霍尔效应实验的应用与拓展—论文
霍尔效应原理及其应用与发展
霍尔效应原理及其应用发展虞金花（08009203）（东南大学自动化学院，南京，211189）摘要：霍尔效应是一种发现、研究和应用都很早的物理现象。
本文通过介绍霍尔效应的原理，讨论它在当今社会各方面的作用，以及对霍尔效应应用的发展做出猜测及其剖析，使读者更好的了解霍尔效应的发展过程及其未来展望。
关键词：霍尔效应；原理；应用；发展Hall Effect and its Application DevelopmentYu Jin Hua(Department of Automation Southeast University, Nanjing, 211189)Abstract: Hall Effect is a kind of discovery, research and application of the early physical phenomena. This paper introduces the principle of Hall Effect, and discusses the roles it plays in today’s society. Besides, it also makes guesses and analysis about the Hall Effect’s development to let readers have a better understanding of the future of Hall Effect.key words: Hall Effect; principle; develop霍尔效应是霍尔(Edwim Herbert Hall，德国物理学家)于1879年在他的导师罗兰的指导下发现的这一效应。
霍尔效应在当今科学技术的许多领域都有着广泛的应用，如测量技术、电子技术、自动化技术等。
近年来，由于新型半导体材料和低维物理学的发展使得人们对霍尔效应的研究取得了许多突破性进展。
霍尔效应实验论文
题目：霍尔效应的应用摘要：霍尔效应（Hall effect ）是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应这个现象是美国物理学家霍尔于1879年发现的，后被称作为霍尔效应；本文通过叙述霍尔效应以及霍尔效应测螺线管磁场的实验，简单介绍了霍尔效应的基本原理和霍尔效应在测量磁场方面的应用，以及电磁测量实验的基本思想，目前霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且利用半导体的霍尔效应制成的器件已广泛的应用于磁场的测量，非电量电测，自动控制和信息处理等方面。
关键词：电磁测量 霍尔效应 原理 应用正文：一、实验目的：1．了解霍耳效应实验原理以及有关霍耳器件对材料要求的知识。
2．学习用“对称测量法”消除副效应的影响，测量试样的S H I V - 和M H I V -和B - X 曲线。
二、实验仪器：双踪道电源一台、直流稳压电源一台、低点势直流电位差计一台、光点检流计一台、安培表两台、电阻箱三台，换向开关三个、单刀单掷开关一个、螺线管一个、标准电池一个，导线若干。
三、实验原理：1．霍耳效应霍耳效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛伦兹力作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍耳电场H E 。
如图1所示的半导体试样，若在x 方向通以电流S I ，在z 方向加磁场B ，则在y 方向即试样 A A '- 电极两侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。
电场的指向取决于试样的导电类型。
对图1（a ）所示的N 型试样，霍耳电场逆y 方向，（b ）的P 型试样则沿y 方向。
即有：显然，霍耳电场H E 是阻止载流子继续向侧面偏移，当载流子所受的横向电场力H eE 与洛仑兹力B v e 相等，样品两侧电荷的积累就达到动态平衡，故有：B v e E e H ∙∙=∙ （1）其中H E 为霍耳电场，v 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。
实验报告霍尔效应原理及其应用范文
实验报告霍尔效应原理及其应用范文一、实验目的1.掌握霍尔效应的基本原理。
2.学习如何测量霍尔电压。
3. 理解霍尔元件在磁场中的行为。
4. 了解霍尔效应的应用。
