氧化工艺
高级氧化工艺优缺点的比较
高级氧化工艺优缺点的比较常用的高级氧化Fenton氧化法，光催化氧化法，电催化氧化法，铁碳微电解氧化法等，现对这几种方案进行比较。
Fenton氧化法：Fenton (芬顿)试剂法是针对一些特别难降解的机有污染物如高COD，利用硫酸亚铁和双氧水的强氧化还原性，生成反应强氧化性的羟基自由基，与难降解的有机物生成自由基，最后有效的氧化分解(芬顿(Fenton )试剂反应机理)其化学反应机制如下：H O +Fe2+fOH-+OH-+Fe3+fFe(OH) !2 2 3随着研究的深入，又把紫外光(UV)、草酸盐(C2O42-)等引入Fenton试剂中，使其氧化能力大大增强。
从广义上说,Fenton法是利用催化剂、或光辐射、或电化学作用，通过H2O2产生羟基自由基(・OH)处理有机物的技术。
光催化氧化法：光化学氧化法包括光激发氧化法(如O3/UV)和光催化氧化法(如TiO2/UV)。
光激发氧化法主要以O3、H202、O2和空气作为氧化剂，在光辐射作用下产生羟基自由基HO・。
光催化氧化法则是在反应溶液中加入一定量的半导体催化剂，使其在紫外光(UV)的照射下产生HO・，两者都是通过HO •的强氧化作用对有机污染物进行处理。
其中，氧化效果较好的是紫外光催化氧化法，它的作用原理是让有机化合物中的C-C、C-N键吸收紫外光的能量而断裂，使有机物逐渐降解，最后以CO2的形式离开体系。
电催化氧化法：电化学氧化法是指通过阳极表面上放电产生的羟基自由基HO •的氧化作用，HO •亲电进攻吸附在阳极上的有机物而发生氧化反应，从而去除污染物。
研究表明，在酸性介质和PbO2固定床电极反应器中，经过5h的降解，苯胺的去除率可达97%以上；在碱性介质中，苯胺和4-氯苯胺在Pb箔上的阳极氧化呈现出一级反应特征，在3h内，这类物质的去除率为99%，而且所有的中间产物也可被彻底氧化。
含有卤代物和硝基化合物的废水通过电化学氧化处理，采用Ti、PbO2或碳纤维阳极，其去除率可达95%以上。
氧化工艺
当
时有：
当
时有：
（3） 热氧化生长的两个阶段 ① 线性阶段
当
时有： 简记为：
tox=B/At
② 抛物线阶段（生长逐渐变慢，直至不可忍受）
当
时有：
简记为：
t ox Bt
B/A被称为线性速率系数；而B被称为抛物线速率系数
硅（100）晶面干氧氧化速率与氧化层厚度的关系
⑤ Na+的中性化：
4 热氧化机制
（1） 基本机理 Si（固态）+ O2 （气态） SiO2 （固态）（>1000 ℃） 热氧化是在Si/SiO2 界面进行，通过扩散与化学反应 实 现 。 O2 或 H2 O 在 生 成 的 二 氧 化 硅 内 扩 散 ， 到 达 Si/SiO2界面后再与Si反应。 结果：硅被消耗而变薄，氧化层增厚。 生长1μm厚SiO2约消耗0.45μm厚的硅 dSi =0.45dSiO2
◆硅酸钠 Na2SiO3 Na2O· 2 SiO
◆高岭石
Al2(Si2O5)(OH)4
Al2O3· 2SiO2· 2O 2H
硅酸盐组成的表示方法
硅酸盐的种类很多，结构也很复杂，通常可用 二氧化硅和金属氧化物的形式来表示其组成。 表示方法：金属氧化物写在前面，再写SiO2， 最后写H2O；氧化物之间用“·”隔开。
③ 网络调节剂
④ 网络形成剂
⑤ 本征二氧化硅 无杂质的二氧化硅
二氧化硅的性质
二氧化碳（CO2） 存在 结构
空气 分子晶体，存在CO2分子。 无色气体，熔、沸点低，微溶于 水 CO2+ H2O ⇋H2CO3 CO2+2NaOH=Na2CO3+H2O
二氧化硅(SiO2)
半导体制造工艺之氧化工艺
氧化是最重要的加热过程之一，是一种添加工艺，将氧气加入到硅晶圆后在晶圆表面形成二氧化硅。
