电子的电路中复习试卷
电子电路基础知识(考题)

电子电路基础知识--测试第一篇电子电路基础知识一、判断题(正确的打√,错误的打×)1、射极输出器不具有电压放大作用。
(√)2、普通二极管反向击穿后立即损坏,因为击穿是不可逆的。
(√)3、在三种功率放大电路中,效率最高是的甲类功放。
(×)说明:效率最高是的乙类功放.4、逻辑电路中“1”比“0”大。
(×)说明:逻辑电路中“1”与“0”不存在大小之分。
5、石英晶体振荡器的主要优点是振荡频率稳定性高。
(√)6、直流放大器只能放大直流信号。
(√)7、在基本放大电路中,若静态工作点选择过高,容易出现饱和失真。
(√)8、振荡器的负载变动将影响振荡频率稳定性(×)9、直流放大器是放大直流信号的,它不能放大交流信号(√)10、差动放大器如果注意选择元件,使电路尽可能对称,可以减小零点漂移(√)11、放大器具有正反馈特性时,电路必然产生自激振荡(×)12、多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄,级数愈少,通频带愈窄(×)说明:级数愈少,通频带愈宽。
13、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类型半导体构成的,所以e极和c极可以互换使用(×)14、在外电场作用下,半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
(×)15、少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。
(×)16、晶体二极管击穿后立即烧毁。
(×)17、用万用表测二极管正向电阻,插在万用表标“+”号插孔的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管正极,另一为负极。
(×)18、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体(P型或N型)构成的,所以极e和c极可以互换使用。
(×)19、PNP三极管处于截止状态时,发射结正偏(×)20、晶体三极管具有能量放大功能。
(×)21、当集电极电流值大于集电极最大允许时,晶体三极管一定损坏。
电力电子试卷

1.晶闸管的伏安特性是指(C)A. 阳极电压与门极电流的关系B. 门极电压与门极电流的关系C. 阳极电压与阳极电流的关系D. 门极电压与阳极电流的关系6.三相全控桥式整流电路在宽脉冲触发方式下一个周期内所需要的触发脉冲共有六个,它们在相位上依次相差(A)A. 60°B. 120°C. 90°D. 180°7.在大电感负载三相全控桥中,当α=90°时,整流电路的输出是(B)A. U2B. 0C. 1.414U2D. 1.732U28.下列不满足有源逆变条件之一的是(A)A.带有续流二极管 B.β<π/2C.|E|>|Ud| D.带平波电抗器10.整流及有源逆变电路采用的换流方式是(B);A.负载换流 B.电网换流C.电容换流 D.器件换流11.单相交流调压电路工作在阻感负载下,其负载阻抗角为φ,则稳态时触发角α的移相范围应为(C)A. 0≤α≤φB. φ≤α≤90°C. φ≤α≤180°D. 0≤α≤180°12.电流型逆变器,交流侧电压波形为(A)。
A.正弦波B.矩形波C.锯齿波 D.梯形波17.触发延迟角就是导通角(×)导通角→控制角18.整流电路有单相和三相,半波与全波,半控与全控之分(√)19.无源逆变是指电能从直流电向交流供电端变换(×)交流供电端→交流负载20.换流重叠角γ是指换流开始到换流过程结束所占的电角度(√)21.DC/DC变换器就是逆变电路(×)逆变电路→直流斩波电路23.在三相全控桥式变流电路中,控制角α与逆变角β之间的关系为α+β=180o_。
26.在三相全控桥式整流电路单脉冲触发方式中,要求脉冲宽度大于 60°。
o 27.电压型逆变器中间直流环节贮能元件是 电容。
28. 晶闸管导通的条件是什么?答:①承受正向阳极电压;(3分)②有门极触发信号;(3分)30.有源逆变产生的条件是什么?答:逆变产生的条件:①要有直流电动势,其极性须和晶闸管导通方向一致,其值应大于变流电路直流侧的平均电压。
电工学电子技术复习题

电流,而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来,以便进一步降低成分。
12在三极管多级放大电路中,已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻,则总的电压增益Av=( );
12、判断图(a)所示电路的反馈类型,并估算图(a)所示负反馈放大器的闭环电压增益Auf=Uo/Ui。
13、定性分析图所示电路,说明T1、T2在电路中的作用。
14:判断如图电路的反馈类型
15、判断如图电路的反馈类型
16、倍压整流电路如图所示,求输出电压VL2的值。
17、电路如图所示,设半导体三极管的β=80,试分析当开关K分别接通A、B、C三位置时,三级管各工作在输出特性曲线的哪个区域,并求出相应的集电极电流Ic。
17、在差动放大电路中,若Vs1=18mV,Vs2=10mV,则输入差模电压Vsd =______mV,共模输入电压Vsc=______mV;若差模电压增益Avd= - 10,共模电压增益Avc= - 0.2,则差动放大电路输出电压Vo=______mV。
18、差动放大电路的基本功能是对差模信号的_______作用和对共模信号的_______作用。(注:本题为1998年北京理工大学研究生入学考试“模拟与数字电路”考题)
A.可能使失真消失B.失真更加严重C.可能出现波形两头都削平的失真。
13、为了使一个电压信号能得到有效的放大,而且能向负载提供足够大的电流,应在这个信号源后面接入什么电路?