二、实验原理当一块半导体板通过一恒定电流时，板的两端会出现电压VH，即霍尔电压，其方向垂直于板和当前通过板的电流方向。
2.霍尔电压得出公式VH = BIL/ne其中B为磁场强度，I为电流强度，L为元件长度，e为元件载流子密度，n为载流子电荷数。
当元件置于磁场中时，霍尔电压会随着磁场的改变而线性变化。
磁场的强度越强，霍尔电压也越大。
霍尔效应可以应用于测量磁场、磁场传感器、磁传动、自动控制系统等领域。
三、实验材料1.霍尔元件2.磁铁3.电压表4.电流表5.恒流源6.导线四、实验步骤1.将霍尔元件固定在导轨上，并连接电路。
2.将电压表连接到霍尔元件的输出端，并将恒流源连接到元件的输入端。
3.用绿色磁铁靠近元件，然后再用蓝色磁铁靠近元件，观察电表显示。
4.改变恒流源的电流大小，再次使用磁铁观察电表的显示。
5.多次重复步骤3和4，记录数据。
五、实验结果通过实验可得，当恒定电流增加时，霍尔电压随之增加；当磁场强度增加时，电压也会增加。
当磁场方向改变时，霍尔电压的方向也会改变。
利用这些变化，可以测量磁场的强度和方向。
本实验通过观察霍尔效应，学习了如何测量霍尔电压和了解了霍尔元件在磁场中的行为。
同时，实验还介绍了霍尔效应的应用。
通过实验得出数据，验证了霍尔电压与电流、磁场强度之间的关系，并且可以得到准确的磁场测量结果。
霍尔效应及应用实验论文
霍尔效应及应用实验论文学院：物理科学与技术学院 专业：微电子 姓名：石茂林 学号：1042023058摘要: 霍尔效应是霍尔--德国物理学家于1879年在他的导师罗兰的指导下发现的这一效应，这一效应在科学实验和工程技术中得到广泛应用。
可以用它测量磁场、半导体中载流子的浓度及判别载流子的极性，还可以利用这一原理作成各种霍尔器件，已广泛地应用到各个领域中。
近年来霍尔效应得到了重要发展，冯·克利青发现了量子霍尔效应，为此，冯·克利青获得1985年度诺贝尔物理学奖。
关键词: 霍尔效应 副效应 霍尔电压 直流电压高精度的隔离传送和检测直流电流高精度的隔离检测 监控量越限时准确的隔离报警引言:利用霍尔效应电压与磁场的线性关系可知，通过测量元件两端的电压，可以得知空间某区域的磁场分布及其此处的磁感应强度。
如今，霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且随着电子技术的发展，利用该效应制成的霍尔器件，由于结构简单、频率响应宽、寿命长、可靠性高等优点，已广泛用于非电量测量和信息处理等方面。
正文：通过自己多次到实验室去体验并做了这些试验，本试验共有4个实验--霍尔效应 、直流电压高精度的隔离传送和检测、直流电流高精度的隔离检测和监控量越限时准确的隔离报警。
现在把实验内容及其结论在下面做详细介绍：一、霍尔效应试验实验目的：认识霍尔效应并懂得其机理；研究霍尔电压与工作电流的关系；研究霍尔电压与磁场的关系；了解霍尔效应的副效应及消除方法。
实验原理：霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转元件，如图所示X图1.1 霍尔效应磁原理 图1.2 霍尔效应磁电转换 在磁场不太强时，电位差H V 与电流强度I 和磁感应强度B 成正比，与板的厚度d 成反比，即d IBR V HH =(1.1)或 IB K V H H =(1.2)式（1.1）中H R 称为霍尔系数，式（1.2）中H K 称为霍尔元件的灵敏度，单位为mv /(mA ·T)。
关于霍尔效应的论文
关于霍尔效应的论文一：基本概念美国物理学家霍尔于1879年在实验中发现，当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象便是霍尔效应。
这个电势差也被叫做霍尔电势差。
二：基本原理霍尔效应是磁电效应的一种，当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这个电势差就被叫做霍尔电势差。
导体中的载流子在外加磁场中运动时，因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移，并在材料两侧产生电荷积累，形成垂直于电流方向的电场，最终使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡，从而在两侧建立起一个稳定的电势差即霍尔电压。
正交电场和电流强度与磁场强度的乘积之比就是霍尔系数。
平行电场和电流强度之比就是电阻率。
此外，大量的研究揭示：参加材料导电过程的不仅有带负电的电子还有带正电的空穴。
方便起见，假设一导体为长方体，长度为a ,b ,c .磁场垂直ab 平面，电流经过ad，则I=nqv（ad）,n为电荷密度。