硅很容易和氧发生反应，因此自然界中的硅大多以二氧化硅形态存在，如石英砂。
硅很快和氧气发生反应在硅表面形成二氧化硅，反应式可以表示为：Si+O2→SiO2二氧化硅是一种致密物质且能覆盖整个硅表面。
如果要继续硅的氧化过程，氧分子就必须扩散穿过氧化层才能和底下的硅原子产生化学反应。
生长厚的二氧化硅层会使氧气的扩散遇到阻碍而使氧化过程变得缓慢。
当裸露的硅晶圆接触到大气时，几乎立刻就和空气中的氧或湿气产生化学反应生成一层大约10～20Å的二氧化硅，这就是所谓的原生氧化层，室温时这层很薄的二氧化硅可以阻止硅的继续氧化。
图1说明了氧化过程。
图1硅氧化过程示意图氧化过程中的氧是气体，硅来自固态衬底，因此当生长二氧化硅时，就会消耗衬底上的硅，这层薄膜将朝向硅衬底内生长（见图1）。
氧气普遍被使用于形成氧化物的工艺中，如热氧化、化学气相沉积、反应式溅镀沉积，以及刻蚀和剥除光刻胶过程。
氧是地壳中最丰富的元素之一，也是大气中仅次于氮的第二含量元素。
表1是有关氧元素的参数。
表1 氧元素参数列表高温时的热能使氧分子移动得更快，且使氧分子扩散穿过已经形成的氧化层与硅产生化学反应生成更厚的二氧化硅。
温度越高，氧分子移动得就越快，氧化薄膜生长的速度也就越快。
高温生长的氧化薄膜质量比低温生长的薄膜高，所以为了获得高质量的氧化薄膜及较快的生长速率，氧化过程必须在石英炉中高温环境下进行。
氧化是一种很慢的过程，甚至在温度超过1000℃的高温炉中都要花费数小时才能生长出厚度约为5000Å的氧化层。
因此氧化工艺通常是批量过程，可同时处理100～200片的晶圆以获得合理的产量。
干氧氧化工艺干氧氧化的速率比湿氧氧化低，但是氧化薄膜的质量比湿氧氧化的高。
所以薄的氧化层如屏蔽氧化层、垫底氧化层，特别是栅氧化层的生长一般采用干氧氧化工艺。
图2所示为干氧氧化系统示意图。
铝材氧化工艺流程
铝材氧化工艺流程铝材氧化工艺流程铝氧化是一种常见的表面处理方法，通过将铝材暴露在氧化剂中，形成一层致密的氧化膜来改善其性能和延长其使用寿命。
下面将介绍铝材氧化的工艺流程。
首先，需要准备好以下工具和材料：氧化槽、废气处理设备、铝材、氧化剂、酸洗剂、酸洗槽、电源、电解液等。
第一步是铝材的准备。
首先要进行表面清洁，去除表面的油污、脏物和氧化物。
可以使用去油剂或者酸洗剂进行清洗。
清洗完后，将铝材进行切割、折弯等加工处理，以便于后续的氧化工艺。
第二步是铝材的酸洗处理。
将铝材放入酸洗槽中，使用酸洗剂进行酸洗处理。
酸洗的目的是去除铝表面的氧化物和其他不纯物，使其表面更加干净。
酸洗的时间可以根据铝材的种类和要求进行调整。
第三步是氧化。
将清洗过的铝材放入氧化槽中，加入适量的氧化剂和电解液。
然后接通电源，通过电流的作用，使铝材表面生成氧化膜。
氧化的时间和电流强度可以根据要求进行调整，通常为几分钟到几十分钟不等。
第四步是氧化膜的封闭。
在氧化完毕后，将铝材放入封闭槽中，加入适量的封闭剂。
封闭的目的是进一步提高氧化膜的密度和耐蚀性。
封闭的时间可以根据要求进行调整。
第五步是工件的清洗和干燥。
将氧化完毕的铝材从封闭槽中取出，进行清洗，去除表面的残留物。
然后进行干燥处理，使铝材表面完全干燥。
最后一步是检验和包装。
将氧化完毕的铝材进行质量检验，检查氧化膜的厚度、均匀性和耐腐蚀性。
通过检验合格后，将铝材进行包装，以防止表面受到污染或损坏。
总的来说，铝材氧化工艺流程包括铝材的准备、酸洗处理、氧化、封闭、清洗和干燥、检验和包装等步骤。
不同材料和要求可能会有所不同，但总的原则是通过清洗、氧化和封闭等处理，提高铝材的表面性能和使用寿命。
