集成电路中的电子器件ppt集成电路中的电子器件.pptx
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第二章 集成电路中的元器件及其寄生效应PPT课件
HIT Micro-Electronics Center
8.07.2020
4
HMEC
集成电路设计原理
微电子中心
2.1.1 集成NPN晶体管的结构
平
等 效
B(P)
面
电
图
路 PNP
图
S(P)
E(N+) NPN C(N)
E
EB C
等
剖 面 P+ 图
P N+
N–-epi
N+
P+
效 结
B
构
N
+
P N P
C
P-Sub
20207/17/20207/17/20207/17/20201
HIT Micro-Electronics Center
8.07.2020
9
HMEC
集成电路设计原理
微电子中心
2.1.4 集成NPN晶体管的无源寄生效应
（1）集电极寄生电阻
we dce wc
R1= epi*lch*cwc
增加n+埋 层、穿透
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8.07.2020
1
HMEC
集成电路设计原理
整体概述
微电子中心
概况一
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概况二
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概况三
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HMEC
集成电路设计原理
C(N)
C
S(P)
N+
P+
有电流流向衬底，
集成电路原理第四章ppt课件
第四章 MOS逻辑集成电路
4.1 MOS器件的基本电学特性
4.1.1 MOSFET的结构与工作原理
MOSFET——Metal-Oxide-Semiconductor
Field Effected Transistor
增强型〔常关闭型）
金属PM氧OS 化物半导体场效应晶体管
耗尽型〔常开启型）
MOSFET
iDSCOXLWvGSVthvDSvD 2S2
3.4
51
085 L
801
0030.43922220.62(m 5 )A
4.1.4 MOSFET小信号参数 （1〕跨导gm
——表示交流小信号时vGS对ids的控制能力〔vDS恒定）
饱和区：
gm
iDS vGS
vDSc onst
C OX LW vG SV th 1vDS
足电路设计的要求，此工序称为“调沟”。即向沟道区进行离
子注入〔Ion Implantation）,以改变沟道区表面附近载流子浓
度，与此相关的项用
Qi C OX
表示。一般调沟用浅注入，注入能量
在60 80KeV左右；若异型注入剂量、能量较大，则可注入到
体内，形成埋沟MOS〔Buried-Channel MOS）。
例4-2 知：n+ Poly-Si栅NMOS晶体管宽长比W/L=100 m/10 m， 漏、栅、源、衬底电位分别为5V，3V，0V，0V。
n=580cm2/V s，其他参数与例4-1相同。 求：① 漏电流iDS。
② 若漏栅源衬底电位分别为2V，3V，0V，0V，则IDS=？
解：① 由已知得： vGS=3V，vDS=5V，vBS=0V 而由例4-1得Vth=0.439V vDS=5V(vGS-Vth)=3-0.439=2.561(V) 器件工作在饱和区，那么：
4.1 MOS器件的基本电学特性
4.1.1 MOSFET的结构与工作原理
MOSFET——Metal-Oxide-Semiconductor
Field Effected Transistor
增强型〔常关闭型）
金属PM氧OS 化物半导体场效应晶体管
耗尽型〔常开启型）
MOSFET
iDSCOXLWvGSVthvDSvD 2S2
3.4
51
085 L
801
0030.43922220.62(m 5 )A
4.1.4 MOSFET小信号参数 （1〕跨导gm
——表示交流小信号时vGS对ids的控制能力〔vDS恒定）
饱和区：
gm
iDS vGS
vDSc onst
C OX LW vG SV th 1vDS
足电路设计的要求，此工序称为“调沟”。即向沟道区进行离
子注入〔Ion Implantation）,以改变沟道区表面附近载流子浓
度，与此相关的项用
Qi C OX
表示。一般调沟用浅注入，注入能量
在60 80KeV左右；若异型注入剂量、能量较大，则可注入到
体内，形成埋沟MOS〔Buried-Channel MOS）。
例4-2 知：n+ Poly-Si栅NMOS晶体管宽长比W/L=100 m/10 m， 漏、栅、源、衬底电位分别为5V，3V，0V，0V。