设霍尔电压VH,导体沿霍尔电压方向的电场为VH/a,设磁场强度为B。
则由qVH/a=qvB得VH=vBa，把v=i/nqad带入得VH=iB/nqd.因此，对于一个已知霍尔系数的导体，通过一个已知方向、大小的电流，同时测出该导体两侧的霍尔电势差的方向与大小，就可以得出该导体所处磁场的方向和大小。
三：霍尔效应的主要应用根据霍尔效应做成的霍尔器件，就是以磁场为工作媒体，将物体的运动参量转变为数字电压的形式输出，使之具备传感和开关的功能。
讫今为止，已在现代汽车上广泛应用的霍尔器件有：在分电器上作信号传感器、ABS系统中的速度传感器、汽车速度表和里程表、液体物理量检测器、各种用电负载的电流检测及工作状态诊断、发动机转速及曲轴角度传感器、各种开关，等等。
例如：汽车点火系统，设计者将霍尔传感器放在分电器内取代机械断电器，用作点火脉冲发生器。
这种霍尔式点火脉冲发生器随着转速变化的磁场在带电的半导体层内产生脉冲电压，控制电控单元（ECU）的初级电流。
霍尔效应的应用及其展望
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霍 尔效 应 的应用及其展 望
祝 强 刘 艳 凤
（ 牡丹江师范学院理 学院 ， 黑龙江 牡丹 江 １７ １ ） ５０ ２ 摘 要 ： 尔效应是 １７ 霍 ８ ９年美国物理 学家霍 尔读研 究生期 间在做研 究载流子导体在磁 场 中受力作用 实验时发现的 尔效应 的原理及 其在 霍 尔效应研 究领域与应 用领域的展望。 关键词 ： 尔效应 ； 用； 望 霍 应 展
一
，
一
荷而产生横向电势差 Ｕ Ｈ的现象。电势差 Ｕ Ｈ称为霍尔电压 ，Ｈ称为 单元成本只占传感器成本的六分之一 ，传感器的检测灵敏度却可提高 Ｅ 霍尔电场强度（ 如图 １。 ）此时的载流子既受到洛伦兹力作用又受到与洛 五倍 以上 。 伦兹力方向相反的霍尔电场力作用 ，当载流子受的洛伦兹力与霍尔电 ４ ． ２微型化。 瑞士联邦技术研究所最新研制的超小型三维霍尔传感 场力相等时， 霍尔电压保持相对稳定。 器工作面不到 ３ ０Ｘ ０ ｕ ， ０ ０ ｒ 只有六个管脚。这种器件特别适合用于空 ３ ｎ 在电子发现之前， 人们不能认识到霍尔效应现象产生的本质 ， 直到 间窄小的检测环境 ， 例如电动机中的间隙、 磁力轴承以及其他象永磁体 １ 世纪末 电子的发现以及对 电子研究的不断深入 ， ９ 使霍尔效应的理论 扫描等需接近测量表面的场合。 研究不断取得突破 陛的成果。由于霍尔效应的大小直接与样品中的载 ４ － ３新的霍尔元件结构。常规霍尔元件要求磁场垂直于霍尔元件 ， 流子浓度相关 ， 故在凝聚态物理领域获得 了广泛地应用 ， 成为金属和半 且在整个霍尔元件上是均匀磁场。 而在其他隋况 ， 需要根据磁场分布情 导体物理中—个重要的研究手段 。 况， 设计各种各样相应 的非平面霍尔结构。其中， 垂直式霍尔器件是一 ２ 霍尔 元件 的应 用与 发展 状况 种最近新发展 出来的。 这种垂直式霍尔片具有低噪声、 低失调和高稳定 霍尔效应被发现后， 人们做了大量的工作 ， 逐渐利用这种物理现象 性 的特 ｜ 目前根 据这种 原理 国际上开展 了许 多研究 项 目。 。 制成霍尔元件。 霍尔元件一般采用 Ｎ型锗（ ｅ ， Ｇ） 锑化铟（ｎ ｂ和砷化铟 ＩＳ ） ４ 高集成度 。国外霍尔传感器 的发展方向就是采用 Ｃ Ｓ ４ ＭＯ 技术 （ｎ 等半导体材料制成 。锑化铟元件的霍尔输出电势较大， ＩＡ） 但受温度 的高度集成化 ， 同样功能可以集成在非常小的芯片内， 如信号预处理的 的影响也大 ； 锗元件的输 出电势小 ， 受温度影响小 ， 线性度较好 。因此 ， 最主要部分已在霍尔器件上完成 ， 其中包括前置放大 、 失调补偿 、 温度 采用砷化铟材料做霍尔元件受到普遍的重视。霍尔器件是一种磁传感 补偿 、 电压恒定 ， 并且可 以在芯片上集成许多附加功能 ， 如数据存储单 器。用它 们可以检测磁场及其变化 ，可在各种与磁场有关的场合中使 元、 定时器 ＡＤ转换器、 ／ 总线接 口等， 所有这些都采用 Ｃ Ｓ标准 ， ＭＯ 它们 用。按照霍尔器件的功能可将它们分为：霍尔线 『器件和霍尔开关器 开辟了霍尔器件新的应用领域。目前， 生 铁磁层的集成技术在磁传感器领 件 。前者输出模拟量 ， 后者输出数字量。霍尔器件以霍尔效应为其工作 域开创了新的研究方向， 许多研究人员正致力于这方面的研究 ， 进行中 基础 。霍尔器件具有许多优点 ， 它们的结构牢 固， 体积小， 重量轻 ， 寿命 的各种课题包括二维和三维霍尔传感器， 磁断续器和磁通 门等等。 