18B20温度传感器应用解析重点
温度传感器DS18B20的应用
ＤＳ１８Ｂ２０是美国ＤＡＬＬＡＳ半导体公司生产的最新可组网、单线数字式温度传感器。
ＤＳ１８Ｂ２０将温度传感器、Ａ／Ｄ传感器、寄存器、接口电路集成在一个芯片中，外观与普通塑封晶体管极为相似，可实现直接数字化输出、测试，并具有控制功能强、传输距离远、抗干扰能力强、微型化、微功耗、易于和微控制器ＭＣＵ或微机进行数据交换等特点。
很多智能化的温度传感器使用同步串行总线技术，如：Ｍｉｃｒｏｗｉｒｅ／Ｐｌｕｓ（ＮＳＣ）等均采用串行总线协议，而ＤＳ１８Ｂ２０采用的是１－Ｗｉｒｅ总线协议。
１－Ｗｉｒｅ是ＤＡＬＬＡＳ公司的一项专有技术，它采用一根信号线实现信号的双向传输，接口简单、节省Ｉ／Ｏ口线、便于扩展和维护。
由于以上优点，ＤＳ１８Ｂ２０被广泛应用于防火、防爆等单点，多点检测场合，特别适合棉麻、粮食等易燃，易爆物的大型仓储的管理。
一、ＤＳ１８Ｂ２０的特性一个端口即可实现通信。
每个ＤＳ１８Ｂ２０都有一个独一无二的序列号，实际应用中不需要外部任何元器件即可实现测温，测温范围在－５５℃～＋１２５℃，精度误差为±０．５℃。
现场温度直接以“一线总线”的数字式传输，支持３～５．５Ｖ的电压范围。
数字温度计的分辨率，用户可以选择的范围是９位到１２位，内部有温度上、下限告警设置。
用户设定的报警温度储存在ＥＥＰＲＯＭ中，掉电后依然保存。
二、ＤＳ１８Ｂ２０的引脚介绍三、ＤＳ１８Ｂ２０的使用ＤＳ１８Ｂ２０采用的是１－Ｗｉｒｅ总线协议方式，即在一根数据线上实现数据的双向传输，但对一般的单片机来讲，单纯的硬件并不支持单总线协议，因此，我们必须采用软件方法模拟单总线的协议时序，从而完成对ＤＳ１８Ｂ２０芯片的访问。
ＤＳ１８Ｂ２０在一根Ｉ／Ｏ线上读写数据，因此，对读温度传感器ＤＳ１８Ｂ２０的应用■王明英图１ＤＳ１８Ｂ２０外观图和封装底视图序号名称引脚功能描述１ＧＮＤ地信号２ＤＱ数据输入／输出引脚。
开漏单总线接口引脚。
用在寄生电源下，也可以向器件提供电源。
数字温度传感器DS18B20及其应用
数字温度传感器DS18B20及其应用数字化技术推动了信息化的革命在传感器的器件结构上采用数字化技术，使信息的采集变得更加方便。
例如，对于温度信号采集系统，传统的模拟温度传感器多为铂电阻、铜电阻等。
每一个传感器的传输线至少有两根导线，带补偿接法需要三根导线。
如果对50路温度信号进行检测，就需要100根或150根导线接到采集端口，然后还要经过电桥电路、信号放大、通道选择、A／D转换等，才能将温度信号变成数字信号供计算机处理。
DS18B20是美国DALLAS公司生产的新型单总线数字温度传感器，如图1所示。
DS18B20采用3脚(或8脚)封装，从图1中看到，从DS18B20读出或写人数据仅需要一根I／O口线。
并且以串行通信的方式与微控制器进行数据通信。
该器件将半导体温敏器件、A／D 转换器、存储器等做在一个很小的集成电路芯片上，传感器直接输出的就是温度信号数字值。
信号传输采用两芯(或三芯)电缆构成的单总线结构。
一条单总线电缆上可以挂接若干个数字温度传感器，每个传感器有一个唯一的地址编码。
微控制器通过对器件的寻址，就可以读取某一个传感器的温度值，从而简化了信号采集系统的电路结构。
采集端口的连接线减少了50倍，既节省了造价，又给现场施工带来极大的方便。
DS18B20是实现单总线测控网络的关键器件,主要包括：寄生电源、温度传感器、64位激光ROM 和单总线接口、存放中间数据的高速暂存器RAM、用于存储用户设定温度上下限值的TH和TL触发器、存储与控制逻辑、8位循环冗余校验码(CRC)发生器等七部分。
DS18B20内部存储器由ROM、RAM和E2ROM组成,其中，ROM 由64位二进制数字组成，共分为8个字节，字节0的内容是该产品的厂家代号28H，字节1～字节6的内容是48位器件序列号，字节7是ROM前56位的CRC校验码。