A.共射电路B.共基电路C.共集电路
14、在如图所示的放大电路中,设Vcc=10V,Rb1=4KΩ,Rb2=6KΩ,Rc=2KΩ,Re=3.3KΩ,Rl=2KΩ。电容C1,C2和Ce都足够大。若更换晶体管使β由50改为100,rbb'约为0),则此放大电路的电压放大倍数____。
电路与电子技术基础试卷及答案

电路与电子技术基础复习资料一、填空(25分)1.二极菅最主要的特性是_______________ O2.三极管是_________ 空制型器件,而场效应管是 ________ 空制型器件。
3.射极输出器具有_________ 恒4吁1、接近于1, __________________ 和__________期目,并具有____________ 高和_______________ 低的特点。
5.如果变压器或:(即副边)电压的有效值为______ V,桥式整流后(不流波)的输出电压为_v,经过电容滤波后为 ________________ ,二极管所承受的最大反向电压为 _____ y o6.在门电路中,最基本的三种门龟路_____________ 门 _________ 门和__________ 17.时序逻辑电路投照其触发器是否有统一的时钟控制分为________ 序电路和_________8.逻辑代数又称为_________ 代数。
最基本的逻辑关系有 _____________ 、、三种。
9、T触发器的特征方程为时序畛,JK触发黯的特征方程二、单项选择题〈每小题2分,总共20分)1.在某放大电路中,测的三极管三个龟极的静态龟位分别为 0 V, -10 V, T. 3V,则这只三极管是(A. NPN型硅管B. NPN型错管C. PHP型硅管D. PNP型错管2 .某场效应管的转移特性如图所示,该管为(A. P沟道增强型M0S管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、N沟道耗尽型MOS管3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的(A.输入电阻高B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大4.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是()。
A.不用输出变压器B.不用输出端大电容C.效率高D.无交越失U5-稳压二极管1 急压时,其工作在(),发光二极管发光时,其工作在()。
高频电子线路复习题

高频电子线路试题库一、单项选择题(每题2分,共20分)第二章选频网络1、LC串联电路处于谐振时,阻抗( a )。
A、最大B、最小C、不确定2、LC并联谐振电路中,当工作频率大于、小于、等于谐振频率时,阻抗分别呈( b )。
A、感性容性阻性B、容性感性阻性C、阻性感性容性D、感性阻性容性3、在LC并联电路两端并联上电阻,下列说法错误的是( a )A、改变了电路的谐振频率B、改变了回路的品质因数C、改变了通频带的大小D、没有任何改变第三章高频小信号放大器1、在电路参数相同的情况下,双调谐回路放大器的通频带与单调谐回路放大器的通频带相比较aA、增大 B减小 C 相同D无法比较2、三级相同的放大器级联,总增益为60dB,则每级的放大倍数为( d )。
A、10dBB、20C、20 dBD、103、高频小信号谐振放大器不稳定的主要原因是( b )(A)增益太大(B)通频带太宽(C)晶体管集电结电容C b’c的反馈作用(D)谐振曲线太尖锐。
第四章非线性电路、时变参量电路和混频器1、通常超外差收音机的中频为( a )(A)465KH Z (B)75KH Z (C)1605KH Z (D)10.7MH Z2、接收机接收频率为f c,f L>f c,f I为中频频率,则镜象干扰频率为( C )(A)f c>f I (B)f L+f c (C)f c+2f I(D)f c+f I3、设混频器的f L >f C,即f L =f C +f I ,若有干扰信号f n= f L +f I,则可能产生的干扰称为()。
(A)交调干扰(B)互调干扰(C)中频干扰(D)镜像干扰4、乘法器的作用很多,下列中不属于其作用的是()A、调幅B、检波C、变频D、调频5、混频时取出中频信号的滤波器应采用( a )(A)带通滤波器(B)低通滤波器(C)高通滤波器(D)带阻滤波器6、频谱线性搬移电路的关键部件是( b )(A)相加器(B)乘法器(C)倍频器(D)减法器7、在低电平调幅、小信号检波和混频中,非线性器件的较好特性是()A、i=b0+b1u+b2u2+b3u3B、i=b0+b1u+b3u3C、i=b2u2D、i=b3u38、我国调频收音机的中频为( A )(A)465KH Z (B)455KH Z (C)75KH Z (D)10.7MH Z9、在混频器的干扰中,组合副波道干扰是由于----------- 造成的。