n=580cm2/V s，其他参数与例4-1相同。 求：① 漏电流iDS。
② 若漏栅源衬底电位分别为2V，3V，0V，0V，则IDS=？
解：① 由已知得： vGS=3V，vDS=5V，vBS=0V 而由例4-1得Vth=0.439V vDS=5V(vGS-Vth)=3-0.439=2.561(V) 器件工作在饱和区，那么：
《集成电路》课件
《集成电路》ppt课 件
xx年xx月xx日
• 集成电路概述 • 集成电路的制造工艺 • 集成电路的种类与特点 • 集成电路的发展趋势与挑战 • 集成电路的实际应用案例
目录
01
集成电路概述
集成电路的定义
集成电路是将多个电子元件集成在一块衬底上，完成一定的电路或系统功能的微型电子部件。
它采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在 一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结 构。
超大规模集成电路（VLSI）
包含10万-100万个逻辑门或元件。
按结构分类的集成电路
单片集成电路
所有元件都在一个芯片上 。
多片集成电路
由多个芯片集成在一个封 装内。
模块化集成电路
由多个独立芯片通过线路 板连接而成。
按应用领域分类的集成电路
01
通信集成电路
用于通信设备中的信号处理和传输 。
消费电子集成电路
射频识别（RFID）技术的集成电路应用
总结词
射频识别技术是利用无线电波进行通信的一种非接触式识别技术，其集成电路应用主要涉及标签芯片和读写器芯 片。
详细描述
RFID标签芯片通常包含存储器、无线通信电路和天线等部分，用于存储和传输信息。而RFID读写器芯片则负责 与标签芯片进行通信，实现信息的读取和写入。RFID技术广泛应用于物流、供应链管理、身份识别等领域。
用于家电、数码产品等消费电子产 品中。
03
02
计算机集成电路
用于计算机硬件中的逻辑运算和数 据处理。
汽车电子集成电路
用于汽车控制系统和安全系统中。
04
xx年xx月xx日
• 集成电路概述 • 集成电路的制造工艺 • 集成电路的种类与特点 • 集成电路的发展趋势与挑战 • 集成电路的实际应用案例
目录
01
集成电路概述
集成电路的定义
集成电路是将多个电子元件集成在一块衬底上，完成一定的电路或系统功能的微型电子部件。
它采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在 一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结 构。
超大规模集成电路（VLSI）
包含10万-100万个逻辑门或元件。
按结构分类的集成电路
单片集成电路
所有元件都在一个芯片上 。
多片集成电路
由多个芯片集成在一个封 装内。
模块化集成电路
由多个独立芯片通过线路 板连接而成。
按应用领域分类的集成电路
01
通信集成电路
用于通信设备中的信号处理和传输 。
消费电子集成电路
射频识别（RFID）技术的集成电路应用
总结词
射频识别技术是利用无线电波进行通信的一种非接触式识别技术，其集成电路应用主要涉及标签芯片和读写器芯 片。
详细描述
RFID标签芯片通常包含存储器、无线通信电路和天线等部分，用于存储和传输信息。而RFID读写器芯片则负责 与标签芯片进行通信，实现信息的读取和写入。RFID技术广泛应用于物流、供应链管理、身份识别等领域。
用于家电、数码产品等消费电子产 品中。
03
02
计算机集成电路
用于计算机硬件中的逻辑运算和数 据处理。
汽车电子集成电路
用于汽车控制系统和安全系统中。
04
第二章 集成电路中的元器件及其寄生效应ppt课件
P+ PN结电容 MOS电容
§2-3 横向PNP管
双极集成电路中的基本器件 是NPN管，但在模拟电路中也往 往需要PNP管子，如运算放大器的 输入输出级的有源负载等都经常 使用PNP管。虽然PNP管的单管性 能不如NPN管，但仍然使电路的 性能得到了改善。横向PNP管的出 现，也促使了IIL电路的实现。
C 移速度。 是栅氧化层的单位面积的电容。 OX
式（3.2）就是NMOS器件工作在非饱和区的I-V特性， I D
与 V D S 呈平方律的关系。
如图，我们给出了不同的V G S 下，
根据式（3.2）得出的抛物线，表示
了器件产生的电流随 V G S 增大而增
加。通过计算偏导数很容易计算出
每条抛物线的极值均发生在
以NMOS晶体管为例，我们假设：0 V D S V G S V T H ，在
图中我们从半导体物理的角度出发进行一系列的推导，得到
I VVVV D K 2 ,W L 2