由于64位ROM 码具有唯一性，在使用时作为该器件的地址，通过读ROM命令可以将它读出来。
数字温度传感器DS18B20详解
数字温度传感器DS18B20详解
一、概述
传统的温度检测大多以热敏电阻为传感器，采用热敏电阻，可满足40℃至90℃测量范围，但热敏电阻可靠性差，测量温度准确率低，对于小于1℃的
温度信号是不适用的，还得经过专门的接口电路转换成数字信号才能由微处
理器进行处理。
目前常用的微机与外设之间进行的数据通信的串行总线主要有I2C总线，SPI总线等。
其中I2C总线以同步串行2线方式进行通信(一条时钟线，一条
数据线)，SPI总线则以同步串行3线方式进行通信(一条时钟线，一条数据输入线，一条数据输出线)。
这些总线至少需要两条或两条以上的信号线。
而单总线( 1-wire bus )，采用单根信号线，既可传输数据，而且数据传输是双向的，CPU 只需一根端口线就能与诸多单总线器件通信，占用微处理器的端口较少，可节省大量的引线和逻辑电路。
因而，这种单总线技术具有线路简单，硬件开销少，成本低廉，软件设计简单，便于总线扩展和维护。
同时，基于
单总线技术能较好地解决传统识别器普遍存在的携带不便，易损坏，易受腐馈，易受电磁干扰等不足，因此，单总线具有广阔的应用前景，是值得关注
的一个发展领域。
单总线即只有一根数据线，系统中的数据交换，控制都由这根线完成。
主
机或从机通过一个漏极开路或三态端口连至数据线，以允许设备在不发送数
据时能够释放总线，而让其它设备使用总线。
单总线通常要求外接一个约为。
DS18B20温度传感器详细注解及驱动程序解析
DS18B20独特的单线接口方式，DS18B20在与微处理器连接时仅需要一条线即可实现微处理器与DS18B20的双向通讯。
测温范围－55℃～+125℃，固有测温误差（注意，不是分辨率，这里之前是错误的）1℃。
支持多点组网功能，多个DS18B20可以并联在唯一的三线上，最多只能并联8个，实现多点测温，如果数量过多，会使供电电源电压过低，从而造成信号传输的不稳定。
工作电源:3.0~5.5V/DC（可以数据线寄生电源）在使用中不需要任何外围元件。
测量结果以9~12位数字量方式串行传送。
如果使用51单片机的话，那么中间那个引脚必须接上4.7K~10K的上拉电阻，否则，由于高电平不能正常输入/输出，要么通电后立即显示85℃，要么用几个月后温度在85℃与正常值上乱跳。
根据DS18B20的通讯协议，主机（单片机）控制DS18B20完成温度转换必须经过三个步骤：每一次读写之前都要对DS18B20进行复位操作，复位成功后发送一条ROM指令，最后发送RAM指令，这样才能对DS18B20进行预定的操作。
读ROM 33H 读DS1820温度传感器ROM中的编码（即64位地址）发出此命令之后，接着发出64 位ROM 编码，访问单总线上与该编码相符合ROM 55H对应的DS1820 使之作出响应，为下一步对该DS1820 的读写作准备。
用于确定挂接在同一总线上DS1820 的个数和识别64 位ROM 地址。
为搜索ROM FOH操作各器件作好准备。
跳过ROM CCH 忽略64 位ROM 地址，直接向DS1820 发温度变换命令。
告警搜索ECH 执行后只有温度超过设定值上限或下限的片子才做出响应。
RAM命令启动DS1820进行温度转换，12位转换时最长为750ms（9位为93.75m温度变换44Hs）。
结果存入内部第0、1字节RAM中。
1、复位操作复位要求主CPU将数据线下拉500微秒，然后释放，当DS18B20收到信号后等待16～60微秒左右，后发出60～240微秒的存在低脉冲，主CPU收到此信号表示复位成功。
