陶瓷基板的现状与发展分析
阐述LED封装用到的陶瓷基板现状与发展
阐述LED封装用到的陶瓷基板现状与发展作者：秩名2013年03月08日 16:47[导读]陶瓷基板材料以其优良的导热性和气密性，广泛应用于功率电子、电子封装、混合微电子与多芯片模组等领域。
本文简要介绍了目前陶瓷基板的现状与以后的发展。
关键词：陶瓷基板LED封装LED陶瓷基板材料以其优良的导热性和气密性，广泛应用于功率电子、电子封装、混合微电子与多芯片模组等领域。
本文简要介绍了目前陶瓷基板的现状与以后的发展。
1、塑胶和陶瓷材料的比较塑胶尤其是环氧树脂由于比较好的经济性，至目前为止依然占据整个电子市场的统治地位，但是许多特殊领域比如高温、线膨胀系数不匹配、气密性、稳定性、机械性能等方面显然不适合，即使在环氧树脂中添加大量的有机溴化物也无济于事。
相对于塑胶材料，陶瓷材料也在电子工业扮演者重要的角色，其电阻高，高频特性突出，且具有热导率高、化学稳定性佳、热稳定性和熔点高等优点。
在电子线路的设计和制造非常需要这些的性能，因此陶瓷被广泛用于不同厚膜、薄膜或和电路的基板材料，还可以用作绝缘体，在热性能要求苛刻的电路中做导热通路以及用来制造各种电子元件。
2、各种陶瓷材料的比较2.1Al2O3到目前为止，氧化铝基板是电子工业中最常用的基板材料，因为在机械、热、电性能上相对于大多数其他氧化物陶瓷，强度及化学稳定性高，且原料来源丰富，适用于各种各样的技术制造以及不同的形状。
2.2BeO具有比金属铝还高的热导率，应用于需要高热导的场合，但温度超过300℃后迅速降低，最重要的是由于其毒性限制了自身的发展。
AlN有两个非常重要的性能值得注意：一个是高的热导率，一个是与Si相匹配的膨胀系数。
缺点是即使在表面有非常薄的氧化层也会对热导率产生影响，只有对材料和工艺进行严格控制才能制造出一致性较好的AlN基板。
目前大规模的AlN生产技术国内还是不成熟，相对于Al2O3，AlN价格相对偏高许多，这个也是制约其发展的瓶颈。
综合以上原因，可以知道，氧化铝陶瓷由于比较优越的综合性能，在目前微电子、功率电子、混合微电子、功率模组等领域还是处于主导地位而被大量运用。
2024年覆铜(DCB)陶瓷基板市场分析现状
2024年覆铜（DCB）陶瓷基板市场分析现状1. 引言覆铜（DCB）陶瓷基板是一种在高功率电子设备中广泛使用的散热材料。
它具有优异的导热性能和电绝缘性能，可有效地将电子元件产生的热量散发出去，从而保持电子设备的正常运行。
本文将对覆铜（DCB）陶瓷基板市场进行综合分析，探讨其发展现状和未来趋势。
2. 市场概述2.1 市场定义覆铜（DCB）陶瓷基板是一种具有铜箔覆盖的陶瓷基板，常用于高功率电子设备的散热模块中。
它由绝缘陶瓷材料、导热铜箔和焊锡材料构成，广泛应用于电力电子、光电子、电力模块等领域。
2.2 市场规模据市场调研数据显示，覆铜（DCB）陶瓷基板市场在过去几年中呈现稳步增长的趋势。
预计到2025年，全球覆铜（DCB）陶瓷基板市场规模将达到XX亿美元，年复合增长率为X%。
2.3 市场驱动因素覆铜（DCB）陶瓷基板市场的增长得益于以下几个因素：•高功率电子设备市场的快速发展，如新能源行业和电动车市场的扩大，使得对散热性能更高的覆铜（DCB）陶瓷基板的需求增加。
•覆铜（DCB）陶瓷基板具有优异的导热性能和电绝缘性能，能够更好地满足高功率电子设备对散热要求的提高。
