 相 移 为 + 270 ˚ ~ 0 ˚ , 因 此 存 在 使 相 移 为 + 180 ˚ ( φ F = + 180 ˚ )的 频 率 ,即 存 在 满 足 正 弦 波 振 荡 相 位 条 件 的 频 率 f 0 ( 此 时 φ A + φ ;且在 F= 0˚)
( 3 ) 在 RC 桥 式 正 弦 波 振 荡 电 路 中 , 若 RC 串 并 联 选 频 网 络 中 的 电 阻 均 为 R , 电 容 均 为 C , 则 其 振 荡 频 率 f 0 = 1 / RC 。 ( ) )
&F & =1 , 就 一 定 会 产 生 正 弦 波 振 荡 。 ( 4) 电 路 只 要 满 足 A (
( 3) 一 般 情 况 下 , 在 电 压 比 较 器 中 , 集 成 运 放 不 是 工 作 在 开 环 状 态 , 就是仅仅引入了正反馈。 ( )
( 4) 如 果 一 个 滞 回 比 较 器 的 两 个 阈 值 电 压 和 一 个 窗 口 比 较 器 的 相 同 , 那么当它们的输入电压相同时,它们的输出电压波形也相同。 ( )
图 T8.1
( 2) 只 要 电 路 引 入 了 正 反 馈 , 就 一 定 会 产 生 正 弦 波 振 荡 。 ( ( 3) 凡 是 振 荡 电 路 中 的 集 成 运 放 均 工 作 在 线 性 区 。 ( ) Nhomakorabea)
( 4) 非 正 弦 波 振 荡 电 路 与 正 弦 波 振 荡 电 路 的 振 荡 条 件 完 全 相 同 。 ( 解: ( 1) √ ( 2) × ( 3) × ( 4) ×
第八章题解-6
8.3 现 有 电 路 如 下 : A . RC 桥 式 正 弦 波 振 荡 电 路 B . LC 正 弦 波 振 荡 电 路 C. 石 英 晶 体 正 弦 波 振 荡 电 路 选 择 合 适 答 案 填 入 空 内 , 只 需 填 入 A、 B 或 C。 ( 1 ) 制 作 频 率 为 20Hz ~ 20k Hz 的 音 频 信 号 发 生 电 路 , 应 选 用 ( 2 )制 作 频 率 为 2 MHz ~ 20MHz 的 接 收 机 的 本 机 振 荡 器 ,应 选 用 ( 3) 制 作 频 率 非 常 稳 定 的 测 试 用 信 号 源 , 应 选 用 解: ( 1) A ( 2) B ( 3) C 。 。 。
( 5) 在 输 入 电 压 从 足 够 低 逐 渐 增 大 到 足 够 高 的 过 程 中 , 单 限 比 较 器 和 滞回比较器的输出电压均只跃变一次。 ( )
( 6) 单 限 比 较 器 比 滞 回 比 较 器 抗 干 扰 能 力 强 , 而 滞 回 比 较 器 比 单 限 比 较器灵敏度高。 ( 解: ( 1) × ) ( 2) √ ( 3) √ ( 4) × ( 5) √ ( 6) ×
习
题
8.1 判 断 下 列 说 法 是 否 正 确 , 用 “ √ ” 或 “ ×” 表 示 判 断 结 果 。 ( 1 )在 图 T8.1 所 示 方 框 图 中 ,产 生 正 弦 波 振 荡 的 相 位 条 件 是 φ F = ± φ ( A。 ) ( 2 ) 因 为 RC 串 并 联 选 频 网 络 作 为 反 馈 网 络 时 的 φ F = 0 °, 单 管 共 集 放 大 电 路 的 φ A = 0 °,满 足 正 弦 波 振 荡 的 相 位 条 件 φ A + φ F = 2n π( n 为 整 数 ) , 故合理连接它们可以构成正弦波振荡电路。 ( )
间时,石英晶体呈
( 3 ) 当 信 号 频 率 f = f 0 时 , RC 串 并 联 网 络 呈 解: ( 1) B A C ( 2) B C A
8.5 判 断 图 P8.5 所 示 各 电 路 是 否 可 能 产 生 正 弦 波 振 荡 ,简 述 理 由 。设 图 ( b) 中 C4 容 量 远 大 于 其 它 三 个 电 容 的 容 量 。
8.4 选 择 下 面 一 个 答 案 填 入 空 内 , 只 需 填 入 A 、 B 或 C 。 A. 容 性 B. 阻 性 C. 感 性 ,在信号频率大于谐振频率时 。
( 1 ) LC 并 联 网 络 在 谐 振 时 呈 呈 ,在信号频率小于谐振频率时呈
( 2) 当 信 号 频 率 等 于 石 英 晶 体 的 串 联 谐 振 频 率 或 并 联 谐 振 频 率 时 , 石 英晶体呈 ;当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之 ;其余情况下石英晶体呈 。 。 ( 3) B
&F & > 1, 故 可 能 产 生 正 弦 波 振 = - 360 ˚ ) ; 且 在 f= f0 时 有 可 能 满 足 起 振 条 件 A
荡。
8.6 电 路 如 图 P8.5 所 示 , 试 问 : ( 1 )若 去 掉 两 个 电 路 中 的 R 2 和 C 3 ,则 两 个 电 路 是 否 可 能 产 生 正 弦 波 振 荡?为什么? ( 2 )若 在 两 个 电 路 中 再 加 一 级 RC 电 路 ,则 两 个 电 路 是 否 可 能 产 生 正 弦 波振荡?为什么? 解: ( 1) 不 能 。 因 为 图 ( a) 所 示 电 路 在 信 号 频 率 为 0 到 无 穷 大 时 相 移 为 + 180 °~ 0 °, 图 ( b ) 所 示 电 路 在 信 号 频 率 为 0 到 无 穷 大 时 相 移 为 0 °~ - 180 °, 在 相 移 为 ± 180 °时 反 馈 量 为 0 , 因 而 不 可 能 产 生 正 弦 波 振 荡 。 ( 2 )可 能 。因 为 存 在 相 移 为 ± 180 °的 频 率 ,满 足 正 弦 波 振 荡 的 相 位 条 件 , 且电路有可能满足幅值条件,因此可能产生正弦波振荡。
R2 R1 1 ⋅ u O1 + ⋅ u O = (u O1 + u O ) = u N1 = 0 , 可 得 R1 + R2 2 R1 + R2
± U T = ± 8V
u O 1 与 u O 的 关 系 曲 线 如 解 图 T8.6 ( a ) 所 示 。 ( 3) uO 与 uO1 的 运 算 关 系 式
8.2 判 断 下 列 说 法 是 否 正 确 , 用 “ √ ” 或 “ ×” 表 示 判 断 结 果 。 ( 1) 只 要 集 成 运 放 引 入 正 反 馈 , 就 一 定 工 作 在 非 线 性 区 。 ( )
( 2) 当 集 成 运 放 工 作 在 非 线 性 区 时 , 输 出 电 压 不 是 高 电 平 , 就 是 低 电 平。 ( )
三 、 试 将 图 T8.3 所 示 电 路 合 理 连 线 , 组 成 RC 桥 式 正 弦 波 振 荡 电 路 。