电路与电子技术复习试题(部分答案)

一.单项选择题1。
图示电路中,电流I=( A )。
A。
–3 AB。
2 AC。
3 AD。
5 A2. 图示电路中,电压U=( D )。
A。
2 VB. 4 VC. 6 VD. 8 V3. 图示电路中,电流I=( A )。
A. 1 AB. 2 AC。
3 AD。
1/2 A4. 图示电路中,实际发出功率的元件是( D ).A. U S。
B。
RC. U S和I SD。
I S5. 图示电路中, 电压U=( A )。
A。
8 VB。
-8 VC。
16 VD. -16 V6. 图示无源单口网络电路中, ab间等效电阻R ab =( B ).A. R1//R2//R3B. R1//R3C。
(R1+R2)//R3D. (R1+R3)//R27. 图示电路中, 电流I=( B )。
A。
5 AB. -5 AC. 1 AD。
2 A8 . 图示一阶电路中,开关在t=0时闭合,电容初始电压u C(0+)= ( C )。
A。
—5 VB. 10 VC. 5 VD。
20 V9. 图示电路中,电压源单独作用时,电流I=( B )。
A. 0 AB. 1 AC。
-1 AD. 1。
5 A10. 图示电路中, ab短路线中电流I ab = ( A )。
A. 1 AB. 2 AC。
3 AD. —1 A11。
图示电路中, 电流I=( A )。
A 。
–4AB。
4AC. –2AD。
–3A12。
图示电路中, 电压U=( C )。
A。
3 VB。
—3 VC。
—6 V 。
D 。
6 V13. 图示电路, ab 间电压U ab = ( D )。
A. 8 V B. 7 VC 。
5 VD 。
3 V14.稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在( B )状态,但其两端电压必须( C )它的稳压值Uz 才有导通电流,否则处于( F )状态. A 、正偏 B 、反偏 C 、大于 D 、小于 E 、导通 F 、截止15.用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V 、6V 、2。
电工电子期末考试试卷

电工电子期末考试试卷一、选择题(每题2分,共20分)1. 电路中,电流的参考方向与实际方向相反时,该电流为:A. 正电流B. 负电流C. 零电流D. 以上均不正确2. 以下哪个不是基本的电子元件:A. 电阻B. 电容C. 电感D. 变压器3. 欧姆定律的数学表达式是:A. V = IRB. V = I/RC. I = V/RD. R = V/I4. 一个电路中,电源电压为12V,通过电阻的电流为0.5A,该电阻的阻值是:A. 24ΩB. 12ΩC. 6ΩD. 3Ω5. 以下哪个不是半导体材料:A. 硅B. 锗C. 石英D. 砷化镓6. 一个电容器的电容为100μF,当电压从0增加到5V时,电容器储存的电荷量为:A. 5CB. 500CC. 100CD. 50C7. 以下哪个不是电磁波的应用:A. 无线电通信B. 电视广播C. 激光D. 声波8. 一个理想的直流电源,其内部电阻为0,外部电路的总电阻为10Ω,电源电动势为12V,电路中的电流为:A. 1.2AB. 12AC. 0.12AD. 0.1A9. 以下哪个不是电感元件的特性:A. 电流不能突变B. 对直流电阻很小C. 储存磁能D. 对交流电呈现高阻抗10. 一个电路中,电源电动势为9V,内阻为1Ω,外电路的总电阻为8Ω,路端电压为:A. 8VB. 9VC. 7.2VD. 无法确定二、填空题(每空1分,共10分)1. 电路中,当电源电动势为E,内阻为r,外电路总电阻为R时,路端电压U为______。
2. 电容器的单位是______,符号为F。
3. 电流的单位是______,符号为A。
4. 一个电路的功率P等于电压V与电流I的乘积,即P=______。
5. 电流的热效应可以用焦耳定律来描述,其表达式为Q=______。
6. 电磁波的传播速度在真空中为______米/秒。
7. 半导体材料的导电性介于金属和绝缘体之间,其导电性可以通过掺杂来改变。
8. 理想变压器的原边和副边的电压比与______比相同。
电路与电子技术复习题

电路与电子技术复习题电路与电子技术复习题第4章一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度,而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。