•覆铜（DCB）陶瓷基板的制造技术不断改进，降低了生产成本，提高了产品质量，进一步推动了市场需求的增长。
3. 市场竞争格局3.1 企业竞争目前，全球覆铜（DCB）陶瓷基板市场竞争格局较为分散，主要有国内外知名企业参与竞争。
其中，美国、日本和中国是全球覆铜（DCB）陶瓷基板市场的主要竞争国家。
3.2 企业战略为了在市场竞争中占据优势，企业采取了多种战略措施，包括加大研发投入、提高产品质量、降低产品价格、开拓新的市场渠道等。
4. 市场前景随着高功率电子设备市场的快速发展和技术不断进步，覆铜（DCB）陶瓷基板市场的前景广阔。
预计未来几年内，市场需求将持续增长，新产品和新技术的不断涌现将进一步推动市场发展。
然而，市场也面临一些挑战，如激烈的竞争、技术创新的压力和市场需求的不确定性等。
LED陶瓷基板
LED陶瓷基板的技术分析与现状——本资料由·东莞市中实创半导体照明有限公司/ 工程部·整理与撰写——摘要：陶瓷基板材料以其优良的导热性和气密性，广泛应用于功率电子、LED封装、多芯片模块等领域。
本文简要介绍了目前LED封装陶瓷基板的技术现状与以后的发展。
关键字:LED陶瓷基板 LED产业（一）前言：陶瓷基板材料以其优良的导热性和气密性，广泛应用于功率电子、LED封装、多芯片模块等领域。
LED散热基板的选择亦随着LED之线路设计、尺寸、发光效率…等条件的不同有设计上的差异，以目前市面上最常见的可区分为：①系统电路板，其主要是作为LED最后将热能传导到大气中、散热鳍片或外壳的散热系统，而列为系统电路板的种类包括：铝基板(MCPCB)、印刷电路板(PCB)以及软式印刷电路板(FPC)；②LED芯片基板，是属于LED芯片与系统电路板两者之间热能导出的媒介，并藉由共晶或覆晶与LED芯片结合。
为确保LED的散热稳定与LED芯片的发光效率，近期许多以陶瓷材料作为高功率LED散热基板之应用，其种类主要包含有：低温共烧多层陶瓷(LTCC)、高温共烧多层陶瓷(HTCC)、直接接合铜基板 (DBC)、直接镀铜基板(DPC)四种，以下本文将针对陶瓷LED芯片基板的种类做深入的探讨。
（二）陶瓷基板的定义和性能：1．定义：陶瓷基板是以电子陶瓷为基的，对膜电路元件及外贴切元件形成一个支撑底座的片状材料。
按照陶瓷基片应用领域的不同，又分为HIC（混合集成电路）陶瓷基片、聚焦电位器陶瓷基片、激光加热定影陶瓷基片、片式电阻基片、网络电阻基片等；按加工方式的不同，陶瓷基片分为模压片、激光划线片两大类。
2．陶瓷基板的性能：（1）机械性质Ø有足够高的机械强度，除搭载元件外，也能作为支持构件使用；Ø加工性好，尺寸精度高；容易实现多层化；Ø表面光滑，无翘曲、弯曲、微裂纹等。
（2）电学性质Ø绝缘电阻及绝缘破坏电压高；Ø介电常数低；Ø介电损耗小；Ø在温度高、湿度大的条件下性能稳定，确保可靠性。
2024年陶瓷敷铜基板市场前景分析
2024年陶瓷敷铜基板市场前景分析引言陶瓷敷铜基板是一种在陶瓷基底上覆盖铜层的电子元件基板。
随着电子产品的不断发展和需求的增加，陶瓷敷铜基板市场逐渐展现出巨大的潜力。
本文将对陶瓷敷铜基板市场前景进行分析，以揭示其发展趋势和市场机会。
市场规模及增长趋势陶瓷敷铜基板市场的规模和增长趋势是判断其前景的关键指标。
根据市场研究数据显示，近年来陶瓷敷铜基板市场呈现出持续增长的趋势。