长， 安装方便 ， 功耗小 ， 频率高（ 可达 ｌ ｚ ， ＭＨ ）耐震动 ， 不怕灰尘、 油污 、 水 综匕 所述 ， 由于采用了微 电子工艺 ， 硅霍尔传感器能很好的适用于 汽及盐雾等的污染或腐蚀。霍尔线性器件的精度高、 陛度好 ； 线 霍尔开 许多工业应用。 近期硅霍尔传感器的研究进展开辟了许多新的应用， 例 关器件无触点 、 无磨损 、 出波形清晰、 输 无抖动 、 回跳、 无 位置重复精度 如单芯片三维高精度磁探头， 无触点角位置测量 ， 微电机 的精确控制 ， 高（ 可达 ｎ 级） ｌ 。取用了各种补偿和保护措施的霍尔器件的工作温度 微型电流传感器和磁断续器 ，以及今后将被开发 的其他崭新应用。此 范围宽 ，可达 一 ５ １０Ｃ ５ — ５ ｏ 。按被检测 的对象的性质可将它们的应用分 外 ， 了提高电压灵敏度和横 向温度灵敏度 、 为 减少失调电压 ， 还将 出现 例如等离子霍尔效应及其传感器。 随这 ＾ 类科技 为： 直接应用和间接应用。 前者是直接检测出受检测对象本身的磁场或 新的测量原理与方法 ， 磁特性， 后者是检测受检对象 匕 人为设置 的磁场 ， 用这个磁场来作被检 的进步 ， 人们对 自然认识的逐步加深 ， 将创造出更辉煌的业绩 。 参 考文献 测的信息 的载体 ， 通过它 ， 将许多非电、 非磁的物理量例如力 、 力矩 、 压 力、 应力 、 位置 、 、 、 位移 速度 加速度、 、 角度 角速度 、 转数、 转速以及工作状 『 ｛广联 大学英语语法呻 上海： １余 １ 华东理工大学出版社，０ ５ ２ ０． 态发生变化的时间等 ， 转变成电量来进行检测和控制。 ｆ王顺安． ２ １ 大学物理 实－ ］ ＮＭ ． 西安： 西北工业大学出版社，９ ４ １３ １ ９ ：４ ． ３霍 尔 效应 研究 领域 的展 望 『 冯瑞 ， 国钧 ． 聚态物理 学新ｉ Ｎｌ．海 ： 海科 学技 术 出版社 ， ３ ］ 金 凝 ＇ －． 上 ￣ ｔ （ 转 １ ６页 ） 下 ４ 自 １７ 从 ８ ９年 ２ ４岁 的研 究生 霍 尔 （ ｄ ｉ ． ａ ） 发 现 霍尔 效 ， １９ ：２ ． Ｅ ｗｎＨ Ｈ ｌ在 １ ９ ２ １８ 作者简介 ： 强（９ ８ ） 男， 师， 事大学物理实验教 学研 究。 祝 １７ 一 ， 技 从
霍尔效应实验论文霍尔效应论文
霍尔效应实验论文霍尔效应论文差分霍尔效应加速度测量方法及其线性实验模拟摘要:对磁场中对称结构的霍尔元件的输出特性进行研究,提出一种差分霍尔效应加速度测量方法。
基于线性霍尔元件和圆柱形永磁体设计加速度测量模型,两个霍尔元件与磁体构成对称互补结构,以差分方式输出信号电压。
建立加速度与输出电压的线性关系,实现以非接触的方式测量加速度。
模型的对称互补式设计,减小了非线性因素对测量的影响,改善了输出线性度。
差分式电压输出,能够抑制共模干扰和零点漂移,并提高了信号幅度。
对模型进行线性模拟实验,实验结果符合理论结论。
数据分析显示,测量方法具有较高灵敏度和线性度。
关键词:加速度;测量方法;测量模型;差分霍尔效应;非接触式Differential Hall-effect Acceleration Measurement Method andIts Linear Experimental SimulationLI Faming,QIU Zhaoyun,JIANG Guangdong(Weifang Medical University,Weifang,261053,China)Abstract:Output characteristics Hall element in the magnetic field symmetry structure are studied,aHall-differential acceleration measurement method ofimpact-resistant mutant is proposed.An acceleration measurement model is designed based on the linear Hall elements and the cylindrical permanent magnet,two Hall elements and the magnets constitute a symmetric complementary structure,and output signal voltage differentially.The linear relationship between acceleration and output voltage are established to