(完整word版)半导体基础知识学习
半导体基础知识
设VCC = 5V 加到A,B的 VIH=3V
VIL=0V 二极管导通时 VDF=0.7V
A BY 0V 0V 0V 0V 3V 2.3V 3V 0V 2.3V 3V 3V 2.3V
规定2.3V以上为1 0V以下为0
A BY 0 00 0 11 1 01 1 11
二极管构成的门电路的缺点
• 电平有偏移 • 带负载能力差
第三章 门电路
3.1 概述 • 门电路：实现基本运算、复合运算的单元电路，如
与门、与非门、或门 ······
门电路中以高/低电平表 示逻辑状态的1/0
获得高、低电平的基本原理
高/低电平都允许有 一定的变化范围
正逻辑：高电平表示1，低电平表示0 负逻辑：高电平表示0，低电平表示1
3.2半导体二极管门电路
T1 , T2同时导通
若T1 , T2参数完全对称，VI
1 2
VDD时，VO
1 2 VDD
三、输入噪声容限
在VI 偏离VIH 和VIL的一定范围内，VO 基本不变； 在输出变化允许范围内，允许输入的变化范围称为输入噪声容限
VNH VOH(min) VIH (min) VNL VIL(max) VOL(max)
• 硅管，0.5 ~ 0.7V • 锗管，0.2 ~ 0.3V
• 近似认为:
• VBE < VON iB = 0 • VBE ≥ VON iB 的大小由外电路电压，电阻决定
iB
VBB VBE Rb
三极管的输出特性
• 固定一个IB值，即得一条曲线， 在VCE > 0.7V以后，基本为水平直线
iC f (VCE )
iC f (VCE )
三、双极型三极管的基本开关电路
半导体基础知识
生20%波动时，负载电压基本不变。
求：电阻R和输入电压 ui 的正常值。
解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电
流为Izmax 。
i
I zmax
U ZW RL
25mA
1.2ui iR U zW 25R 10
——方程1
(1-37)
令输入电压降到下限 时，流过稳压管的电 流为Izmin 。
i
iL
+4
+4
+4
+4
共价键有很强的结合力，使原子规 则排列，形成晶体。
共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为 束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自 由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以 本征半导体的导电能力很弱。
(1-8)
二、本征半导体的导电机理 1.载流子、自由电子和空穴
在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价 电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有 可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电 能力为 0，相当于绝缘体。
R
ui
DZ
iZRL uo
i
I
zm in
U ZW RL
10mA
0.8ui iR U zW 10R 10
——方程2
联立方程1、2，可解得：
ui 18.75V, R 0.5k
(1-38)
1.3.2 光电二极管
反向电流随光照强度的增加而上升。
I U
照度增加
(1-39)
1.3.3 发光二极管
有正向电流流过 时，发出一定波长 范围的光，目前的 发光管可以发出从 红外到可见波段的 光，它的电特性与 一般二极管类似。
注意:
1、空间电荷区中没有载流子。
半导体基础知识
2．PN结的特性
（1）PN结的单向导电性 外加正向电压（或正向偏置电压，简称正偏）
扩散运动加剧,漂移运动减弱,多子扩散形成电流，处于正向 导通状态。
外加反向电压（或反向偏置电压，简称反偏 )
空间电荷区变宽，多子扩散电流为零，PN结呈现很高的电阻， 处于反向截止状态。 少子的漂移运动增强 ，形成电流。
本征半导体结构示意图
（2） 本征半导体的特性
