ttl电平和cmos电平标准
CMOS TTL电平标准
TTL电平和CMOS电平总结1，TTL电平：输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。
在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。
最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。
2，CMOS电平：1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。
而且具有很宽的噪声容限。
3，电平转换电路：因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相连接时需要电平的转换4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。
否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。
5，TTL和COMS电路比较：1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
3）COMS电路的锁定效应：COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。
这种效应就是锁定效应。
当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。
防御措施：1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过规定电压。
2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
3）在VDD和外电源之间加限流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS 电路的电源。
6，COMS电路的使用注意事项1）COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。
TTL电路与CMOS电路
TTL电路与CMOS电路2009-10-28 22:28一、TTL和CMOS电路TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路的英文缩写（Transister-Transister-Logic ），是数字集成电路的一大门类。
它采用双极型工艺制造，、具有高速度低功耗和品种多等特点。
CMOS是金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。
由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC（Complementary MOS Integrated Circuit）。
1、TTL电平：输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。
在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。
最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。
2、CMOS电平：1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。
而且具有很宽的噪声容限。
二、TTL和CMOS电路的比较1）TTL电路是电流控制器件，而CMOS电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
CMOS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
CMOS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
3）CMOS电路的锁定效应：CMOS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。
这种效应就是锁定效应。
当产生锁定效应时，CMOS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。
防御措施：1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。
2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
3）在VDD和外电源之间加限流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
TTL电平和CMOS电平标准
I-输入范围|O-输出范围|H-高|L-低|TH-Threshold阀值（逻辑界限）。
范围是自线的位置往边界延伸“范围是自线的位置往边界延伸”这里能再说的明白些吗？最好指示出什么颜色代表什么区域，谢谢了！
举例，VIHX线往上方边界Vcc看，中间包含的蓝色和条纹带都能被认为是高电平。
是可靠电平。
左边2个是ttl逻辑电路不同供电电压时情况；右边2个是cmos逻辑电路不同供电电压时情况。
说一下左边第一个，其他雷同：
ttl逻辑电路在供电电压5V时，
Voh（最小高电平输出电压）=2.4V，Vih（最小高电平输入电压）=2V，高电平噪声容限=|Voh-Vih|=0.4V；
Vol（最大低电平输出电压）=0.5V，Vil（最大低电平输入电压）=0.8V，低电平噪声容限=|Vol-Vil|=0.3V；
Vth（阈值电压、门限电压）=1.5V，高低电平相对门限电压不对称。
另外说明几点：
（1）ttl的Vth在Vcc变化时基本不跟随改变，cmos的Vth=Vcc/2
（2）cmos噪声容限比ttl的高
不论（哪里来的）什么信号，只要>=Vih就是逻辑“1”，<=Vil就是逻辑“0”。
Vih是输入逻辑1电压，Vil是输入逻辑0电压；Voh是输出逻辑1电压，Vol是输出逻辑0电压