数字温度传感器ds18b20的原理与应用
数字温度传感器DS18B20的原理与应用1. 概述数字温度传感器DS18B20是一种广泛应用于工业控制、计算机温控等领域的传感器。
本文将介绍DS18B20的原理和应用，并对其工作原理、特点以及应用场景进行详细阐述。
2. DS18B20的工作原理DS18B20采用了数字式温度传感器技术，其工作原理基于温度对半导体材料电阻值的变化进行测量。
具体工作原理如下：1. DS18B20内部包含一个温度传感器、位移寄存器（DS）和一个多功能I/O口。
2. 温度传感器由多个晶体管组成，当温度发生变化时，晶体管的导电能力发生变化。
3. DS18B20通过I/O口与外部控制器进行通信，并将温度数据以数字形式传输。
3. DS18B20的特点DS18B20作为一种数字温度传感器，具有许多独特的特点，包括： - 高精度：DS18B20具有高精度的温度测量能力，精确到0.5°C。
- 数字输出：DS18B20通过数字信号输出温度数据，方便与其他数字设备进行连接与通信。
- 单总线接口：DS18B20采用了单总线接口通信，可以通过一根数据线与外部控制器进行连接，简化了接线工作。
- 可编程分辨率：DS18B20的分辨率可以通过配置进行调整，可以根据具体应用需求选择不同的分辨率。
4. DS18B20的应用场景DS18B20由于其特点和功能的优势，在许多领域得到了广泛应用，包括但不限于以下场景：4.1 工业控制DS18B20可以用于工业控制系统中，用于监测和控制温度。
例如，在生产线上使用DS18B20传感器实时监测设备温度，当温度超出设定范围时，及时采取控制措施，以保证生产过程的稳定性和安全性。
4.2 计算机温控DS18B20可以作为计算机温度监测的传感器，用于检测计算机主板、CPU和其他关键部件的温度。
通过DS18B20传感器的数据，可以实时监测计算机的温度状况，并进行相应的温度调控，以提高计算机的稳定性和使用寿命。
DS18B20中文资料
DS18B20中文资料DS18B20是一种数字温度传感器，采用单总线数据传输协议进行通信。
它能够高精度地测量环境温度，并且具有体积小、价格低廉、使用方便等特点。
本文将介绍DS18B20传感器的原理、特性以及应用场景。
一、传感器原理DS18B20传感器采用基于硅的温度传感技术。
其内部集成了温度传感器、模数转换器等电路，以及一组ROM(只读存储器)和RAM(随机存储器)。
传感器通过感应环境温度引起的半导体温度变化，将温度值转换为数字信号输出。
二、传感器特性1. 高精度：DS18B20传感器具有最高精度为±0.5°C的温度测量能力，适用于对于精度要求较高的应用场景。
2. 大量程：传感器可在-55°C至+125°C的温度范围内进行测量，适用于广泛的温度监测需求。
3. 单总线接口：传感器采用单总线接口进行数据传输，仅需要一根数据线，方便集成和使用。
4. 低功耗：传感器工作时的电源电压范围为3V至5.5V，具有低功耗的特点，适用于需要长时间连续监测温度的场景。
5. 独特的硬件地址：每个DS18B20传感器都有一个独特的64位硬件地址，可以通过该地址进行单独的识别和通信。
三、传感器应用由于DS18B20传感器具有小巧、精确、方便等特点，因此在很多领域得到了广泛应用。
1. 温度监测系统：传感器可以应用于各种温度监测系统，如气象站、冷链物流、温度报警器等。
通过使用多个DS18B20传感器，可以实现对不同位置的温度进行监测和记录。
2. 温度控制系统：传感器可以用于控制温度的系统，例如恒温器、温室控制系统等。
通过实时监测环境温度，并根据需求进行温度控制，可以提供更舒适的生活和工作环境。
3. 工业自动化：在工业环境中，温度监测也是很重要的一项任务。
DS18B20传感器可以与PLC、SCADA等系统集成，用于工业自动化控制和监测。