G S T H
D S2 D S
（3.2）
式中 K , 称为器件的跨导系数，
K C , n OX
（3.3）
称为低场电子迁移率，表示单位场强下电子的平均漂 n
一、衬底PNP管
1.集电区是整个电路的公
共衬底。
C
EB
2.其晶体管作用只发生在
纵向，各节面积较平坦， P+
发生区面积可以做的很
P N+
N–-epi
P+
大，所以工作电流可以 P-Sub
很大。
3.因为衬底作为集电区，故不存在有源寄生效应，故可不 用掩埋层。
4.基区电阻较大。
5.集电极串联电阻和集电结电容较大。
§2-3 横向PNP管
双极集成电路中的基本器件 是NPN管，但在模拟电路中也往 往需要PNP管子，如运算放大器的 输入输出级的有源负载等都经常 使用PNP管。虽然PNP管的单管性 能不如NPN管，但仍然使电路的 性能得到了改善。横向PNP管的出 现，也促使了IIL电路的实现。
C 移速度。 是栅氧化层的单位面积的电容。 OX
式（3.2）就是NMOS器件工作在非饱和区的I-V特性， I D
与 V D S 呈平方律的关系。
如图，我们给出了不同的V G S 下，
根据式（3.2）得出的抛物线，表示
了器件产生的电流随 V G S 增大而增
加。通过计算偏导数很容易计算出
每条抛物线的极值均发生在
以NMOS晶体管为例，我们假设：0 V D S V G S V T H ，在
图中我们从半导体物理的角度出发进行一系列的推导，得到
I VVVV D K 2 ,W L 2
G S T H
D S2 D S
（3.2）
式中 K , 称为器件的跨导系数，
K C , n OX
（3.3）
称为低场电子迁移率，表示单位场强下电子的平均漂 n
一、衬底PNP管
1.集电区是整个电路的公
共衬底。
C
EB
2.其晶体管作用只发生在
纵向，各节面积较平坦， P+
发生区面积可以做的很
P N+
N–-epi
P+
大，所以工作电流可以 P-Sub
很大。
3.因为衬底作为集电区，故不存在有源寄生效应，故可不 用掩埋层。
4.基区电阻较大。
5.集电极串联电阻和集电结电容较大。
《集成电路设计》PPT课件
薄层电阻
1、合金薄膜电阻
采用一些合金材料沉积在二氧化 硅或其它介电材料表面，通过光 刻形成电阻条。常用的合金材料 有： 钽 Ta 镍铬Ni-Cr 氧化锌 ZnO 铬硅氧 CrSiO
2、多晶硅薄膜电阻
掺杂多晶硅薄膜也是一个很好的电阻 材料，广泛应用于硅基集成电路的制 造。
3、掺杂半导体电阻
不同掺杂浓度的半导体具有不同 的电阻率，利用掺杂半导体的电 阻特性，可以制造电路所需的电 阻器。
sio2
半导体
串联 C=
Ci Cs Ci +Cs
Tox
N+
P
sio2
金 属
PN金+sio属2
纵向结构
横向结构
MOS 电容电容量
ε ε Cox=
A 0 sio2
Tox
Tox: 薄氧化层厚度；A: 薄氧化层上 金属电极的面积。
一般在集成电路中Tox 不能做的太薄，所以要想提高电容量，只能增加面积。 N+层为 了减小串联电阻及防止表面出现耗尽层。
Csub s
（b）
（c）
§ 4.3 集成电路的互连技术和电感
互连线
单片芯片上器件之间互连：金属化工艺，金属铝 薄膜 电路芯片与外引线之间的连接(电路芯片与系统的 互联)：引线键合工艺
为保证模型的精确性和信号的完整性，需要对互连线的版图结构加以约 束和进行规整。
各种互连线设计应注意的问题
为减少信号或电源引起的损耗及减少芯片 面积，连线应尽量短。
第四章
集成电路设计
第四章
集成电路是由元、器件组成。元、器件分为两大类：
无源元件 电阻、电容、电感、互连线、传输线等
有源器件 各类晶体管
集成电路中的无源源件占的面积一般都比有源器件大。 所以设计时尽可能少用无源元件，尤其是电容、电感和大阻值的电阻。
集成电路演示文稿(共13张PPT)
第8页，共13页。
IC在产品中的应用
第9页，共13页。
第10页，共13页。
第11页，共13页。
第12页，共13页。
第13页，共13页。
LM124
AP1501可调整 稳压输出IC
4053 电子开关
MC802 CPU
BH1417调频发 射IC
TDA7478 RDISR解2Y码31视频解 BA3884F/BA3884码S音IC频转换IC
TDA7386功放
LM2575 3.3V稳 CD4053电子开
压管
关
STR736 CPU 9945双N-MOS管
集成电路演示文稿
第1页，共13页。
IC（集成电路）分类
集成电路定义： 集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，