2、当PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。
当外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。
3、在N型半导体中,电子为多数载流子,空穴为少数载流子。
4、三极管处在放大区时,其集电结电压小于零,发射结电压大于零。
5、三极管的发射区杂质浓度很高,而基区很薄。
6、在半导体中,温度变化时少数载流子的数量变化较大,而多数载流子的数量变化较小。
7、三极管实现放大作用的内部条件是:发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小;外部条件是:发射结要正向偏置、集电结要反向偏置。
8、工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA 增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为100 。
9、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。
10、双极型三极管是指它内部的参与导电载流子有两种。
11、三极管工作在放大区时,它的发射结保持正向偏置,集电结保持反向偏置。
12、某三极管处于放大状态,三个电极A、B、C的电位分别为-9V、-6V和-6.2V,则三极管的集电极是 A ,基极是 C ,发射极是 B 。
该三极管属于PNP 型,由锗半导体材料制成。
二、判断题1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。
(×)2、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
(×)3、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。
(×)4、温度升高时,PN结的反向饱和电流将减小。
(×)5、PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
(×)三、选择题1、二极管加正向电压时,其正向电流是由(a )。
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第10章电子电路中常用的元件习题参考答案一、填空题:1. PN结的单向导电性指的是PN结正向偏置时导通,反向偏置时阻断的特性。
2. 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压U BE分别为0.7V 和0.3 V。
3. 晶体三极管有两个PN结,分别是发射结和集电结,分三个区域饱和区、放大区和截止区。
晶体管的三种工作状态是放大状态、饱和状态和截止状态。
4. 一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏,则此三极管处于饱和状态;其发射结和集电结都处于反偏时,此三极管处于截止状态;当发射结正偏、集电结反偏时,三极管为放大状态。
5. 物质按导电能力强弱可分为导体、绝缘体和半导体。
6. 本征半导体掺入微量的三价元素形成的是P型半导体,其多子为空穴。
7. 某晶体三极管三个电极的电位分别是:V1=2V,V2=1.7V,V3=-2.5V,可判断该三极管管脚“1”为发射极,管脚“2”为基极,管脚“3”为集电极,且属于锗材料PNP型三极管。
8. 稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅二极管,工作在特性曲线的反向击穿区。
二、判断题:1.在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。
(对)2. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。
(错)3. 用万用表测试晶体管好坏时,应选择欧姆档中比较大的量程。
(错)4. PNP管放大电路中,U CC的极性为负,说明发射结反偏,集电结正偏。
(错)5. 晶体管可以把小电流放大成大电流。
(对)6. 晶体管可以把小电压放大成大电压。
(错)7. 晶体管可用较小电流控制较大电流。
(对)8. 如果晶体管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM,则该管被击穿。
(错)9. 二极管若工作在反向击穿区,一定会被击穿。