achieve a non-contact way of measuring acceleration.The model′s symmetric complementary design reduces the non-linear effects of factors on the measurement and improves output linearity.Differential voltage output of the model can suppress common mode interference and zero drift,and improve the signal amplitude.Linear simulations are put on the model,and experimental study results are in line with the theoretical conclusions.Analysis of data shows that the experimental results are with high sensitivity and linearity.Keywords:acceleration;measurement method;measurement model;differential Hall-effect;non-contact0 引言技术成熟的微机械式加速度传感器大致分为应变式[1]、容感式[2]、热感式[3]三种。
研究霍尔效应在磁性材料中的应用
研究霍尔效应在磁性材料中的应用引言：电子学从诞生之初就面临着多种技术难题，其中之一便是如何测量电子的速度和自旋方向。
幸运的是，19世纪末德国物理学家愛德蒙·赫爾提出了一种现象和方法来解决这一难题，即霍尔效应。
本文将探讨霍尔效应在磁性材料中的应用，并介绍其原理和关键实验结果。
一、霍尔效应的原理霍尔效应指的是当一个导电材料中有电流流过时，在垂直于电流和磁场方向的横向方向会产生电场，即霍尔电场。
这种现象是由于磁场对电子在材料中的运动轨迹产生了影响，并造成了电子在横向方向的偏移。
二、霍尔效应的实验观测为了验证霍尔效应的存在，科学家们进行了一系列的实验。
其中最著名的实验之一是霍尔效应实验，它通过在导体上施加恒定磁场和电流，测量横向电压来确定霍尔电场的强度。
实验结果显示，电压与电流、磁场的大小都有关，这与霍尔效应的预期行为相吻合。
三、磁性材料中的霍尔效应磁性材料是由具有强磁性的基本结构单元构成的材料。
这类材料在应用中具有重要的地位，例如用于磁性存储器和传感器等领域。
霍尔效应在磁性材料中的应用主要是利用了材料自身的磁性特性。
四、磁性存储器中的应用磁性存储器是一种将信息以磁场形式存储的设备，如硬盘驱动器和磁带。
霍尔效应在磁性存储器中的应用主要是通过检测磁场的变化来读取和写入信息。
例如，在硬盘驱动器中，磁头通过霍尔传感器检测磁场的变化，将其转化为电信号，从而实现读取和写入的功能。
五、传感器中的应用霍尔效应在传感器中的应用也十分广泛。
以霍尔传感器为例，它主要用于测量磁场的强度和方向。
这种传感器结构简单，灵敏度高，可以广泛应用于测量、导航和控制等领域。
霍尔传感器通常由磁性材料制成，通过霍尔效应实现对磁场信号的转换。
六、霍尔效应的未来发展随着科学技术的进步，人们对霍尔效应的研究也在不断深入。
研究人员已经发现在某些特殊的磁性材料中，霍尔效应表现出了一些非常有趣的现象，如自旋霍尔效应和拓扑霍尔效应等。
这些新发现为我们进一步了解和应用霍尔效应提供了新的方向和机会。
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霍尔效应实验应用与拓展
摘要：霍尔效应实验是物理专业学生的一个重要实验。
本文详细介绍了霍尔效应的实验原理、霍尔效应的发现、本质以及霍尔实验的应用及霍尔实验的拓展。
关键词：霍尔效应；测量方法；应用发展前景
With the development of experimental
application of Hall effect
Abstract: Hall Effect experiment is an important experiment physics majors. This paper introduces the experimental principle, the Hall Effect of the discovery of the Hall Effect, nature and application and Hall experimental development.