主要原因有以下几点： 1. 电子产品需求增加：随着电子产品的普及和更新换代速度的加快，对高性能和高可靠性的电子组件的需求也不断增加。
2. 技术进步推动需求：陶瓷敷铜基板具有优异的导热性能和良好的耐高温性能，使其在高性能电子设备中得到广泛应用。
3. 新兴应用领域的需求：随着新兴应用领域（如5G通信、智能汽车等）的快速发展，对高性能电子组件的需求也在不断增加，这为陶瓷敷铜基板市场提供了新的机会。
市场竞争格局陶瓷敷铜基板市场竞争激烈，市场上存在着众多的厂家和品牌。
当前的主要竞争者包括国内外的大型电子元器件制造商和一些专业陶瓷敷铜基板制造商。
市场竞争格局的特点如下： 1. 大型电子元器件制造商的竞争优势：这些公司拥有强大的生产能力和先进的制造技术，利用其规模经济效益，可以提供更具竞争力的价格和稳定的供应。
2. 专业陶瓷敷铜基板制造商的竞争优势：这些公司专注于陶瓷敷铜基板的研发和制造，拥有较高的技术实力和更加灵活的生产能力，能够满足客户的个性化需求。
市场机会和挑战陶瓷敷铜基板市场存在着一些机会和挑战，可供制造商和投资者考虑： 1. 市场机会： - 新兴应用市场的需求增长：随着5G通信、智能汽车等新兴应用市场的快速发展，陶瓷敷铜基板作为高性能电子组件的重要部分，将有巨大的市场需求。
- 技术创新和升级需求：随着电子产品的不断创新和升级，对陶瓷敷铜基板的技术要求也在不断提高，这为新技术的研发和应用提供了机会。
2. 市场挑战： - 市场竞争加剧：随着市场的发展和利润的吸引力，越来越多的厂商将进入陶瓷敷铜基板市场，竞争将进一步加剧。
2023年覆铜(DCB)陶瓷基板行业市场分析现状
2023年覆铜（DCB）陶瓷基板行业市场分析现状覆铜（DCB）陶瓷基板是一种具有优异导热性能和电气绝缘性能的新型材料，广泛应用于电子电器领域。
下面将从市场规模、应用领域和市场竞争等方面对覆铜陶瓷基板行业的市场现状进行分析。
一、市场规模随着电子电器行业的快速发展，对于高性能电路的需求越来越高，推动了覆铜陶瓷基板市场的快速增长。
目前覆铜陶瓷基板市场呈现出稳步增长的趋势。
根据市场调研数据显示，2019年覆铜陶瓷基板市场规模达到XX亿元，预计到2025年将达到XX亿元。
市场规模的增长主要受益于电子电器行业的快速发展和技术进步。
二、应用领域覆铜陶瓷基板在电子电器领域有着广泛的应用，特别是在高功率电子器件领域。
主要应用于电力模块、光电模块、功率模块、通信模块等领域。
其中，电力模块是市场需求的主要引擎，其占据覆铜陶瓷基板市场的XX%份额。
随着电动汽车市场的快速增长，电力模块的需求也将持续增长，进一步推动了覆铜陶瓷基板市场的发展。
三、市场竞争目前覆铜陶瓷基板市场竞争激烈，主要竞争者包括国内外一些知名的电子材料制造商。
市场竞争主要体现在产品性能、价格、供应能力等方面。
在产品性能方面，主要竞争点是陶瓷基板的导热性能和电气性能。
高导热性能和电气绝缘性能是覆铜陶瓷基板的核心竞争优势。
在价格方面，由于市场上陶瓷基板产品种类多样，竞争较为激烈，价格相对较为透明。
供应能力方面，供应商的生产能力和交货能力对于市场竞争至关重要。
通过提升生产能力和保障交货能力来降低客户选择的风险是市场竞争中的关键。
四、发展趋势随着电子电器行业对高性能电路的需求不断增加，覆铜陶瓷基板市场将持续增长。
未来几年，覆铜陶瓷基板市场将会呈现以下几个趋势：1. 产品性能的不断提升。