载流子－－可移动的电荷。 空穴－共价键吸附引起的载流子。 在一定温度下，本征半导体 中载流子的产生和复合两种 运动将达到动态平衡。
ni pi
硅和锗的本征载流子浓度与温度的关系为：
3 Eg
n T p T AT e2 2KT
• 显然，本征载i 流子的浓度i 对温度十分敏感，随温度的上升而迅速增 大，这正是半导体的重要特性—热（或光）敏性。
• 光敏性：在光照条件下，其导电性能将显著增加。利用光敏性 可制成光敏元件。
• 热敏性：在热辐射条件下，其导电性能也将显著增加。利用热 敏性可制成热敏元件。
• 掺杂性：掺入特定的杂质元素时，其导电性能显著增加，并具 有可控性。
1. 本征半导体及其特性
（1）本征半导体
本征半导体－－纯净的具有晶体结构的半导体。
P型半导体
空穴 多数载流子 自由电子 少数载流子
（3） 杂质半导体的特性
• 载流子的浓度 多子浓度取决于杂质的浓度
• 杂质半导体的电中性 在无外加电场条件下，杂质半导体是呈现电中性的。
• 转型
1.2 PN结的形成及其特性
1．PN结的形成
扩散运动－－由浓度高向浓度低运动 漂移运动－－电场驱动的载流子运动 扩散运动（多子）与漂移运动（少子）的平衡形成PN结
半导体的基础知识
半导体的特点半导体之所以得到广泛的应用，其主要原因并不在于它的电阻率大小，而是因为它存在着一些导体和绝缘体所没有的独特性能。
①导电能力随温度灵敏变化导体，绝缘体的电阻率随温度变化很小，（导体温度每升高一度，电组率大约升高0.4%）。
而半导体则不一样，温度每升高或降低1度，其电阻就变化百分之几，甚至几十，当温度变化几十度时，电阻变化几十，几万倍，而温度为绝对零度（-273℃）时，则成为绝缘体。
②导电能力随光照显著改变当光线照射到某些半导体上时，它们的导电能力就会变得很强，没有光线时，它的导电能力又会变得很弱。
③杂质的显著影响在纯净的半导体材料中，适当掺入微量杂质，导电能力会有上百万的增加。
这是最特殊的独特性能。
④其他特性温差电效应，霍尔效应，发光效应，光伏效应，激光性能等。
本征半导体常用的半导体材料主要有硅(Si)和锗(Ge)高纯度的硅和锗都是单晶结构，它们的原子整齐的按一定得规律排列着，原子之间的距离不仅很小，而且相等，我们把这种非常纯净的且原子排列整齐的半导体称为本征半导体。
硅、硼、磷原子结构示意图如下：正常情况下，他们的原子都是呈中性的。
在硅制成单晶后，其最外层的4个电子不仅受自身原子核的约束，还与相邻的4个原子核相吸引，2个相邻的原子之间共有1对电子，称为共价键结构。
如果共价键中的电子受到一定的热或光照等作用下，晶体中的共价电子有一部分受到激发可能会冲破共价键的束缚而成为一个自由电子。
同时这个电子原来所在的共价键的位置上形成一个电子空位，称之为“空穴”。
从能带图上看，就是电子离开了价带跃迁到导带，从而在价带中留下了空穴，产生了一对电子和空穴。
在本征半导体中自由电子和空穴的数目是相等的，称为电子空穴对，电子空穴对的运动是杂乱无章的，就整体而言对外不显电性。
只有在外加电场的作用下电子空穴运动才具有方向性。
能带图硅原子在晶体中的共价键结构半导体材料硅的晶体结构硅晶体的金刚石结构晶体对称的，有规则的排列叫做晶体格子，简称晶格，最小的晶格叫晶胞。
第01章半导体器件的基础知识(精)
第01章半导体器件的基础知识1.1 半导体物理学概述1.1.1 半导体的定义半导体是指在温度为室温时，其导电性介于金属和非金属之间的材料。
室温下，半导体的导电性比金属低很多，但比非金属高很多。
1.1.2 能带模型能带模型是用来解释半导体电学性质的重要物理模型之一。
在能带模型中，半导体的能量带分为导带和价带。
导带的电子能量高，而价带的电子能量低，两个带之间有一条禁带（也称带隙），禁带内无可利用的电子。
1.1.3 杂质的作用在半导体中加入适量的杂质后，可以改变半导体的电学性质，如电导率、电子迁移率和载流子浓度等。
常用的杂质有掺杂剂和杂质氧化物等。
1.2 半导体器件的分类根据半导体器件的功能、工作原理和结构等不同属性，可以将其分为多种类型，其中常用的半导体器件有二极管、晶体管、场效应管、集成电路、发光二极管等。
1.2.1 二极管二极管是一种最简单的半导体器件，主要由P型半导体和N型半导体组成。
