2011届电力电子学B卷

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电力电子技术试题及答案

电力电子技术试题及答案

德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷一、选择(每题1。

5分,共60分)1、晶闸管内部有()个PN结.A、1B、2C、3D、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压()越好.A、越大B、越小C、不变D、越稳定3、晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的( )来表示的。

A、有效值B、最大值C、平均值D、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的,其外部有()个电极。

A、一个B、两个C、三个D、四个5、下列电力半导体器件电路符号中,表示IGBT器件电路符号的是()6、比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是()A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO7、比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是( ) A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO8、比较而言,下列半导体器件中性能最好的是()A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO9、比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最大的的是( )A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是( )A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO11、逆变电路输出频率较高时,电路中的开关元件应采用()A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在()条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通,应()A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率()电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压为( )A、700VB、750VC、800VD、850V16、下列电力电子器件中,()的驱动功率小,驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时()A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V才导通D、超过0。

(完整版)湖南工业大学2010届电力电子学B卷考试参考答案及评分标准

(完整版)湖南工业大学2010届电力电子学B卷考试参考答案及评分标准

湖南工业大学考试试卷纸系(院)课程名称班级姓名学号密封线《电力电子学》考试参考答案及评分标准(B 卷)适用专业年级: 电气工程07级考试时间100分钟一、简述AC-AC 和DC-DC 电力变换器定义及其工作过程 (每题10分,共10分) 1) AC/AC 变换器:可改变电压和频率,实现交流到交流的变换,一般叫做周期变换器。

(5分) 2) DC/DC 变换器:可改变幅值的大小,实现直流对直流的变换,一般叫做斩波器。

AC/DC 变换器:可改变电压和频率,实现从交流到直流的变换,一般叫做整流器。

(5分) 二、分别画出电力开关器件SCR 、GTR (BJT )、IGBT 、MOSFET 的电路符号,说明哪些为相控型和全控型驱动器件?请按开关频率从高到低顺序排队。

(每题10分,共10分) 1) 电路符号(略) ,相控型器件为SCR ,其它的为全控型器件。

(5分) 2)开关频率从高到低顺序排队:MOSFET 、IGBT 、GTR (BJT )、SCR 。

(5分) 三、PWM 和SPWM 中英文全称是什么?SPWM 驱动器内部的三角波(或锯齿波)电路的作用是什么,其频率是固定的吗? (每题10分,共10分) 1)PWM :脉冲宽度调制Pulse Width Modulation ;SPWM :正弦脉冲宽调制sinusoidal Pulse Width Modulation ;(5分) 2)PWM 驱动器内部的三角波(或锯齿波)发生器的作用是与反馈的电信进行比较,用于产生不同的占空比,其频率是固定的。

(5分) 四、简述相控型电力变换装置的有源逆变条件是什么?(每题10分,共10分) 1)直流电动电源,其极性须和晶闸管的导通方向一致,其值应稍大于变流器定流侧的千均电压。

(5分) 2)晶闸管的控制角a>90度.使交流器输出电压ud 为负。

(5分) 以上条件必须同时具备才可实现有源逆变。

五、三相相控型整流电路的控制角60度,相当于单相相控型整流电路的控制角多少度?如果测得三相相控型桥式整流电路经整流后输出频率为300Hz ,可以初步断定其交流输入频率为多少Hz ?(每题10分,共10分) 1)90度;(5分) 2)60Hz ;(5分) 六、GTR 和MOSFET ,哪一个易于并联运行,为什么? (每题10分,共10分) 1) MOSFET 易于并联(5分)2) MOSFET 的通态电阻Ron 具有正温度系数,因此它的漏极电流Id 。

电力电子技术B(学生)

电力电子技术B(学生)

2012年电力电子技术试卷(B)1、 填空题(每小题2分,共20分):1. 电力电子技术研究的对象是(电力电子器件的应用)、(电力电子电路的电能变换原理)和电力电子装置的开发与应用。

2. 晶闸管的正向特性又有(阻断状态)和(导通状态)之分。

3. 在整流电路中的单相半波可控整流电路随着控制角越大,波形系数(越大),输出电压平均值(越小)。

4. 单相全控桥整流电路电阻性负载整流输出电压平均值为(U d=0.9U2(1+cosα)/2),而带大电感性负载时输出电压平均值为(U d=0.9U2cosα)。

