长沙理工固态电子论期末考试试卷
模电期末考试题十套(长沙理工)
长沙理工大学考试试卷………………………………………………………………………………………………………………试卷编号01 拟题教研室（或教师）签名电子教研室教研室主任签名………………………………………………………………………………………………………………课程名称（含档次）模拟电子技术课程代号专业电类相关专业层次（本、专）本科考试方式（开、闭卷）闭卷一、填空（本题共20分，每空1分）：1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。
2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。
3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。
4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。
5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。
6．正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。
7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________。
8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。
共模抑制比K CMR为__________之比。
9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB。
二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）：1、（）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
电子电路理论基础期末考试试卷及答案
电子电路理论基础期末考试试卷及答案一、选择题（每题2分，共40分）1. 导体的电阻率指的是（）。
A. 电阻的倒数B. 导体的电阻大小C. 导体的电阻和导体的长度、面积、材质有关D. 导体的电阻和导体的长度、面积、电阻率有关2. 电势能是电荷由（）增加或减少的能量。
A. 高电势点向低电势点B. 低电势点向高电势点C. 电荷排斥区域向电荷吸引区域D. 电荷吸引区域向电荷排斥区域3. 对于串联电路，电流（）。
A. 在各个电阻中的值相等B. 取决于电阻的大小C. 取决于电压的大小D. 在各个电阻中的值不相等4. 根据欧姆定律，电阻的电流与电阻的（）成正比。
A. 长度B. 面积C. 电阻率D. 阻抗5. 以下哪一项是描述电阻的物理量？A. 电机B. 电势差C. 电D. 热量……二、问答题（每题15分，共60分）1. 什么是电路的串联和并联？答：串联电路是指电阻、电容或电感等元件以线性方式依次连接的电路。
并联电路是指电阻、电容或电感等元件以分叉方式连接在一起的电路。
2. 什么是电阻？答：电阻是指材料对电流的阻碍能力。
电阻的大小决定了电流的大小。
3. 欧姆定律的公式是什么？答：欧姆定律的公式是V=IR，其中V是电压，I是电流，R是电阻。
……三、计算题（共20分）1. 在电路中，一个电源电压为12V，电阻为3Ω，请计算通过该电路的电流大小。
答：根据欧姆定律，电流为I=V/R=12V/3Ω=4A。
2. 串联电路中有两个电阻分别为4Ω和6Ω，请计算总电阻。
答：串联电路中总电阻为两个电阻之和，所以总电阻为4Ω+6Ω=10Ω。
……四、简答题（每题10分，共40分）1. 什么是电流？答：电流是电荷单位时间内通过导体的数量。
它是电荷运动产生的现象，以安培（A）为单位。
2. 什么是电势？答：电势是指电荷在电场中具有的能量状态。
它是电荷在电场中移动时所经过的势能变化量，以伏特（V）为单位。
3. 什么是功率？答：功率是指单位时间内消耗或产生的能量。
固体物理期末卷子
一、1.半导体的迁移率比金属高，为什么金属导电性更好？2.用能带理论解释为什么绝缘体满带不导电，导体半满带导电。
3.什么是bloch电子，它所遵循的bloch定律是什么4.Drude和索莫非模型的区别？请写出他们各自的电子热容。
5.设在t=0时，除能带E和G的位置以外，所有的态都被充满，此时能带中的电流为零。