二极管的主要特点是只允许电流单向通过，具有整流、波形削减和电压稳定等特性，广泛应用于扫描电视机、颜色电视机、发光二极管等电子产品中。
1.2.2 晶体管晶体管是一种三层结构的半导体器件，由三种掺杂纯度不同的半导体材料组成：P型、N型和净掺杂型半导体。
晶体管主要有三种工作方式：放大、开关和振荡。
1.2.3 场效应管场效应管也称为MOS晶体管，是一种用于放大和开关的半导体器件。
场效应管是一种具有电容储能功能的半导体器件，由源、栅、漏三个电极组成，它的主要特点是具有高输入阻抗和良好的线性增益。
1.2.4 集成电路集成电路是一种将多个电子元件整合在单片半导体上的器件，其中包含大量的晶体管、二极管、电阻和电容等。
集成电路广泛应用于计算机、通信、汽车和家电等领域，对提高电路的性能、简化电路结构和减小体积有重要作用。
1.2.5 发光二极管发光二极管是一种具有半导体特性的器件，它能够在一定的外加电压下，将电能转换为光能，并向外辐射光线。
半导体知识点总结大全
半导体知识点总结大全引言半导体是一种能够在一定条件下既能导电又能阻止电流的材料。
它是电子学领域中最重要的材料之一，广泛应用于集成电路、光电器件、太阳能电池等领域。
本文将对半导体的知识点进行总结，包括半导体基本概念、半导体的电子结构、PN结、MOS场效应管、半导体器件制造工艺等内容。
一、半导体的基本概念（一）电子结构1. 原子结构：半导体中的原子是由原子核和围绕原子核轨道上的电子组成。
原子核带正电荷，电子带负电荷，原子核中的质子数等于电子数。
2. 能带：在固体中，原子之间的电子形成了能带。
能带在能量上是连续的，但在实际情况下，会出现填满的能带和空的能带。
3. 半导体中的能带：半导体材料中，能带又分为价带和导带。
价带中的电子是成对出现的，导带中的电子可以自由运动。
（二）本征半导体和杂质半导体1. 本征半导体：在原子晶格中，半导体中的电子是在能带中的，且不受任何杂质的干扰。
典型的本征半导体有硅（Si）和锗（Ge）。
2. 杂质半导体：在本征半导体中加入少量杂质，形成掺杂，会产生额外的电子或空穴，使得半导体的导电性质发生变化。
常见的杂质有磷（P）、硼（B）等。
（三）半导体的导电性质1. P型半导体：当半导体中掺入三价元素（如硼），形成P型半导体。
P型半导体中导电的主要载流子是空穴。
2. N型半导体：当半导体中掺入五价元素（如磷），形成N型半导体。
N型半导体中导电的主要载流子是自由电子。
3. 载流子浓度：半导体中的载流子浓度与掺杂浓度有很大的关系，载流子浓度的大小决定了半导体的电导率。
4. 质量作用：半导体中载流子的浓度受温度的影响，其浓度与温度成指数关系。
二、半导体器件（一）PN结1. PN结的形成：PN结是由P型半导体和N型半导体通过扩散结合形成的。
2. PN结的电子结构：PN结中的电子从N区扩散到P区，而空穴从P区扩散到N区，当N区和P区中的载流子相遇时相互复合。
3. PN结的特性：PN结具有整流作用，即在正向偏置时具有低电阻，反向偏置时具有高电阻。
半导体基础知识
半导体基础知识1. 半导体的概念与分类1.1 半导体的定义半导体是一种电导率介于导体和绝缘体之间的材料，其电导率会随着外界条件（如温度、光照、掺杂等）的变化而变化。
常见的半导体材料有硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）等。
1.2 半导体的分类根据半导体材料的类型，可分为元素半导体和化合物半导体。
•元素半导体：如硅（Si）、锗（Ge）等。
•化合物半导体：如砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等。
根据导电类型，半导体可分为n型半导体和p型半导体。
•n型半导体：掺杂有五价元素（如磷、砷等）的半导体材料。
•p型半导体：掺杂有三价元素（如硼、铝等）的半导体材料。
2. 半导体物理基础2.1 能带结构半导体的导电性能与其能带结构密切相关。
一个完整的周期性晶体结构可以分为价带、导带和禁带。
•价带：充满电子的能量状态所在的带，电子的能量低于价带顶。
•导带：电子的能量高于导带底时，可以自由移动的状态所在的带。
•禁带：价带和导带之间的区域，电子不能存在于这个区域。