这种工艺流程可以广泛应用于铝材的表面处理和防腐蚀等领域。
氧化处理工艺
氧化处理工艺氧化处理工艺是一种将有机物氧化分解为无机物的技术。
该工艺广泛应用于废水处理、垃圾处理和大气污染控制等领域。
氧化处理工艺的步骤通常包括氧化剂的投加，混合和反应等过程。
下面详细介绍氧化处理工艺的原理、类型和应用。
原理：氧化处理技术通过氧化剂的与有机物的反应，使有机物转化为无机物。
氧化反应通常包括以下两种方式：氧化剂和有机物之间的直接反应和氧化剂将有机物转化为更容易氧化的化合物，然后再被氧化剂氧化为无机物。
对于水污染，氧化处理可以将有机物降解为CO2和水，对大气污染，氧化处理则可将有机物氧化为CO2和其他无害气体。
类型：常用的氧化处理方法包括O3氧化、Cl2氧化、H2O2氧化、Fenton氧化和光催化氧化等。
O3氧化：O3氧化是一种通过奥氏体反应将有机物转化为无害有机物的技术。
O3是一种强氧化剂，可将有机物氧化为CO2和H2O。
而且O3处理过程中没有副反应产生，且对环境无二次污染。
Cl2氧化：Cl2氧化操作简单，但由于氯离子本身具有毒性，处理后水中会产生氯离子、有毒化物和对人体有害的三卤甲烷等物质。
因此，Cl2氧化一般不用于废水处理。
H2O2氧化：H2O2氧化是一种较为常见的氧化反应方法，H2O2在钯催化下可分解产生自由氧基，从而与有机物反应并氧化分解为无害的无机物。
Fenton氧化：Fenton氧化利用Fe2+和H2O2生成以Fe3+为催化剂的羟基自由基，具有催化活性，能够高效地将有机物氧化分解。
光催化氧化：光催化氧化是一种新型的氧化处理方法，其主要利用光催化剂将有机物光催化分解为无害物质。
光催化氧化具有能源消耗低、无二次污染等优点，受到广泛关注。
应用：氧化技术的应用范围非常广泛，主要用于水处理和大气污染控制。
废水氧化处理是将工业废水中的有机物降解转化为无机物，以满足工业废水排放的标准。
氧化技术在VOCs处理中也应用广泛，VOCs会对环境造成严重的污染，通过氧化技术的处理可以将这些有机物转化为无害零排放。
氧化处理工艺流程
氧化处理工艺流程氧化处理工艺是指使用氧化剂将有机物氧化为无机物或其它易于处理的物质的过程。
该工艺适用于废水、废气、固体废物等的处理，并能有效去除有害物质和减少环境污染。
氧化处理工艺流程一般包括以下几个步骤：1. 前处理：将废水中的悬浮物通过沉淀或过滤的方式去除，以减少后续处理工艺的负担。
2. 酸碱中和：将废水进行酸碱中和处理，以将废水pH调整到适宜的范围，有利于后续氧化反应的进行。
3. 氧化反应：将调整过pH值的废水与氧化剂进行反应。
常用的氧化剂有过氧化氢、臭氧、高锰酸钾等。
氧化剂的选择应根据废水中污染物的性质来决定。
4. 沉淀处理：通过加入适量的絮凝剂，使得废水中的氧化产物和悬浮物聚集形成较大的团簇，并通过沉淀的方式将其从废水中去除。
5. 过滤处理：将废水中的沉淀物通过过滤的方式进一步去除，以获得清澈透明的处理液。
6. 中和处理：将氧化处理后的废水进行中和处理，使其达到环保标准要求的pH值。
7. 二次沉淀：对中和处理后的废水进行二次沉淀处理，以保证废水中的悬浮物和沉淀物得到充分去除。
8. 脱色处理：将废水经过适当的脱色剂处理，以去除废水中的色度物质，提高废水的透明度。
9. 洗涤处理：将废水进行洗涤处理，以除去脱色剂残留和产生的废液。
10. 余热回收：废水处理过程中产生的热能可以通过余热回收技术进行回收利用，减少资源浪费和能源消耗。
最后，经过氧化处理工艺流程处理后的废水可以得到达标排放的水质，从而减少对环境的污染。
此外，氧化处理工艺还能有效地去除废气中的有害物质和处理固体废物，实现资源的回收和再利用。
