高压传感器
E3JK 一体化高压光电传感器说明书
3•Built-in amplifier accepts wide supply voltage range.•Slim, space-saving construction mea-sures only 50x 50x 17.4mm.•Relay outputs with long life expectan-cy and high switching capacity (3A,250V AC).•Polarized retroreflective type available for glossy or shiny object detection.*The value within the parentheses indicates the sensing distance applied when the E39-R2 reflector is used.Note:The UL-listed model ends with "-US". (Example: E3JK-5M1-US). Note that the DC transistor type of the E3JK is UL-unlisted.Accessories (Order Separately)SlitsReflectors*Values in parentheses indicate the minimum required distance between the sensor and reflector.Note:When the reflector used is other than the supplied one, set the sensing distance to about 0.7 times of the typical example as a guideline.Slit widthSensing distanceMinimum sensingobject (typical)Model QuantityRemarksWidth 1 mmx20 mm E3JK-5##0.7 m1 mm dia.E39-S391 pc. each for emitter and receiver (total2 pcs.)(Seal type long slit) Can be used with the through-beam model E3JK-5##.Name Sensing distance (typical)Model QuantityRemarksReflectors E3JK-R2## 2.5 m (rated value)E39-R11Attached to the E3JK-R2##. Attached to the E3JK-R4##.E3JK-R4## 4 m (rated value)E3JK-R2## 3 m E39-R21---E3JK-R4## 5 m Small reflector E3JK-R2## 1 m (5 mm) *E39-R31---Tape ReflectorE3JK-R2##750 mm (200 mm) *E39-RS11The M.S.R. function is available.E3JK-R2## 1.2 m (200 mm) *E39-RS2E3JK-R2## 1.5 m (200 mm) *E39-RS3Mounting Brackets3Rating/PerformanceE3JKSensor typeThrough-beam Retroflective model (with M.S.R. function)Retroflective model (without M.S.R. function)Diffuse-reflective ItemModelE3JK-5M #E3JK-R2M #E3JK-R2#3E3JK-R4M #E3JK-R4S3E3JK-DS30M #E3JK-DS30S3Sensing distance 5 m2.5 m(When using the E39-R1) 4 m(When using the E39-R1)300 mm(White paper 100x100 mm)Standard sensing object Opaque 14.8 dia. min.Opaque: 75 mm dia. min.---Differential distance ---20% max. of sensing distanceDirectional angle Both emitter and receiver: 3°C to 20°C 1° to 5°---Light source (wave length)Infrared LED (950 nm)Red LED (660 nm)Infrared LED (950 nm)Power supply volt-age 12 to 240 VDC ±10% ripple (p-p) : 10% max. 24 to 240 VAC ±10% 50/60 Hz Current con-sump-tionDC 3 W max. 2 W max.AC3 W max.2 W max.Control outputRelay output: 250VAC3 A (cos ϕ=1) max., 5 VDC 10 mA min.Relay output: 250VAC3 A (cos ϕ=1) max., 5 VDC 10 mA min.DC SSR Neg-ative or posi-tive common 48 VDC100 mA max. Leak current 0.1 mA max. With load short-circuit protectionRelay output: 250VAC3 A (cos ϕ=1) max., 5 VDC 10 mA min.DC SSRNegative com-mon 48 VDC100 