2.2 掺杂效应掺杂是向半导体材料中引入少量其他元素，以改变其导电性能的过程。
掺杂分为n型掺杂和p型掺杂。
•n型掺杂：向半导体中引入五价元素，如磷、砷等，使得半导体中的自由电子浓度增加。
•p型掺杂：向半导体中引入三价元素，如硼、铝等，使得半导体中的空穴浓度增加。
2.3 载流子在半导体中，自由电子和空穴是载流子，负责导电。
n型半导体中的载流子主要是自由电子，而p型半导体中的载流子主要是空穴。
2.4 霍尔效应霍尔效应是研究半导体中载流子运动的一种重要物理现象。
当半导体中的载流子在外加磁场作用下发生偏转时，会在半导体的一侧产生电势差，即霍尔电压。
3. 半导体器件3.1 半导体二极管半导体二极管（DIODE）是一种具有单向导电性的半导体器件。
它由p型半导体和n型半导体组成，形成PN结。
当外界电压正向偏置时，二极管导通；反向偏置时，二极管截止。
(完整word版)半导体基础知识
1.1 半导体基础知识概念归纳本征半导体定义：纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。
电流形成过程：自由电子在外电场的作用下产生定向移动形成电流。
绝缘体原子结构:最外层电子受原子核束缚力很强，很难成为自由电子。
绝缘体导电性:极差。
如惰性气体和橡胶.半导体原子结构：半导体材料为四价元素，它们的最外层电子既不像导体那么容易挣脱原子核的束缚，也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧.半导体导电性能：介于半导体与绝缘体之间.半导体的特点：★在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。
★在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化.晶格：晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵,称为晶格。
共价键结构:相邻的两个原子的一对最外层电子（即价电子)不但各自围绕自身所属的原子核运动，而且出现在相邻原子所属的轨道上，成为共用电子，构成共价键。
自由电子的形成：在常温下，少数的价电子由于热运动获得足够的能量，挣脱共价键的束缚变成为自由电子.空穴：价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。
电子电流：在外加电场的作用下，自由电子产生定向移动,形成电子电流。
空穴电流:价电子按一定的方向依次填补空穴(即空穴也产生定向移动），形成空穴电流。
本征半导体的电流：电子电流+空穴电流.自由电子和空穴所带电荷极性不同，它们运动方向相反。
载流子：运载电荷的粒子称为载流子。
导体电的特点：导体导电只有一种载流子，即自由电子导电。
本征半导体电的特点:本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电。
本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发.复合：自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。
动态平衡：在一定的温度下,本征激发所产生的自由电子与空穴对,与复合的自由电子与空穴对数目相等,达到动态平衡。
载流子的浓度与温度的关系：温度一定，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。
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我们知道，电子电路是由晶体管组成，而晶体管是由半导体制成的。
所以我们在学习电子电路之、/.前，一定要了解半导体的一些基本知识。
这一章我们主要学习二极管和三极管的一些基本知识，它是本课程的基础，我们要掌握好在学习时我们把它的内容分为三节，它们分别是：1、 1 半导体的基础知识1、2 PN 结1、 3 半导体三极管1、 1 半导体的基础知识我们这一章要了解的概念有：本征半导体、P型半导体、N型半导体及它们各自的特征。
一:本征半导体纯净晶体结构的半导体我们称之为本征半导体。