总之，氧化处理工艺流程在实际应用中具有广泛的适用性和可操作性，可以有效地将有机物氧化为无机物或易于处理的物质，实现废水、废气、固体废物的净化和资源的回收利用。
但在操作过程中需要根据实际情况选择适宜的氧化剂和操作条件，以保证处理效果和经济性。
氧化工艺介绍
氧化工艺介绍以氧化工艺介绍为题，我们将探讨氧化工艺的基本概念、应用领域、工艺流程和相关技术。
一、氧化工艺的基本概念氧化工艺是指通过氧化反应将物质转化为氧化产物的一种化学工艺。
在氧化反应中，物质与氧气发生化学反应，形成氧化产物。
氧化工艺广泛应用于能源、化工、冶金、材料等领域，具有重要的经济和社会价值。
二、氧化工艺的应用领域1. 能源领域：氧化工艺在燃烧、发电和燃料电池等能源转换过程中起着重要作用。
例如，燃烧是一种氧化反应，将燃料与氧气反应产生热能，用于发电和供暖。
2. 化工领域：氧化工艺在化学合成、催化反应和有机合成等过程中具有广泛应用。
例如，氧化反应可以将烯烃氧化成醛、酮等有机化合物，用于生产化工原料和药品。
3. 冶金领域：氧化工艺在冶金炼焦、炼铁和炼钢等过程中扮演重要角色。
例如，炼铁过程中的高炉燃烧反应是一种氧化反应，将铁矿石转化为铁。
4. 材料领域：氧化工艺在材料制备和改性中有着广泛应用。
例如，金属氧化物是一类重要的材料，可以通过氧化反应制备出来，具有特殊的物理和化学性质。
三、氧化工艺的工艺流程氧化工艺的工艺流程可以分为反应前处理、反应过程和产物分离三个主要步骤。
1. 反应前处理：在进行氧化反应之前，需要对原料进行预处理。
预处理可以包括物料研磨、干燥、筛分等步骤，以提高反应效率和产物质量。
2. 反应过程：反应过程是氧化工艺的核心部分，主要是通过控制反应条件来实现氧化反应。
反应条件包括反应温度、反应压力、反应时间和反应物的配比等。
通过调节这些条件，可以控制反应速率和产物选择性。
3. 产物分离：在氧化反应完成后，需要对产物进行分离和纯化。
分离过程可以包括过滤、蒸馏、结晶等步骤，以获得纯净的氧化产物。
四、氧化工艺的相关技术1. 催化剂技术：在氧化反应中，催化剂可以提高反应速率和选择性。
常用的氧化反应催化剂包括金属催化剂、氧化物催化剂和酶催化剂等。
2. 反应工程技术：反应工程技术可以优化氧化反应的工艺条件，提高反应效率和产物质量。
铝件氧化处理工艺
铝件氧化处理工艺
铝件氧化处理工艺是指将铝件表面进行氧化处理，形成一层氧化膜的工艺。
氧化膜具有一定的硬度、耐磨性、耐腐蚀性和绝缘性，能够提高铝件的表面质量和使用寿命。
一般的铝件氧化处理工艺流程包括以下步骤：
1. 清洗：将铝件表面的油污、灰尘等物质清洗干净，常见的清洗方法有机械清洗、化学清洗等。
2. 预处理：对铝件进行活化处理，以增加其表面的活性，常见的预处理方法有酸洗、碱洗等。
3. 氧化：将铝件浸泡在氧化液中，通过电解氧化或化学氧化等方式，使铝件表面与氧化液发生反应，形成一层氧化膜。
4. 封闭：将铝件经过氧化处理后，进行封闭处理，以增加氧化膜的密封性和耐腐蚀性。
以上是一种常见的铝件氧化处理工艺，具体的工艺参数和步骤还会根据不同的应用和要求而有所调整。
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薄膜淀积
一、介绍
在分立器件与集成电路制造过程中，需要很多类型的薄膜，这些薄膜主要分为四类：热氧化薄膜、介质、多晶硅以及金属膜等：
半导体可采用多种氧化方法，包括热氧化法、电化学阳极氧化法以及等离子体反应法。
对于硅来说，热氧化法是最重要的。
在热氧化薄膜中，有两种膜最重要：一种是在漏/源极的导通沟道覆盖的栅极氧化膜（gate oxide）;一种是用来隔离其他器件的场氧化膜（field oxide）。