mA max. Leak current 0.1 mA max. With load short-circuit protec-tionRelay output: 250VAC3 A (cos ϕ=1) max., 5 VDC 10 mA min.DC SSR Neg-ative common 48 VDC100 mA max. Leak current 0.1 mA max. With load short-circuit protectionLife ex-pectan-cy (relay output)Me-chanical 50 million times or more (switching frequency 18,000 times/hour)Electri-cal100 thousand times or more (switching frequency 18,000 times/hour)Response time30 ms max.30 ms max.5 ms max.30 ms max.5 ms max.30 ms max.5 ms max.Sensitivity adjustment ---Single-turn adjustmentAmbient illuminanceIncandescent lamp: 3,000 lux max.Ambient temperature Operating: -25°C to 55°C, Storage: -30°C to 70°C (with no icing or condensation)Ambient humidity Operating: 45% to 85%RH, Storage: 35% to 95%RH (with no condensation)Insulation resistance 20 M Ω min. at 500 VDCDielectric strength 1,500 VAC at 50/60 Hz for 1 minuteVibra-tion resis-tanceDestruc-tion 10 to 55 Hz, 1.5 mm double amplitude for 2 hours each in X, Y, and Z directionsMal-function10 to 55 Hz, 1.5 mm double amplitude for 2 hours each in X, Y, and Z directions3Shock resis-tanceDestruc-tionDestruction: 500 m/s 2 for 3 times each in X, Y, and Z directionsMal-functionDestruc-tion: 100m/s 2 (approx. 10G) 3 times each in X, Y, and Z directions Destruction:100m/s 2 (approx.10G) 3 times each in X, Y, and Z direc tionsDestruction:500m/s 2 for 3times each inX, Y andZ directionsDestruction: 100m/s 2(approx.10G) 3 timeseach in X, Y,and Z directionsDestruction: 500m/s 2 for 3 times each in X, Y, and Z directions Destruction: 100m/s 2 (approx.10G) 3 times each in X, Y, and Z direc tionsDestruction: 500m/s 2 for 3 times each in X, Y, and Z directionsProtective structure IEC60529 IP64Connection method Pre-wired models (standard length: 2 m)Weight(Packed state)Approx. 420 g Approx. 250 g MaterialCaseABS LensAcrylicsMountingbracketSteelAccessoriesMounting bracket (with screws), nuts, instruction manual, reflector (retroreflective model only)Sensor typeThrough-beam Retroflective model (with M.S.R. function)Retroflective model (without M.S.R. function)Diffuse-reflectiveItemModelE3JK-5M #E3JK-R2M #E3JK-R2#3E3JK-R4M #E3JK-R4S3E3JK-DS30M #E3JK-DS30S3E 3Characteristic data (typical)Excess Gain Ratio vs. Setting Distance Through-beam model Retroreflective ModelsDiffuse-reflective E3JK-5##E3JK-R2## + E39-R1 (supplied reflector)E3JK-DS30##Output Circuit DiagramE3JKRelay outputDC transistor outputNote:Connect to brown and blue on the emitter side.PrecautionsDesignPower Reset TimeThe Sensor is ready to detect an object within 200 ms after it is turned ON. If