在外加电场E下，在单位时间△t下，电子空轨道可向前或向后走一步（如从E走到F 或是走到D处）。
若沿K x方向上加一电场E，1）试画出空穴能带，并标明经过2△t后空穴所在位置；2）写出电流密度大小，已知电子在G处的速度可写为v（G）。
（v为向量）6.金属有离子有电子，请问在常温下那个对热容贡献更大？对热导率呢？请说明理由。
二、作业5，第3题；（2018年改为作业5-4）三、（1）证明受主热电离p=√NaNc exp(-Ea/2KbT)；（2）求化学势μ（利用上面的表达式和本征半导体的p公式相等）。
四、作业7，第1题改版：银的密度为10.5g/cm3，原子质量是107.87，在绝对零度下。
（1）求每个电子的平均能量；（2）银的体积弹性模量要求：写出公式推导过程，再代入计算。
五、作业8，第3题与第5题结合一简立方晶体，a=3埃，沿着FBZ 的[100]方向的紧束缚的能带具有如下形式:(1)计算并画出电子在这个方向的群速度。
(2)计算简单立方FBZ 的中心Г点和面心X 点处的有效质量。
(3)如果在x 方向上施加5 伏/米的外电场，每个原胞含一个价电子，在不考虑碰撞的情况下，计算电子沿[100]方向由费米面运动至带顶所需的时间。
（注意不同于作业改成了费米面）20172018。
高校物理专业固体物理学期末考试试卷及答案
高校物理专业固体物理学期末考试试卷及答案一、选择题（每题2分，共40分）1. 下列哪种材料是典型的固体？A. 水B. 空气C. 玻璃D. 油2. 表征物质导电性质的关键因素是：A. 导热系数B. 形变C. 导电子数D. 电阻率3. 相互作用力程远大于它的大小尺度的物质状态是：A. 液体B. 气体C. 等离子体D. 固体4. 根据原子内部粒子组织排列方式的不同，将固体分为晶体和非晶态，以下哪种属于非晶态？A. 钻石B. 石英C. 玻璃D. 铜5. 材料的抗拉强度指的是：A. 材料在拉伸过程中发生断裂的能力B. 材料的硬度C. 材料的耐磨性D. 材料的延展性（以下为第6题至第40题的选项省略）二、填空题（每题3分，共30分）1. 固体的最基本由原子、分子或离子组成的单位结构叫作_____________。
2. 点阵是固体晶体结构中原子、离子或分子的_____________组成的排列方式。
3. 若一堆物体在某种温度下开始熔化，则该温度即为该物质的_____________点。
4. 固体由于结构的紧密性，其密度通常较_____________。
5. 金属中导电电子为材料的_____________。
6. 非晶态材料的特点是_____________无规律的原子组织结构。
（以下为第7题至第30题的空格省略）三、问答题（共30分）1. 简述固体物理学研究的基本内容和意义。
解答：固体物理学研究的基本内容主要包括固体材料的结构、性质和应用等方面。
它通过研究固体的微观结构和宏观性质，探索物质内部的相互作用和运动规律，从而深入了解固体物质的特性和行为。
固体物理学的研究对于提高材料的功能和性能具有重要意义。
通过深入研究固体的结构和性质，我们可以开发出更好的材料，改善材料的导电、导热、机械强度等性能，为社会发展和工业生产提供重要支持。
同时，固体物理学的研究还能够为其他领域的科学研究提供基础和支撑，如电子学、光学、磁学等。
长沙理工大学数字电子技术基础复习试卷及答案（7）
长沙理⼯⼤学数字电⼦技术基础复习试卷及答案（7）长沙理⼯⼤学数字电⼦技术基础复习试卷及答案电⼦技术试卷(07)⼀、数制转换（12）1、（１１０１１０１）２＝（）１６＝（）１０2、（３Ｄ．ＢＥ）１６＝（）２＝（）１０3、（２５．７）１０＝（）２＝（）１６4、（０１０１１００００１１１）８４２１ＢＣＤ＝（）８5、（－００１０１Ｂ）原码＝（）反码=( )补码⼆、选择填空题（12）1）、以下的说法中，——是正确的。
a) ⼀个逻辑函数全部最⼩项之和恒等于０b ）⼀个逻辑函数全部最⼤项之和恒等于０c ）⼀个逻辑函数全部最⼤项之积恒等于１d ）⼀个逻辑函数全部最⼤项之积恒等于０2）、已知Ｒ、Ｓ是与⾮门构成的基本ＲＳ触发器的输⼊端，则约束条件为——。
a ）Ｒ＋Ｓ＝１ b ）Ｒ＋Ｓ＝０c ）ＲＳ＝１d ）ＲＳ＝０3）、若ＪＫ触发器的原状态为０，欲在ＣＰ作⽤后仍保持为０状态，则激励函数ＪＫ的值应是——。
a ）Ｊ=1，Ｋ＝１b ）Ｊ＝０，Ｋ＝０c ）Ｊ＝０，Ｋ＝Χd ）Ｊ＝Χ，Ｋ＝Χ4）、同步计数器是指——的计数器。