这些膜只有通过热氧化才能获得最低界面陷阱密度的高质量氧化膜。
二氧化硅SiO2和氮化硅Si3N4的介电薄膜作用：隔离导电层；作为扩散及离子注入的掩蔽膜；防止薄膜下掺杂物的损失；保护器件使器件免受杂质、水气或刮伤的损害。
由于多晶硅电极的可靠性由于铝电极，常用来制作MOS器件的栅极；多晶硅可以作为杂质扩散的浅结接触材料；作为多层金属的导通材料或高电阻值的电阻。
金属薄膜有铝或金属硅化物，用来形成具有低电阻值的金属连线、欧姆接触及整流金属-半导体接触势垒器件。
二、原理与工艺
A、热氧化工艺
热氧化工艺的原理就是在硅衬底上生成高质量的二氧化硅薄膜。
热氧化工艺分为干氧氧化和湿氧氧化。
反应方程式如下：
Si+2H2O→SiO2+2H2湿氧氧化
Si+O2→SiO2干氧氧化
热氧化是高温工艺。
在高温下，一开始是氧原子与硅原子结合，二氧化硅的生长是一个线性过程。
大约长了500Å之后，线性阶段达到极限。
为了保持氧化层的生长，氧原子与硅原子必须相互接触。
在二氧化硅的热生长过程中，氧气扩散通过氧化层进入到硅表面，因此，二氧化硅从硅表面消耗硅原子，氧化层长入硅表面。
随着氧化层厚度的增加，氧原子只有扩散通过更长的一段距离才可以到达硅表面。
因此从时间上来看，氧化层的生长变慢，氧化层厚度、生长率及时间之间的关系成抛物线形。
高质量的二氧化硅都是在800℃~1200℃的高温下生成，而且其生成速率极其缓慢。
其中湿氧氧化速率要高于干氧氧化。
在氧化过程中，硅与二氧化硅的界面会向硅内部迁移，这将使得Si表面原有的污染物移到氧化膜表面而形成一个崭新的界面。
热氧化法生长二氧化
常用的热氧化装置（图一），由电阻式加热的炉身、圆柱形熔凝石英管、石英舟以及气体源组成。
将硅片置于用石英玻璃制成的反应管中，反应管用电阻丝加热
炉加热一定温度(常用的温度为900～1200℃，在特殊条件下可降到600℃以下)，氧气或水汽通过反应管（典型的气流速度为1L/min）时生成SiO2层，其厚度一般在几十埃到上万埃之间。
B、介质淀积
一般有三种淀积方式：常压化学气相淀积APCVD、低压化学气相淀积LPCVD和等离子提增强式化学气相淀积PECVD。
在选用以上哪一种方式进行淀积，应该考虑衬底温度、淀积速率、薄膜均匀度、外观形态、电特性、机械特性、电介质的化学组成等因素。
由于热氧化法得到的二氧化硅膜具有最佳的电学特性，所有化学气相淀积CVD无法取代热氧化法，只能作为一种补充手段。
没有掺杂的二氧化硅膜可用于隔离多层金属膜、注入及扩散的掩蔽层、生长场氧化膜等；掺杂的二氧化硅，不仅可以作为金属隔间的隔离材料，亦可以淀积与器件表面作为保护层，有时用掺杂磷、砷或硼的氧化膜作为固态扩散源。
二氧化硅的低温淀积（300~500℃），由硅烷、杂质与氧化反应得到，以参杂磷的二氧化硅为例，其化学反应式为（同在450℃下）
SiH4+O2→SiO2+2H2
4PH3+5O2→2P2O5+6H2
淀积可在APCVD反应炉中进行。
由于硅烷与氧气在低温反应使得此法特别适合于在铝膜上淀积二氧化硅
中温淀积（500℃~800℃），将四乙氧基硅烷在LPCVD反应炉中进行分解而得到。
TEOS从液态源蒸发并分解的反应式（700℃）如下：
Si（OC2H5）4→SiO2+副产物
由于反应要求在高温下进行，所以在铝上淀积的二氧化硅膜不能用此法。
但由于其台阶覆盖性好，所以适合制造要求均匀及台阶覆盖性好的多晶硅栅极上的绝缘层。
其良好的台阶覆盖性是由于高温时在表面的迁移所致。
淀积过程中加入少量的氢化物（磷化氢、砷化氢、乙硼烷）进行掺杂。
高温淀积（900℃），将二氯硅烷与氧化亚氮在低压下反应生成二氧化硅，反应式如下：