5. 一个集成触发电路一般由以下五个电路组成,分别是(同步电路)、锯齿波形形成电路、(移相电路)、脉冲形成电流和脉冲输出电路。

6. 能够实现有源逆变的外部条件是务必要有一个极性与晶闸管导通(方向一致)的(直流)电动势。

7. 在脉冲频率调制工作方式下,维持(Ton不变,改变Ts);在脉冲宽度调制工作方式下,维持(Ts不变,改变Ton)。

8. 根据输入直流电源特点,逆变电路分为(电压型)和(电流型)逆变电路。

9. 变频电路的种类繁多,依据变频的过程可分为两大类,一类是(交交变频);另一类是(交直交变频)。

10. 对于不间断电源(UPS)整流器器件,在小功率UPS中,整流器一般采用(二极管整流电路);中、大功率UPS的整流器一般采用(相控式整流电路)。

2、 选择题(每小题2分,共10分):1、功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为(B )A.一次击穿B.二次击穿C.临界饱和D.反向截止2、对三相半波可控整流电路电阻性负载来说,触发脉冲的移相范围是( C )A.0°~90°B.0°~120°C.0°~150°D.0°~180°3、单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角δ时,晶闸管的导通角θ=( C )A. π-αB. π+αC. π-δ-αD. π+δ-α4、电流型逆变器中间直流环节贮能元件是( B )A.电容B.电感C.蓄电池D.电动机5、在下列哪个电路中采用晶闸管时,需要加入强迫关断电路( C )A.相控整流电路B.有源逆变电路C.无源逆变电路D.交交变频电路三、判断题(每小题2分,共10分):1、在带有大电感负载且触发角相同的情况下,单相全控桥式电路与单相半控桥式电路相比,全控桥式负载电流连续而半控桥式负载电流不连续。

电力电子技术习题与答案

电力电子技术习题与答案

《电力电子技术》试卷A一、填空(每空1分,36分)1、请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO;功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT ;IGBT 是MOSFET和GTR的复合管。

2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。

4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波,输出电流波形为方波。

5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。

6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120º导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。

7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降;当温度升高时,晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。

8、在有环流逆变系统中,环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。

环流可在电路中加电抗器来限制。

为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。

9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。

(写出四种即可)10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ+、Ⅲ- 四种。

二、判断题,(每题1分,10分)(对√、错×)1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中,电路出故障时会出现失控现象。

(√)2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统,使直流电动机实现四象限运行时,其中一组逆变器工作在整流状态,那么另一组就工作在逆变状态。

(×)3、晶闸管串联使用时,必须注意均流问题。

(×)4、逆变角太大会造成逆变失败。

(×)5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。

电力电子技术试卷(B)

电力电子技术试卷(B)

安徽机电职业技术学院《 电力电子技术 》期终考试卷(B )班级 姓名 学号一、填空题(每空1分,共30分)1、电力电子电路的根本任务是实现电能变换和控制。

电能变换的基本形式有: 变换、 变换、 变换、 变换四种。

(AC/DC 、DC/AC 、DC/DC 、 AC/AC)(功率MOSFET 、双极型器件或GTR )2、IGBT 器件是一种 和 的复合体,它结合了二者的优点。