Key words: Hall Effect; Measuring method; Applied prospects for development
引言随着半导体物理学的迅速发展，霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一。
通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。
若能测量霍尔系数和电导率随温度变化的关系，还可以求出半导体材料的杂质电离能和材料的禁带宽度。
如今，霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且随着电子技术的发展，利用该效应制成的霍尔器件，由于结构简单、频率响应宽、寿命长、可靠性高等优点，已广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。
在工业生产要求自动检测和控制的今天，作为敏感元件之一的霍尔器件，将有更广阔的应用前景。
了解这一富有实用性的实验，对日后的工作将有益处。
1．霍尔效应的原理
霍尔效应是电磁效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机制时发现的。
如果对位于磁场(B)中的导体(d)施加一个电压(Iv)，该磁场的方向垂直于所施加电压的方向，那么则在既与磁场垂直又和所施加电流方向垂直的方向上会产生另一个电压(UH)，人们将这个电压叫做霍尔电压，产生这种现象被称为霍尔效应。
这个电势差也被称为霍尔电势差。
2．霍尔效应的发现与本质
霍尔效应在1879年被物理学家霍尔发现，它定义了磁场和感应电压之间的关系，这种效应和传统的电磁感应完全不同。
当电流通过一个位于磁场中的导体的时候，磁场会对导体
中的电子产生一个垂直于电子运动方向上的作用力，从而在垂直于导体与磁感线的两个方向上产生电势差。
虽然这个效应多年前就已经被人们知道并理解，但基于霍尔效应的传感器在材料工艺获得重大进展前并不实用，直到出现了高强度的恒定磁体和工作于小电压输出的信号调节电路。
根据设计和配置的不同，霍尔效应传感器可以作为开/关传感器或者线性传感器,广泛应用于电力系统中。
固体材料中的载流子在外加磁场中运动时，因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移，并在材料两侧产生电荷积累，形成垂直于电流方向的电场，最终使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡，从而在两侧建立起一个稳定的电势差即霍尔电压。
正交电场和电流强度与磁场强度的乘积之比就是霍尔系数。
平行电场和电流强度之比就是电阻率。
大量的研究揭示：参加材料导电过程的不仅有带负电的电子，还有带正电的空穴。
3．霍尔效应的发展状况
自从霍尔效应被发现100多年以来,它的应用经历了三个阶段:
第一阶段是从霍尔效应的发现到20世纪40年代前期。
最初,由于金属材料中的电子浓度很大,而霍尔效应十分微弱,所以没有引起人们的重视。
这段时期也有人利用霍尔效应制成磁场传感器,但实用价值不大,到了1910年有人用金属铋制成霍尔元件,作为磁场传感器。
但是,由于当时未找到更合适的材料,研究处于停顿状态。
第二阶段是从20世纪40年代中期半导体技术出现之后,随着半导体材料、制造工艺和技术的应用,出现了各种半导体霍尔元件,特别是锗的采用推动了霍尔元件的发展,相继出现了采用分立霍尔元件制造的各种磁场传感器。
第三阶段是自20世纪60年代开始,随着集成电路技术的发展,出现了将霍尔半导体元件和相关的信号调节电路集成在一起的霍尔传感器。
进入20世纪80年代,随着大规模超大规模集成电路和微机械加工技术的进展,霍尔元件从平面向三维方向发展,出现了三端口或四端口固态霍尔传感器,实现了产品的系列化、加工的批量化、体积的微型化。
霍尔集成电路出现以后，很快便得到了广泛应用。
4．霍尔效应的应用前景
根据霍尔效应做成的霍尔器件，具有广泛的应用前景。
霍尔元件就是以磁场为工作媒体，将物体的运动参量转变为数字电压的形式输出，使之具备传感和开关的功能。
4.1 霍尔元件在汽车上的应用
迄今为止，已在现代汽车上广泛应用的霍尔器件有：在分电器上作信号传感器、ABS 系统中的速度传感器、汽车速度表和里程表、液体物理量检测器、各种用电负载的电流检测。