随着技术的不断进步，未来覆铜陶瓷基板的导热性能和电气性能将进一步提高，以满足高性能电路的需求。
2. 应用领域的拓展。
随着电动汽车、光伏发电等新兴行业的快速发展，覆铜陶瓷基板的应用领域将进一步拓展，市场规模将进一步扩大。
2023年氮化硅陶瓷基板行业市场环境分析
2023年氮化硅陶瓷基板行业市场环境分析氮化硅陶瓷基板作为一种特殊的材料，其市场已经在不断的扩大。
目前，氮化硅陶瓷基板市场主要集中在半导体设备、光电子等领域。
本文将对氮化硅陶瓷基板行业的市场环境进行分析。
一、市场需求及应用行业分析随着半导体、光电子等领域的不断发展，氮化硅陶瓷基板的应用范围不断扩大。
在半导体设备领域，氮化硅陶瓷基板主要用于制作高功率和高频率的射频功率放大器和微波功率器件。
在光电子领域，其主要应用于激光陶瓷材料、减少和衰减器、高档光学仪器、LED封装等。
除此之外，氮化硅陶瓷基板还被广泛应用于航空航天、医疗器械、电子通信等领域。
目前，氮化硅陶瓷基板市场需求呈上升趋势。
一方面，随着半导体设备、光电子等领域的不断发展，对于氮化硅陶瓷基板的需求越来越大；另一方面，氮化硅陶瓷基板的独特性能，如高耐热、高强度、高化学稳定性等，也使得其能够替代传统的材料，因而应用范围逐步扩大。
二、市场现状分析目前，氮化硅陶瓷基板行业的市场上存在一些优势企业，如日本NGK、美国Ceramtec、德国CoorsTek等。
这些企业具有先进的生产技术和产品质量，所生产的氮化硅陶瓷基板被广泛应用于半导体、人工晶体等领域。
与之对应的是，我国的氮化硅陶瓷基板行业发展较为滞后。
在技术上，我国大部分企业在氮化硅陶瓷基板的生产和应用方面还存在着不少问题，如设备技术、生产标准、质量控制等。
因此，我国的氮化硅陶瓷基板市场中，产品质量不稳定，技术水平参差不齐，面临着较为严峻的竞争环境。
三、市场前景展望氮化硅陶瓷基板是一种具有极高难度的产品，需要高超的生产技术和严格的质量控制才能够生产出高品质的产品。
在当前的市场环境下，氮化硅陶瓷基板及其相关产品的市场前景是值得期待的。
一方面，随着半导体、光电子等领域的不断发展，氮化硅陶瓷基板行业的市场需求会不断地增加，市场规模也将随之扩大。
另一方面，随着我国技术水平的不断提高，我国的氮化硅陶瓷基板行业也将逐渐壮大。
2024年氧化铝陶瓷基板市场规模分析
2024年氧化铝陶瓷基板市场规模分析1. 引言氧化铝陶瓷基板是一种常用于电子元器件制造的材料，具有优良的导热性能、绝缘性能和耐高温性能。
随着电子行业的发展，氧化铝陶瓷基板在电子设备中的应用逐渐增多。
本文将对氧化铝陶瓷基板市场规模进行分析。
2. 氧化铝陶瓷基板市场发展概况近年来，随着电子产品的普及和不断迭代更新，氧化铝陶瓷基板市场逐渐扩大。
氧化铝陶瓷基板作为电子元器件的重要组成部分，在各个领域都有广泛的应用。
例如，功率模块、射频模块、LED元件等都需要使用氧化铝陶瓷基板作为散热和电气绝缘材料。
3. 2024年氧化铝陶瓷基板市场规模分析根据市场调研和数据统计，氧化铝陶瓷基板市场规模呈逐年增长的趋势。
主要原因包括以下几点：3.1 电子行业发展的推动随着智能手机、平板电脑、电子汽车等产品的快速发展，氧化铝陶瓷基板的需求量不断增加。
尤其是5G技术的推广和应用，对于高频射频模块的需求进一步增加，进而推动了氧化铝陶瓷基板市场的扩大。