4. 物联网应用：随着物联网的发展，温度传感器在物联网应用中的需求越来越大。
DS18B20数字温度传感器应用详解
DS18B20数字温度传感器应用详解电路图参考图:在传统的模拟信号远距离温度测量系统中，需要很好的解决引线误差补偿问题、多点测量切换误差问题和放大电路零点漂移误差问题等技术问题，才能够达到较高的测量精度。
另外一般监控现场的电磁环境都非常恶劣，各种干扰信号较强，模拟温度信号容易受到干扰而产生测量误差，影响测量精度。
因此，在温度测量系统中，采用抗干扰能力强的新型数字温度传感器是解决这些问题的最有效方案，新型数字温度传感器DS18B20具有体积更小、精度更高、适用电压更宽、采用一线总线、可组网等优点，在实际应用中取得了良好的测温效果。
新的"一线器件"DS18B20体积更小、适用电压更宽、更经济。
美国Dallas半导体公司的数字化温度传感器DS1820是世界上第一片支持 "一线总线"接口的温度传感器，在其内部使用了在板（ON-B0ARD）专利技术。
全部传感元件及转换电路集成在形如一只三极管的集成电路内。
一线总线独特而且经济的特点，使用户可轻松地组建传感器网络，为测量系统的构建引入全新概念。
现在，新一代的DS18B20体积更小、更经济、更灵活。
使你可以充分发挥“一线总线”的优点。
目前DS18B20批量采购价格仅10元左右。
DS18B20、DS1822 "一线总线"数字化温度传感器同DS1820一样，DS18B20也支持"一线总线"接口，测量温度范围为-55°C～+125°C，在-10～+85°C范围内，精度为±0.5°C。
DS1822的精度较差为±2°C。
现场温度直接以"一线总线"的数字方式传输，大大提高了系统的抗干扰性。
适合于恶劣环境的现场温度测量，如：环境控制、设备或过程控制、测温类消费电子产品等。
与前一代产品不同，新的产品支持3V～5.5V的电压范围，使系统设计更灵活、方便。
数字式温度传感器DS18B20及其应用
器件应用数字式温度传感器DS18B20及其应用空军工程大学导弹学院(陕西三原713800) 韩小斌 朱永文摘 要 文章介绍了新一代数字式温度传感器DS18B20,它集温度感知、数字量转化、高低温限设定和报警于一体。
文章详细地阐述了DS18B20的测量原理、特性以及在多路温度测量应用中的测量电器设计和软件设计。
关键词 DS18B20传感器 温度检测 单片机 DS18B20是美国Dallas 半导体公司的新一代数字式温度传感器,它具有独特的单总线接口方式,即允许在一条信号线上挂接数十甚至上百个数字式传感器,从而使测温装置与各传感器的接口变得十分简单,克服了模拟式传感器与微机接口时需要的A/D 转换器及其它复杂外围电路的缺点,由它组成的温度测控系统非常方便,而且成本低、体积小、可靠性高。
图1 DS18B20外部形状及管脚图1 基本特性DS18B20数字式温度传感器的外部形状、内部芯片如图1所示。
它使用一总线接口实现和外部微处理器的通信。
温度的测量范围为-55~+125b C,测量精度为0.5b C 。
传感器的供电寄生在通信的总线上,可以从一总线通信中的高电平中取得,这样可以不需要外部的供电电源。
作为替代也可直接用供电端(VDD)供电。
一般在检测的温度超过100b C 时,建议使用供电端供电,供电的范围为3~5.5V 。
当使用总线寄生供电时,供电端必须接地,同时总线口在空闲的时候必须保持高电平,以便对传感器充电。
每一个DS18B20温度传感器都有一个自己特有的芯片序列号,我们可以将多个这样的温度传感器挂接在一根总线上,实现多点温度的检测。
2 测温原理DS18B20的测温原理如图2所示。
低温系数振荡器输出的时钟脉冲信号通过由高温系数振荡器产生的门开通周期而被计数,通过该计数值来测量温度。
