贴片陶瓷电容知识(介质,DF,漏电,应用等)
陶瓷电容器基础知识简介陶瓷电容器使用要点大全
陶瓷电容器基础知识简介陶瓷电容器使用要点大全谈论起陶瓷电容器，我们会想到电子元件器工业。
电子元件器工业在在20世纪出现并得到飞速发展，使得整个世界和人们的工作、生活习惯发生了翻天覆地的变化。
继电器、二极管、电容器、传感器等产品的出现，给我们的生活带来了极大地便利。
而电容器，顾名思义，是‘装电的容器’，是一种容纳电荷的器件。
英文名称：capacitor。
电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。
文章开篇所提到的陶瓷电容器（ceramiccapacitor；ceramiccondenser）就是用陶瓷作为电介质，在陶瓷基体两面喷涂银层，然后经低温烧成银质薄膜作极板而制成。
它的外形以片式居多，也有管形、圆形等形状。
一、陶瓷电容器基础知识简介1、陶瓷电容器是用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。
它又分高频瓷介和低频瓷介两种。
具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。
这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
高频瓷介电容器适用于高频电路。
2、陶瓷电容器又分为高频瓷介电容器和低频瓷介电容器两种。
具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡电路中，作为回路电容器。
低频瓷介电容器用在对稳定性和损耗要求不高的场合或工作频率较低的回路中起旁路或隔直流作用，它易被脉冲电压击穿，故不能使用在脉冲电路中。
高频瓷介电容器适用于高频电路。
3、陶瓷电容器有四种材质分类：这四种是：Y5V，X5R，X7R，NPO(COG)。
那么这些材质代表什么意思呢？第一位表示低温，第二位表示高温，第三位表示偏差。
Y5V表示工作在-30~+85度，整个温度范围内偏差-82%~+22%X5R表示工作在-55~+85度，整个温度范围内偏差正负15%X7R表示工作在-55~+125度，整个温度范围内偏差正负15%NPO（COG）是温度特性最稳定的电容器，电容温漂很小，整个温度范围容量很稳定，温度也是-55~125度，适用于振荡器，超高频滤波去耦，但容量一般做不大。
贴片电容和瓷片电容
贴片电容和瓷片电容贴片电容和瓷片电容是电子领域中常见的两种电容器。
它们在电路中起着储能、滤波、耦合等重要作用。
本文将从它们的结构、特点和应用等方面进行介绍。
一、贴片电容贴片电容是一种小型化的电容器，通常由两个金属板和介质组成。
它的外形呈矩形或圆柱形，尺寸较小，便于贴片式安装。
贴片电容常采用多层板层叠的形式，通过将多个电容单元堆叠在一起，实现较大的电容值。
贴片电容的结构紧凑，具有体积小、重量轻、频率响应好等特点。
贴片电容的材料多为陶瓷或聚合物介质，其中以多层陶瓷贴片电容最为常见。
多层陶瓷贴片电容的介质是一种高介电常数的陶瓷材料，具有良好的绝缘性能和稳定性。
它的电容值范围广，从几皮法到几百微法不等，可以满足不同应用的需求。
贴片电容广泛应用于各种电子设备中，如手机、电视、电脑等。
它们可以用于滤波电路，去除电源噪声和杂散信号，提供干净的电源给其他电路。
此外，贴片电容还可以用于耦合电路、直流隔离、波形整形等。
由于体积小，适合大规模集成电路的制造，因此在现代电子产品中得到了广泛应用。
二、瓷片电容瓷片电容是一种以瓷质介质为基础的电容器。
它的结构由两个金属电极和瓷质介质组成。
瓷片电容的外形通常为圆柱形，也有方形或矩形的。
瓷片电容的特点是体积小、频率响应好、失真小等。
瓷片电容的瓷质介质具有较高的介电常数和良好的绝缘性能，可以承受较高的电压。
瓷片电容的电容值范围从几皮法到几百微法不等，可以满足不同应用的需求。
此外，瓷片电容还具有快速响应的特性，适用于高频电路和快速切换电路。
瓷片电容广泛应用于电子设备中，如通信设备、计算机、汽车电子等领域。
它们可以用于滤波电路，去除电源噪声和干扰信号，提供稳定的电源给其他电路。
此外，瓷片电容还可以用于电源管理、隔离电路、调谐电路等。
由于体积小，频率响应好，瓷片电容在现代电子产品中得到了广泛应用。