3.2 新兴应用领域的崛起随着人工智能、物联网、区块链等新兴技术的兴起，对于高性能电子元器件的需求也在增加。
氧化铝陶瓷基板作为一种具有优异性能的材料，在这些领域中有着广泛应用的潜力。
3.3 制造技术的提升随着制造技术的不断提升，氧化铝陶瓷基板的生产成本逐渐降低。
这使得氧化铝陶瓷基板的价格相对更具竞争力，增强了市场需求。
4. 市场前景分析基于以上分析，可以看出氧化铝陶瓷基板市场有着广阔的前景和巨大的发展潜力。
首先，随着5G时代的到来，对于高性能电子元器件的需求将进一步增加，这将带动氧化铝陶瓷基板市场的快速发展。
其次，新兴应用领域的兴起将为氧化铝陶瓷基板提供更多的应用场景。
人工智能、物联网等技术的发展将进一步推动氧化铝陶瓷基板市场的增长。
另外，制造技术的不断提升将降低氧化铝陶瓷基板的生产成本，提高产品的性价比，从而进一步扩大市场规模。
5. 结论综上所述，氧化铝陶瓷基板市场规模正不断扩大，并具有广阔的发展前景。
陶瓷基板研究现状及新进展
其次，在新型制备技术方面，研究人员开发了一些新的制备方法，如静电纺丝 法、3D打印技术等，提高了陶瓷基板的制备效率和精度。例如，通过静电纺丝 法成功制备出了纳米级碳化硅陶瓷纤维，其具有优异的导热性和力学性能，有 望在高温封装领域得到广泛应用。
最后，在应用推广方面，陶瓷基板已经在高速铁路、汽车、航空航天、半导体 照明等领域得到了广泛应用，并不断拓展其应用领域。例如，近期研究发现， 陶瓷基板在太阳能光伏领域也展现出了良好的应用前景，有望成为未来太阳能 电池封装的重要材料之一。
针对这些关键问题，可以采取以下解决途径和方法：首先，加强基础研究，深 入了解陶瓷基板材料的性能和特点，发现新的物理和化学效应，为材料设计和 优化提供理论依据。其次，加强技术研发，不断改进和优化制备工艺，提高制 备效率和产品质量。最后，加强应用研究和市场推广，积极探索陶瓷基板的新 的应用领域和市场机会，提高其应用范围和市场份额。
然而，目前陶瓷基板研究还存在一些问题。首先，在材料性能方面，虽然现有 的陶瓷基板材料已经具有很多优点，但仍需要进行针对性地优化和改进，以满 足不同领域对封取得了一定的成果，但仍存在一些不足之处，如生产效率低、制造成本高 等。
最后，在应用推广方面，尽管陶瓷基板在某些领域已经得到了广泛应用，但仍 需要进一步拓展其应用领域，提高其应用范围和市场份额。
陶瓷基板研究现状及新进展
目录
01 一、陶瓷基板研究现 状
03
三、关键问题及解决 途径
02
二、陶瓷基板研究新 进展
陶瓷基板是一种以陶瓷为基体，经过精密加工和烧结而成的电子封装材料。由 于其具有高导热性、高绝缘性、耐高温、耐腐蚀等优点，被广泛应用于高可靠 性、高集成度的电子设备中。本次演示将综述陶瓷基板的研究现状和最新进展， 以期为相关领域的研究人员提供参考。
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陶瓷基板材料以其优良的导热性和气密性，广泛应用于功率电子、电子封装、混合微电子与多芯片模块等领域。
本文简要介绍了目前陶瓷基板的现状与以后的发展。
陶瓷基板材料以其优良的导热性和气密性，广泛应用于功率电子、电子封装、混合微电子与多芯片模块等领域。
本文简要介绍了目前陶瓷基板的现状与以后的发展。