把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元 件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质 基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微 型结构。
第2页，共13页。
4FC*MS17S61S625DG0R1GA电SM视子AD频开VV2解D关频18缓码解8冲ID码C存VD储音器
LM8272高频运 算放大器
AM2576-ADJ 可 FMS6501电子开
调整稳压器
关
29JL064H闪存
PT2328(按键处 理IC)
FM7843解码T触DA摸7屏478 RDS解 集成电路特点： 码
方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到 广泛的应用。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体 PT2328管(按键可处理提IC) 高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高。
我司常用一些IC的分类 TDA7478 RDS解码 TDA7419音频二分五 集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。 (五)按外形分类
集成电路中的电子器件ppt-集成电路中的电子器件
•
加强交通建设管理，确保工程建设质 量。05:35:5705 :35:570 5:35Th ursday , October 22, 2020
•
安全在于心细，事故出在麻痹。20.10. 2220.1 0.2205:35:5705 :35:57 October 22, 2020
•
踏实肯干，努力奋斗。2020年10月22 日上午5 时35分 20.10.2 220.10. 22
•
树立质量法制观念、提高全员质量意 识。20. 10.2220 .10.22 Thursday , October 22, 2020
•
人生得意须尽欢，莫使金樽空对月。0 5:35:57 05:35:5 705:35 10/22/2 020 5:35:57 AM
•
安全象只弓，不拉它就松，要想保安 全，常 把弓弦 绷。20. 10.2205 :35:570 5:35Oc t-2022- Oct-20
第四章 集成电路中的电子器件
集成电路是利用半导体制造工艺，将三极管、二极管、 电阻、电容等元器件集中制作在同一块芯片上，完成 各种功能的电子电路。
集成电路特点： • 实现材料、元器件、电路的有机结合 • 元件密度高、体积小、连线短、焊点少 • 采用隔离技术 • 不能制作电感、大容量电容
1.4.1 复合管
NPN＋PNP
PNP ＋ NPN
PNP ＋ PNP
1.4.2 多集电极管与多发射极管
➢ 多集电极管
结构图
电路符号 等效电路
多集电极管可认为是由多个PNP管的基极、射 极并联而成，而且它们的集电极电流之比约等 于各集电区面积之比。
多集电极管构成镜像电流源
若两管特性相同，则iB与iC为镜像电流关系，但 此处由于两管的结构不同，且横向PNP管的β值 小(即iC2小)，所以此处iB与iC并不相等。
集成电路材料与器件物理基础PPT课件
第14页/共24页
双极型晶体管
N P 发射结 N
工作状态：
• 发射结正偏，集电结反偏时，为放大工作状态。
F IC / IB
• 发射结正偏，集电结也正偏时，为饱和工作状态。 • 发射结反偏，集电结也反偏时，为载断工作状态。 • 发射结反偏，集电结正偏时，为反向工作状态。
第15页/共24页
集电结
§2.6 MOS晶体管
根据杂质浓度的分布，可以划分为： 突变结
线形缓变结 根据结两边的材料不同，可划分为： 同质pn结
异质pn结
第3页/共24页
pn 结形成的物理过程
在接触前分立的P型和N型硅的能带图
扩散
空穴
电子
eVbi
第4页/共24页
平衡态的pn结
• 扩散电 流 • 空间电荷区
• 内建电场 E
• 漂移电 流 • 接触电势差 Vbi
整流器 (rectifier) 检波器 (radiodetector) 双极晶体管 (BJT)
光电器件：
太阳能电池 (solar cell) 发光二极管（LED） 半导体激光器 （LD） 光电二极管(PD)
第2页/共24页
pn 结的结构
p
n
通过控制施主与受主浓度的办法，形成分别以电子和空 穴为主的两种导电区域，其交界处即被称为p-n结。
第22页/共24页
MESFET（metal semiconductor field effect transistor ）
金属栅极
源
n
n
漏
IDS
VDS