贴片电容和瓷片电容是电子领域中常见的两种电容器。
它们的结构、特点和应用各有不同，但都在电路中起着重要的作用。
贴片式多层陶瓷电容器及其应用
贴片式多层陶瓷电容器及其应用随着表面贴装技术（SMT）及便携式电子产品迅猛发展，近年来开发出各种尺寸小、性能好的贴片式元器件（SMD），贴片式多层陶瓷电容器（MLCC）就是十分出色的贴片式元件之一。
由于它有极好的性能、多种不同的品种、规格齐全、尺寸小、价格便宜，并且有可能取代铝电解电容器及钽电解电容器等特点，得到极其广泛的应用。
本文介绍MLCC的主要参数、特性、应用指南，便于用户正确选择及应用。
工作温度范围及温度特性根据所用介质材料的不同，MLCC的工作温度范围及温度特性（用温度系数或电容量变化百分比来表示）如表1所示，不同介质材料的温度特性曲线分别如图1～5所示。
按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。
精度等级及代码MLCC的精度（允差）等级分成9级，如表2所示。
这里要注意的是温度稳定性类别与允差是有关的，并且其电容量的基数也不同，如表2所示。
电容量数如表3所示。
COG(NPO)I类的电容量较小，一般在2200pF以下（最大值0.1μF）；X7RⅡ类的电容量一般在100pF～2.2μF之间；Y5VⅢ类的电容量范围较大，一般为1000pF～100μF。
额定电压（耐压）MLCC有耐高压品种，JOHANSON公司有容量10pF～0.68μF、耐压范围为500～5000V的系列。
一般常用的耐压范围为10～200V（250V），但最常用的耐压范围是10～50V。
这里要注意的是，耐压高电容器的容量小，如耐压达200V，其容量小于 3.3μF；大容量（25～100μF）电容器，其耐压不超过25V。
所选的电容器的额定电压必须大于最大工作电压。
尺寸及尺寸代码MLCC的外形非常标准，如图6所示。
常用的尺寸代码如表4所示（以JOHANSON公司16～200V产品为例）。
某些容量大的电容器要用两个或三个电容器堆叠并联而成（最多堆叠5个）。
陶瓷贴片电容
陶瓷贴片电容陶瓷贴片电容是一种常见的电子元件，广泛应用于各种电路中。
它具有小巧轻便、稳定可靠、耐高温等优点，因此在电子产品中扮演着重要的角色。
我们来了解一下陶瓷贴片电容的基本结构和工作原理。
陶瓷贴片电容由一层或多层陶瓷片组成，其中夹有金属电极。
当外加电压作用在电容两端时，电容器内部会产生电场，使得电容器存储电荷。
在电路中，陶瓷贴片电容主要用于滤波、耦合、解耦等功能，起到稳定电压、提高信噪比的作用。
陶瓷贴片电容具有许多优点，使得它成为电子产品中不可或缺的元件之一。
首先是体积小巧轻便，适合在小型电子产品中使用，比如智能手机、平板电脑等。
其次是稳定可靠，具有良好的温度特性和频率特性，能够在各种环境条件下稳定工作。
此外，陶瓷贴片电容还具有耐高温、耐腐蚀等特点，适合在苛刻的工作环境中使用。
除了优点，陶瓷贴片电容也存在一些缺点。
比如其介电常数较大，会影响电路的频率响应特性；另外，陶瓷贴片电容的温度稳定性较差，随温度变化而变化。
因此，在一些对频率响应和温度稳定性要求较高的电路中，可能会选择其他类型的电容来替代。
在使用陶瓷贴片电容时，需要注意一些问题。
首先是正确选型，根据电路的要求选择合适的电容值和额定电压；其次是正确安装，要避免电容器与其他元件短路或接反；最后是注意电容器的工作环境，避免受潮、受热等情况，影响电容器的性能。
总的来说，陶瓷贴片电容作为一种常见的电子元件，在各种电路中都有着重要的应用。
它的小巧轻便、稳定可靠等优点，使得它成为电子产品中不可或缺的一部分。
在使用时，需要注意选型、安装和工作环境等问题，以确保电容器的正常工作。
希望通过本文的介绍，读者对陶瓷贴片电容有了更深入的了解。
最全面陶瓷贴片电容终极学习篇(干货值得收藏)
最全面陶瓷贴片电容终极学习篇（干货值得收藏）
最全面陶瓷贴片电容(MLCC)知识篇章，值得电子工程师们珍藏。
多层片式陶瓷电容器
——简称贴片电容、片容
日本及台湾地区常称为积层电容或叠层电容
MLCC—Multi-Layer Ceramic Capacitors
1960’s 由美国人发明，1980’s日本人发扬光大并实现用低成本贱金属量产。
制造流程
内部结构
尺寸系列
标准系列化的外形尺寸
最常用英寸单位系统来表示：