只要Vin>＝Vih就看做是输入逻辑1，Vin<=Vil就看做输入逻辑0，相应的，只要Vout>=Voh（即上面蓝色区域）就看做是输出逻辑1,Vout<=Vol（即下面蓝色区域）就看做是输出逻辑0。
TTL电平和CMOS电平区别和比较
一．TTLTTL集成电路的主要型式为晶体管－晶体管逻辑门〔transistor-transistorlogicgate〕，TTL大局部都采用5V电源。
1.输出高电平Uoh和输出低电平UolUoh≥2.4V，Uol≤0.4V2.输入高电平和输入低电平Uih≥2.0V，Uil≤0.8V二．CMOSCMOS电路是电压控制器件，输入电阻极大，对于干扰信号十分敏感，因此不用的输入端不应开路，接到地或者电源上。
CMOS电路的优点是噪声容限较宽，静态功耗很小。
1.输出高电平Uoh和输出低电平UolUoh≈VCC，Uol≈GND2.输入高电平Uoh和输入低电平UolUih≥0.7*VCC，Uil≤0.2VCC〔VCC为电源电压，GND为地〕从上面可以看出:在同样5V电源电压情况下，COMS电路可以直接驱动TTL，因为CMOS的输出高电平大于2.0V,输出低电平小于0.8V；而TTL电路那么不能直接驱动CMOS电路，TTL的输出高电平为大于2.4V，如果落在2.4V～3.5V之间，那么CMOS电路就不能检测到高电平，低电平小于0.4V 满足要求，所以在TTL电路驱动COMS电路时需要加上拉电阻。
如果出现不同电压电源的情况，也可以通过上面的方法进展判断。
如果电路中出现3.3V的COMS电路去驱动5VCMOS电路的情况，如3.3V单片机去驱动74HC,这种情况有以下几种方法解决，最简单的就是直接将74HC换成74HCT〔74系列的输入输出在下面有介绍〕的芯片，因为3.3VCMOS可以直接驱动5V的TTL电路；或者加电压转换芯片；还有就是把单片机的I/O口设为开漏，然后加上拉电阻到5V，这种情况下得根据实际情况调整电阻的大小，以保证信号的上升沿时间。
三．74系列简介74系列可以说是我们平时接触的最多的芯片，74系列中分为很多种，而我们平时用得最多的应该是以下几种：74LS，74HC，74HCT这三种，这三种系列在电平方面的区别如下：TTL和CMOS电平1、TTL电平(什么是TTL电平)：输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。
TTL电平和CMOS电平的区别
TTL电平和CMOS电平的区别！（转贴）TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑"1"，0V等价于逻辑"0"，这被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。
TTL 电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的，首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低，另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路；再者，计算机处理器控制的设备内部的数据传输是在高速下进行的，而TTL接口的操作恰能满足这个要求。
TTL型通信大多数情况下，是采用并行数据传输方式，而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。
这是由于可靠性和成本两面的原因。
因为在并行接口中存在着偏相和不对称的问题，这些问题对可靠性均有影响；另外对于并行数据传输，电缆以及连接器的费用比起串行通信方式来也要高一些。
6 c4 p; z2 k' r3 D$ f& L什么是TTL电平，什么是CMOS电平，他们的区别(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V ' w6 n- P7 `( L6 ECMOS电平Vcc可达到12V PCB设计论坛，PCB layout设计，高速PCB设计，高速SI仿真设计4 K, M" v1 {! i- B% A9 F% y" lCMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为EDA365高速PCB论坛$ K3Y* O# j3 |0.1Vcc。
CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。
TTL电路不使用的输入端悬空为高电平PCB设计论坛，PCB layout设计，高速PCB设计，高速SI仿真设计& k, H; f' e0 e8 b1 a! l+ I$ J另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。
TTL与COM
TTL与CMOS（超级详细！）2推荐TTL与CMOS1，TTL电平：输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。
在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。
最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。
2，CMOS电平：1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。
而且具有很宽的噪声容限。
3，电平转换电路：因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。
哈哈4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。
否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。
5，TTL和COMS电路比较：1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
3）COMS电路的锁定效应：COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。
这种效应就是锁定效应。