Sensor and load are connected to separate power supplies, ensure to turn ON the Sensor first.Wiring ConsiderationsConnection/WiringIf the DC transistor output type is used, the sum of load cur-rents of L-ON output (NO) and D-ON output (NC) should be within 100 mA. If the sum of load currents exceeds 100 mA, the load short-circuit protection may be activated. (The load short-circuit protection is reset by turning OFF the power of the photoelectric sensor.)MiscellaneousAmbient Conditions (Installation Area)The E3JK will malfunction if installed in the following places.•Places where the E3JK is exposed to a dusty environment.•Places where corrosive gases are produced.•Places where the E3JK is directly exposed to water, oil, or chemicals.Correct UseE3JKEmitterReceiverEmitterReceiverDimensions (Unit: mm)Accessories (Order Separately)In the interest of product improvement, specifications are subject to change without notice.ALL DIMENSIONS SHOWN ARE IN MILLIMETERS.To convert millimeters into inches, multiply by 0.03937. To convert grams into ounces, multiply by 0.03527.Cat. No. E027-E2-09A -X。
10kv高压带电传感器原理
10kv高压带电传感器原理10kV高压带电传感器原理引言：高压带电传感器是一种用于测量高电压的装置，主要用于电力系统中的高压设备监测和维护。
本文将介绍10kV高压带电传感器的原理及其工作过程。
一、10kV高压带电传感器的概述10kV高压带电传感器是一种非接触式传感器，它通过测量电场或磁场的变化来确定高压电力设备的电压大小。
它主要由传感元件、信号处理电路和输出接口组成。
传感元件通常由电容器或电感器构成，信号处理电路负责将传感元件收集到的信号转换成可供人们理解的形式，输出接口将处理后的信号输出到显示设备或记录设备上。
二、电容式10kV高压带电传感器的原理电容式10kV高压带电传感器利用电场的变化来测量高压电力设备的电压。
传感元件由两个平行金属板构成，当该传感元件靠近高压电力设备时，高压电场的存在会引起金属板之间的电容值发生变化。
传感元件将这个电容变化转化为电信号，并通过信号处理电路进行处理。
三、电感式10kV高压带电传感器的原理电感式10kV高压带电传感器利用磁场的变化来测量高压电力设备的电压。
传感元件由线圈构成，当该传感元件靠近高压电力设备时，高压电流的存在会引起线圈中的电感值发生变化。
传感元件将这个电感变化转化为电信号，并通过信号处理电路进行处理。
四、10kV高压带电传感器的工作过程1. 传感器靠近高压电力设备，并确保与设备之间有足够的间隙。
2. 当高压电力设备通电时，产生的电场或磁场会引起传感元件中的电容或电感发生变化。
3. 传感元件将这个变化转化为电信号，并通过信号处理电路进行放大和滤波。
4. 处理后的信号经过输出接口输出到显示设备或记录设备上，供人们观察和分析。
5. 根据输出信号的变化，可以确定高压电力设备的电压大小。
五、10kV高压带电传感器的应用10kV高压带电传感器广泛应用于电力系统中的高压设备监测和维护。
它可以实时监测高压设备的电压变化，及时发现设备故障并采取相应的措施，以确保电力系统的稳定运行。
高压传感器工作原理与应用探究
高压传感器工作原理与应用探究1. 引言高压传感器是一种用于测量和监测高压环境中的压力变化的设备。
它在各种应用中起着重要的作用，包括工业、汽车、航空航天等领域。
本文将深入探讨高压传感器的工作原理及其在不同领域的应用。
2. 高压传感器的工作原理高压传感器的工作原理基于电阻变化、压电效应或敏感膜片挠度等原理。
下面我们将分别介绍这些原理。
2.1 电阻变化原理一种常见的高压传感器工作原理是基于电阻的变化。
在这种原理下，传感器中的电阻会随着受测量压力的变化而发生相应的改变。
这种电阻变化可以通过各种方式进行测量和检测，如电桥电路等。
高压传感器中的电阻变化通常与应变测量相关，当压力施加在传感器上时，传感器内部的应变导致电阻的变化，从而反映出压力变化。
2.2 压电效应原理压电效应是指某些材料在受到机械应力或压力时会产生电荷，并且这些材料可以将电荷转化为电压信号。
在高压传感器中，压电效应被应用于转换压力信号为电压信号。
传感器中的压电元件受到外部压力影响时，会产生电荷，进而产生输出电压信号。
该电压信号可以通过放大电路进行放大和处理，得到与输入压力相关的电压输出信号。
2.3 敏感膜片挠度原理高压传感器中的敏感膜片挠度原理是指在压力作用下，传感器中的薄膜会产生弯曲或挠度，并且这种挠度与受测量压力成正比。
传感器通过检测和测量薄膜挠度的变化来获取压力信息。
通常，传感器会使用校准曲线或标定参数来将膜片挠度转化为相应的压力值。