0603—"06"表示:长0.06inch=1.6mm，
"03"表示:宽0.03inch=0.8mm
也有用国际单位系统表示：
1608—"16"表示:长1.6mm
"08"表示:宽0.8mm
表一贴片电容全系列尺寸表
最小规格尺寸01005(长0.25mm*宽0.125mm),目前只有少数几家日本公司在批量生产；0201、0402、0603是目前用量最大的尺寸规格，大型的MLCC企业均可批量生产。
国内，深圳宇阳是专做小尺寸MLCC的厂家；
2220及以上尺寸规格产品，市场占有量很小，大型企业一般不生产，主要是中小MLCC。
贴片陶瓷电容漏电原因
贴片陶瓷电容漏电原因
贴片陶瓷电容漏电的原因可能包括以下几点：
1. 电容器本身的损坏：贴片陶瓷电容器可能因为制造过程中的缺陷或物理损伤导致内部绝缘层破裂，从而出现漏电现象。
2. 电压过高：如果贴片陶瓷电容器所承受的工作电压超过其额定电压范围，会导致绝缘层受损，进而引发漏电。
3. 温度影响：贴片陶瓷电容器在高温环境下可能出现容量下降或绝缘层退化，容易发生漏电。
4. 电焊引起的损伤：在贴片陶瓷电容器安装焊接过程中，如果电焊温度过高或焊接质量不良，会导致电容器绝缘层受损，从而造成漏电。
5. 电容极板之间的污染：贴片陶瓷电容器极板之间存在灰尘、腐蚀物等污染物时，可能会导致绝缘层被破坏，进而导致漏电。
6. 电容器选型不当：如果选择的贴片陶瓷电容器不能满足应用场景的需求，如电容量不足、耐压能力不够等问题，可能会导致漏电。
在遇到贴片陶瓷电容漏电问题时，可以通过更换电容器、降低工作电压、改善焊接质量等方法来解决。
如果漏电严重且无法修复，建议替换成其他类型的电容器。
陶瓷多层贴片电容
陶瓷多层贴片电容介绍陶瓷多层贴片电容是一种常见的被广泛应用于电子设备中的电子元器件。
它具有小型化、高容量、高可靠性等特点，被广泛应用于通信设备、计算机、家电等领域。
本文将详细介绍陶瓷多层贴片电容的结构、工作原理、特点以及应用场景。
结构陶瓷多层贴片电容由多个薄片状电介质层和导电层交替堆叠而成。
每个电介质层由陶瓷材料制成，通常采用的材料有二氧化铁、二氧化钛等。
导电层使用金属材料，如银、铜等。
这些层通过烧结工艺粘结在一起，形成一个整体的结构。
最后，通过电极连接，将电容片与外部电路连接。
工作原理陶瓷多层贴片电容的工作原理基于电介质的极化现象。
当外加电压施加到电容上时，电介质中的极化现象会导致电容器两端产生电场。
电介质的极化可以分为电子极化和离子极化两种方式。
在电容器中，电子极化主要发生在导电层附近，离子极化主要发生在电介质层中。
特点陶瓷多层贴片电容具有以下特点：1.小型化：由于采用多层堆叠的结构，陶瓷多层贴片电容的体积相对较小，适合在空间有限的电子设备中使用。
2.高容量：由于电介质层的多层堆叠，陶瓷多层贴片电容的容量相对较大，可以提供较高的电容值。
3.高可靠性：陶瓷材料具有良好的耐高温、耐湿、耐振动等性能，使得陶瓷多层贴片电容具有较高的可靠性。
4.低失真：陶瓷多层贴片电容具有低失真的特点，适用于对信号传输质量要求较高的应用场景。
应用场景陶瓷多层贴片电容广泛应用于以下领域：1.通信设备：在手机、无线网络设备等通信设备中，陶瓷多层贴片电容被用于信号滤波、耦合和去耦等电路中，提高设备的性能和稳定性。
2.计算机：在计算机主板、显卡等设备中，陶瓷多层贴片电容被用于电源滤波、稳压等电路中，提供稳定的电源供应。
3.家电：在电视、音响等家用电器中，陶瓷多层贴片电容被用于音频放大电路、电源滤波等电路中，提高音质和设备的稳定性。
4.汽车电子：在汽车电子设备中，陶瓷多层贴片电容被用于电源管理、传感器信号处理等电路中，提高汽车电子设备的性能和可靠性。
瓷片电容基本知识
积分和微分电路对容值精度及稳定性要求 较高,应该选用 C0G,X7R 或 X5R 产品
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按 瓷 介 电 容 电 介 质 又 分 :1 类 电 介 质
(NP0,C0G),2 类电介质(X7R,2X1)和 3 类电介质
(Y5V,2F4)瓷介电容器
瓷片电容的作用
MLCC(1 类)微型化,高频化,超低损耗,低 ESR,
高稳定,高耐压,高绝缘,高可靠,无极性,低容值,
过于耀眼，将星星直接踢入了黑暗，尽管如此，夕年依旧的恋着星
低成本,耐高温.主要应用于高频电路中.