(错)三、选择题:1. 处于截止状态的三极管,其工作状态为(B)。
A、发射结正偏,集电结反偏;B、发射结反偏,集电结反偏;C、发射结正偏,集电结正偏;D、发射结反偏,集电结正偏。
2. P型半导体是在本征半导体中加入微量的( A )元素构成的。
A、三价;B、四价;C、五价;D、六价。
3. 稳压二极管的正常工作状态是(C)。
A、导通状态;B、截止状态;C、反向击穿状态;D、任意状态。
4. 用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1=2V,V2=6V,V3=2.7V,由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为(B)。
A、PNP管,CBE;B、NPN管,ECB;C、NPN管,CBE;D、PNP管,EBC 。
5. 用万用表R ×1K 的电阻挡检测某一个二极管时,发现其正、反电阻均约等于1K Ω,这说明该二极管是属于( D )。
A 、短路状态;B 、完好状态;C 、极性搞错;D 、断路状态。
6. 测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为V E =3V ,V B =3.7V ,V C =3.3V ,则该管工作在( B )。
A 、放大区;B 、饱和区;C 、截止区;D 、击穿区。
7. PN 结加正向电压时,其正向电流是( A )。
A 、多子扩散而成;B 、少子扩散而成;C 、少子漂移而成;D 、多子漂移而成。
8. 三极管组成的放大电路在工作时,测得三极管上各电极对地直流电位分别为V E =2.1V ,V B =2.8V ,V C =4.4V ,则此三极管已处于( A )。
A 、放大区;B 、饱和区;C 、截止区;D 、击穿区。
四、计算题1. 计算图7.1所示电路的电位U Y (设D 为理想二极管)。
(1)U A =U B =0时;(2)U A =E ,U B =0时;(3)U A =U B =E 时。
解:此题所考查的是电位的概念以及二极管应用的有关知识。
从图中可以看出A 、B 两点电位的相对高低影响了D A 和D B 两个二极管的导通与关断。
当A 、B 两点的电位同时为0时,D A 和D B 两个二极管的阳极和阴极(U Y )两端电位同时为0,因此均不能导通;当U A =E ,U B =0时,D A 的阳极电位为E ,阴极电位为0(接地),根据二极管的导通条件,D A 此时承受正压而导通,一旦D A 导通,则U Y >0,从而使D B 承受反压(U B =0)而截止;当U A =U B =E 时,即D A 和D B 的阳极电位为大小相同的高电位,所以两管同时导通,两个1k Ω的电阻为并联关系。
本题解答如下:(1)由于U A =U B =0,D A 和D B 均处于截止状态,所以U Y =0;(2)由U A =E ,U B =0可知,D A 导通,D B 截止,所以U Y =E⨯+919=109E ;(3)由于U A =U B =E ,D A 和D B 同时导通,因此U Y =E⨯+5.099=1918E 。
2. 在图7.2所示电路中,设D 为理想二极管,已知输入电压u i 的波形。
试画出输出电压u o 的波形图。
解:此题的考查点为二极管的伏安特性以及电路的基本知识。
首先从(b )图可以看出,当二极管D 导通时,理想二极管电阻为零,所以u o =u i ;当D 截止时,电阻为无穷大,相当于断路,因此u o =5V ,即是说,只要判断出D 导通与否,就可以判断出输出电压的波形。
要判断D 是否导通,可以以接地为参考点(电位零点),判断出D 两端电位的高低,从而得知是否导通。
u o 与u i 的波形对比如右图所示:3. 某人检修电子设备时,用测电位的办法,测出管脚①对地电位为-6.2V ;管脚②对地电位为-6V ;管脚③对地电位为-9V ,见图7.3所示。
试判断各管脚所属电极及管子类型(PNP 或NPN )。
解:该题考查的是不同类型晶体管的特点以及管脚之间的电位关系。
首先根据已知条件中三个管脚对地的电位均为负值可以看出,此晶体管使用的电源为负电源,即该管为PNP 型,然后可以根据管脚①和②两者的差值0.2V 判断应该为锗管(硅管应为0.7V ),并且据此可断定管脚①和②分别为该管的基极和发射极,而管脚③则为集电极。
4. 两个晶体管的共射极输出特性曲线如图7.4所示。
试说明哪个管子的β值大?哪个管子的热稳定性好?解:该题考查了晶体管输出特性和参数的相关知识。
从(a )(b)两图可以看出:当I B 变化相同的值时,(a )图中I C 变化要更大一些,由BC I I ∆∆=β可知(a )图管子的β值大,热稳定性差,而(b )图由于β值小,热稳定性较好。