3. 高压传感器的应用领域高压传感器在各种领域中都有重要的应用。
下面我们将介绍几个常见的应用领域。
3.1 工业领域在工业领域，高压传感器被广泛应用于气体和液体的压力监测和控制。
在石油和化工工业中，高压传感器可以用于监测管道中的压力变化，以确保工艺的正常运行和安全性。
高压传感器也可以用于机械设备和气动系统中的压力控制和监测。
3.2 汽车领域在汽车领域，高压传感器被广泛应用于发动机控制系统、刹车系统和气囊系统等方面。
cg5-10q高压传感器的功能原理
cg5-10q高压传感器的功能原理《CG5-10Q高压传感器功能原理》
CG5-10Q高压传感器是一种用于测量高压的传感器，它可以广泛应用于汽车发动机、空调系统、压缩机、液压系统以及工业自动化等领域。
其主要功能原理如下：
1. 压力感应元件：CG5-10Q传感器内部采用先进的压力感应元件，当受到外部高压力的作用时，压力感应元件会产生相应的变形，这个变形会被传感器所探测到。
2. 信号放大：传感器将探测到的压力信号传输至信号放大模块，信号放大模块会将微弱的压力信号放大为可测量的电压信号，以便进行后续的数字化处理。
3. 数字化处理：经过信号放大的压力信号会被传感器内部的数字化处理模块转换成数字信号，这个数字信号可以直接被外部的计算机或控制系统所识别和处理。
4. 输出数据：经过数字化处理后，传感器会将所测得的压力数值输出给外部设备，如汽车的发动机控制系统，以便进行相应的调节和控制。
总之，CG5-10Q高压传感器的功能原理是通过压力感应元件探测外部压力并将其转换为电压信号，再经过信号放大和数字化处理最终将所测得的压力数值传输给外部设备，以实现对压力的准确测量和控制。
Omega B-75PX1004 PX1009高压传感器产品说明书
PX1004/PX1009 SeriesmV/V Output 0-15 to 0-10,000 psi 0-1 to 0-700 bar1 bar = 14.5 psi 1 kg/cm2 = 14.22 psi 1 atmosphere = 14.7 psi = 29.93 inHg = 760.2 mmHg = 1.014 bar PX1009L0-1KAV, shown actual size.PX1004L1-1KAV, shown actual size.OMEGA’s thin-film technology makes this premium performance possible. The strain gages are sputter-deposited, forming a molecular bond with the substrate. There is virtually no shift, drift, or creep to cause the transducer’s calibration to change. The all-welded stainless steel pressure cavity and double-isolated case ensure pressure integrity and reliability in adverse environments.These high-temperature transducers are available in many standard ranges from 15 psi to 10,000 psi. A NIST-traceable calibration record is available for these units.SPecificAtionSexcitation: 10 Vdc full Range output: 30 mV nominal, 26 mV minimum Residual Unbalance: 0 mV ±5% FSO at zero pressure input Resistance: 400 Ω nominal output Resistance: 400 Ω nominal OMEGA’s PX1004 and PX1009 sputtered thin-film pressure transducers are designed for high-temperature service. These instruments can operate in temperatures from -54 to 232°C or 343°C (-65 to 450°F or 650°F).Yet even in these extreme temperatures, they provide outstanding accuracy, long-term calibration stability, and reliability. Static accuracy is ±0.25%, and thermal zero and sensitivity shifts over their compensated ranges are less than ±0.01%/°F.insulation Resistance: PX1004: 100M Ω or greater at 50Vdc PX1009: 50M Ω or greater at 50Vdc electrical connections: PX1004: PCIH-10-6P or equivalent PX1009: Color-coded pigtail leads, 0.8 m (30") long, minimum Sensing element: 4-active-arm bridge using sputter-deposited thin-film elements.Accuracy: Combined linearity, hysteresis and repeatability: ±0.25% FSO, BSL (over the compensated