计数器被预置为与-55b C 对应的一个基数值,如果计数器在高温系数振荡器输出的门周期结束前计数到零,表示测量的温度高于-55b C,被预置在-55b C 的温度寄存器的值就增加一个增量,同时为了补偿温度振荡器的抛物线特性,计数器被斜率累加器所决定的值进行预置,时钟再次使计数器计数直至零,如果开门通时间仍未结束,那么重复此过程,直到高温度系数振荡器的门周期结束为止。
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电子技术—创造独立资源!18B20温度传感器应用解析 原创V2.0 2007.3.16DS18B20 原创温度传感器的种类众多,在应用与高精度、高可靠性的场合时DALLAS(达拉斯公司生产的DS18B20温度传感器当仁不让。
超小的体积,超低的硬件开消,抗干扰能力强,精度高,附加功能强,使得DS18B20更受欢迎。
对于我们普通的电子爱好者来说,DS18B20的优势更是我们学习单片机技术和开发温度相关的小产品的不二选择。
了解其工作原理和应用可以拓宽您对单片机开发的思路。
DS18B20的主要特征:全数字温度转换及输出。
先进的单总线数据通信。
最高12位分辨率,精度可达土0.5摄氏度。
12位分辨率时的最大工作周期为750毫秒。
可选择寄生工作方式。
检测温度范围为–55°C ~+125°C (–67°F ~+257°F 内置EEPROM,限温报警功能。
64位光刻ROM,内置产品序列号,方便多机挂接。
多样封装形式,适应不同硬件系统。
DS18B20芯片封装结构:图1DS18B20引脚功能:·GND电压地 ·DQ单数据总线 ·VDD电源电压 ·NC空引脚DS18B20工作原理及应用:DS18B20的温度检测与数字数据输出全集成于一个芯片之上,从而抗干扰力更强。
其一个工作周期可分为两个部分,即温度检测和数据处理。
在讲解其工作流程之前我们有必要了解18B20的内部存储器资源。
18B20共有三种形态的存储器资源,它们分别是:ROM只读存储器,用于存放DS18B20ID编码,其前8位是单线系列编码(DS18B20的编码是 原创 19H,后面48位是芯片唯一的序列号,最后8位是以上56的位的CRC码(冗余校验。
数据在出产时设置不由用户更改。
DS18B20共64位ROM。
RAM数据暂存器,用于内部计算和数据存取,数据在掉电后丢失,DS18B20共9个字节RAM,每个字节为8位。
第1、2个字节是温度转换后的数据值信息,第3、4个字节是用户EEPROM(常用于温度报警值储存的镜像。
在上电复位时其值将被刷新。
第5个字节则是用户第3个EEPROM的镜像。
第6、7、8个字节为计数寄存器,是为了让用户得到更高的温度分辨率而设计的,同样也是内部温度转换、计算的暂存单元。
第9个字节为前8个字节的CRC码。
EEPROM非易失性记忆体,用于存放长期需要保存的数据,上下限温度报警值和校验数据,DS18B20共3位EEPROM,并在RAM都存在镜像,以方便用户操作。
RAM及EEPROM结构图:图2我们在每一次读温度之前都必须进行复杂的且精准时序的处理,因为DS18B20的硬件简单结果就会导致软件的巨大开消,也是尽力减少有形资产转化为无形资产的投入,是一种较好的节约之道。
控制器对18B20操作流程:1,复位:首先我们必须对DS18B20芯片进行复位,复位就是由控制器(单片机给DS18B20单总线至少480uS的低电平信号。
当18B20接到此复位信号后则会在15~60uS 后回发一个芯片的存在脉冲。
2,存在脉冲:在复位电平结束之后,控制器应该将数据单总线拉高,以便于在15~60uS后接收存在脉冲,存在脉冲为一个60~240uS的低电平信号。