当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。
防御措施： 1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。
2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS电路的电源。
什么是TTL电平和CMOS电平-ttl电平和cmos电平区别和比较
什么是TTL电平和CMOS电平?ttl电平和cmos电平区别和比较1、TTL电平(什么是TTL电平)：TTL电平信号被利用的最多是由于通常数据表示采纳二进制规定，+5V等价于规律“1”，0V等价于规律“0”，这被称做TTL(晶体管-晶体管规律电平)信号系统，这是计算机处理器掌握的设备内部各部分之间通信的标准技术。
TTL电平信号对于计算机处理器掌握的设备内部的数据传输是很抱负的，首先计算机处理器掌握的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低，另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路;再者，计算机处理器掌握的设备内部的数据传输是在高速下进行的，而TTL接口的操作恰能满意这个要求。
TTL型通信大多数状况下，是采纳并行数据传输方式，而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。
这是由于牢靠性和成本两面的缘由。
由于在并行接口中存在着偏相和不对称的问题，这些问题对牢靠性均有影响。
TTL电路不使用的输入端悬空为高电平。
输出高电平2.4V,输出低电平0.4V。
在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。
最小输入高电平和低电平：输入高电平=2.0V，输入低电平=0.8V，噪声容限是0.4V。
2、CMOS电平：1规律电平电压接近于电源电压，0规律电平接近于0V。
而且具有很宽的噪声容限。
CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为0.1Vcc。
CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成规律混乱。
另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。
3、电平转换电路：由于TTL和COMS的凹凸电平的值不一样(ttl 5v==cmos 3.3v)，所以相互连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。
哈哈4、OC门，又称集电极开路与非门门电路，Open Collector(Open Drain)。
TTL，CMOS，LVTTL，LVCMOS电平标准
TTL，CMOS，LVTTL，LVCMOS电平标准TTL电平VCC：5V数字电路中，由TTL电⼦元器件组成电路使⽤的电平。
电平是个电压范围。
标准输出⾼电平（VOH)：2.4V标准输出低电平(VOL)：0.4V（0.5V）通常输出⾼电平：3.5V(3.6V)通常输出低电平：0.2V最⼩输⼊⾼电平(VIH)：2.0V最⼤输⼊低电平(VIL) ：0.8V对TTL器件规定输出⾼电平>2.4V,输出低电平<0.4V。
在室温下，TTL器件⼀般输出⾼电平是3.5V，输出低电平是0.2V。
最⼩输⼊⾼电平和低电平：输⼊⾼电平>=2.0V，输⼊低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。
（什么是噪声容限）3.3V LVTTL： Vcc：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
2.5V LVTTL： Vcc：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。
CMOS电平标准Vcc：5V；VOH>=4.45V；VOL<=0.5V；VIH>=3.5V；VIL<=1.5V。
3.3V LVCMOS：Vcc：3.3V；VOH>=3.2V；VOL<=0.1V；VIH>=2.0V；VIL<=0.7V。
2.5V LVCMOS：Vcc：2.5V；VOH>=2V；VOL<=0.1V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。
思考题：（1）噪声容限是如何计算的?（2）电位，电压，电平有什么区别？。
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I-输入范围|O-输出范围|H-高|L-低|TH-Threshold阀值（逻辑界限）。
范围是自线的位置往边界延伸“范围是自线的位置往边界延伸”这里能再说的明白些吗？最好指示出什么颜色代表什么区域，谢谢了！
举例，VIHX线往上方边界Vcc看，中间包含的蓝色和条纹带都能被认为是高电平。
是可靠电平。
左边2个是ttl逻辑电路不同供电电压时情况；右边2个是cmos逻辑电路不同供电电压时情况。
说一下左边第一个，其他雷同：
ttl逻辑电路在供电电压5V时，
Voh（最小高电平输出电压）=2.4V，Vih（最小高电平输入电压）=2V，高电平噪声容限=|Voh-Vih|=0.4V；
Vol（最大低电平输出电压）=0.5V，Vil（最大低电平输入电压）=0.8V，低电平噪声容限=|Vol-Vil|=0.3V；
Vth（阈值电压、门限电压）=1.5V，高低电平相对门限电压不对称。
另外说明几点：
（1）ttl的Vth在Vcc变化时基本不跟随改变，cmos的Vth=Vcc/2
（2）cmos噪声容限比ttl的高
不论（哪里来的）什么信号，只要>=Vih就是逻辑“1”，<=Vil就是逻辑“0”。
Vih是输入逻辑1电压，Vil是输入逻辑0电压；Voh是输出逻辑1电压，Vol是输出逻辑0电压
只要Vin>＝Vih就看做是输入逻辑1，Vin<=Vil就看做输入逻辑0，相应的，只要Vout>=Voh（即上面蓝色区域）就看做是输出逻辑1,Vout<=Vol（即下面蓝色区域）就看做是输出逻辑0。