temperature range)Note: Performance is determined at 25°C ±1°C (77°F ±2°F), open circuit, rated excitation, unless otherwise specified operating temp Range: PX1004: -54 to 232°C (-65 to 450°F) PX1009: -54 to 343°C (-65 to 650°F)compensated temp Range: PX1004: 24 to 204°C (75 to 400°F) PX1009: 24 to 316°C (75 to 600°F)HigH- and Very-HigH-TemPeraTure PreSSure TranSducerSU two Versions that operate from -54 to 232°c (-65 to 450°f) (PX1004) or -54 to 343°c (-65 to 650°f) (PX1009)U High PerformanceU Proven High ReliabilityU exceptional calibration Stability applications U engine and test StandsU High-temperature testingU Process MonitoringU Ground Support equipmentU High-temperatureGeothermal Generators。
MT3303-EN系列高压多极极位感应传感器说明书
Features and Benefits⚫ BiCMOS Technology⚫ Wide Operating Voltage Range:Supply Voltage 2.8~24V⚫ Specified Operating TemperatureRange: From -40℃~150℃⚫ Low Operating Current: 2.3mA ⚫ Lead Free PackageFlat TO-92, SOT-23 ⚫ Open Drain Output⚫ Reverse Battery Protection ⚫ RoHS Compliant:2011/65/EUApplications⚫ Solid-state Switch ⚫ Speed Detection⚫ Angular Position Detection ⚫ Proximity DetectionFamily MembersGeneral DescriptionThe MT3303-EN family are Hall-effect omni-polar switch designed in mixed-signal technology. The Hall IC internally includes a voltage regulator for operation with supply voltage of 2.8 to 24V, a dynamic offset cancellation system, a Schmitt trigger and an open-drain output driver, all in a single package.As to its wide operating voltage range and extended choice of temperature range, it is quite suitable for use in automotive, industrial and consumer applications. It also includes an anti-reverse bias block to prevent from reverse bias condition.MT3303-EN series provide a variety of packages to customers: SOT-23 for surface mount and flat TO-92 for through-hole mount. All packages are RoHS compliant.Reference RegulatorHall PlateITACOMPESDESDV GNDOUTOutput DriverDynamic offset cancelationOver Current ProtectSFunctional Block DiagramFunction DescriptionDefinition of Magnetic ParametersB OP : Operating Point, Magnetic flux density applied on the branded side of the package which turns theoutput driver ON (V OUT =Low)B RP : Release Point, Magnetic flux density applied on the branded side of the package which turns theoutput driver OFF (V OUT =High) B HYST : Hysteresis Window,| B OP -B RP |Definition of Switching Function0South PoleV 0B B North Pole V OP RP RP B OP B OUT OUT (V)Switching BehaviorNORSNORSNote:Pin DescriptionMT3303A-EN MT3303AT-ENName NumberDescriptionV S 1 Power GND 2 Ground OUT3Open-drain