至此,通信双方已经达成了基本的协议,接下来将会是控制器与18B20间的数据通信。
如果复位低电平的时间不足或是单总线的电路断路都不会接到存在脉冲,在设计时要注意意外情况的处理。
3,控制器发送ROM指令:双方打完了招呼之后最要将进行交流了,ROM指令共有5条,每一个工作周期只能发一条,ROM指令分别是读ROM数据、指定匹配芯片、跳跃ROM、芯片搜索、报警芯片搜索。
ROM指令为8位长度,功能是对片内的64位光刻ROM进行操作。
其主要目的是为了分辨一条总线上挂接的多个器件并作处理。
诚然,单总线上可以同时挂接多个器件,并通过每个器件上所独有的ID号来区别,一般只挂接单个18B20芯片时可以跳过ROM指令(注意:此处指的跳过ROM指令并非不发送ROM指令,而是用特有的一条“跳过指令”。
ROM指令在下文有详细的介绍。
原创 4,控制器发送存储器操作指令:在ROM指令发送给18B20之后,紧接着(不间断就是发送存储器操作指令了。
操作指令同样为8位,共6条,存储器操作指令分别是写RAM数据、读RAM数据、将RAM数据复制到EEPROM、温度转换、将EEPROM中的报警值复制到RAM、工作方式切换。
存储器操作指令的功能是命令18B20作什么样的工作,是芯片控制的关键。
5,执行或数据读写:一个存储器操作指令结束后则将进行指令执行或数据的读写,这个操作要视存储器操作指令而定。
如执行温度转换指令则控制器(单片机必须等待18B20执行其指令,一般转换时间为500uS。
如执行数据读写指令则需要严格遵循18B20的读写时序来操作。
数据的读写方法将有下文有详细介绍。
若要读出当前的温度数据我们需要执行两次工作周期,第一个周期为复位、跳过ROM指令、执行温度转换存储器操作指令、等待500uS温度转换时间。
紧接着执行第二个周期为复位、跳过ROM指令、执行读RAM的存储器操作指令、读数据(最多为9个字节,中途可停止,只读简单温度值则读前2个字节即可。
其它的操作流程也大同小异,在此不多介绍。
DS18B20芯片与单片机的接口:图3图4如图所示,DS18B20只需要接到控制器(单片机的一个I/O口上,由于单总线为开漏所以需要外接一个4.7K的上拉电阻。
如要采用寄生工作方式,只要将VDD电源引脚与单总线并联即可。
但在程序设计中,寄生工作方式将会对总线的状态有一些特殊的要求。
原创图5DS28B20芯片ROM指令表:Read ROM(读ROM[33H](方括号中的为16进制的命令字这个命令允许总线控制器读到DS18B20的64位ROM。
只有当总线上只存在一个DS18B20的时候才可以使用此指令,如果挂接不只一个,当通信时将会发生数据冲突。
Match ROM(指定匹配芯片[55H]这个指令后面紧跟着由控制器发出了64位序列号,当总线上有多只DS18B20时,只有与控制发出的序列号相同的芯片才可以做出反应,其它芯片将等待下一次复位。
这条指令适应单芯片和多芯片挂接。
Skip ROM(跳跃ROM指令[CCH]这条指令使芯片不对ROM编码做出反应,在单总线的情况之下,为了节省时间则可以选用此指令。
如果在多芯片挂接时使用此指令将会出现数据冲突,导致错误出现。
Search ROM(搜索芯片[F0H]在芯片初始化后,搜索指令允许总线上挂接多芯片时用排除法识别所有器件的64位ROM。
Alarm Search(报警芯片搜索[ECH]在多芯片挂接的情况下,报警芯片搜索指令只对附合温度高于TH或小于TL报警条件的芯片做出反应。
只要芯片不掉电,报警状态将被保持,直到再一次测得温度什达不到报警条件为止。
DS28B20芯片存储器操作指令表:Write Scratchpad (向RAM中写数据[4EH]这是向RAM中写入数据的指令,随后写入的两个字节的数据将会被存到地址2(报警RAM之TH和地址3(报警RAM之TL。