SiCl2H2+2N2O→SiO2+2N2+2HCl
此法可以获得均匀性极佳的薄膜，常用于制造覆盖多晶硅的绝缘膜。
C、多晶硅淀积
由于多晶硅栅极的可靠性优于铝电极，所以现在常用做MOS器件的栅极电极。
用低压反应炉淀积多晶硅的温度范围在600~650℃。
分解硅烷的反应式如下（600℃下）：
SiH4→Si+2H2
一般最常用的低压淀积方法有两种：
一种是压强约为25-130Pa ，使用完全纯度的硅烷作为反应气体。
另一种是利用氮气作为稀释硅烷的气体，浓度控制在20-30%。
两种方法每次可淀积数百片的晶片，且厚度均匀（误差5%内）。
影响多晶硅结构的工艺参数包括：淀积温度、杂质掺杂以及淀积后的热处理工艺。
淀积温度在600-650℃，所得多晶硅为圆柱形，晶粒大小在0.03-0.3μm ，择优取向为(110)。
在950 ℃掺杂磷，结晶性变好，晶粒大小在0.5-1.0μm.若温度在1050℃，晶粒达1-3μm 。
若淀积温度低于600℃，则淀积的薄膜为非晶，经掺杂与热处理后，可获得如图多晶硅一样的柱状晶粒。
多晶硅可由多种方式掺杂：扩散法、离子注入法或是在淀积过程中加入额外的杂质（临场掺杂）。
离子注入最常用，在于工艺温度低。
D 、 金属化
金属化是指用于互连、欧姆接触、金属-半导体整流接触的金属膜的形成过程。
金属膜可用多种方法形成，最重要的是物理气相淀积法和化学气相淀积法。
物理气相沉积PVD 淀积金属的方法有：蒸发、电子束蒸发、等离子体喷射淀积及溅射。
金属或合金（Ti 、Al 、Cu 、TiN 、TaN ）均可利用PVD 法淀积获得。
化学气相沉积CVD 是最具吸引力的，因为CVD 能形成良好的共形台阶覆盖层，而且一次可同时覆盖许多晶片。
CVD 的装置与淀积介电膜和多晶硅膜的装置相似。
低压CVD 在硅片表面形貌差别很大的情况下，也能得到共形覆盖层，没有PVD 的自遮蔽效应和台阶覆盖率差的问题，相对PVD ，CVD 淀积薄膜具有较低的电阻率。
以CVD 淀积耐火金属是IC 生产中的一项新的应用。
如W ，其电阻率相当低5.3μΩcm ，有具耐火性（高熔点），是相当诱人的金属材料。
化学气相沉积钨（CVD-W ），CVD 淀积的W 不仅用作接触插栓，也可用作第一层金属。
硅与钨接触时，通过硅还原反应可进行选择性钨淀积。
氢还原中，可将钨迅速地淀积在核心层上形成插栓，还具有极佳的表面均匀覆盖功能。
同时HF 对薄膜有腐蚀作用而使淀积的钨表面变得粗糙。
硅烷还原反应比氢还原反应有较高的淀积速率及较小的钨晶粒，不产生HF 。
铝镀膜：铝及合金在IC 金属化工艺中使用范围相当广泛，因为具有低电阻率（对铝约为2.7μΩcm ，合金最高3.5μΩcm ），可满足低电阻率要求。
此外，铝附着二氧化硅的特性极佳。
但使用铝于浅结上容易造成尖锲或电迁移稳态。
铝膜的淀积可由PVD 或CVD 获得。
铝-硅系统有共熔特性，即将二者互相掺杂时，合金的熔点较二者都低，熔点的最低点称为共熔温度。
Al-Si 的共融温度为577℃。
30keV 能量的离子注入500nm 的多晶硅中，薄层电阻与不同注入剂量的关系
三、小结
在集成电路制造工艺中，采用了各种各样的薄膜，这些薄膜的淀积方式根据其用途的不同而不同，他们的厚度通常小于1um，有绝缘膜、半导体膜、金属膜等。
影响薄膜工艺的质量的因素有很多，主要包括：低温工艺、台阶覆盖、选择性淀积、均匀性、薄膜品质、平坦性、产量与大尺寸晶片的相容性等。
薄膜淀积工艺是半导体器件制作工艺中一个及其重要的环节。
四、参考文献
1、半导体器件物理与工艺〔美施敏著，赵鹤鸣、钱敏、黄秋萍译〕
2、21世纪大学新型参考教材集成电路A 〔日荒井英辅编著〕。