OutputName NumberDescriptionV S1 Power GND 3 Ground OUT2Open-drain OutputS ORORNS NOUT=Low OUT=High Switching point of A Direction of magnetic flux, Close to the chip, Far away to the chip Switching point of AT OUT=Low OUT=HighElectrical and Magnetic CharacteristicsAbsolute Maximum RatingsAbsolute maximum ratings are limiting values to be applied individually, and beyond which the serviceability of the circuit may be impaired. Functional operability is not necessarily implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for an extended period of time may affect device reliability. Absolute maximum ratings: all voltages listed are referenced to GND.Symbol Parameters Min Max Units V S Supply Voltage - 27 VV RCC Reverse Battery Voltage -27 - VV OUT Output Voltage - 27 VI OUT Continuous output current - 50 mAT A Operating ambient Temperature -40 150 ℃T S Storage temperature -50 165 ℃T J Junction Temperature - 165 ℃B Magnetic Flux No Limit Gauss Power derating CurveMT3303-EN SpecificationsA SSymbol Parameter Test Condition Min Typ Max Units V S Supply Voltage Operating 2.8 - 24 V I S Supply Current B< B RP 1 2.3 3.5 mA I OCP Short Circuit Protection Current B>BOP, V OUT=V S50 mA V DSON Output Saturation Voltage I OUT=20mA, B> B OP- - 0.4 V I OL Output Leakage Current V OUT=24V, B< B RP- - 10 μA T R1,2Output Rise Time R L=1KOhm,C L=20pF - - 1.0 μs T F1,2Output Fall Time R L=1KOhm,C L=20pF - - 1.0 μsT PO1Power On Time dV S/dt>5V/uS,B>B OP(MAX)- - 25 μsF C1Chopping Frequency - 200 - KHzR TH SOT-23 Package ThermalResistance- 301 - ℃/WTO-92 Package ThermalResistance- 230 - ℃/WB OPS Magnetic Operating Point ofSouth PoleT A =25℃90 150 190 GaussB RPS Magnetic Release Point of SouthPole70 120 160 GaussB HYSTS Hysteresis Window of South Pole 10 30 50 GaussB OPN Magnetic Operating Point of NorthPoleT A =25℃T A =25℃-190 -150 -90 GaussB RPN Magnetic Release Point of NorthPole-160 -120 -70 GaussB HYSTN Hysteresis Window of North Pole -50 -30 -10 Gauss1 Guaranteed by device design and characterization.2 CL = oscilloscope probe capacitance.Characteristic PerformanceAverage Supply Current versus Supply Voltage Average Supply Current versus Temperature Magnetic Characteristics versus Temperature Magnetic Characteristics versus Temperature V S=2.8V V S=5VMagnetic Characteristics versus Temperature Magnetic Characteristics versus Temperature V S=12V V S=24VTypical Application Circuit Note: R L recommend 1KOhm to 10KOhmVSLTypical Output WaveformMagnetic fieldB B B B V OUTPower On Output Waveform (The Flat TO-92 package as an example)V SMagnetic field Digital OutputNote: Vs rise time<1us, T PO is the time from Vs becoming stable to output becoming valid.MT3303-EN SeriesHigh Voltage Omni-polarHall-Effect SensorsPACKAGE DESIGNATOR(MT3303A-EN) Flat TO-92MT3303-EN SeriesHigh Voltage Omni-polar Hall-Effect SensorsPACKAGE DESIGNATOR(MT3303AT-EN) SOT-23。