3、电流驱动型全控器件必须有足够的驱动电流才能使器件导通,需要有较大的 驱动功率 ,这类器件有 门极可关断晶闸管、 电力晶体管 等。

4、 按负载的性质不同,晶闸管可控整流电路的负载分为 电阻 性负载、阻感 性负载和 反电动势 负载三大类。

5、 三相半波相控电路 共阴极 和 共阳极 接法是三相整流电路的最基本形式,其它三相整流电路可看作是三相半波整流电路以 串联 或 并联 方式组合而成。

6、 缓冲电路的作用是抑制电力电子器件的内因 过电压 du/dt 和 过电流 di/dt ,减小器件的 开关损耗 。

7、在SPWM 调制方式中, 载波 频率与 控制信号 频率之比称为载波比。

8、使MOSFET 开通的驱动电压一般为 10—15 V ,使IGBT 开通的驱动电压一般为 15--20 V 。

关断时施加一定幅值的负驱动电压以利于减小 关断时间 和关断损耗。

9、 升降压式直流电压变换电路其输出电压可以 小于 输入电压,也可以 大于 输入电压。

且输出电压极性与输入电压极性 相反 。

10、逆变电路按电路结构特点可分为: 半桥式 逆变电路、 全桥时 逆变电路、推挽式逆变电路和其他形式的逆变电路等。

二、选择题(每小题2分,共20分)1、双向晶闸管的四种触发方式中,灵敏度最低的是( C )。

A、Ⅰ+B、Ⅰ-C、Ⅲ+D、Ⅲ-2、能采用快速熔断器作为过电流保护的半导体器件是( D )。

A、MOSFETB、GTRC、IGBTD、 GTO3、晶闸管可控整流电路中的控制角α减小,则输出的电压平均值会( B )。

电力电子技术试题02昆明理工大学电力电子试卷

电力电子技术试题02昆明理工大学电力电子试卷

电力电子技术2011年7月23日星期六一、填空题1.造成晶闸管在工作时发热的原因是_______,决定发热的因素是流过该管的电流_______。

2.门极可关断晶闸管(GTO),在导通后处于________状态。

为使它关断,所需加的反向门极电流要达到阳极电流的________。

3.在实际应用中,双向晶闸管常采用________和________两种触发方式。

4.单相全控桥整流电路,其输出电压的脉动频率是________,三相零式可控整流电路,其输出电压的脉动频率为________。

5.在单相半控桥整流电路中,两个晶闸管在加________时换流,而两个硅整流二极管在________时自然换流。

6.为了得到十二相电源,在三相变压器的副边绕组中,一组接成_______,另一组接成________。

7.常用的直流可逆拖动系统的工作方式有________和________。

8.变压器漏感L B的存在,使得可控整流输出的直流平均电压________,对有源逆变电路,它将使逆变输出电压________。

9.起重提升机在放下重物时的速度必须能够控制。

改变________的大小就可以改变重物下降的速度,当________时,重物下降速度减小。

10.在无源逆变器中,为使晶闸管可靠关断,常采用________和________两种。

11.晶闸管是硅晶体闸流管的简称,常用的有螺栓式与。

12.晶闸管象二极管一样,具有可控特性。

13.为了保证晶闸管可靠与迅速地关断,通常在管子阳极电压下降为零之后,加一段时间的________电压。

14.选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大________倍,使其有一定的电压裕量。

15.选用晶闸管的额定电流时,根据实际最大电流计算后至少还要乘以_______。

16.在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是________极。

17.单相半波可控整流电路,当电感性负载接续流二极管时,控制角的移相范围为________。

2011年江苏省电子电工B试卷及答案

1江苏省2011年普通高校对口单招文化统考电子电工专业综合理论 试卷一、单项选择题(本大题共22小题,每小题4分,共88分。

)1.电路如题1图所示,随着R P 的活动触点向右移动,应有A .L 1变亮B . L 2变暗C . L 3变暗D . L 2亮度不变题1图L 1题2图1234562.题2图所示的四个线圈绕在同一铁心上,与端子1构成同名端的是端子A .4,6,8B .4,6,7C .3,6,8D .4,5,7 3.题3图所示电路中,X C = 0.75R ,则下列关于该电路移相功能的叙述中,正确的是 A .u o 超前u i 36.9° B .u o 超前u i 53.1° C .u o 滞后u i 36.9° D .u o 滞后u i 53.1° 4.题4图所示电路的等效复阻抗Z m n 为A .Ω︒∠30310B . Ω︒-∠3030C .Ω-)35 j 15(D . Ω+)310 j 40(R –o题3图题4图mnΩ301j5.三相电路如题5图所示,三只同规格灯泡正常工作。

若在“b ”处出现开路故障,则各灯亮度情况为A .L 1、L 2熄灭,L 3正常发光B . L 1、L 2变暗,L 3正常发光C .L 1、L 2、L 3均正常工作D .L 1、L 2、L 3均变暗26.电路如题6图所示,电路原处于稳态。

则换路后开关上的电流初始值i a b (0+)为A . 7 AB .4 AC .–1 AD .1 AU V W题5图题6图47.处于放大状态的PNP 型晶体管,各电极的电位关系是A .VB >VC >V E B .V E > V B > V C C .V C > V B > V ED .V C > VE > V B8.题8图所示电路中,当β=50,I B =20μA ,I C =1mA ,若只更换了β=100的晶体管,而其他参数不变,则I B 和I C 分别是A .10μA ,1mAB .20μA ,2mAC .30μA ,3mAD .40μA ,4mA9.如题8图所示电路(设各电容足够大),电路中的负反馈对该电路输入、输出电阻的影响是A .输入电阻变小,输出电阻变小B .输入电阻变小,输出电阻变大C .输入电阻变大,输出电阻变大 D.输入电阻变大,输出电阻变小+–u +V CC题8图A C F 01B 000000110101011001111110010110题12表 逻辑真值表310.如题10图所示电路V CC =12V ,VT 2、VT 3管饱和压降可忽略,则当 ①U i = 6V (有效值)时,②U i = 2V (有效值)且不慎将R 4短路时,输出电压波形分别是 A .(c ),(d ) B .(a ),(c ) C .(a ),(d ) D.(d ),(c )+–o(a )题10图(d ))u11.三点式振荡器的组成原则是A .X CE 与X BE 性质相同,与X CB 性质相反 B .X CE 与X CB 性质相同,与X BE 性质相反C .X CB 与X BE 性质相同,与X CE 性质相反D .X CB 与X BE 与X CE 均为同性质12.已知真值表如题12表,则其逻辑表达式为A .CB A ⊕⊕ B .AB + BC C .BC AB +D .ABC (A +B +C ) 13.四位扭环形计数器电路如题13图所示,当Q 0Q 1Q 2Q 3 =0110时,试判断经过三个CP 脉冲作用下Q 0Q 1Q 2Q 3的状态为A .1100B .0101C .0010D .01103题13图14.用多量程电压表的250 V挡测量200 V电压,测量结果为198 V;用它的50 V挡测量44 V电压,测量结果为45.1V。