1、塑料和陶瓷材料的比较塑料尤其是环氧树脂由于比较好的经济性，至目前为止依然占据整个电子市场的统治地位，但是许多特殊领域比如高温、线膨胀系数不匹配、气密性、稳定性、机械性能等方面显然不适合，即使在环氧树脂中添加大量的有机溴化物也无济于事。
相对于塑料材料，陶瓷材料也在电子工业扮演者重要的角色，其电阻高，高频特性突出，且具有热导率高、化学稳定性佳、热稳定性和熔点高等优点。
在电子线路的设计和制造非常需要这些的性能，因此陶瓷被广泛用于不同厚膜、薄膜或和电路的基板材料，还可以用作绝缘体，在热性能要求苛刻的电路中做导热通路以及用来制造各种电子元件。
2、各种陶瓷材料的比较2.1 Al2O3到目前为止，氧化铝基板是电子工业中最常用的基板材料，因为在机械、热、电性能上相对于大多数其他氧化物陶瓷，强度及化学稳定性高，且原料来源丰富，适用于各种各样的技术制造以及不同的形状。
2.2 BeO具有比金属铝还高的热导率，应用于需要高热导的场合，但温度超过300℃后迅速降低，最重要的是由于其毒性限制了自身的发展。
2.3 AlNAlN有两个非常重要的性能值得注意：一个是高的热导率，一个是与Si相匹配的膨胀系数。
缺点是即使在表面有非常薄的氧化层也会对热导率产生影响，只有对材料和工艺进行严格控制才能制造出一致性较好的AlN基板。
目前大规模的AlN生产技术国内还是不成熟，相对于Al2O3，AlN价格相对偏高许多，这个也是制约其发展的瓶颈。
综合以上原因，可以知道，氧化铝陶瓷由于比较优越的综合性能，在目前微电子、功率电子、混合微电子、功率模块等领域还是处于主导地位而被大量运用。
3、陶瓷基板的制造制造高纯度的陶瓷基板是很困难的，大部分陶瓷熔点和硬度都很高，这一点限制了陶瓷机械加工的可能性，因此陶瓷基板中常常掺杂熔点较低的玻璃用于助熔或者粘接，使最终产品易于机械加工。
Al2O3、BeO、AlN基板制备过程很相似，将基体材料研磨成粉直径在几微米左右，与不同的玻璃助熔剂和粘接剂（包括粉体的MgO、CaO）混合，此外还向混合物中加入一些有机粘接剂和不同的增塑剂再球磨防止团聚使成分均匀，成型生瓷片，最后高温烧结。
目前陶瓷成型主要有如下几种方法：●辊轴轧制将浆料喷涂到一个平坦的表面，部分干燥以形成黏度像油灰状的薄片，再将薄片送入一对大的平行辊轴中轧碾得到厚度均匀的生瓷片。
●流延浆料通过锋利的刀刃涂复在一个移动的带上形成薄片。
与其他工艺相比这是一种低压的工艺。
●粉末压制粉末在硬模具腔内并施加很大的压力（约138MPa）下烧结，尽管压力不均匀可能产生过度翘曲但这一工艺生产的烧结件非常致密，容差较小。
●等静压粉末压制这种工艺使用使用周围为水或者为甘油的模及使用高达69MPa的压力这种压力更为均匀所制成的部件翘曲更小。
●挤压浆料通过模具挤出这种工艺使用的浆料黏度较低，难以获得较小容差，但是这种工艺非常经济，并且可以得到比其他方法更薄的部件。
4 、基板种类及其特性比较现阶段较普遍的陶瓷散热基板种类共有HTCC、LTCC、DBC、DPC四种，其中HTCC 属于较早期发展的技术，但由于烧结温度较高使其电极材料的选择受限，且制作成本相对昂贵，这些因素促使LTCC的发展，LTCC虽然将共烧温度降至约850℃，但缺点是尺寸精确度、产品强度等不易控制。
而DBC与DPC则为国内近几年才开发成熟，且能量产化的专业技术，DBC是利用高温加热将Al2O3与Cu板结合，其技术瓶颈在于不易解决Al2O3与Cu板间微气孔产生之问题，这使得该产品的量产能量与良率受到较大的挑战，而DPC技术则是利用直接镀铜技术，将Cu沉积于Al2O3基板之上，其工艺结合材料与薄膜工艺技术，其产品为近年最普遍使用的陶瓷散热基板。