a ）由同类型的触发器构成。
b ）各触发器时钟端连在⼀起，统⼀由系统时钟控制。
c ）可⽤前级的输出做后级触发器的时钟。
d ）可⽤后级的输出做前级触发器的时钟。
５）、同步四位⼆进制计数器的借位⽅程是Ｂ＝1234Q Q Q Q ，则可知Ｂ的周期和正脉冲宽度为——。
a ）１６个ＣＰ周期和２个ＣＰ周期。
b ）１６个ＣＰ周期和１个ＣＰ周期。
c ）８个ＣＰ周期和８个ＣＰ周期。
d ）８个ＣＰ周期和４个ＣＰ周期。
三、⽤卡诺图化简法将下列逻辑函数化为最简与或形式（12）（1）、D C BC C A B A Y +++=（2）、Y （Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）=Σ（m ３，m ５，m ６，m ７，m １０），给定约束条件为：m ０＋m １＋m ２＋m ４＋m ８＝０四、证明下列逻辑恒等式（⽅法不限）（12）（1）、C B AB D B D B CA +=+++))()((（2）、D B D B C A C A D C B A ABCD D C B A D C B A +++=+++五、分析下图所⽰电路中当A 、Ｂ、Ｃ、Ｄ单独⼀个改变状态时是否存在竞争－冒险现象？如果存在，那么都发⽣在其它变量为何种取值的情况下？（16）六、分析如下时序电路的逻辑功能，写出电路的驱动⽅程、状态⽅程和输出⽅程，画出电路的状态转换图（20）。
固体物理期末试卷及参考解答2018-B
课程编号：课程名称: 固体物理试卷类型考试形式：开 考试时间： 120 分钟 一、简答题（本大题共10小题,每小题5分，共50分)1．什么是晶面指数？什么是方向指数？它们有何联系？2．请写出布拉格衍射条件,并写出用波矢和倒格矢表示的衍射条件。
3。
为什么组成晶体的粒子（分子、原子或离子）间的相互作用力除吸引力还要有排斥力?排斥力的来源是什么？4．写出马德隆常数的定义,并计算一维符号交替变化的无限长离子线的马德隆常数。
5．什么叫声子?长光学支格波与长声学支格波的本质上有何区别？6．温度降到很低时.爱因斯坦模型与实验结果的偏差增大，但此时，德拜模型却与实验结果符合的较好。
试解释其原因。
7.自由电子模型的基态费米能和激发态费米能的物理意义是什么？费米能与那些因素有关？8．什么是弱周期场近似?按照弱周期场近似，禁带产生的原因是什么?9。
什么是本征载流子？什么是杂质导电？10．什么是紧束缚近似？按照紧束缚近似，禁带是如何产生的？二、计算题（本大题共5小题，每小题10分,共50分）1. 考虑一在球形区域内密度均匀的自由电子气体，电子系统相对于等量均匀正电荷背景有一小的整体位移，证明在这一位移下系统是稳定的，并给出这一小振动问题的特征频率。
2。
如将布拉维格子的格点位置在直角坐标系中用一组数),,(321n n n 表示，证明:对于面心立方格子，i n 的和为偶数.3. 设一非简并半导体有抛物线型的导带极小，有效质量m m 1.0=*，当导带电子具有k T 300=的平均速度时,计算其能量、动量、波矢和德布罗意波长。
4. 对于原子间距为a ，由N 个原子组成的一维单原子链，在德拜近似下， (1）计算晶格振动频谱；（2）证明低温极限下，比热正比于温度T 。
5。
对原子间距为a 的由同种原子构成的二维密堆积结构， （1）画出前三个布里渊区；（2)求出每原子有一个自由电子时的费米波矢； （3）给出第一布里渊区内接圆的半径；（4）求出内接圆为费米圆时每原子的平均自由电子数;（5）平均每原子有两个自由电子时，在简约布里渊区中画出费米圆的图形.固体物理B 卷 参考答案一、简答题（本大题共10小题，每小题5分,共50分）1．晶面指数:晶面在在坐标轴上的截距的倒数的最简整数比。
固体电子器件原理期末考试题A卷及答案教学文稿
固体电子器件原理期末考试题A 卷及答案一、能带图 (27分)1. 画出硅pn 结零偏、反偏和正偏条件下的能带图，标出有关能量。
(9 分)2. 画出n 型衬底上理想的金属-半导体接触（理想金属-半导体接触的含义：金属-半导体界面无界面态，不考虑镜像电荷的作用）的能带图，(a) φm > φs , (b) φm < φs . 分别指出该接触是欧姆接触还是整流接触? （要求画出接触前和接触后的能带图）( 8 分 )φm > φs ,φm < φs ,3. 画出p 型硅衬底上理想MOS 结构（理想MOS 结构的含义：栅极材料与衬底半导体无功函数差，栅极-氧化层-衬底无界面态，氧化层为理想的介质层）半导体表面处于反型状态时的能带图。