北京理工大学2011级电工电子技术IIB卷及解答


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六、 (8 分) 一台单相变压器额定容量 50 kVA, 额定电压 3300/220V, 原方绕组 N1 = 450 匝。 (1)计算变压器的变压比 Ku 和副方绕组匝数 N2; (2)计算变压器原方绕组和副方绕组的额定电流 I1N、I2N; (3)当它向电压 UN = 220V,功率 PN = 500W,功率因数 cosφN = 0.8,效率 ηN = 0.85 的单相异步电动机供电时, 最多可接多少台这种类型电动机 (忽略变压器内阻抗压降) ? 解: (1) K u
4.在图 1.4 所示电路中,已知:R1 = 4 k,R2 = 6 k,I3 很小可忽略不计。 试求电压 U1 和 Uo。 解:U1 = 5V Uo U1 R1 R2 (忽略 I3 时) R1
1 W7805 3 Ci I3 2 R1 R2 U1
+
Ui
+
+
Uo
C o
5 (4 6) 12.5V 4
解:Q0.1 及 Q0.2 的波形如图 7.2(b)所示。
6
&
1
(十位) QD QC QB QA QCC S1 LD 74160 (2) S2 CP< Cr D C B A
1
(个位) QD QC QB QA QCC S1 LD 74160 (1) S2 CP < Cr D C B A
1
0 0 0 0
图4
0 0 0 1
CP
3
表1 输 功能 清零 置数 保持 保持 计数 时钟 CP 清零
BB
KF2
解: (1)合 QB。 按 SF1,QA1 和 KF1 线圈同时有电,QA1 常开主触点闭合,MA1 运转,QA1 常开辅助触点闭合,构成自锁。经过 KF1 确定的延时时间,其延时常开触点 闭合,QA2 和 KF2 线圈同时有电,QA2 常开主触点闭合,MA2 运转,QA2 常开辅助触 点闭合,构成自锁。经过 KF2 确定的延时时间,其延时常闭触点打开,QA1 线圈断电, MA1 停转。同时 KF1 线圈也断电。 按 SF2,QA2 和 KF2 线圈同时断电,QA2 主触点打开,MA2 停转。 (2)FA 短路保护,BB 过载保护,QA1 和 QA2 有失压及欠压保护。

合肥工业大学2011年电路真题答案电路分析考研真题笔记期末试卷 (1)

本人有合肥工业大学电气学院强电专业的考研初试+复试资料。

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2011深圳大学模拟电路B试卷及答案 (DEMO)

深圳大学期末考试试卷开/闭卷 闭卷A/B 卷 B 课程编号课程名称模拟电路学分 3.5命题人(签字) 审题人(签字) 2011 年 11 月 10 日 (每题5分,共25分)简答题.已知一个放大器的电压增益A u =u o /u i 为30dB ,输入电阻R i 为1K Ω,信号源的内阻R s 500Ω,求源电压增益A us =u o /u s 。

20i us u i sR A A dBR R ==+.下图两个电路是什么滤波电路?图b 电路与图a 电路相比,有什么优点?iU oU +-+-RC(a ) (b )a 是无源低通滤波电路。

图b 是有源低通滤波电路。

优点是提高了电压放大倍数和带负载能力。

.下图电路中的二极管可视为理想二极管,判断该二极管是截止还是导通,并求电压U o 。

D10V20VΩK 2ΩK 1oU +-答:二极管导通,Uo=-10V4.场效应管与晶体管相比,其输入电阻有什么特点?在温度变化下,场效应管与晶体管谁性能更好?答:与晶体管相比,场效应管的输入电阻更高。

在温度变化下,场效应管性能更好。

5.基本放大电路常见的三种组态是什么?双极型三极管输出特性上可以划分为三个工作区域,分别是什么?三种组态分别为:共射,共基,共集。

-------------------------------------------------------(3分) 三个工作区域:饱和区,放大区,截至区。

---------------------------------------------------(2分)二、(15分)电路如图所示,假设运放为理想的。

已知:R 11 = R 12 = R f1,R 21 = R f2,v I1 =2V ,v I2 = 3V 。

试求:v O1和v O2。

.解:Vv R R v R R v i f i f o 5)(212111111-=+-=。

-----------------------(8分)221215f o o R v v VR =-=。

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