MLCC(2 类)微型化,高比容,中高压,无极性,
高可靠,耐高温,低 ESR,低成本.主要应用于中,
低频电路中作隔直,耦合,旁路和滤波等电容器
使用. 瓷片电容的分类
过于耀眼，将星星直接踢入了黑暗，尽管如此，夕年依旧的恋着星
在电源滤波电路中要求滤波电容的容值较 大,ESR 较小,以确保充电时能储存更多的电荷, 在放电时减少电容自身对电能的损耗.产品要求
旁路电容的选择：用于滤除前端信号中的高
频杂波,容值不大,对电容损耗有一定要求,可根
据电路频率选择 C0G 或 X7R 产品.
谐振电容的选择对容值精度,电容损耗,ESR
以及电容的稳定性要求很高,应根据电路频率选
过于耀眼，将星星直接踢入了黑暗，尽管如此，夕年依旧的恋着星
用容值精度高,高频特性好,ESR 小的 C0G 产品.
瓷片电容(ceramiapacitor)是一种用陶瓷
材料作介质,在陶瓷表Байду номын сангаас涂覆一层金属薄膜,再
经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于 高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫
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AVX/松下/华亚/国巨/TDK ,TAIYO,村田(不是春田啊),AVX单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。
容量精度在5％左右，但选用这种材质只能做容量较小的，常规100PF以下，100PF-1000PF也能生产但价格较高介质损耗最大0。
15%封装DC=50V DC=100V0805 0.5---1000pF 0.5---820pF1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF1210 560---5600pF 560---2700pF2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μFNPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
适用于低损耗，稳定性要求要的高频电路二X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。
X7R此种材质比NPO稳定性差，但容量做的比NPO的材料要高，容量精度在10％左右。
常规10000PF以下，10000PF-1UF也能生产但价格较高介质损耗最大2。
5%（25V与50V）3。
5%（16V）封装DC=50V DC=100V0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF三Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。
这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。
对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。
但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。
尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。
尤其是在退耦电路的应用中。
下表给出了Z5U电容器的取值范围。
封装DC=25V DC=50V0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μFZ5U电容器的其他技术指标如下:工作温度范围+10℃--- +85℃四Y5V电容器Y5V此类介质的电容，其稳定性较差，容量偏差在20％左右，对温度电压较敏感，但这种材质能做到很高的容量，而且价格较低，适用于温度变化不大的电路中。
Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。
Y5V此类介质的电容，其稳定性较差，容量偏差在20％左右，对温度电压较敏感，但这种材质能做到很高的容量，而且价格较低，适用于温度变化不大的电路中。
介质损耗最大5%Y5V电容器的其他技术指标如下:工作温度范围-30℃--- +85℃温度特性+22% ---- -82%1.从材质来讲,Y5V材料的电容会随着时间的推移而发生衰减,再说TDK ,TAIYO,村田(不是春田啊),AVX皆非订单生产型企业,所以他们会有一个库存时间,那么像Y5V材质的高容电容容量就会掉下来,但这种情况并没什么大不了的,在焊接过程中会有个回火的过程,那么其容量就会回升到正常范围内的,这点不用担心2.从测试仪器来讲,对此规格的电容的测试条件应该为:AC1.0+/-0.2V,那如果你发现容量偏低的话请试着用万用表测试一下两个PIN之间的电压是多少,如果在0.8V以下,那就是你的仪器有问题,其实目前专业电容测试信器应该是HP4278/HP4288比较好,不会出现在测高容电容时测试电压不够的情况3,从产品本身设计来讲,因为贴片电容其原理是无数个陶瓷电容并联而来的,所以企业在设计为成本计,其容量多在标称容量以下,像此规格电容的误差应是Z档的(-20%/+80%),那么在实际设计中可能只设计到-20%/+0这个区间,但这种现像还是比较少的4,Y5V电容的DF值是很高的,客户端在高频电路使用时是不会选用Y5V材质电容的,因此没必要去考虑频率的问题上述都是我个人观点,不足之处,欢迎大家指正!我的email:*********************低损耗射频电容的优点在所有射频电路设计中，选用低损耗（超低ESR）片状电容都是一项重要考虑。
