贴片整流桥超薄尺寸TMBF310 ASEMI品牌的规格书
S6贴片二极管规格书(常州星海)
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
V(BR)R VF
40 30 20 0.37 0.60 5.0 50 10
V V
Fowrard voltage Reverse current SD103AW SD103BW SD103CW
IRM CT trr
uA pF ns
Capacitance between terminals Reverse recovery time
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES SD103AW-SD103CW
FIG. 1- TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
1000 100
FIG. 2-TYP. JUNCTION CAPACITANCE VS REVERSE VOLTAGE
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IF,FORWARD CURRENT(mA)
CJ, CAPACITANCE(pF)
0 0.5 1.0
100
10
10
1.0
1.0
0.1
0.01
0.1 0 10 20 30 40
VF, FORWARD VOLTAGE(V)
VR REVERSE VOLTAGE.(V)
R
LING
JIE
STAR SEA ELECTRONICS CO.,LTD.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Maximum ratings and electrical characteristics, Single diode @TA=25C PARAMETER Peak repetitive peak reverse voltage Working peak reverse voltage DC Blocking voltage RMS Reverse voltage Forward continuous current Repetitive peak forward current @t 1.0s Power dissipation Thermal resistance junction to ambient Storage temperature Electrical ratings @TA=25 C PARAMETER Reverse breakdown voltage SD103AW SD103BW SD103CW
KBPC310桥堆参数抢先了解,ASEMI表示选择不再困难
编辑人：MMASEMI整流桥KBPC310参数规格书到底要怎么看？今天就告诉你正确答案摘要:KBPC310整流桥作为基础电子元器件应用非常广泛,那么台湾ASEMI整流桥KBPC310参数规格书到底要怎么看？很多采用经理都不一定懂，今天就告诉你正确答案。
ASEMI整流桥KBPC310-参数规格书要怎么看？不懂的采购都来围观课堂开始前我们首先谈谈整流桥的封装：每个整流桥都会被定义一个封装，封装决定了该整流桥的体积大小安装脚位等数据.KBPC310采用的是行业通用被业界称之为KBPC-4封装。
我们从下图可以看明白,该款KBPC310外观体积为方形双排平行引脚排列样式。
它的本体长度为15.24mm，高度为6.35mm，同侧引脚间距为10.8mm。
这是一款小体封装,因为其本体玲玲娇小占用空间体积小而被小功率电源广泛采纳。
因不同封装的安装脚位不同，采购选型时要明确知道该封装是否能应用其实际电路安装。
接下来我们看一下KBPC310的电性参数详解：如下图规格书截图所示，这款整流桥的平均最大正向整流为3安培，峰值浪涌电流为50安培，反向峰值耐电压为1000V，其工作环境温度区间为-65℃-125℃。
一般根据电源设计行业标准来讲,选型整流桥参数需参照实际工作电流的一定比例预留安全余量，行业主流思路大概可分为电流3-5倍，电压5-8倍的标准。
所以采购在选择整流桥型号时，一定要根据工程指导要求选择，不可盲目采购不符合电性要求的整流桥。
上述就是小编整理的KBPC310参数规格书怎么看及选型参数的详细介绍，仅供大家参考。
KBPC310是台湾ASEMI品牌旗下产品，由强元芯公司全权代理授权运营，12年专注专业电源整流器件领域，磐石品质，诚挚服务，双赢合作，期待您的合作与加入。
MMBTA93贴片三极管规格书
A,Oct,2010JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsMMBTA93 TRANSISTOR (PNP) FEATURES● High Voltage Application● T elephone Application● Complementary to MMBTA43 MARKING:YWMAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted)SymbolParameter Value Unit V CBOCollector-Base Voltage -200 V V CEOCollector-Emitter Voltage -200 V V EBOEmitter-Base Voltage -5 V I CCollector Current -500 mA P CCollector Power Dissipation 350 mW R ΘJAThermal Resistance From Junction To Ambient 357 ℃/W T jJunction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55～+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) ParameterSymbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltageV (BR)CBO I C =-100µA, I E =0 -200 V Collector-emitter breakdown voltageV (BR)CEO I C =-1mA, I B =0 -200 V Emitter-base breakdown voltageV (BR)EBO I E =-100µA, I C =0 -5 V Collector cut-off currentI CBO V CB =-200V, I E =0 -0.25 µA Collector cut-off currentI CEO V CE =-200V, I B =0 -0.25 µA Emitter cut-off currentI EBO V EB =-5V, I C =0 -0.1 µA h FE(1)* V CE =-10V, I C =-10mA 40 h FE(2*) V CE =-10V, I C =-1mA 25 DC current gainh FE(3)* V CE =-10V, I C =-30mA 25 Collector-emitter saturation voltageV CE(sat)* I C =-20mA, I B =-2mA -0.5 V Base-emitter saturation voltageV BE(sat)* I C =-20mA, I B =-2mA -0.9 V Transition frequencyf T V CE =-20V,I C =-10mA, f=100MHz 50 MHz Collector output capacitanceC ob V CB =-20V, I E =0, f=1MHz 8 pF*Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%. 3. COLLECTOR 【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】 【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】The bottom gasketThe top gasket3000×1 PCS 3000×15 PCS Label on the Reel Label on the Inner Box Label on the Outer Box QA Label Seal the boxwith the tape Seal the boxwith the tape Stamp “EMPTY”on the empty box Inner Box: 210 mm × 208 mm ×203 mm Outer Box: 440 mm × 440 mm × 230 mm。