然而其材料控制与工艺技术整合能力要求较高，这使得跨入DPC产业并能稳定生产的技术门槛相对较高。
4.1 LTCC （Low-Temperature Co-fired Ceramic）LTCC 又称为低温共烧多层陶瓷基板，此技术须先将无机的氧化铝粉与约30%~50%的玻璃材料加上有机黏结剂，使其混合均匀成为泥状的浆料，接着利用刮刀把浆料刮成片状，再经由一道干燥过程将片状浆料形成一片片薄薄的生胚，然后依各层的设计钻导通孔，作为各层讯号的传递，LTCC内部线路则运用网版印刷技术，分别于生胚上做填孔及印制线路，内外电极则可分别使用银、铜、金等金属，最后将各层做叠层动作，放置于850~900℃的烧结炉中烧结成型，即可完成。
详细制造过程LTCC生产流程图4.1图4.1LTCC生产流程图4.2 HTCC （High-Temperature Co-fired Ceramic）HTCC又称为高温共烧多层陶瓷，生产制造过程与LTCC极为相似，主要的差异点在于HTCC的陶瓷粉末并无加入玻璃材质，因此，HTCC的必须再高温1300~1600℃环境下干燥硬化成生胚，接着同样钻上导通孔，以网版印刷技术填孔与印制线路，因其共烧温度较高，使得金属导体材料的选择受限，其主要的材料为熔点较高但导电性却较差的钨、钼、锰…等金属，最后再叠层烧结成型。
4.3 DBC （Direct Bonded Copper）‖直接敷铜技术是利用铜的含氧共晶液直接将铜敷接在陶瓷上，其基本原理就是敷接过程前或过程中在铜与陶瓷之间引入适量的氧元素，在1065℃~1083℃范围内，铜与氧形成Cu-O共晶液，DBC技术利用该共晶液一方面与陶瓷基板发生化学反应生成CuAlO2或CuAl2O4相，另一方面浸润铜箔实现陶瓷基板与铜板的结合。
陶瓷基板直接敷铜板的制造流程图如下图4.2。
（a）Al2O3陶瓷基板敷铜板工艺（b）AlN陶瓷基板敷铜板工艺图4.2 直接敷铜陶瓷基板工艺示意图直接敷铜陶瓷基板由于同时具备铜的优良导电、导热性能和陶瓷的机械强度高、低介电损耗的优点，所以得到广泛的应用。
在过去的几十年里，敷铜基板在功率电子封装方面做出了很大的贡献，这主要归因于直接敷铜基板具有如下性能特点：●热性能好；●电容性能；●高的绝缘性能；● Si相匹配的热膨胀系数；●电性能优越，载流能力强。
直接敷铜陶瓷基板最初的研究就是为了解决大电流和散热而开发出来的，后来又应用到AlN陶瓷的金属化。
除上述特点外还具有如下特点使其在大功率器件中得到广泛应用：●机械应力强，形状稳定；高强度、高导热率、高绝缘性；结合力强，防腐蚀；●极好的热循环性能，循环次数达5万次，可靠性高；●与PCB板（或IMS基片）一样可刻蚀出各种图形的结构；无污染、无公害；●使用温度宽-55℃～850℃；热膨胀系数接近硅，简化功率模块的生产工艺。
由于直接敷铜陶瓷基板的特性，就使其具有PCB基板不可替代特点。
DBC的热膨胀系数接近硅芯片，可节省过渡层Mo片，省工、节材、降低成本，由于直接敷铜陶瓷基板没有添加任何钎焊成分，这样就减少焊层，降低热阻，减少孔洞，提高成品率，并且在相同载流量下0.3mm厚的铜箔线宽仅为普通印刷电路板的10%；其优良的导热性，使芯片的封装非常紧凑，从而使功率密度大大提高，改善系统和装置的可靠性。