常用的半导体材料有：硅和锗。
它们都是四价元素，原子结构的最外层轨道上有四个价电子，当把硅或锗制成晶体时，它们是靠共价键的作用而紧密联系在一起。
共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴，它带正电。
我们用晶体结构示意图来描述一下；如图（1）所示：图中的虚线代表共价键。
在外电场作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流；同时价电子也按一定的方向一次填补空穴，从而使空穴产生定向移动，形成空穴电流。
因此，在晶体中存在两种载流子，即带负电自由电子和带正电空穴，它们是成对出现的。
二：杂质半导体在本征半导体中两种载流子的浓度很低，因此导电性很差。
我们向晶体中有控制的掺入特定的杂质来改变它的导电性，这种半导体被称为杂质半导体。
1.N 型半导体在本征半导体中，掺入 5 价元素，使晶体中某些原子被杂质原子所代替，因为杂质原子最外层有 5 各价电子，它与周围原子形成共价键后，还多余一个自由电子，因此使其中的空穴的浓度远小于自由电子的浓度。
但是，电子的浓度与空穴的浓度的乘积是一个常数，与掺杂无关。
在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
2.P 型半导体在本征半导体中，掺入 3 价元素，晶体中的某些原子被杂质原子代替，但是杂质原子的最外层只有 3 个价电子，它与周围的原子形成共价键后，还多余一个空穴，因此使其中的空穴浓度远大于自由电子的浓度。
在P型半导体中，自由电子是少数载流子，空穴使多数载流子。
1 、2 P —N 结我们通过现代工艺，把一块本征半导体的一边形成 P 型半导体，另一边形成 N 型半导体，于是这两种半导体的交界处就形成了 P —N 结，它是构成其它半导体的基础，我们要掌握好它的特性！一：异形半导体接触现象在形成的P —N 结中，由于两侧的电子和空穴的浓度相差很大，因此它们会产生扩散运动：电 子从N 区向P 区扩散；空穴从 P 去向N 区扩散。
因为它们都是带电粒子，它们向另一侧扩散的 同时在N 区留下了带正电的空穴，在 P 区留下了带负电的杂质离子，这样就形成了空间电荷区， 也就是形成了电场（自建场）.它们的形成过程如图（1 ），（ 2）所示pNp [ 空间赴荷区 [N參教戴流子的扩敝运动〔I ） 空间自建场的形成 匕）在电场的作用下， 载流子将作漂移运动， 它的运动方向与扩散运动的方向相反， 阻止扩散运动。
电场的强弱与扩散的程度有关，扩散的越多，电场越强， 同时对扩散运动的阻力也越大，当扩散运动与漂移运动相等时，通过界面的载流子为 0。
此时，PN 结的交界区就形成一个缺少载流子的高阻区，我们又把它称为阻挡层或耗尽层。
二：PN 结的单向导电性我们在PN 结两端加不同方向的电压，可以破坏它原来的平衡，从而使它呈现岀单向导电性。
1.PN 结外加正向电压 PN 结外加正向电压的接法是 P 区接电源的正极，N 区接电源的负极。
这时外加电压形成电场 的方向与自建场的方向相反， 从而使阻挡层变窄，扩散作用大于漂移作用，多数载流子向对方区域扩散形成正向电流，方向是从P 区指向N 区。
如图（1）所示这时的PN 结处于导通状态，它所呈现的电阻为正向电阻，正向电压越大，电流也越大。
它的 关系是指数关系：© ©© ©• • ®® ®㊉㊉㊉㊉㊉㊉® ®®&& &e0 eQI>^i -^1I I—J■e 0e 0其中：ID 为流过PN 结的电流，U 为PN 结两端的电压,UT=kT/q 称为温度电压当量，其中， k 为波尔兹曼常数，T 为绝对温度，q 为电子电量，在室温P 区接电源的负极，N 区接电源的正极。
此时的外加电压形成电场 从而使阻挡层变宽， 漂移作用大于扩散作用， 少数载流子在电场的移电流，它的方向与正向电压的方向相反， 所以又称为反向电流。
因反向电流是少数载流子形成， 故反向电流很小，即使反向电压再增加，少数载流子也不会增加， 反向电压也不会增加，因此它又被称为反向饱和电流。
即： ID=-IS此时，PN 结处于截止状态，呈现的电阻为反向电阻，而且阻值很高。