(5分)4. 重掺杂的n +多晶硅栅极-二氧化硅-n 型半导体衬底形成的MOS 结构，假定氧化层电荷为零。
画出MOS 结构在平衡态的能带图，说明半导体表面状态。
（5分）二、器件工作机理和概念(35 分)1. 简述突变空间电荷区近似的概念。
(5分)现在以突变pn 结为例来研究平衡pn 结的特性。
我们知道，在p 型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子；而在n 型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
于是，在pn 结冶金界面的两侧因浓度差而出现了载流子的扩散运动。
p 区的空穴向n 区扩散，在冶金界面的p 型侧留下电离的不可动的受主离子; 同理，n 区的电子向p 区扩散，在冶金界面的n 型侧留下电离的不可动的施主离子。
电离的受主离子带负电，电离的施主离子带正电。
于是，随着扩散过程的进行，在pn 结界面两侧的薄层内，形成了由不可动的正负电荷组成的非电中性区域。
我们把这一区域称为pn 结空间电荷区， 如图所示。
空间电荷的出现，在pn 结两侧产生了由正电荷指向负电荷的电场E bi ， 即由n 区指向p 区的电场。
这一电场称为自建电场或内建电场。
长沙理工大学 数字电子技术基础复习试卷及答案 (10)
长沙理工大学数字电子技术基础复习试卷及答案数字电子技术试卷(11)一、选择（20分）1、一个四输入端与非门，使其输出为0的输入变量取值组合有 种。
A.15B.7C.3D.12、对于JK 触发器，若J=K ，则可完成 触发器的逻辑功能。
A.R SB.DC.TD.T ˊ 3、为实现将JK 触发器转换为D 触发器，应使 。
A.J =D ,K =DB. K =D ,J =DC.J =K =DD.J =K =D 4、多谐振荡器可产生 。
A.正弦波B.矩形脉冲C.三角波D.锯齿波 5、石英晶体多谐振荡器的突出优点是 。
A.速度高B.电路简单C.振荡频率稳定D.输出波形边沿陡峭6、把一个五进制计数器与一个四进制计数器串联可得到 进制计数器。
A.4B.5C.9D.20 7、N 个触发器可以构成最大计数长度（进制数）为 的计数器。
A.NB.2NC.2ND. 2N 8、同步时序电路和异步时序电路比较，其差异在于后者 。
A.没有触发器B.没有统一的时钟脉冲控制C.没有稳定状态D.输出只与内部状态有关 9、五个D 触发器构成环形计数器，其计数长度为 。
A.5B.10C.25D.32 10、一位8421BCD 码计数器至少需要 个触发器。
A.3B.4C.5D.10 二、填空题（20分）1、逻辑函数F=A +B+C D 的反函数F = 。
2、逻辑函数F=A （B+C ）·1的对偶函数是 。
3、已知函数的对偶式为B A +BC D C ，则它的原函数为 。
4、时序逻辑电路按照其触发器是否有统一的时钟控制分为 时序电路和 时序电路。
5、如下图题2-5a 和图题2-5b 所示的电路，写出对应的逻辑关系表达式Y1= ， Y2= 6、完成数制转换（11011.110）2 =（ ）10 = （ ）16 （29）10 =（ ）2 = （ ）16三、（12分）用卡诺图法化简下列函数为最简与或．．式，并用与非．．门实现电路 （1） F1（A ，B ，C ，D ）=∑m （2，3，6，7，8，10，12，14） （2） F2（A ，B ，C ，D ）=D C AB C B A C B C A B A ++++四、（15分）试画出用3线-8线译码器74LS138和必要的门电路产生如下多输出逻辑函数的逻辑图⎪⎩⎪⎨⎧+=++==CAB C B Y BC C B A C B A Y AC Y 32174LS138 4，74LS138逻辑电路图如图题4 S 1 32S S + A2A1 A0 0Y 1Y 2Y3Y 4Y5Y 6Y 7Y⨯⨯ ⨯ ⨯ 11 1 11 11 1 ⨯1 ⨯⨯⨯1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 111111111图题2-5a 图题2-5b表题41010********* 1011011111101 1011111111110五、（13分）施密特触发器CT1014组成图题5a所示电路，图题5b为CT1014的电压传输特性曲线，试定性画出Va和Vo处的波形。