写入过程中可以用复位信号中止写入。
Read Scratchpad (从RAM中读数据[BEH]此指令将从RAM中读数据,读地址从地址0开始,一直可以读到地址9,完成整个RAM数据的读出。
芯片允许在读过程中用复位信号中止读取,即可以不读后面不需要的字节以减少读取时间。
Copy Scratchpad (将RAM数据复制到EEPROM中[48H]此指令将RAM中的数据存入EEPROM中,以使数据掉电不丢失。
此后由于芯片忙于EEPROM储存处理,当控制器发一个读时间隙时,总线上输出“0”,当储存工作完成时,总线将输出“1”。
在寄生工作方式时必须在发出此指令后立刻超用强上拉并至少保持10MS,来维持芯片工作。
5 /7 18B20 温度传感器应用解析 原创 Convert T(温度转换[44H] 收到此指令后芯片将进行一次温度转换,将转换的温度值放入 RAM 的第 1,2 地址.此后由于芯片忙于温度转换处理,当控制器发一个读时间隙时,总线上输出"0" ,当储存工作完成时,总线将输出"1" .在寄生工作方式时必须在发出此指令后立刻超用强上拉并至少保持 500MS,来维持芯片工作. Recall EEPROM(将 EEPROM 中的报警值复制到 RAM[B8H] 此指令将 EEPROM 中的报警值复制到 RAM 中的第 3,4 个字节里.由于芯片忙于复制处理,当控制器发一个读时间隙时,总线上输出"0" ,当储存工作完成时,总线将输出"1" .另外,此指令将在芯片上电复位时将被自动执行.这样 RAM 中的两个报警字节位将始终为 EEPROM 中数据的镜像. Read Power Supply(工作方式切换[B4H] 此指令发出后发出读时间隙,芯片会返回它的电源状态字, "0"为寄生电源状态, "1"为外部电源状态. DS18B20 复位及应答关系示意图: 图6 每一次通信之前必须进行复位,复位的时间,等待时间,回应时间应严格按时序编程. DS18B20 读写时间隙: DS18B20 的数据读写是通过时间隙处理位和命令字来确认信息交换的. 写时间隙: 图7 写时间隙分为写"0"和写"1" ,时序如图 7.在写数据时间隙的前 15uS 总线需要是被控制器拉置低电平,而后则将是芯片对总线数据的采样时间,采样时间在15~60uS,采样时间内如果控制 6 /7 18B20 温度传感器应用解析 原创器将总线拉高则表示写"1" ,如果控制器将总线拉低则表示写"0" .每一位的发送都应该有一个至少 15uS 的低电平起始位,随后的数据"0"或"1"应该在 45uS 内完成.整个位的发送时间应该保持在60~120uS,否则不能保证通信的正常. 读时间隙: 图8 读时间隙时控制时的采样时间应该更加的精确才行,读时间隙时也是必须先由主机产生至少 1uS 的低电平,表示读时间的起始.随后在总线被释放后的 15uS 中 DS18B20 会发送内部数据位,这时控制如果发现总线为高电平表示读出"1" ,如果总线为低电平则表示读出数据"0" .每一位的读取之前都由控制器加一个起始信号.注意:如图 8 所示,必须在读间隙开始的15uS 内读取数据位才可以保证通信的正确. 在通信时是以 8 位"0"或"1"为一个字节,字节的读或写是从高位开始的,即 A7 到 A0.字节的读写顺序也是如图 2 自上而下的. 版本信息题目作者时间版本声明 18B20 温度传感器应用解析杜洋 2005.11.2 2007.3.16 V1.0 V2.0 本站内容(包括程序代码,文档,照片,视频等属个人所有,未经网站作者同意请勿转载或引用,对于转载或复制而造成的任何不良后果概不负责. 对于本站内免费下载的资料,图片及视频不能保证其真实可靠, 对于免费下载的程序代码本站作者不给予技术支持和服务. ST2005-2007-3-15D 。