由以上我们可以看岀：PN 结在正向电压作用下，处于导通状态，在反向电压的作用下，处于截止状态，因此 PN 结具有单向导电性。
它的电流和电压的关系通式为:u_三：PN 结的击穿PN 结处于反向偏置时，在一定的电压范围内，流过 PN 结的电流很小，但电压超过某一数值时，反向电流急剧增加，这种现象我们就称为反向击穿。
击穿形式分为两种：雪崩击穿和齐纳击穿。
对于硅材料的PN 结来说，击穿电压〉7v 时为雪崩击穿，＜4v 时为齐纳击穿。
在4v 与7v 之间, 两种击穿都有。
这种现象破坏了PN 结的单向导电性，我们在使用时要避免。
击穿并不意味着 PN 结烧坏。
四：PN 结的电容效应由于电压的变化将引起电荷的变化，从而岀现电容效应，PN 结内部有电荷的变化，因此它具下（300K ）时 UT=26mv ， IS 为反向饱和电流。
这个公式我们要掌握好!2.PN 结外加反向电压 它的接法与正向相反，即 的方向与自建场的方向相同, 作用下，形成漂它被称为伏安特性方程，如图（3）所示为伏安特性曲线有电容效应，它的电容效应有两种：势垒电容和扩散电容。
势垒电容是由阻挡层内的空间电荷引起的。
扩散电容是PN结在正向电压的作用下，多数载流子在扩散过程中引起电荷的积累而产生的。
PN结正偏时，扩散电容起主要作用，PN结反偏时，势垒电容起主要作用。
五：半导体二极管半导体二极管是由PN结加上引线和管壳构成的。
它的类型很多。
按制造材料分：硅二极管和错二极管。
按管子的结构来分有：点接触型二极管和面接触型二极管。
二极管的逻辑逻辑符号为：1.二极管的特性正向特性当正向电压低于某一数值时，正向电流很小，只有当正向电压高于某一值时，二极管才有明显的正向电流，这个电压被称为导通电压，我们又称它为门限电压或死区电压，一般用UON表示，在室温下，硅管的UON约为0.6----0.8V，错管的UON约为0.1--0.3V，我们一般认为当正向电压大于UON时，二极管才导通。
否则截止。
反向特性二极管的反向电压一定时，反向电流很小，而且变化不大（反向饱和电流），但反向电压大于某一数值时，反向电流急剧变大，产生击穿。
温度特性二极管对温度很敏感，在室温附近，温度每升高1度，正向压将减小2--2.5mV，温度每升高10度，反向电流约增加一倍。
2•二极管的主要参数我们描述器件特性的物理量，称为器件的特性。
二极管的特性有：最大整流电流IF它是二极管允许通过的最大正向平均电流。
最大反向工作电压UR它是二极管允许的最大工作电压，我们一般取击穿电压的一般作UR反向电流IR二极管未击穿时的电流，它越小，二极管的单向导电性越好。
最高工作频率fM它的值取决于PN结结电容的大小，电容越大，频率约高。
二极管的直流电阻RD 加在管子两端的直流电压与直流电流之比，我们就称为直流电阻，它可表示为：RD=UF/IF它是非线性的，正反向阻值相差越大，二极管的性能越好。
二极管的交流电阻rd在二极管工作点附近电压的微变化与相应的微变化电流值之比，就称为该点的交流电阻。
六：稳压二极管稳压二极管是利用二极管的击穿特性。
它是因为二极管工作在反向击穿区，反向电流变化很大的情况下，反向电压变化则很小，从而表现岀很好的稳压特性。
七：二极管的应用我们运用二极管主要是利用它的单向导电性。
它导通时，我们可用短线来代替它，它截止时，我们可认为它断路1.限幅电路当输入信号电压在一定范围内变化时，输出电压也随着输入电压相应的变化；当输入电压高于某一个数值时，输出电压保持不变，这就是限幅电路。
我们把开始不变的电压称为限幅电平。
它分为上限幅和下限幅。
例 1.试分析图(1)所示的限幅电路,输入电压的波形为图(2), 画出它的限幅电路的波形⑴E=0时限幅电平为0v。
ui>0时二极管导通，uo=0 , ui<0时，二极管截止，uo=ui ,它的波形图为：如图( 3 )所示⑵当OvEvUM时，限幅电平为+E °ui<+E时，二极管截止，uo=ui ; ui>+E时，二极管导通，uo=E, 它的波形图为:如图(4)所示⑶当-UM<E<0时，限幅电平为负数，它的波形图为：如图(5)所示二：二极管门电路二极管组成的门电路，可实现逻辑运算。
如图(6) 所示的电路，只要有一条电路输入为低电平时，输出即为低电平，仅当全部输入为高电平时，输出才为高电平。
实现逻辑"与"运算.。