5. 试总结晶体三极管分别工作在放大、饱和、截止三种工作状态时,三极管中的两个PN 结所具有的特点。
解:三极管工作在放大工作状态时,集电结反偏,发射结正偏。
三极管工作在饱和工作状态时,发射线和集电结均正偏。
三极管工作在截止工作状态时,发射线和集电结均反偏。
6.图示为硅三极管在工作时实测的各极对地电压值。
试根据各极对地电压判断三极管的工作状态。
(a) U BE =1.7V –1V=0.7V>0,U BC =1.7V –1.3V=0.4V>0, NPN 型硅管,工作在饱和状态。
(b) U BE =0.7V>0,U BC =0.7V –3V=-2.3V<0, NPN 型硅管,工作在放大状态。
(c) U BE =0.5V-1.5V=-1V<0,U BC =0.5V –6V=-5.5V<0, NPN 型硅管,工作在截止状态。
(d)U BE=0.5V-1.5V=-1V<0,U BC=0.5V–6V=-5.5V<0 ,NPN型硅管,工作在截止状态。
第11章基本放大电路习题参考答案一、填空题:1. 放大电路应遵循的基本原则是:发射结正偏;集电结反偏。
2. 射极输出器具有电压放大倍数恒小于1、接近于1,输入信号和输出信号同相,并具有输入电阻高和输出电阻低的特点。
3. 放大器输出波形的正半周削顶了,则放大器产生的失真是截止失真,为消除这种失真,应将静态工作点上移。
4. 放大电路有两种工作状态,当u i=0时电路的状态称为静态态,有交流信号u i输入时,放大电路的工作状态称为动态态。
在动态态情况下,晶体管各极电压、电流均包含直流静态分量和交流动态分量。
放大器的输入电阻越大,就越能从前级信号源获得较大的电信号;输出电阻越小,放大器带负载能力就越强。
二、判断题1、放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。
(错)2、放大电路中的所有电容器,起的作用均为通交隔直。
(对)3、射极输出器的电压放大倍数等于1,因此它在放大电路中作用不大。
(错)4、分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。
(对)5、设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。
(对)6、晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。
(错)7、微变等效电路不能进行静态分析,也不能用于功放电路分析。
(对)8、共集电极放大电路的输入信号与输出信号,相位差为180°的反相关系。
(错)9、微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。
(错)10、普通放大电路中存在的失真均为交越失真。
(错)11、共射放大电路输出波形出现上削波,说明电路出现了饱和失真。
(错)12.射极支路接入电阻R E的目的是为了稳定静态工作点。
(对)三、选择题:1、基本放大电路中,经过晶体管的信号有(C)。
A、直流成分;B、交流成分;C、交直流成分均有。
2、基本放大电路中的主要放大对象是(B)。
A、直流信号;B、交流信号;C、交直流信号均有。
3、在共集电极放大电路中,输出电压与输入电压的关系是(C)A、相位相同,幅度增大;B、相位相反,幅度增大;C、相位相同,幅度相似。
4、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是(A)。
A、放大电路的电压增益;B、不失真问题;C、管子的工作效率。
5、射极输出器的输出电阻小,说明该电路的(A)A、带负载能力强;B、带负载能力差;C、减轻前级或信号源负荷。
6、基极电流i的数值较大时,易引起静态工作点Q接近(B)。
BA、截止区;B、饱和区;C、死区。
7 、射极输出器是典型的(C)放大器。
A、电流串联负反馈;B、电压并联负反馈;C、电压串联负反馈。
四、问答题:1. 放大电路中为什么要设立静态工作点?静态工作点的高、低对电路有何影响?答:为了不失真地放大交流信号,必须在电路中设置合适的静态工作点。
若静态工作点高时,易造成饱和失真;若静态工作点设置低了时,又易造成截止失真。
2. 共发射极放大器中集电极电阻R C起的作用是什么?答:共发射极放大器中集电极电阻R C起的作用是将集电极电流的变化转化为电压的变化,即让输出电压u0因R C上电压的变化而改变,从而使放大电路实现电压放大作用。
五、计算题1. 试判断如图8.1所示的各电路能否放大交流电压信号?为什么?解:(a)能 (b)不能,图缺少基极分压电阻R B,造成V B=U CC太高而使信号进入饱和区发生失真。