以下是几种应用中低损耗电容的优点。
在手持便携式发射设备的末级功率放大器内使用低损耗电容作场效应晶体管源极旁路和漏极耦合，可以延长电池寿命。
ESR高的电容增加I²ESR损耗，浪费电池能量。
使用低损耗电容产品使射频功率放大器更容易提高功率输出和和效率。
例如，用低损耗射频片状电容作耦合，可以实现最大的放大器功率输出和效率。
对于目前的射频半导体设备，例如便携手持设备的单片微波集成电路，尤其是如此。
许多这种设备的输入阻抗极低，因此输入匹配电路中电容的ESR损耗在全部网络的阻抗中占了很大的百分比。
如果设备输入阻抗是1欧姆而电容ESR是0.8欧姆，约40％的功率将由于ESR损耗而被电容消耗掉。
这将减低效率和输出功率。
高射频功率应用也需要低损耗电容，这方面的典型应用是要使一个高射频功率放大器和动态阻抗相匹配。
例如半导体等离子炉需要高射频功率匹配，设计匹配网络时使用了电容。
负载从接近零的低阻抗大幅度摆动到接近开路，导致匹配网络中产生大电流，使电容负荷剧增。
这种情况使用超低损耗电容，例如ATC的100系列陶瓷电容，最为理想。
发热控制，特别是在高射频功率情况下，和元件ESR直接有关。
这种情况下的电容功率耗散可以经由I²ESR 损耗计算出来。
低损耗电容产品在这些线路中能减少发热，使线路发热问题更容易控制。
使用低损耗电容可增加小信号放大器的有效增益和效率。
设计低噪声放大器（LNA）时使用低损耗陶瓷电容可以把热噪声（KTB）减到最小。
使用超低损耗电容也可很容易地改善信噪比和总体噪声温度。
设计滤波网络时使用低损耗陶瓷电容能把输入频带插入损耗（S21）减到最小，而且使滤波曲线更接近矩形，折返损耗性能更好。
MRI成象线圈的陶瓷电容必须是超低损耗。
这些电容和MRI线圈相接，线圈是调谐电路的一部分。
因为MRI 扫描器要检测极弱的信号，线圈的损耗必须很低，一般在几个毫欧姆的量级。
如果ESR损耗超过这个量级，而设计者没有采取措施降低损耗，成象分辨率就会降低。
A TC100系列陶瓷电容组具有超低损耗，因而经常用于线圈电路。
这些电容组在谐振电路中发挥功能，却不增加整个线路的损耗。
（5）损耗：在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的能量。
这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。
通常用损耗角正切值来表示。
（6）频率特性：电容器的电参数随电场频率而变化的性质。
在高频条件下工作的电容器，由于介电常数在高频时比低频时小，电容量也相应减小。
损耗也随频率的升高而增加。
另外，在高频工作时，电容器的分布参数，如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等，都会影响电容器的性能。
所有这些，使得电容器的使用频率受到限制。
不同品种的电容器，最高使用频率不同。
小型云母电容器在250MHZ以内；圆片型瓷介电容器为300MHZ；圆管型瓷介电容器为200MHZ；圆盘型瓷介可达3000MHZ；小型纸介电容器为80MHZ；中型纸介电容器只有8MHZ。
散逸因数─损失角（DF）损失角即D值:一般电解电容器因为内阻较大故D值较高, 其规格视电容值高低决定, 为0.1-0.24以下.塑料薄膜电容器则D值较低, 视其材质决定为0.001-0.01以下.陶瓷电容器视其材质决定, Hi-K type 及S/C type为0.025以下.T/C type其规格以Q值表示需高于400-1000. (Q值相当于D值的倒数)散逸因数dissipation factor(DF)存在于所有电容器中，有时DF值会以损失角tanδ表示。
想想，损失角，既有损失，当然愈低愈好。
塑料电容的损失角很低，但铝电解电容就相当高。
DF值是高还是低，就同一品牌、同一系列的电容器来说，与温度、容量、电压、频率……都有关系；当容量相同时，耐压愈高的DF 值就愈低。
举实例做说明，同厂牌同系列的10000μF电容，耐压80V的DF值一定比耐压63V的低。
所本刊选用滤波电容常会找较高耐压者，不是没有道理。
此外温度愈高DF值愈高，频率愈高DF值也会愈高。
但许多电容器制造厂，在规格书上常不注明散逸因数DF值，因为数值甚高很难看。
以瑞典RIFA为例，其蓝色PHE-420系列是MKP塑料电容，它的DF值最低是0.00005/最高是0.0008。