高压传感器工作原理
高压传感器工作原理
高压传感器是一种用于测量高压力的装置，它通过特定的工作原理将高压力转换成电信号。
高压传感器通常由压电元件、传感器芯片、信号处理电路和输出接口等组成。
压电元件是高压传感器的核心部件，它可以将外界施加在其表面的压力转换成电荷信号。
压电元件通常采用石英晶体材料，当其受到压力作用时，晶体结构会发生微小的形变，从而产生电荷。
这个电荷信号随后被传感器芯片接收并进行放大处理。
传感器芯片是高压传感器的信号转换和处理部分，它将压电元件产生的微小电荷转换成模拟电压信号。
传感器芯片内部采用了电阻、电容等元件，通过调整这些元件的电路电阻、电容值，可以实现不同量程和灵敏度的测量。
信号处理电路将传感器芯片输出的模拟电压信号进行放大、滤波和线性化等处理，以提高信号的精确度和稳定性。
此外，信号处理电路还可以对输出信号进行调节，使其符合特定的输入要求。
最后，高压传感器的输出接口将处理后的模拟电压信号转换成数字信号，以便于与处理器或其他设备进行通信和数据处理。
综上所述，高压传感器的工作原理是利用压电元件将高压力转换成电荷信号，然后通过传感器芯片、信号处理电路和输出接口将其转换成可读取的数字信号。
这样就实现了对高压力的准确测量和监测。
电力高压传感器的工作原理
电力高压传感器的工作原理
电力高压传感器的工作原理主要有:
1. 电容式:利用电容器的充放电原理,电容值会随着电压的变化而改变,从而检测电压。
2. 电感式:利用互感原理,通过电感器的互感电压变化来检测电压。
3. 椭圆螺线管式:利用磁通量的相互作用,当高压通过时,会改变螺线管的磁阻,从而检测电压。
4. 光电倍增管:使用气体放电的光电效应,电压越高,放电越强,输出的光电流信号越大。
5. 电子倍增管:利用二次电子倍增原理,电压越大,倍增的电流越大,以放大电压信号。
6. 机械式:使用特殊材料在电场作用下发生机械变形,然后用传感器检测其位移来测量电压。
7. 比光法:输入高压,产生的电流与标准电流比较,从而推算电压值。
8. 选择合适的传感方式,可以实现高压大电流的精确监测。
9. 还需要考虑传感器的测量范围、环境适应性、使用寿命等参数。
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DXN系列户内高压带电显示装置
2.2显示装置的分类
a.按额定电压等级分为：3、6、10、27.5、35KV；
b.按传感器使用环境条件分为：普通型、加强绝缘型（全工况型）；
c.按按感器结构及安装尺寸分为：见表2；
d.按显示器功能分为：T型、Q型；
e.按显示器外型尺寸分为：Ⅰ型、Ⅱ型；见图8、图9；
2.3显示装置基本参数
显示装置的基本参数见表1
表1
注：二次闭锁电源电压超出表1规定，由用户与制造厂协商解决。
3、结构概述
显示装置的传感器和显示器经外接导线，联成电容分压回路（见图1原理图）
3.1传感器
传感器制成支柱绝缘子式，内埋设高强介电功能性材料制成芯棒式电容C1、其C1的一端经上法兰与高压母线连接，C1另一端由传感器下端（二次接线端）连接（见图2），传感器的外形结构根据配套要求，制成不同高度和各式伞裙（如图4-7所示）。
根据安装要求，上法兰制成有单螺孔、双螺孔、四螺孔（具体孔径、孔距、孔数见表2）。
传感器的外绝缘结构有以下二种：
a.用高压电瓷帛成的外绝缘套，中间埋设高压电容C1，制成的传感器其型号为CG1型（见图2）。
b.用具有阻燃性，憎水性的SMC材料制成的外绝缘套与高压电容C1，帛成的传感器，其型号为CG3型（见图3）。
3.2显示器
显示器功能有：提示型和强制型。
提示型有单显示（即三只传感器配一只显示器，接线原理见图10）和双显示（即三只传感器配套二只显示器、接线原理同单显示），二只显示器分别安装在开关柜两个不同侧面。
提示型氖灯不允许休止。
强制型：它不但具备提示型的全部功能，而且利用抽压信号控制电子开关，配合电磁锁执行强制闭锁。
当三相回路只有一相带电时，电磁锁就不能解锁。
显示器中的直键开关是作为氖灯工作与休止状况选择用。
当氖灯处休止状况时强帛闭锁回路不得解锁，（接线原理见图11）。
注：Ⅰ型显示器有提示型和强制闭锁型两种。
Ⅱ型显示器仅有提示型、不具备强制闭锁功能。
4、外型及安装尺寸
4.1传感器的外形及安装尺寸见图4-7所示及表2。
DXN系列户内高压带电显示装置
4.2显示器的外形及安装尺寸
4.2.1Ⅰ型显示器的外形及安装尺寸见图8
4.2.2Ⅱ型显示器外型及安装尺寸见图9
5、接线原理图
a.提示型原理和端子接线图
b.强制型原理图和端子接线图
GSN19高压带电显示装置
装置通过抽压电容芯棒,从高压带电回路中抽取一定的电压作为显示和闭锁的电源,用于反映装置设置处的带电状态,并能强制闭锁开关网门.
电压指示和强制闭锁的工作,均受同一高压信号所控制,但电路系统又是相互独立的.只要高压回路带电,那么即使显示电路和闭锁电路同时出了故障,电磁锁仍处于闭锁状态.因此产品的防误闭锁可靠性大,安全度高.
传感器全部按全工况要求设计,爬电距离满足技术要求.显示器外观新颖,电子元件全部进行筛选,组装精致.
传感器为环氧树脂浇注支柱绝缘子式产品.可做为隔离开关,接地开关和其它支柱绝缘子使用,具有高强度,耐电弧能力强,局部放电量小等特点.
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