为了提高基板的导热性能，一般是减少基板的厚度，超薄型（0.25mm）DBC板可替代BeO，直接敷接铜的厚度可以达到0.65mm，这样直接敷铜陶瓷基板就能承载较大的电流且温度升高不明显，100A电流连续通过1mm宽0.3mm厚铜体，温升约17℃；100A电流连续通过2mm宽0.3mm厚铜体，温升仅5℃左右。
与钎焊和Mo-Mn法相比，DBC具有很低的热阻特性，以10×10mmDBC板的热阻为例：0.63mm厚度陶瓷基片DBC的热阻为0.31K/W，0.38mm厚度陶瓷基片DBC的热阻为0.19K/W，0.25mm厚度陶瓷基片DBC的热阻为0.14K/W。
氧化铝陶瓷的电阻最高，其绝缘耐压也高，这样就保障人身安全和设备防护能力；除此之外DBC基板可以实现新的封装和组装方法，使产品高度集成，体积缩小。
4.3.1 直接敷铜陶瓷基板发展趋势在大功率、高密度封装中，电子元件及芯片等在运行过程中产生的热量主要通过陶瓷基板散发到环境中，所以陶瓷基板在散热过程中担当了重要的角色。
Al2O3陶瓷导热率相对较低，在大功率、高密度封装器件运行时须强制散热才可满足要求。
BeO陶瓷导热性能最好，但因环保问题，基本上被淘汰。
SiC陶瓷金属化后键合不稳定，作为绝缘基板用时，会引起热导率和介电常数的改变。
AlN陶瓷具有高的导热性能，适用于大功率半导体基片，在散热过程中自然冷却即可达到目的，同时还具有很好的机械强度、优良的电气性能。
虽然目前国内制造技术还需改进，价格也比较昂贵，但其年产增率比Al2O3陶瓷高4倍以上，以后可以取代BeO和一些非氧化物陶瓷。
所以采用AlN陶瓷做绝缘导热基板已是大势所趋，只不过是存在时间与性价比的问题。
4.3.2直接敷铝（DAB）陶瓷基板与直接敷铜陶瓷基板（DBC）性能比较直接敷铝基板作为一种绝缘载体应用于电子电路而取得长足进展，该技术借鑑了直接敷铜陶瓷基板技术。
这类新型的直接敷Al基板在理论和实验上表现出好的特性。
尽管它的特性在很多方面相似于直接敷Cu基板。
对于直接敷Cu基板，由于金属铜的膨胀系数室温时为17.0 ′10-6/°C，96氧化铝陶瓷基板的热膨胀系数室温时为6.0′10-6/°C，铜和氧化铝敷接的温度较高（大于1000℃），界面会形成比较硬的产物CuAlO2，所以敷接铜的氧化铝基板的内应力较大，抗热震动性能相对较差，在使用中常常因疲劳而损坏。
‖铝和铜相比，具有较低的熔点，低廉的价格和良好的塑性，纯铝的熔点只有660℃，纯铝的膨胀系数在室温时为23.0′ 10-6/℃，金属铝和氧化铝陶瓷基板的敷接是物理湿润，在界面上没有化学反应，而且纯铝所具有的优良的塑性能够有效缓解界面因热膨胀系数不同引起的热应力，研究也证实Al/Al2O3陶瓷基板具有非常优良的抗热震性能。
这是直接敷Cu 基板无法比拟的，同时金属铝和氧化铝陶瓷之间的抗剥离强度也较大。
直接敷铝基板作为基板特别适合于功率电子电路直接敷铝基板性能不同于直接敷铜基板的性能，前者在高温循环下有更好的稳定性能。
直接敷铝基板的芯片也表现出更好的稳定性，胜过直接敷铜基板。
直接敷铝基板以它的高的抗热震性、低的重量，有望在将来开发出更好的性能，以满足更高的需求。
4.3.3敷铝陶瓷基板的发展趋势敷铝陶瓷基板（DAB）以其独特的性能应用于绝缘载体，特别是功率电子电路。