• 结构和原理与JEFT相似，不同的是采用肖特基结（金属/半导体）代 替PN结。 • 常采用GaAs, InP或SiC作为沟通材料，与硅锗相比，具有更高的开关 速度及工作在更高的频率下，广泛用于微波通信与雷达领域。
双极型晶体管
N P 发射结 N
工作状态：
• 发射结正偏，集电结反偏时，为放大工作状态。
F IC / IB
• 发射结正偏，集电结也正偏时，为饱和工作状态。 • 发射结反偏，集电结也反偏时，为载断工作状态。 • 发射结反偏，集电结正偏时，为反向工作状态。
第15页/共24页
集电结
§2.6 MOS晶体管
根据杂质浓度的分布，可以划分为： 突变结
线形缓变结 根据结两边的材料不同，可划分为： 同质pn结
异质pn结
第3页/共24页
pn 结形成的物理过程
在接触前分立的P型和N型硅的能带图
扩散
空穴
电子
eVbi
第4页/共24页
平衡态的pn结
• 扩散电 流 • 空间电荷区
• 内建电场 E
• 漂移电 流 • 接触电势差 Vbi
整流器 (rectifier) 检波器 (radiodetector) 双极晶体管 (BJT)
光电器件：
太阳能电池 (solar cell) 发光二极管（LED） 半导体激光器 （LD） 光电二极管(PD)
第2页/共24页
pn 结的结构
p
n
通过控制施主与受主浓度的办法，形成分别以电子和空 穴为主的两种导电区域，其交界处即被称为p-n结。
第22页/共24页
MESFET（metal semiconductor field effect transistor ）
金属栅极
源
n
n
漏
IDS
VDS
• 结构和原理与JEFT相似，不同的是采用肖特基结（金属/半导体）代 替PN结。 • 常采用GaAs, InP或SiC作为沟通材料，与硅锗相比，具有更高的开关 速度及工作在更高的频率下，广泛用于微波通信与雷达领域。
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12、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。19:05:3319:05:3319:05Sunday, November 01, 2020 13、志不立，天下无可成之事。20.11.120.11.119:05:3319:05:33November 1, 2020
• 14、Thank you very much for taking me with you on that splendid outing to London. It was the first time that I had seen the Tower or any of the other fam ous sights. If I'd gone alone, I couldn't have seen nearly as much, because I wouldn't have known my way about. 。2020年11月1日星期日下午7时5分33秒19:05:3320.11.1 15、会当凌绝顶，一览众山小。2020年11月下午7时5分20.11.119:05November 1, 2020 16、如果一个人不知道他要驶向哪头，那么任何风都不是顺风。2020年11月1日星期日7时5分33秒19:05:331 November 2020
复合管是将两只或以上的三极管按一定方式相连， 等效为性能更好的三极管。又称达林顿管。
NPN＋NPN
➢ 复合管连接原则
连接后各管内电流能顺利流通，且具有电流放大 作用。
➢ 复合管特点： • 等效管类型取决于前置管类型 • 等效管的β是β1、β2的乘积：β≈β1β2 • 同样输出电流时，等效管的输入电流大大 减小
9、春去春又回，新桃换旧符。在那桃花盛开的地方，在这醉人芬芳的季节，愿你生活像春天一样阳光，心情像桃花一样美丽，日子像桃子一样甜蜜。20.11.1 20.11.1Sunday, November 01, 2020
10、人的志向通常和他们的能力成正比例。19:05:3319:05:3319:0511/1/2020 7:05:33 PM 11、夫学须志也，才须学也，非学无以广才，非志无以成学。20.11.119:05:3319:05Nov-201-Nov-20
➢ 多发射极管
结构图
电路符号 等效电路
在数字电路中，多发射极管常作为门电路的输入 级电路。
1.4.3 肖特基三极管
肖特基二极管（SBD）的导通电压只有0.4V，没有 电荷存储效应，开关时间很短。
结构
电路符号肖特基ຫໍສະໝຸດ 极管可以 有效地限制管子的 饱和深度，大大缩 短开关时间。