ASEMIneya详解-KBP310如何运用在快充领域
1.散热快。
氮化镓与前两代的半导体相比，禁带宽度大、导热系数更高。
而且可在200以上的高温下工作，能承载更高的能量密度，可靠性高，能够将过度充电的可能降低。
2.体积小。
氮化镓材料本身优异的性能，使得做出来的氮化镓比传统硅基IGBT/MOSFET 等芯片面积更小，同时由于更耐高压，大电流，氮化镓芯片功率密度更大，因此功率密度/面积远超硅基。
此外由于使用氮化镓芯片还减少了周边的其他元件的使用，电容、电感、线圈等被动件比硅基方案少得多，也进一步缩小了体积。
SD103AWS贴片肖特基二极管规格书
SD103AWS 40 28
SD103BWS 30 21 350 1.5 200 300 -65 to +125
SD103CWS 20 14
UNITS VOLTS V mA A mW /W
VRRM VRMS VDC VR(RMS) IFM IFRM Pd RΘJA TSTG
.72(0.028) .69(0.027)
.08(.003) MIN
Case: Molded plastic body Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Polarity symbols marked on case Mounting Position: Any Marking: SD103AWS:S4, SD103BWS:S5, SD103CWS:S6
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
V(BR)R VF
40 30 20 0.37 0.60 5.0 50 10
V V
Fowrard voltage Reverse current SD103AWS SD103BWS SD103CWS Capacitance between terminals Reverse recovery time
【 领先的片式无源器件整合供应商 — 南京南山半导体有限公司 】
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES SD103AWS-SD103CWS
FIG. 1- TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
1000 100
ABS2-ABS10表贴桥式整流器(桥堆)
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
符号
单位
Symbols ABS2 ABS4 ABS6 ABS8 ABS10 Unit
VRRM
200
400
600
800
1000
V
VRMS140源自280420·高电流浪涌承受能力 High surge current Capability
·高温焊接保证High tempererature soldering guaranteed: 260℃/10 秒 260℃/10 seconds
·引线和管体皆符合RoHS标准。 Lead and body according with RoHS standard
正向电流 IF(A) IF Instantaneous Forward Current (A)
SIYU R
特性曲线 Characteristic Curves
正向特性曲线（典型值） TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC
10
ABS2......ABS10
正向电流降额曲线 FORWARD CURRENT DERATING CURVE 1.2
典型结电容 VR = 4.0V, f = 1MHz Type junction capacitance
IF =0.4A
符号
Symbols ABS2
ABS4
ABS6
ABS8
ABS10
单位
Unit
VF
0.95
V
TA= 25℃ TA = 125℃
IR
10 500
ASEMI整流桥KBP310参数封装详解
>500ns
500/盒 5K/箱
●整流桥KBP310 电性参数：3A , 1000V
●引脚为无氧铜、抗弯曲、抗氧化、导电性好
●KBP310：5K/箱 箱体材质：牛皮纸 耐压耐磨抗冲击
●500/盒,10盒/箱，环保防静电 牛皮环保纸盒 防静电、易保存，可回收利用
【品牌优点】
环保激光印字 / GREEN LASER PRINTER
●【10】代表其反向耐压为1000V
【产品尺寸】
【应用领域】
Chip MatBiblioteka rial芯片个数Chip Number
漏电流
（lr）
操作温度
Temperature
3A
1000V
GPP硅芯片
4
≤5ua
-50℃~150℃
正向电压
（VF）
浪涌电流
IFSM
芯片尺寸
Chip Size
引线数量
Lead Number
恢复时间
（Trr）
包装方式
Package
1.1V
80A
60MIL
●激光激光打标，不退色，解决油墨丝印易掉色问题
●激光打标生产效率高，订货货期短，解决油墨印字货期长、低效率问题
塑料外壳封装 / ADVANCED PLASTIC PACKAGING
●采用环氧树脂材料一次性烧注成型
●阻燃性能好，强度高，耐高温
无氧铜引脚 / PURE OXYGEN-FREE COPPER PINS
●采用无氧铜材料，导电性能佳
●引脚加厚设计，厚度达0.81mm，可持续长时间工作不发热
●台湾原装”ASEMI“品牌LOGO
●【UL为美国安规认证LOGO】
贴片整流桥MB10S和MB10F的区别，以ASEMI品牌的产品详解
贴片整流桥MB10S和MB10F的区别，以ASEMI品牌的产
品详解
编辑：TT
首先先来看一下这两款型号的外观和封装，如下图所示，这两款贴片
整流桥的外观比较相似，都是贴片小扁桥。
的封装是：MBF-4 (SOP-4)
MB10S的封装是：MBS-4 (SOP-4)
接着来看一下这两款型号的具体参数：
整流桥MB10S和MB10F的电性参数都是一样的：正向电流（Io）为0.8A，反向电压为1000V，正向电压（VF）为1.0V，采用GPP芯片材质，里面有4个芯片，芯片尺寸都是46MIL，它的浪涌电流Ifsm 为30A，漏电流（Ir）为5uA、工作温度在-40~+150℃，恢复时间（Trr）达到500ns，里面引线数量有4条。
最后介绍一下这两款型号的外观具体尺寸：
MB10S这个型号它的脚间距为2.5mm，整体长度为4.7mm，高度为2.5mm，厚度为1.1mm，其本体宽度为4.0mm，脚厚度为0.25mm
MB10F这个型号它的脚间距为2.5mm，整体长度为4.7mm，高度为1.5mm，厚度为0.6mm，其本体宽度为4.0mm，脚厚度为0.25mm
两者比较之后我们看出两者的不同之外：MB10S桥堆的本体高度为2.5mm,MB10F则为1.5mm.MB10S的厚度为1.1mm,MB10F的厚度为0.6mm，所以得出结论，两款整流桥的参数一样，但MB10F比MB10S更薄更小，适用对整流桥体积有高要求的产品。