三极管未饱和时，Jc反偏，SBD截止，对电路没影 响；当三极管进入饱和时， Jc正偏，SBD导通， 使集电极正向偏压被箝位在0.4V，限制管子的饱 和深度，同时又使三极管基极电流减小。
T H E E N D 17、一个人如果不到最高峰，他就没有片刻的安宁，他也就不会感到生命的恬静和光荣。下午7时5分33秒下午7时5分19:05:3320.11.1
谢谢观看
NPN＋PNP
PNP ＋ NPN
PNP ＋ PNP
1.4.2 多集电极管与多发射极管
➢ 多集电极管
结构图
电路符号 等效电路
多集电极管可认为是由多个PNP管的基极、射 极并联而成，而且它们的集电极电流之比约等 于各集电区面积之比。
多集电极管构成镜像电流源
若两管特性相同，则iB与iC为镜像电流关系，但 此处由于两管的结构不同，且横向PNP管的β值 小(即iC2小)，所以此处iB与iC并不相等。
第四章 集成电路中的电子器件
集成电路是利用半导体制造工艺，将三极管、二极管、 电阻、电容等元器件集中制作在同一块芯片上，完成 各种功能的电子电路。
集成电路特点： • 实现材料、元器件、电路的有机结合 • 元件密度高、体积小、连线短、焊点少 • 采用隔离技术 • 不能制作电感、大容量电容
1.4.1 复合管
• 14、Thank you very much for taking me with you on that splendid outing to London. It was the first time that I had seen the Tower or any of the other fam ous sights. If I'd gone alone, I couldn't have seen nearly as much, because I wouldn't have known my way about. 。2020年11月1日星期日下午7时5分33秒19:05:3320.11.1 15、会当凌绝顶，一览众山小。2020年11月下午7时5分20.11.119:05November 1, 2020 16、如果一个人不知道他要驶向哪头，那么任何风都不是顺风。2020年11月1日星期日7时5分33秒19:05:331 November 2020
复合管是将两只或以上的三极管按一定方式相连， 等效为性能更好的三极管。又称达林顿管。
NPN＋NPN
➢ 复合管连接原则
连接后各管内电流能顺利流通，且具有电流放大 作用。
➢ 复合管特点： • 等效管类型取决于前置管类型 • 等效管的β是β1、β2的乘积：β≈β1β2 • 同样输出电流时，等效管的输入电流大大 减小
9、春去春又回，新桃换旧符。在那桃花盛开的地方，在这醉人芬芳的季节，愿你生活像春天一样阳光，心情像桃花一样美丽，日子像桃子一样甜蜜。20.11.1 20.11.1Sunday, November 01, 2020
10、人的志向通常和他们的能力成正比例。19:05:3319:05:3319:0511/1/2020 7:05:33 PM 11、夫学须志也，才须学也，非学无以广才，非志无以成学。20.11.119:05:3319:05Nov-201-Nov-20
➢ 多发射极管
结构图
电路符号 等效电路
在数字电路中，多发射极管常作为门电路的输入 级电路。
1.4.3 肖特基三极管
肖特基二极管（SBD）的导通电压只有0.4V，没有 电荷存储效应，开关时间很短。
结构
电路符号肖特基ຫໍສະໝຸດ 极管可以 有效地限制管子的 饱和深度，大大缩 短开关时间。
三极管未饱和时，Jc反偏，SBD截止，对电路没影 响；当三极管进入饱和时， Jc正偏，SBD导通， 使集电极正向偏压被箝位在0.4V，限制管子的饱 和深度，同时又使三极管基极电流减小。
T H E E N D 17、一个人如果不到最高峰，他就没有片刻的安宁，他也就不会感到生命的恬静和光荣。下午7时5分33秒下午7时5分19:05:3320.11.1
谢谢观看
NPN＋PNP
PNP ＋ NPN
PNP ＋ PNP
1.4.2 多集电极管与多发射极管
➢ 多集电极管
结构图
电路符号 等效电路
多集电极管可认为是由多个PNP管的基极、射 极并联而成，而且它们的集电极电流之比约等 于各集电区面积之比。
多集电极管构成镜像电流源
若两管特性相同，则iB与iC为镜像电流关系，但 此处由于两管的结构不同，且横向PNP管的β值 小(即iC2小)，所以此处iB与iC并不相等。
第四章 集成电路中的电子器件
集成电路是利用半导体制造工艺，将三极管、二极管、 电阻、电容等元器件集中制作在同一块芯片上，完成 各种功能的电子电路。
集成电路特点： • 实现材料、元器件、电路的有机结合 • 元件密度高、体积小、连线短、焊点少 • 采用隔离技术 • 不能制作电感、大容量电容
1.4.1 复合管